Кристаллы с легкой осью

Такие пластинки изготовляют обычно из кварца, а иногда и из тонких слоев слюды, которая, несмотря на то является двуосным кристаллом, может быть использована в этих целях. Свойства пластинки Х/4 легко проверить, поместив ее между двумя скрещенными поляризаторами. Если при вращении анализатора интенсивность прошедшего света не меняется, то толщина подобрана правильно — на выходе из пластинки Получается циркулярно поляризованный свет. Добавив еще одну такую пластинку, можно снова перевести круговую поляризацию в линейную, в чем легко убедиться вращением анализатора. В по-добных опытах, конечно, должно быть выдержано упомянутое выше условие, т. е. вектор Е в волне, падающей на пластинку, должен составлять угол л/4 с ее плоскостью главного сечения. Это достигается относительным вращением поляризатора и пластинки вокруг направления луча. Здесь следует указать, что если направление колебаний вектора Е в падающей волке совпадает с оптической осью пластинки 1/4 (или с направлением, перпендикулярным этой оси), то через пластинку пройдет лишь одна волна. В таком случае из пластинки выйдет линейно поляризованная волна. [c.117]

Метод вращения кристалла. Используют монохроматическое излучение определенной длины волны Я. Кристалл вращают вокруг оси, направление которой найдено методом Лауэ. С помощью сферы Эвальда и обратной решетки легко объяснить получающуюся дифракционную картину (рис. 1.46). Пусть обратная решетка вращается, а сфера Эвальда неподвижна. В момент, когда какой-либо узел обратной решетки касается поверхности сферы Эвальда, для него выполняется интерференционное уравнение (S—So)/X=H, и в направлении, например, ОР, происходит отражение. [c.50]

Очень большое падение напряжений в интервале углов ро от О до 30° легко понять, поскольку в случае кристалла с первоначальным расположением базисной плоскости почти нормально оси растяжения для достижения Ткр по плоскости скольжения требуются высокие растягивающие напряжения. Однако, когда начинается деформация, базисная плоскость поворачивается в более благоприятное положение, при котором приведенное напряжение сдвига становится выше, так что растягивающее напряжение, необходимое для продолжения деформации, уменьшается. На практике такое падение напряжения часто нивелируется процессом деформационного упрочнения (см. гл. IV) однако для гексагональных кристаллов (с низкой точкой плавления и малым упрочнением при комнатной температуре) при подходящих ориентировках оно наблюдается. Это явление называет- [c.122]

Выразим теперь компоненты восприимчивости в лабораторной системе координат (х,у,г), заданной направлениями входящего луча и поляризации, через компоненты восприимчивости в определенным образом ориентированной относительно кристалла системе X, У, 2. [До сих пор была определена только ориентация оси 2, которая совпадает с оптической осью и расположена в плоскости (у, г).] Такое преобразование позволит выразить интересующие нас компоненты для любых ориентаций через относительно небольшое число легко табулируемых материальных параметров (см., например, табл. 2). Уравнения преобразования имеют вид (см. [c.173]

В исландском шпате оптическая ось совпадает по направлению с линией, соединяющей два тупых угла кристалла ( естественная грань исландского шпата имеет вид ромба с углами около 102 и 78°). Спилим эти углы по плоскостям, перпендикулярным оптической оси (рис.3.2). Пропуская через такой кристалл узкие пучки света, легко убедиться, что двойное лучепреломление всегда отсутствует, если луч в кристалле распространяется параллельно его оптической оси. Следовательно, формулируя понятие оптической оси, имеет смысл говорить о некотором направлении, а не о линии. [c.115]

Физическую природу магнитной анизотропии впервые установил Н. С. Акулов. В ферромагнитном кристалле имеются взаимодействия, которые ориентируют намагниченности вдоль определенных кристаллографических направлений (осей легкого намагничения). К этому приводит перекрытие электронных орбит спиновые моменты взаимодействуют с орбитальными из-за наличия спин-орбитальной связи, а орбитальные моменты, в свою очередь, взаимодействуют с кристаллической решеткой за счет существующих в ней электростатических полей и перекрытия волновых функций соседних атомов. [c.347]

