Дипольный определение

Перейдем к определению коэффициента захвата Для этого необходимо решить уравнение движения пузырьков газа с учетом их диполь-дипольного взаимодействия. Без учета мультиполей уравнение для силы диполь-дипольного притяжения имеет вид (ср. с (4. 7. 45)) [c.174]

В 2-1 отмечалось, что за оптические частоты ответственны колебания ионов в узлах кристаллической решетки с фиксированным положением центра масс в ячейке, при которых создается переменный дипольный момент. Дипольный момент для системы двух связанных электрических зарядов согласно определению будет [c.59]

Действительно, уменьшение излучательной способности будет не беспредельно и, достигнув определенной величины, вновь начнет возрастать. Об этом свидетельствуют многие экспериментальные данные по степени черноты, полученные в зависимости от температуры для ряда тугоплавких соединений. Объяснение такого рода дает классическая электродинамика, рассматривающая излучение как результат взаимодействия электромагнитной волны с веществом. Если сообщить металлу и диэлектрику одинаковое количество тепловой энергии, то в металле энергия расходуется на возбуждение электронов и, следовательно, ведет к росту интенсивности излучения в диэлектрике часть энергии идет на изменение величины дипольного момента, т. е. наблюдается относительное уменьшение излучательной способности. Такой [c.66]

Для экспериментального измерения внешних квадруполь-ных моментов используются те же методы, что и для измерения магнитных дипольных моментов, т. е. изучение сверхтонкой структуры оптических спектров и радиочастотные резонансные методы. Взаимодействие квадрупольного момента с градиентом внутриатомного электрического поля определенным образом нарушает правило интервалов (2.17), что и дает возможность отделить расщепление уровней, связанное с наличием квадрупольного момента у ядра, от эффектов, обусловленных ядерным магнитным моментом. [c.67]

Предметом стандартизации в ГСИ являются также методы измерений и поверки. Например, методика выполнения измерения для определения параметров по полю в раскрыве высоконаправленных антенн приведена в ГОСТ 8.309—78, методы и средства поверки дипольных измерительных антенн установлены ГОСТ 8.116—74, методы и средства поверки электронных вольтметров при высоких частотах даны в ГОСТ 8.118—74. [c.85]

Значительное влияние на дипольной жидкости оказывает частота. Зависимость от частоты для полярной жидкости (рис. 1-4) подтверждает положение, высказанное выше пока частота настолько мала, что диполи успевают следовать за полем, велика и близка к значению определенному при постоянном напряжении. Когда же частота становится настолько большой, что молекулы уже не успевают следовать за изменениями поля, диэлектрическая проницаемость уменьшается, приближаясь к значению гг , обусловленному электронной поляризацией (ег = п ). Частота /о при которой начинается снижение г, (рис. 1-4), определяется по формуле [c.25]

Дислокации с вектором Бюргерса а [100] расположены на линии пересечения плоскостей скольжения 211 и составляют основу сложных дислокационных образований сгустков [12], которые при частоте нагружения 36 герц имеют определенную кристаллографическую направленность. Наличие уравновешенного количества дислокаций противоположных знаков в пространственной сетке приводит к дипольному характеру взаимодействия отдельных звеньев сетки и отсутствию разориентировки. [c.167]

Атомы и молекулы, даже не имея собственного дипольного момента, могут его приобретать под действием внешнего поля в результате электронной поляризации. Отношение приобретенного дипольного момента к напряженности поля называется поляризуемостью а. Согласно определению [c.312]

А -f 2)UH (А =1, 2,...). Это важное свойство М. р. — аддитивность — позволяет успешно применять рефрактометрия. методы для исследования структуры соединений, определения дипольных моментов молекул, изучения водородных связей, определения состава смесей и для др. физ.-хим. задач. [c.195]

Подставляя сюда элементы матрицы плотности, определенные формулами (14.5), приходим к следующему выражению для дипольного момента молекулы [c.197]

