См. также Дефекты в кристаллах

Вакансии П 233, 234. См. также Дефекты в кристаллах Валентные зоны 1155 в металлах 1197 волновые функции 1197—199 [c.402]

См. также Дефекты в кристаллах. [c.407]

См. также р — п-переход Точечные группы см. Кристаллографические точечные группы Точечные дефекты П 234. См. также Дефекты в кристаллах Трехвалентные металлы 1300—304 Тригональная кристаллическая система 1126, 135 связь с гексагональной системой 1133 (с) [c.446]

Вакансии II 233, 234. См. также Дефекты в кристаллах Валентные зоны I 155 в металлах I 197 волновые функции I 197—199 [c.393]

См. также Дефекты в кристаллах. Дисперсионная кривая II 61 [c.395]

Междоузельные атомы II 233, 236. См также Дефекты в кристаллах Международные обозначения кристаллографических точечных групп I 131, 132 Межзонные переходы I 221 [c.401]

Точечные группы см. Кристаллографические точечные группы Точечные дефекты II 234. См. также Дефекты в кристаллах Трехвалентные металлы I 300—304 Тригональная кристаллическая система I [c.412]

Проводником. Это справедливо и при рассмотрении таких дефектов в кристаллах кремния с добавкой бора (рис. 43) или в кристаллах галогенидов щелочных металлов, которые способны ионизоваться (с образованием, например, / -центров), а также множества других дефектов. Если энергия электрона, ассоциированного с дефектом, соответствует запрещенной зоне, доля таких центров с захваченными электронами выражается просто в виде функции Ферми для данной температуры [см. (5.12)] основное значение имеет вопрос об относительном распо- [c.96]

В нек-рых П., наз. фотополупроводниками, сопротивление весьма чувствительно к освещению. Напр., в образце dS сопротивление может изменяться от 10 Ом см в темноте до 10 Ом см на свету. Наличие в кристаллах дефектов роста, дислокаций, вакансий и пр. также может приводить к появлению примесной проводимости в П. как донорного, так и акцепторного типа. [c.265]

Кроме того, дислокации определяют концентрацию точечных дефектов в полупроводниковых монокристаллах, так как являются их источником и стоком . Области увеличенных межатомных расстояний являются потенциальными стоками междоузельных атомов и источниками вакансий в кристалле, а области сжатых межатомных расстояний — наоборот (см. п. 3). Точечные дефекты появляются также и при пересечении отдельно движущихся дислокаций, и при аннигиляции дислокаций, движущихся в параллельных плоскостях скольжения. [c.110]

Слои роста. Наиболее распространенным типом дефектов, свойственным многим кристаллам окислов, выращенным из расплава по методу Чохральского, являются слои или полосы роста, которые вызывают периодические из-меиения показателей преломления вдоль направления роста. В экспериментах по генерации второй гармоники было обнаружено [22], что свег, рассеянный ростовыми полосами, имеет различную поляризацию. Эю обстоятельство приводит к рассеянию излучения второй гармоники н, следовательно, к уменьшению ее интенсивности. Слои роста являются основными оптическими дефектами в кристаллах НБН, и их трудно устранить при выращивании кристаллов. В этих кристаллах встречаются два типа ростовых ПОЛОС тонкие слои толщиной 3 10 мкм и широкие толщиной 25 — 70 мкм [53]. В работе [42] было установлено, что возникновение слоев роста не зависит от сегнетоэлектрической природы материала, но присут ствие их в кристалле, как уже указывалось, стабилизирует определенную форму доменной структуры (см. рис. 5.11). Способность полос роста закреплять домены зависит от толщины слоя. В этом отношении наиболее эффективными являются широкие слои. В работе (гл. 4, [80]) показано, что в слоях роста имеет место также неоднородность механических свойств. [c.223]

Возможность получения полезной информации о дефектах в кристалле, разупорядочении или возмущении на основе диффузного рассеяния на электронограммах рассматривалась несколькими авторами. В этой области существуют очевидные ограничения в связи с образованием кикучи-линий в любом распределении диффузного рассеяния, однако на практике эти эффекты можно в значительной степени устранить, проводя усреднение по малой области углов падения (или кристаллических ориентаций), поскольку ки-кучи-линии очень сильно зависят от ориентации. Начальные расчеты проведены Фишером [136] в предположении, что интенсивность диффузного рассеяния на электронограммах от сплавов Си—Аи, обусловленную ближним порядком, можно связать с интенсивностью кинематического рассеяния с помощью плавно изменяющегося динамического множителя . Однако было обнаружено, что модификацию диффузного рассеяния размерным эффектом от таких сплавов можно ослабить сильными двумерными динамическими взаимодействиями вблизи главных ориентаций (см.гл. 16). Все это, а также изучение теплового диффузного рассеяния плюс соображения, основанные на приближениях фазовой решетки, привели Каули [85а, 856] к мысли, что учет динамических эффектов может оказаться полезным, поскольку он позволит вы- [c.278]