Правления осей легкого намагничивания совпадают с пространственными диагоналями куба. В кристалле никеля восемь направлений легкого намагничивания. У кристалла кобальта только два направления легкого намагничивания, перпендикулярные плоскости базиса элементарной ячейки (рис. 7,0). Вектор спонтанной намагниченности домена при отсутствии внешних воздействий всегда направлен вдоль одной из осей легкого намагничивания. Чтобы отклонить вектор спонтанного намагничивания от направления оси легкого намагничивания, нужно затратить работу на преодоление энергии магнитной анизотропии. Удельная энергия намагничивания М [c.12]

Наноструктурное состояние влияет на свойства ферромагнетиков. Ферромагнитные материалы имеют доменную структуру, которая возникает в результате минимизации суммарной энергии ферромагнетика в магнитном поле. Согласно [328], она включает энергию обменного взаимодействия, минимальную при параллельном расположении спинов электронов энергию кристаллографической магнитной анизотропии, обусловленную наличием в кристалле осей легкого и трудного намагничивания магнитострикционную, связанную с изменением равновесных расстояний между узлами решетки и длины доменов магнитостатическую, связанную с существованием магнитных полюсов как внутри кристалла, так и на его поверхности. Замыкание магнитных потоков доменов, расположенных вдоль осей легкого намагничивания, снижает магнитостатическую энергию, тогда как любые нарушения однородности ферромагнетика (границы раздела) увеличивают его внутреннюю энергию. [c.94]

Съемка в характеристическом излучении (т. е. при постоянной длине волны Я) кристалла, вращающегося (или колеблющегося) вокруг определенной оси, обычно совпадающей с важным направлением в кристалле, — метод вращения (колебания или качания). Регистрация производится на плоскую или свернутую по цилиндру фотопленку в последнем случае ось цилиндра совпадает с осью вращения кристалла. Из схемы дифракции в представлении ОР (рис. 5.14) легко понять, что рефлексы на [c.113]

В результате спин-орбитального взаимодействия в ферромагнетике возникает анизотропия в расположении атомных магнитных моментов относительно осей кристалла. В соответствии с этим в одних направлениях намагничивание проходит при минимальных затратах энергии (направление легкого намагничивания), в других намагничивание затруднено (направления трудного намагничивания). Этот вид магнитной анизотропии называется магнитной кристаллографической анизотропией. Энергия кристаллографической анизотропии для кубических кристаллов описывается выражением [c.314]

Особенно легко наблюдается конус преобразованного излучения при распространении основного излучения вдоль оси у кристалла, перпендикулярно плоскости спайности xz. При использовании неодимового лазера излучение второй гармоники наблюдается в виде почти кругового полого конуса с углом 28° при вершине. [c.160]

Коэффициенты Ki (i = 1, 2,. ..) зависят от температуры и химического состава ферромагнитного материала (рис. 28.20—28.23). На рис. 28.24 показано, как изменяется направление оси легкого намагничивания в кристалле гадолиния с изменением температуры. В интервале от О до 170° К направления легкого намагничивания расположены под углом к гексагональной оси ( конус направлений легкого намагничивания) при этом угол раствора конуса изменяется от 32 до 90°. В области температур 170—230° К направления легкого намагничивания лежат в базисной плоскости ( плоскость направлений легкого намагничивания). В интервале температур 250—290° К конус разрушается и возникает одно направление легкого намагничивания. [c.531]

Рис. 28.24. Изменение направления легкого намагничивания Gd с ростом температуры (угол 6 отсчитывается от гексагональной оси с кристалла) [13]

Из выражения (6.4.63) видно, что если /С < О, то Eanis достигает минимума, когда and ортогональны. Например, если вектор d направлен вдоль оси Хз, то а в равновесии лежит в плоскости Хи Х2. Если Д > О, то Eanis имеет минимум при параллельных and. Кристаллы с К>0 называются кристаллами с легкой осью, а кристаллы с Д < О — с легкой плоскостью. Нужно, однако,. отметить, что определенный таким образом тип кристалла может зависеть от температурных условий. Например, гексагональный кобальт с выделенным направлением d гексагональной структуры имеет /С > О ниже примерно 200 °С и Д < О выше этой температуры. При комнатной температуре Дл 4.1. [c.367]

Рис. 7.30. Зависимость от напряженности магнитного поля резонансной частоты колебаний сдвига в пластинке естественного кристалла гематита (а—FejOa) Us — эффективная скорость направление поля нормально к плоскости пластинки и совпадает с тригональной осью легкая плоскость — в плоскости пластинки [249], см. также [250]