Здесь к есть угол между дипольным моментом и вектором поляризации. Возьмем объем V в форме куба с ребром длинны L. Форма объема не влияет на конечный результат, если этот этот объем стремится к бесконечности. В кубе могут существовать стоячие волны только с определенной длиной волны, которая связана с длиной ребра следующим соотношением [c.300]

Предсказать растворимость какого - либо вещества по аналогии с растворимостью других веществ пока невозможно. Известно лишь, что неполярные вещества лучше растворяются в неполярных растворителях, как и полярные в полярных, чем неполярные вещества в полярных растворителях, или наоборот. ( Подобное растворяется в подобном ). Значения дипольных моментов различных связей в твердых, жидких и газообразных веществах, характеризующие полярность веществ (в Дебаях) приводятся в химических справочниках и энциклопедических словарях. Эти данные могут использоваться для ориентировочной оценки растворимости и в определенной степени химической стойкости неметаллических материалов. [c.91]

Вернемся теперь к рассматриваемой нами задаче двухуровневой атомной системы. При спонтанном излучении атом испытывает переход 2-v 1, и для описания волновой функции атома можно снова применить выражение (2.29). Следовательно, приобретаемый атомом дипольный момент М описывается все тем же выражением (2.32). В действительности для состояний определенной четности первые два члена в выражении (2.32) равны нулю, поскольку как ы 2, так и ы2 — четные функции координаты г. В любом случае эти два члена не зависят от времени. Если для простоты рассмотреть состояния с определенной четностью, то выражение (2.32) упрощается, и мы приходим к выражению (2.33), т. е. [c.58]

Молекулы, обладающие дипольным моментом, располагается друг к другу не беспорядочно, а вполне определенным образом. Диполи разных молекул располагаются либо антипараллельно [Л. 113], либо в хвост друг к другу и при этом положительный конец одного диполя оказывается ближе всего к отрицательному концу другого, притягиваясь друг к другу. Взаимное притяжение диполей противодействует тепловому движению молекул. Чем выше температура, тем меньше дипольное взаимодействие (ориентационное межмолекулярное взаимодействие). Оно сильнее, чем больше дипольный момент, и слабее, когда больше расстояние между молекулами. [c.12]

Характерным свойством фотоядерных реакций является специфический вид функции возбуждения (рис. 89) с очень широким максимумом при энергии 15—20 Мэе. Необычайно большая ширина и положение максимума исключают возможность его истолкования как обычного резонансного максимума, связанного с определенным энергетическим уровнем возбуждения. В 1945 г. советским физиком А. Б. Мигдалом для объяснения этого максимума был предложен механизм дипольного поглощения ядрами 7-фотонов. Ядро состоит [c.290]

Y-Лучи, испускающиеся ядром при переходе в низшее энергетическое состояние, могут уносить различный момент количества движения I. Излучение, уносящее момент количества движения / = 1, называется дипольным, / = 2 — квадрупольным, I = 3 — октупольным и т. д.. Каждое из них характеризуется определенным характером углового распределения. Кванты различной мультипольности возникают в результате различных колебаний ядерной жидкости электрических (дипольные, квадрупольные и т. д.) и магнитных (дипольные, квадруполь-ные и т. д.). [c.166]

На рис. 98 схематически показана простейшая атомная система с одним электроном (атом водорода или водородоподобный ион), какой она представляется в теории Бора. Поле в атоме водорода можно считать число кулоновским. Состояния с различными значениями побочного квантового числа I и одинаковыми главными квантовыми числами и в атоме водорода вырождены и обладают практически одинаковыми энергиями. Орбита электрона в кулоновском поле не совершает прецессии вокруг ядра, а имеет вполне определенное положение. Электрон, обращаясь по орбите, наиболее медленно движется вдали от ядра. Поэтому электрический центр тяжести орбиты электрона находится в точке С. Такая атомная система обладает стационарным дипольным моментом. В этом случае наблюдается линейный игтарк-эффект — линейная зависимость расщепления линий от величины электрического поля. [c.264]