Помимо примесных атомов, появление разрешенных уровней в запрещенной зоне связано также и с др. нарушениями идеальной периодичности решетки вякаксиял , атомами в междоузлиях, дислокациями и т. и. (см. Дефекты в кристаллах). При облучении П. фотонами большой энергии, быстрыми электронами или др. частицами с достаточно большой энергией в кристаллич. решетке П. возникают т. п. радиационные дефекты (нек-рые из них исчезают при нагреве, другие остаются), к-рые также могут образовать до-HO.MIHIT. уровни в запрещенной зоне. [c.109]

Участки кристалла вблизи Д. находятся в упруго напряжённом состоянии. Напряжения убывают обратно пропорционально расстоянрш от Д. Упругая энергия, обусловленная полем напряжений Д., составляет 10" эрг на 1 см её длины. Д. могут перемещаться в кристалле, вызывая его пластич. деформацию. Перемещению Д. препятствуют не только прочность разрываемых межатомных связей, но и рассеяние тепловых колебаний атомов и электронов проводимости в упругоискажённой области кристалла, окружающей движущиеся Д., а также упругое взаимодействие с другими Д., с атомами примесных элементов в твёрдых раство рах, межзёренные границы в поликристаллах и др. дефекты в кристаллах. Д. обычно образуются при кристаллизации, но могут возникать в кристалле ири пластич. деформации. Д. определяют многие физич. свойства кристаллов, они, в частности, вносят значительный вклад в поглощение УЗ (см. Дислокационное поглощение). [c.116]

Подвижность дислокаций. Движению Д. препятствует не только прочность разрываемых межат. связей, но и рассеяние фононов и электронов проводимости в упруго искажённой области кристалла, окружающей движущиеся Д. Движению Д. мешают также упругое вз-ствие с др. Д. и с примесными атомами, межзёренные границы в поликристаллах, ч-цы др. фазы в распадающихся сплавах, двойники (см. Двойникование) и др. дефекты в кристаллах. На преодоление этих препятствий тратится часть работы внеш. сил. Т. о., кристалл с Д. мягче бездефектного кристалла, но если он набит Д. и др. дефектами настолько, что они мешают друг другу, то [c.164]

Структура реальных кристаллов. Вследствие нарушения равновесных условий роста и захвата примесей при кристаллизации, а также под влиянием различного рода внеш. воздействий идеальная структура К. всегда имеет те или иные нарушения. К ним относят точечные дефекты — вакансии, замещения атомов осн. решётки атомами примесей, внедрение в решётку инородных атомов, дислокации и др. (см. Дефекты в кристаллах). Дозируемое введение небольшого числа атомов примеси, замещающих атомы осн. решётки, широко используется в технике для изменения св-в К., напр, введение в кристаллы Ge и Si атомов III и V групп периодич. системы элементов позволяет получать крист, полупроводники с дырочной и электронной электропроводностями. Другие примеры примесных кристаллов — рубин, состоящий из AI2O3 и примеси (0,05%) Сг иттриево-алюминиевый гранат, состоящий из Y3AI5O2 и примеси (до 1%) Nd. [c.329]

Величины электро- и магнитоонтич. эффектов в М. ж. на 6 порядков превосходят аналогичные величины в обычных жидкостях, т. к. объём коллоидных частиц в 10 раз превышает объём молекул. В скрещенных электрич. и магн. полях М.ж. подобны двуосному кристаллу, и к-ром оптическую анизотропию можно изменять как по величине, так и по направлению. При оиредел. соотношении между Н ж JS, направленных перпендикулярно друг к другу, наблюдается эффект компенсации оптич. анизотропии. Это происходит при 7// 7/,j/ e 3-10 Э-В-1 СМ. Эффект компенсации оптич. анизотропии используют для визуализации и измерения электростатич. полей (измеряют компенсирующие магн. поля). Для визуализации магн. полей можно использовать скрещенные поляроиды с помещённым между пи.ии слоем М. ж. Магн. коллоиды используют для визуализации доменных стенок в ферромагнетиках, а также для наблюдения скрытых дефектов в непрозрачных магн. материалах. [c.675]