Большой интерес с точки зрения как физических свойств, так и возможного технического применения представляют одноосные антиферромагнетики с анизотропией типа легкая плоскость (АФЛП). Выделенное направление в этих кристаллах является трудной осью для магнитных моментов подрешеток. Магнитная анизотропия в перпендикулярной этому направлению плоскости (ее называют базисной) обычно много меньше осевой анизотропии, и ею часто пренебрегают. Кривые намагничивания и спектр АФМР в кристаллах, обладающих анизотропией такого типа, существенно отличаются от соответствующих характеристик легкоосных антиферромагнетиков (рис. 28.11 и 28.12). [c.650]

По данным Р. Хоникомба и др., стержневидный кристалл кадмия или цинка с ориентировкой оси <0001 > почти параллельно оси стержня при сжатии вдоль этой оси претерпевает локальные изломы (коленчатые изгибы) в виде полос сброса. А. X. Коттрелл полосы сброса иногда называет полосами изгиба или полосами перегиба (рис. 85). Р. Хоникомбом экспериментально установлено, что полосы сброса образуются постепенно во время сжатия кристалла с одновременным увеличением поворота решетки. Угол поворота может быть или малым (несколько градусов), или большим (до 80°). Сбросообразование легко осуществляется при сжатии в том случае, когда угол Р между плоскостью скольжения (базисной, плоскостью) и осью сжатия находится в интервале 35—24°. Полосы сброса не возникают при р<2,5°. При р>24° форма полос сброса выражена нечетко. [c.149]

Намагничивание монокристалла до насыщения вдоль разных его осей требует различной затраты энергии (рис. 9). Формы петель гистерезиса (рис. 10) существенно различаются, если кристалл намагничивать вдоль оси легкого намагничивания (петля а) или перпендикулярно к этой оси (петля б). При почти одинаковом значении намагниченности насыщения петля б обладает существенно меньшими значениями коэрцитивной силы и остаточной индукции по сравнению с петлей а. Поэтому магниты, получаемые из монокристалла, нужно вырезать так, чтобы полярная ось магнита совпадала с осью легкого намагничивания монокристалла. Таким же требованиям должен отвечать и магнит, изготовляемый из полнкристаллического магнитноанизотропного материала. Влияние угла рассогласования между направлением намагничивания и осью текстуры на значение удельной энергии у сплавов альнико представлено на рис. 11, из которого следует, что допустимыми можно считать углы рассогласования, не превышающие 8— 10 [c.13]

Вид кривых деформации для усов различных ориентаций и при различных температурах различен. Ниже 1100—1300° С усы всех ориентаций разрушались хрупко. На рис. 163 показана диаграмма деформации нитевидного кристалла типа С (см. рис. 159) диаметром 5 мкм, испытанного при 1200° С. Диаграм-ма типична для хрупкого разрушения. Выше 1100—1300° С разрушение пластичное. На рис. 164 показана диаграмма деформации пластинки типа А (см. рис. 159) при растяжении при температуре 1600° С. Здесь видны зуб текучести и область легкого скольжения, соответствующая прохождению двух полос сдвига через кристалл. Следует отметить, что пластичное разрушение наблюдается только на усах типа Ау и Ла (см. рис. 159), так как только в них могут работать две системы скольжения сапфира — базисная и призматическая. В кристаллах С базисная плоскость перпендикулярна к оси действия нагрузки, поэто- [c.359]

Если монокристалл магнитного материала свободно подвесить в магнитном поле, он займет такое положение, при котором его магнитная энергия минимальна, т. е. намагничивание происходит в направлении так называемого легкого намаёничивания, определяемом рядом факторов. Наиболее важными факторами являются 1) положение осей кристалла относительно направления намагничивания, т. е. магнитокристаллическая энергия 2) внешнее магнитостатическое поле, которое зависит от формы образца, т. е. энергия анизотропии формы (последняя исчезает для сферического образца и максимальна для бесконечно длинного стержня эта энергия тесно связана с размагничивающим фактором) 3) наконец, энергия магнитострикционных напряжений, которая может измениться при изменении направления намагничивания (хотя этот эффект обычно связан с кристаллографическими осями образца, он рассматривается отдельно от чистой кристаллографической анизотропии). Два первых фактора считаются самыми важными, они могут быть использованы при решении структурных и других задач. [c.294]