Определенную роль в возбуждении верхних уровней 2 и Зл и создании инверсной населенности играет и непосредственное электронное возбуждение этих ур овней из основного состояния. Что касается уровней 2р к Зр, то для них эффективное сечение возбуждения из основного состояния меньше, чем для уровней 2s и Зл, поскольку р-уровни не связаны дипольными переходами с основным состоянием, имеющим ту же четность [c.304]

Расчет энергии связи в кристаллах — безусловно, квантово-механическая задача. Тем не менее установлено, что для некоторых типов твердых тел в достаточно хорошем приближении энергия связи может быть определена и на основе классического рассмотрения. К таким относятся кристаллы, распределение зарядов в которых может быть представлено в виде совокупности периодически расположенных точечных зарядов (ионов) или диполей. Возникающие в этих случаях типы связи называют соответственно ионной или ван-дер-ваальсовой (иногда — дипольной). В то же время сведение квантовомеханической задачи к классической оказалось невозможным в случае, когда плотность электронов в межионном пространстве достаточно велика, и электроны нельзя рассматривать как включенные в точечные (или почти точечные) ионы. Методы определения характеристик связи и физических свойств кристаллов с таким распределением электронов основываются непосредственно на квантовой теории (включая квантовую статистику). Анализ показал, что основными типами связи в этих случаях являются металлическая, характеризующаяся в первую очередь отсутствием направленности, и ковалентная, важным признаком которой является направленность. Помимо этого в последние годы выделяют в особый YHn водородную связь, имеющую важное значение при рассмотрении биологических соет динений. [c.20]

Правило отбора А/ = 1 имеет то же основание, что и в формуле (28.26), а правило отбора Дт = О объясняется следующим обстоятельством. У аксиально-симметричных молекул, по определению, нет дипольного элек- [c.319]

L = 3. В соответствии с только что сказанным электрические диполь и октуполь, а также магнитный квадруполь — нечетны, в то время как магнитные диполь и октуполь, а также электрический квадруполь — четны. Для обозначения v полному моменту L. Например, электрический дипольный квант обозначается через 1, магнитный дипольный — через М, электрический квадрупольный — через 2, и т. д. [c.163]

Наконец, укажем, что время жизни квантового состояния должно быть сопоставлено с временем затухания х, рассматриваемым при классическом описании процесса излучения. Однако сразу отметим существенное различие между квантовым временем жизни и классическим временем затухания х. Во-первых, X по формуле (6) 70 выражается лишь через мировые константы и частоту линии v. Следовательно, время затухания соответствует определенной спектральной линии. Время же жизни соответствует квантовому уровню, который может быть исходным для нескольких спектральных линий (переходы на несколько нижележащих уровней). Во-вто-рых, классическог время жизни для всех линий с близкими частотами v приблизительно одно и то же, так как по формуле (6) 70, кроме v, оно зависит лишь от мировых констант. Время же жизни х , как мы увидим ниже, дажг для близких уровней может различаться на несколько порядков. Тем не менее если ограничиться интенсивными дипольными переходами (см. 76). то X и Xj оказываются величинами одного порядка, равными приблизительно [c.397]

Обращает на себя внимание наличие разориентированньтх участков размером приблизительно 10—100 мкм в приповерхностном слое усталостно нагруженных монокристаллов молибдена (см. рис. 2). Образование таких участков нельзя связывать с наличием избыточных дислокаций одного знака, поскольку в условиях симметричного растяжения — сжатия дислокационные сгустки имеют дипольный и мультипольный характер, не приводящий к заметным разориентн-ровкам. Вероятно, образование разориентированных участков с резкими границами, обладающих определенной кристаллографической направленностью, обусловлено градиентом дислокационной структуры от поверхности вглубь кристалла. Из-за различных условий деформации поверхностных и внутренних слоев кристалла в поверхностных слоях будут происходить ротации, чередующиеся по знаку. Очевидно, наличие ротационных мод, пластической дефомации в процессе усталостного нагружения также может служить источником зарождения хрупких микротрещип, однако этот вопрос требует дальнейшего развития. [c.170]