Однако доменная структура, отвечающая предсказаниям теории для идеального С., практически никогда не наблюдается. При образовании доменной структуры важную роль играет предыстория образца, напр. условия прохождения через точку Кюри У в неравновесных условиях при первом охлаждении кристалла после его выращивания при повыш. темц-рах (см. Гистерезис сезнетоэлектрический), а также дефекты кристаллич. структуры. Кроме того, во многих С. на характер доменной структуры сильное влияние оказывает экранирование электрич. поля за счёт перераспределения свободных носителей заряда и перезарядки локальных центров (см. Сегнетополупроводпики). [c.478]

С. к. позволяет получать информацию о системе уровней энергии кристалла, о механизмах взаимодействия света с веществом, о переносе и преобразовании энергии возбуждения в кристалле, фотохим, реакциях и фотопроводи-мости. С помощью С. к. можно также получить данные о структуре кристаллич. решётки, о характере дефектов, в частности примесных центров люминесценции в кристаллах. С. к. исследует влияние поверхности кристалла на его спектр, много-фотонные процессы при лазерном возбуждении и нелинейные эффекты в кристаллах (см. Лазерная спектроскопия, Нелинейная спектроскопия). В С. к. широко используется теория групп, к-рая даёт возможность учесть свойства симметрии кристаллов, т. е. установить симметрию волновых ф-ций и найти отбора правила для квантовых переходов в кристалле. [c.625]

Заключение. Концепция Ф. (как и др. квазичастиц) помогает описать мн. свойства твёрдых тел, используя представления кинетич. теории газов. Так, решеточная тепло-проводностъ кристаллов для неметаллов — это теплопроводность газа Ф., длина свободного пробега к-рых ограничена фонон-фононным взаимодействием, а также дефектами кристаллич. решётки при низких темп-рах (границами образца). Поглощение звука в кристаллич. диэлектриках—результат взаимодействия звуковой волны с тепловыми Ф. В аморфных (в т. ч. стеклообразных) телах Ф. удаётся ввести только для длинноволновых акустич. колебаний, мало чувствительных к взаимному расположению атомов и допускающих континуальное описание твёрдого тела (см. Упругости теория). [c.339]

НИХ тетраэдров через мостиковый атом кислорода (=81—О— 81=), второй описывает возникновение дефекта Френкеля (=81— 81—Ъ—О—81=), третрш кластер включает дивакансию по кислороду (=81—81—81=). В состав модельных фрагментов введены концевые атомы водорода — стандартный прием компенсации оборванных связей [134]. При самосогласовании вьшолнялась также структурная оптимизация фрагментов, что привело к неизбежным отклонениям межатомных расстояний и углов связей в кластерах от соответствуюпщх значений в кристалле. Результатами расчетов явились оценочные величины энергий формирования дефектов ( )) [114] кроме того, в рамках используемого подхода оказывается возможным рассчитать константы сверхтонкого расщепления, спиновую заселенность, энергии колебательных мод и их интенсивности (для примесных дефектов), ряд других микроскопических характеристик, см.[114—119]. [c.163]

Изменение параметра решетки в приповерхностном слое рассматривается в [434] как один из видов "сторонней деформации кристалла, т.е. деформации, обусловленной иными причинами, чем внешнее напряжение сдвига. Так как упругая деформация, отвечающая теоретическому сопротивлению сдвига, составляет 3-5%, автор [434] приходит к заключению, что в поверхностном слое кристалла, где осуществлена деформация 3—10%, должно происходить термофлуктуационное зарождение дислока-ЦИ0Ш1ЫХ петель при малом внешнем приложенном напряжении. Кроме того, следует заметить, что даже такой очень малой по глубине от поверхности области аномалии в динамических параметрах решетки вполне достаточно для облегченных условий зарождения одиночного или двойного перегиба при движении дислокаций (см. п. 5.2), а также для снижения энергии образования точечных дефектов, в частности, вакансий, которые, как будет показано в а. 5.2, выше температурного порога хрупкости Г р контролируют движение дислокаций в модели с консервативно движущимися ступеньками, а ниже Гкр целиком определяют механизм низкотемпературной микропластичности в области низких и средних величин нагфяжений (см. гл. 7). [c.132]