Большой интерес с точки зрения физических свойств, а также возможного технического применения представляют одноосные антиферромагнетики с анизотропией типа легкая плоскость (АФЛП). Выделенное направление в этих кристаллах является трудной осью для магнитных моментов подрешеток. Магнитная анизотропия в перпендикулярной к этому направлению плоскости (базисной плоскости) обычно много меньше осевой анизотропии, и ею часто пренебрегают. Кривые на- [c.603]

Таким образом, энергия анизотропии представляется в виде степенного ряда, причем берутся только члены разложения с четными степенями, поскольку в большинстве ферромагнетиков энергия одинакова при отклонении намагниченности как в положительном , так и в отрицательном направлении от оси легкого намагничивания. В тех случаях, когда энергия анизотропии зависит от направления вдоль оси легкого намагничивания ( однонаправленная анизотропия, связанная, например с анизотропным обменным взаимодействием в гетерогенных кристаллах), энергия анизотропии представляется в виде ряда как по четным, так и по нечетным степеням направляющих косинусов. Коэффициенты Кп в (1-17) — (1-20) называются константами магнитокристаллической анизотропии и сами по себе не имеют физического смысла, они являются коэффициентами членов ряда, служащего для математической записи энергии анизотропии. При этом соотношения между величинами и знаками двух первых констант магнитокристаллической анизотропии /(] и Л г в (1-20) изменяются при изменении направлений, которым соответствует минимум энергии анизотропии в одноосном ферромагнитном кристалле (т. е. равновесных направлений его намагниченности в отсутствие внешнего магнитного поля) [1-8]. Эти направления могут или совпадать с гексагональной осью кристалла, или лежать в базисной плоскости, перпендикулярной оси кристалла, или образовывать конус направлений легкого намагничивания, осью которого является гексагональная ось кристалла (табл. 1-3). [c.21]

При более подробном рассмотрении механизма взаи.модействия доменных границ с дефектами кристаллической решетки в виде включений учитывается дополнительно возможность прогиба доменной границы между включения.ми под действием поля. Если включения представляют собой стержневидные выделения с длинной осью, ориентированной вдоль направления легкого на.магничивания кристалла, то доменная граница, закрепленная на таких включениях,. может прогибаться, оставаясь параллельной направлению намагниченности. Тогда при этом дополнительной энергии размагничивающего поля не возникает и обратимая восприимчивость при таком про- [c.41]

АНИЗОТРОПИЯ, явление, выражающееся в зависимости физич. величин, выражающих определенное свойство твердого или жидкого тела от направления, вдо.11Ь к-рого эта величина (коэфициент теплопроводности, показатели преломления, прочность на разрыв и др.) измеряется. Тела, обладающие А., называются анизотропными в противоположность изотропным, в к-рых свойства по всем направлениям одинаковы. Анизотропная среда однородна (гомогенна) в том случае, когда зависимость физич. свойств от направления одинакова в различных точках среды. Для данного направления все физич. свойства однородного тела не зависят от положения элемента объема, длп к-рого онп исследуются. Однородная А. может быть обусловлена строением тела, наличием кристаллич. структуры или резко выраженной асимметрией его молекул, легко ориентирующихся под влиянием внешнего или собственного поля (жидкие кристаллы, кристаллич. жидкости). А. (например местная) возникает также в результате односторонних деформаций тела (возникновение неравномерно распределенных внутренних напряжений при растяжении, одностороннем сдавливании тел, закалке, вообще при разных видах механической обработки). Поверхностный слой всякого тела вызывает местную А., делая тело неоднородным вблизи поверхности раздела с окружающей средой. При этом А. поверхностного слоя выражается в том, что физич. свойства по тангенциальным направлениям (лежащим в поверхности) отличны от свойств в направлении, нормальном ij поверхностному слою. Тела м. б. анизотропны в отношении одних свойств (напр, оптических) и изотропны относительно других (напр, упругих). Кристаллы всех систем кроме кубической оптически анизотропны. В таких кристаллах по каждому направлению (за исключением направления. лучевых осей) идут два луча, оба поляризованных во взаимно перпендикулярных плоскостях. Оба эти луча распространяются в кристалле с разной скоростью. А. может быть исследована по характеру зависимости физич. свойств напр, тепловых или механических) в данной среде. В прозрачных телах для изучения А. удобнее исследовать оптич. свойства (напр, по отношению к поляризованному свету). Наиболее полным методом исследования является исследование структуры (рентгено- или электро-нографич. анализ), обусловливающей А. [c.388]