Кроме того, в твердых диэлектриках наблюдаются электроннорелаксационная, резонансная, структурная и самопроизвольная (спонтанная) поляризации, которые в полимерных материалах, как правило, не проявляются. Таким образом, пз всех рассмотренных видов поляризации стеклопластики на основе полиэфирных, эпоксидных, фенольно-формальдегидных и других смол следует отнести к материалам, которые обладают почти всеми видами поляризации одновременно, так как смолы обладают электронной и диполы-ю-релаксациоиной поляризациями одновременно, а стеклонаполнитель — ионно-релаксационной поляризацией. Основной предпосылкой для определения плотности полимерных материалов служит формула Клаузиуса—Моссоти, связывающая электрические свойства молекул, диэлектрическую проницаемость, поляризуемость и дипольный момент с плотностью и молекулярной массой [c.98]

Во всех этих примерах образование двойного слоя связано с определенными свойствами межфазной границы, проницаемой для заряженных частиц одного какого-либо сорта электронов, катионов металла, ионов малого размера. Если перенос электрических зарядов через границу раздела фаз невозможен, то двойной слой возникает в результате избирательной адсорбции поверхностно-активных ионов или дипольных молекул растворителя. Подобного рода скачки потенциала обнаружены на границе раствор—воздух, если в растворе присутствуют поверхностно-активные ионы. При адсорбции дипольных молекул, например на ртути, происходит их ориентация, вследствие которрй к поверхности металла оказывается обращенным какой-либо определенный конец диполя, и двойной слой реализуется внутри самих адсорбированных молекул (рис. 2). [c.8]

Кй "уже отмечалось, при определенных условиях в пределы плотной части двойного слоя может происходить внедрение дипольных молекул растворителя или же каких-либо иных добавленных веществ, когда эти частицы обладают способностью адсорбироваться неэлектростати ческим путем. [c.20]

Отметим, что в диапазоне сантиметровых и дециметровых волн измерения темп-ры М, ф. и. возможны с поверхности Земли. В миллиметровом и особенно в субмиллиметровом диапазонах излучение атмосферы препятствует наблюдениям М. ф. и., поэтому измерения проводятся широкополосными болометрами, установленными на воздушных шарах (баллонах) и ракетах. Ценные данные о спектре М. ф. и. в миллиметровой области получены па наблюдений линий поглощения молекул межзвёздной среды, в спектрах горячих звёзд. Выяснилось, что осн. вклад в плотность энергии М. ф. и. даёт излучение с длиной волны А, от в до 0,6 M.M, темп-ра к-рого близка к 3 К. В этом диапазоне длин волн плотность энергии М. ф. и. ,.= 0,25 эВ/см . Один из экспериментов по определению флуктуаций М. ф. и., его дипольной компоненты и верх, границы квадрупольного излучения был осуществлён на ИСЗ Прогноз-9 (СССР, 1983). Угл. разрешение аппаратуры составляло ок. 5°. Зарегистрированный тепловой контраст не превышал 5-10 К. [c.135]

I у. — чётное число I и I орбитальные квантовые числа атомного электрона в начальном и конечном состояниях), для маги, переходов К1 == О, 1,..., (х — 1) I V у — нечётное число). Для электрик. дипольных переходов Д = 1, т. е. такие переходы возможны между конфигурациями разл. чётности (правило Лапорта), а для электрических квадруполь-яых переходов А1 О, 2 (за исключением переходов пя —> п я). О. п. для проекции полного момента важны для определения поляризации спектральных линий испускания. [c.487]