Найденные значения активационного объема для Ge и Si находятся в пределах (0,65-1,0) см , а энергии активации порядка 0,07-0,08 эВ. Такие малые значения энергии активации по аналогии с результатами определения малых ее значений в работах по внутреннему трению в полупроводниках [586, 622—624], а также в ряде других работ [485,486j объяснялись нами ранее [58, 567, 568] с позиций истощения готовых геометрических перегибов на дислокациях, т.е. с помощью движения геометрических перегибов в поле барьеров Пайерлса второго рода. Однако на основании изложенных экспериментальных данных можно предполагать, что они относятся все же к диффузионной кинетике точечных дефектов в приповерхностных слоях полупроводниковых кристаллов. [c.217]

Однако известно [358, 637, 638], что если кислород и является неподвижным при комнатной температуре, то он может образовывать различные виды комплексов, захватывая подвижные дефекты, например, вакансии, которые могут иметь различное зарядовое состояние V , V , V , так же как и дивакансии V2, V2, Например,в [637] концентрация кислорода в кристалле резко падала при нейтронном облучении Si при 40—60° С, вследствие образования Л-центров (комплекс вакансия—кислород). Из опытов по электронному облучению Si и Ge [358] также следует, что вакансии мигрируют и захватываются атомами кислорода при температурах существенно ниже комнатной, так как энергия миграции их очень мала. При этом время захвата равно t = (4ттгОМ(,у [638], где Nq - концентрация центров кислорода г — радиус захвата ( 3 -10 См). Приняв для Ge при 20°С D = 4,3-10" см /с и 7Vo=4-10 см , получим f = 1,55 Ю- с. Таким образом, не только изменением концентрации одних вакансий можно объяснить акцепторное действие микродеформации, но и образованием вакансионно-кислородных комплексов указанного типа. [c.221]

В моделях, более близких к реальным, релаксация вблизи точечного дефекта не ограничивается лишь атомами из ближайшего окружения имеют место смещения атомов, которые постепенно уменьшаются с удалением от центра расширения или сжатия по трем измерениям. Тогда корреляция функции Паттерсона для кристалла с дефектами распространяется на большие расстояния. Рассеивающая способность при диффузном рассеянии обнаруживает постоянное повсеместное возрастание с увеличением 1и , кроме спада с /, и стремится образовать локальные максимумы вблизи положений узлов обратной решетки. Уменьшение резких пиков при возрастании угла, которое добавляется к спаду /, в первом приближении можно выразить как —р таким образом, оно имеет форму, подобную фактору Дебая—Валлера для теплового движения (см. также гл. 12). Такой результат получается из-за того, что при учете всех атомных смещений пики усредненной решетки (р(г)) размываются, как если бы мы делали свертку с какой-либо функцией, подобной гауссовой. [c.160]

Смекал не делает различия в механизме разрушения кристаллов и аморфных тел [69] и считает, что их разрушение происходит за счет первичных дефектов, распределенных по всему объему кристалла. Однако, известно, что существенное отличие кристаллов от аморфных тел заключается в том, что распределение неоднородностей в них не изотропно, а анизотропно. В кристалле существуют направления и плоскости, но которым преимущественно сосредоточиваются искажения, что определяется энергетическими условиями возникновения искажений. Смекал высказал также соображения, выдвигаемые нами (см. гл. 6), о вредном влиянии пластической деформации на прочность и пришел к ряду выводов, аналогичных нашим, но, но-впдимому, этому влиянию он придавал второстепенное значение, так как они не нашли развития в его работах. [c.28]

Оистому с. Nv колебат, степенями свободы можно рассматривать как совокупность независимых осцилляторов, каждый из к-рых соответствует отдельному нормальному колебанию системы. Если в кристалле имеются нарушения периодичности, то среди нормальных колобаР1ий имеются особые, отличающиеся тем, что в них принимают участие не все атомы кристалла, а только локализованные вблизи дефект. (напр,, чужо юдного атома). Такие колебания паз, локальными, Хотя их число невелико, они в ряде случаев определяют пек-рые физ, явления (напр,, оптические явления, характер явления Мессбауэра и др.)- Г, к, граница кристалла является естеств, нарушением его периодичности, то около границы могут распространяться локальные поверхностные волны, амплитуда к-рых экспоненциально уменьшается при удаленнн от границы (см, Рэлея волны). Природа поверхностных волп та ке, что и звуковых, Одиако существование границы приводит к тому, что продольные и поперечные волны раздельно не существуют их определенная комбинация и есть поверхностная волна. Подобного типа волны могут распространяться также внутри кристалла — вдоль плоских дефектов (например, границ кристаллов или дефектов упаковки) и вдоль линейных дефектов — дислокаций. [c.118]