Поэтому при отсутствии поглощения (при = 0) ) симметричная и вещественная матрица всегда приводится к диагональному виду и случай (2.51) невозможен. То же можно утверждать, когда матрицы и v"p имеют общие главные оси. Ситуация именно такова для кристаллов всех систем (сингоний), кроме низших — ромбической, моноклинной и триклинной. В самом деле, для кристаллов с более высокой симметрией (тетрагональной, гексагональной и три-гональной) трехмерные тензоры 2-го ранга имеют два равных главных значения (одноосные кристаллы) и им соответствуют эллипсоиды вращения. В подобных условиях, как легко убедиться, двумерные тензоры и имеют общие оси. Для кристаллов низших сингоний, напротив, главные оси этих двумерных тензоров, вообще говоря, не совпадают. Следовательно, для таких кристаллов при учете поглощения в некоторых направлениях может оказаться выполненным условие (2.48) и будет существовать только одно поляризо- [c.74]

Эти соотношения легко проиллюстрировать на опыте. Пусть на кристалл К исландского шпата (рис. 17.5, а) падает узкий пучок линейно поляризованного света, прошедшего через поляризатор П. Два луча, вышедшие из кристалла, дадут на экране два светлых кружка О и . При повороте кристалла вокруг оси, совпадающей с направлением обыкновенного луча, кружок О останется неподвижным, а центр кружка Е будет перемещаться вокруг него ПО окружности, обозначенной на рис. 17.5, б пунктиром. При этом яркость обоих пучков не будет постоянной. Если установить кристалл таким образом, чтобы направление колебаний вектора Е в падающем и обыкновенном лучах совпадали (и=0, см. рис. 17.4), то интенсивность обыкновенного луча будет максимальна, а необыкновенный луч полностью погаснет. При повороте кристалла на некоторый угол появится необыкновенный луч и достигнет наибольшей яркости при а=я/2, а обыкновенный луч исчезнет. При а = я интенсивность обыкновенного луча снова станет максимальной, а ршобыкновенный луч исчезнет и т. д. Однако суммарная яркость обоих лучей останется неизменной (см. область перекрытия кружков на рис. 17.5,6). [c.33]

Прочность сапфировых волокон Тайко диаметром 0,25 мм на растяжение, а для стержней большего диаметра (3,2 мм) на сжатие для двух главных кристаллографических ориентаций показана на рис. 6, 7 [14]. Довольно значительное снижение прочности волокон на сжатие при повышенных температурах, несомненно, является одной из трудностей изготовления композиций с этими волокнами. Все волокна Тайко, использованные в работах, которые рассматриваются в данной главе, были С-водокнами, т. е. с направлением <0001 > вдоль оси волокна. Пластическое течение в сапфире при повышенных температурах может происходить по механизмам скольжения и деформационного двойникования [13, 17]. Базисное скольжение легко идет при температурах выше 900° С в образцах, ориентированных соответствующим образом относительно направления напряжений. Пламенно-полированные кристаллы, получаемые по Вернейлю, как правило, имели ориентацию, при которой базисные плоскости располагались под углом около 30° к оси стержня поэтому базисное скольжение обычно наблюдали при изгибе стержней (или при растяжении и сжатии параллельно оси стержня) при температурах [c.180]

Деформация скольжения наиболее легко проходит по плоскостям с наибольшей плотностью атомов и наибольшими межплоско-стными расстояниями. Соотношение кристаллография. осей с/а у бериллия равно 1,568, т.е. значительно меньше, чем у идеального кристалла (1,633). Сжатие по оси с уменьшает межплоскостное расстояние и плотность упаковки по базисным плоскостям, так что базисные плоскости не должны являться плоскостями скольжения. Внедренные атомы, в первую очередь атомы кислорода, концентрируются вблизи при-зматич. плоскости и затрудняют скольжение ио этой плоскости. Поэтому с увеличе- [c.425]