Прнмененве. П. в. используются в ядерной физике для изучения спиновой зависимости нейтронных сечений, измерения амплитуд когерентного и некого рент- ВОГО рассеяний нейтронов (см. Нейтронография структурная), а также для исследования таких фундам., проблем, как несохранение пространственной чётности в ядерных реакциях, поиск нарушения временной ив-. вариантности, определение угл. корреляций в бета-распаде свободных нейтронов, поиске электрич. заряда и электрич. дипольного момента нейтрона и т. д, В фш зике твёрдого тела П. н. позволяют изучать магн. структуры, конфигурации неспаренных электронов t (спиновую плотность) в магнетиках (см. Магнитная е нейтронография), измерять магн. моменты отд. компа- нентов в сплавах, исследовать кинетику фазовых пе- реходов, ядерных релаксац. процессов, миграцию спи- ( нового возбуждения, в т, ч. в неупорядоченных спино-1 вых системах, идентифицировать короткоживущие де-1 фекты в кристаллах, исследовать спиновые волны в i магнетиках и т. д. [c.72]

ЯДЕРНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ—раздел эксперим. ядерной физики, объединяющий методы исследования ядерных излучений а-, fS-частиц, 7-квантов, электронов внутр. конверсии (см. Конверсия внутренняя), а также протонов, нейтронов и др. частиц, возникающих при радиоакт. распаде и в ядерных реакциях. Определяются энергия частиц, их поляризация, пространств, и временные распределения. Цель исследований—определение спектра и квантовых характеристик ядерных состояний энергии, спина, чётности, магн. дипольных и квадрупольных моментов ядер, параметров деформации (см. Деформированные ядра) и др., а также вероятностей переходов между ядерными состояниями в зависимости от их квантовых характеристик. Получаемые методами Я. с. эксперим. данные при сравнении их с результатами теоретич. расчётов в рамках тех или иных ядерных моделей позволяют судить об осн. чертшс связи и движений нуклонов в ядре, что может быть выражено через структуру модельной волновой ф-ции ядра. [c.656]

Измерение электромагнитных моментов ядер в возбуждённых состояниях. Для этого развиты методы, основанные на наблюдении прецессии ядерного спина за счёт сверхтонкого взаимодействия магн. дипольного момента ядра с внеш. магн. полем или электрич. квадрупольного момента с градиентом злектрич. поля, создаваемого внешними по отношению к ядру полями, напр, внутрикристал-лическим полем. Для состояний с временами жизни более 10 с частота прецессии может быть измерена методами возмущённых угл. распределений у-квантов и угл. корреляций. По частоте прецессии может быть определён соответств. ядерный момент, если внеш. поле известно из независимого эксперимента. С др. стороны, ядра с известными магн. дипольными и электрич. квадрупольными моментами изомерных состояний интенсивно используются как зонды в кондснсир. средах для определения действую-П1ИХ на эти ядра электрич. и магн, полей, создаваемых электронами атомных оболочек, и их зависимости от внеш. параметров (темп-ры, давления и .др,). [c.658]

После произведенных преобразований задача расчета полос поглощения и флуоресценции сводится к вычислению функций определенных формулами (10.24) и (10.26), которые описывают поведение во времени дипольных корреляторов. Эти функции могут быть найдены даже в тех случаях, когда вычисление по исходным формулам (10.10) невозможно, например, при учете квадратичного франк-кондоновского взаимодействия с бесконечным числом фононных мод. Если же принимать во внимание только линейное франк-кондоновское взаимодействие, то эти функции могут быть вычислены следующим образом. [c.127]

В качестве примера рассмотрим определение относительной ориентации дипольных моментов di и 62 оптических переходов, участвующих в двухквантовом выжигании провалов и представленных на рис. 5.13. Поляризационные измерения, вьшолненные на стабильном провале, выжженном в красной полосе первого синглет-синглетного перехода, позволяют определить угол ф между этими дипольньп ш моментами. [c.193]