Полной физ. теории ]1. кристаллов еще не существует, рассмотрены лишь частные задачи (вычисление предела текучести, теории упрочнения у рапецеи-трироваиных кубич. кристаллов, ползучести и т. д.). Теоретич. ощ нка напряжения Сто- необходимого для относит, сдвига двух соседних атомных плоскостей в бездефектном кристалле, даст в простейшем случае 0,1 = С/2я, где О — модуль сдвига, а при учете деталей потенциального рельефа в гранецептрирован-ных кубич. и гексагональных кристаллах с плотной упаковкой Сто = С/ЗО. Это в 10 —1(1 раз превышает нанряжение, при к-ром па опыте начинается пластич. сдвиг. Близкие к Оо значения прочности на сдвиг наблюдаются только в бездислокационных кристаллах, а также в кристаллах с очень большой плотностью дефектов, в к-рых дислокации практически неподвижны (см. табл.). [c.42]

ДЕФЕКТЫ кристаллической решётки (от лат. (1е ес1из — недостаток, изъян), любое отклонение от её идеального периодич. ат. строения. Д. могут быть либо атомарного масштаба, либо макроскопич. размеров. Образуются в процессе кристаллизации, под влиянием тепловых, механич. и электрич. воздействий, а также при облучении нейтронами, эл-нами, рентг. лучами, УФ излучением (см. Радиационные дефекты), при введении примесей и т. п. Различают точечные Д., линейные Д., Д.,образующие в кристалле поверхности, и объёмные Д. Простейшим точечным Д. явл. вакансия — узел крист, решётки, в к-ром отсутствует атом. В кристаллах могут присутствовать чужеродные атомы или ионы, замещая осн. ч-цы, образующие кристалл (примесные), или внедряясь между ними (междоузлия). Точечными Д. явл. также собств. атомы или ионы, сместившиеся из норм, положений (междоузельные атомы), а также центры окраски — комбинации вакансий с электронами проводимости или с дырками и др. В ионных кристаллах точечные Д. возникают парами. Две вакансии противоположного знака образуют т. н. дефект Шотки. Пара, состоящая из междоузельного иона и оставленной им вакансии, наз. дефектом Френкеля. [c.152]

На легкоподвижных границах жидкость — газ (пар) или жидкость — жидкость П. н. можно измерить, напр., по массе капли, отрывающейся от конца вертикальной трубки (сталагмометра) по величине макс. давления, необходимого для продавливания в жидкость пузырька газа по форме капли, лежащей на поверхности, и т. д. Эксперим. определение П. н. тв. тел затруднено тем, что их молекулы (атомы) лишены возможности свободно перемещаться. Исключение составляет пластическое течение металлов при температурах, близких к точке плавления. Вследствие анизотропии кристаллов П. н. на разных гранях кристалла различно. Понятия П. н. и свободной поверхностной энергии для ТВ. тел не тождественны. Дефекты кристаллич. решётки, гл. обр. дислокации, рёбра и вершины кристаллов, границы зёрен поликристаллич. тел, выходящие на поверхность, вносят свой вклад в свободную поверхностную энергию. П. н. тв. тел обычно определяют косвенно, исходя из межмолекулярных и межатомных взаимодействий. Величиной и изменениями П. н. обусловлены мн. поверхностные явления (см. также Капиллярные явления). [c.552]

Физ. основу методов Р. т. составляет дифракц. контраст в изображении разл. областей кристалла в пределах одного дифракционного пятна. Этот контраст формируется вследствие различий интенсивностей или направлений лучей от разных точек кристалла в соответствии с совершенством или ориентацией крист, решётки в этих точках. Эфiфeкт, вызываемый изменением хода лучей, позволяет оценивать размеры и дезориентации элементов субструктуры в кристаллах (фрагментов, блоков), а различие в интенсивностях пучков используется для выявления дефектов упаковки, дислокаций, сегрегаций примесей и напряжений. Р. т. отличается от др. рентг. структурных методов (см. Рентгеновский структурный анализ. Рентгенография материалов) высокой разрешающей способностью и чувствительностью, а также возможностью исследования объёмного расположения дефектов в сравнительно крупных (до десятков см), почти совершенных кристаллах. [c.637]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...