Монокристаллы ортоферрита иттрия YFeOa выращивались методом бестигельной зонной плавки с радиационным нагревом. Из них вырезались пластины размером 30X10X0,05 мм так, что их плоскость была нормальна оптической оси кристалла, лежащей в плоскости Ьс под углом ijj 50° к оси легкого намагничивания с (рис. 2.14,6). Коэрцитивность доменных стенок Не з пластинах, характеризующая необходимую для перемагничивания (т. е. изменения состояния домена) напряженность магнитного поля, составила 10. .. 50 Э. При подаче последовательности токовых импульсов амплитудой около 1 А необходимой длительности в соответствующие пары токовых петель (см. рис. 2.14,а) перемагиичи- [c.80]

Применение зтого метода для измерения показателей преломления кристаллов, имеющих плоскости спайности, еще более затруднено, так как невозможно вырезать призму, биссектриса которой совдадает с плоскостью спайности, с отклоняющим углом, меньшим 40° (см. разд. 3.1). В этом случае используется модификация метода призм [128]. Изготовляется призма, одна из граней которой представляет собой плоскость спайности, а ребро совпадает с одной из кристаллографических осей. Для измерения двзос главных показателей преломления, соответствующих поляризации света в плоскости спайности, достаточно направить луч света перпендикулярно зтой плоскости и измерить углы отклонения 5 при разной поляризации. Эти показатели определяются даже с большей точностью, чем в обычном методе призм, так как очень легко вырезать описанную 6. Зак. 442 81 [c.81]

Сравнительно легко качественно показать, что векторная часть нелинейной восприимчивости кристалла увеличивается в том случае, если в молекулах могут происходить переходы, сопровождающиеся ПЗ. Действительно, наличие полярной оси в кристалле обьгано связано с тем, что полярные оси молекул составляют между собой и с осью острые углы. Перераспределение заряда при возбуждении имеет составляющую вдоль полярной оси молекулы. Это приводит к возрастанию составляющей ги-перполяризуемости вдоль оси молекулы, т.е. к возрастанию векторной части гиперполяризуемости. Поскольку полярные оси молекул направлены под острым углом к полярной оси кристалла, то векторная часть нелинейной восприимчивости кристалла также возрастает. [c.116]

Qy Qz — 4я. Энергия этого взаимодействия минимальна, когда вектор М направлен вдоль длинной оси эллипсоида (ось легкого намагничивания). Магнитокристаллическая анизотропия связана с различием энергии, требуемой для намагничивания кристалла до насыщения по разным направлениям. То направление, для которого эта энергия оказывается наименьшей, называют направлением легкого намагничивания. Для Ni и ГЦК-Со (первая константа анизотропии 1 0) ребра элементарной кубической ячейки являются направлениями трудного , а пространственные диагонали — легкого намагничивания. В случае ОЦК-Fe К- ]> 0) имеет место обратная картина. [c.323]

Большой интерес среди инженеров вызвала серия экспериментальных исследований, проведенных Фойхтом и его учениками с целью разъяснить понятия, относящиеся к прочности материалов. Работая на образцах, вырезанных из крупных кристаллов каменной соли, Фойхт нашел, что сопротивление растяжению весьма сильно зависит от ориентации оси образца относительно кристаллографических осей. Оно зависит также и от характера поверхности образца. Фойхт показал, что легкое травление боковой поверхности стеклянных образцов приводит к резкому повышению их сопротивления. Равным образом им было показано, что при неоднородном поле напряжений сопротивление в точке зависит не только от величины напряжений в этой точке, но также и от степени их изменений от точки к точке. Сравнивая, например, предельные сопротивления растяжению изгиба для каменной соли и для стекла, он находит, что наибольшее напряжение разрушения при изгибе почти вдвое превышает соответствующее напряжение при разрыве. Много испытаний было проведено им в условиях сложного напряженного состояния с той целью, чтобы проверить теорию Мора. Все эти испытания выполнялись на хрупких материалах, и результаты их не совпадали с теорией. Фойхт пришел к заключению, что вопрос о физической сущности прочности слишком сложен и что построить единую теорию, которую можно было бы с успехом применять ко всем видам строительных материалов, невозможно. [c.413]

Ось симметрии 1, 2, 3, 4 или 6-го порядков. При повороте в круг оси п рвого порядка на 3 0°, второго —на 360° 2, третьего —на 360° 3 и т. д. фигура кристалла совмещается сама с собой. Легко усмотреть, что ось первого порядка означает отсутствие симметрии. Оси симметрии обозначаются обычно просто цифрами 1, 2, 3, 4, 6 [c.92]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...