Г. А,Никитин [14] предлагает механизм, при котором молекула ПАВ притягивается к стенке силами, вызывающими адсорбцию. Это может быть сила притяжения со стороны электрического изображения внутри металла стенки молекулы. ПАВ являются полярными молекулами, т.е. имеют статические дипольные электрические моменты, и они притягиваются к таким же дипольным моментам в изображении внутри металла стенки, Впрочем, это может быть также притяжение со стороны молекул стенки, вызванное Ван дер Ваалсовыми силами между данной молекулой ПАВ и молекулами стенки вблизи ее поверхности. В любом случае при многих слоях молекул ПАВ сила притяжения постепенно ослабевает, так как расстояние от данной молекулы ПАВ до стенки увеличивается в процессе облитерации, Если щель достаточно широкая, то облитерация является частичной, т.е. налипший слой молекул ПАВ имеет вполне определенную толщину, больше которой силы притяжения ничтожно малы. Недостатком такого механизма является факт, что силы притяжения являются весьма короткодействующими - их радиус порядка нескольких радиусов молекул. Следовательно, по такой версии слой молекул ПАВ [c.160]

Изучен процесс налипания в условиях производства поливинилхлорида. Налипание связано с физико-химическим взаимодействием прсяюжуточного продукта, содержащего реакционные группы, о поверхностью стеклоэмали, покрытой ионами гидроксила. Определенную часть сшл взаимодействия субстрата и подложки составляют злектро-статические силы, обусловливающие притяжение дипольных молекул продукта-полуфабриката к поверхности знали, которая в зависимости от pH реакционной среды приобретает положительный или отрицательный заряд. [c.199]

Благодаря ориентационной упорядоченности анизометрических молекул смектики и нематики являются одноосно симметричными жидкими кристаллами, причем их оптическая ось параллельна осям молекул. Оптическая ось холестерических жидких кристаллов определяется лишь локально. Анизотропия показателя преломления характеризуется величиной Ап = - п . Во всех известных нематиках и смектиках Ап > 0. Анизотропия диэлектрической проницаемости Де = - жидких кристаллов может быть либо положительной (вплоть до -f IS q). либо отрицательной (до -2е ). Через и мы обозначили диэлектрические проницаемости для электрического поля, соответственно параллельного и перпендикулярного оптической оси (называемой также директором). Положительной величиной Де характеризуются молекулы с продольным дипольным моментом. Именно параметр Де (его знак и величина) является наиболее важным при определении того, как жидкий кристалл будет реагировать на приложенное электрическое поле. [c.288]

Для дипольного момента в экваториальной плоскости, перпендикулярного оси вращения, второй член пропадает, следовательно, мгновенная ось прецессии совпадает с направлением вектора дипольного момента D. Из уравнения (3.8) очевидно, что ось прецессии совпадает с осью Оу и, если момент D коммутируется и фазируется соответствующим образом относительно инерциаль-ной системы координат Oxyz, в которой Оу направлена вдоль оси вращения, а Му лежит в плоскости, определенной вектором вращения и вектором направления на Солнце, может выполняться коррекция положения оси собственного вращения спутника. [c.119]

Поскольку исполнительный орган для создания дипольных моментов является общим элементом рассматриваемых каналов (рис. 3.17, 3.19) системы управления спутников, стабилизированных вращением, рассг. отрим несколько подробнее выбор его основных характеристик. Магнитопривод выполнен в виде обыкновенной катушки. Такой вид магнитопривода позволяет исключить возможность влияния остаточного дипольного момента и эффекта гистерезиса на калибровку магнитометров, используемых для определения составляющих магнитного поля Земли. [c.129]

Что касается определения основных расчетных параметров обмотки магнитопривода, выполненного в виде катушки с прямоугольным токонесущим сечением, то задача сводится к определению количества витков w, поперечного сечения Л, сопротивления намотки R и тока I при условии получения заданного дипольного момента М, известных величинах диаметра катушки удельного сопротивления материала провода р, плотности материала провода а и допустимого теплового режима, т. е. известна допустимая плотность тока [c.130]

Дипольный момент магнитопривода в системе МКС может быть определен из выражения [c.130]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...