Релеевское рассеяние

Релеевское рассеяние происходит в том случае, когда молекула в акте рассеяния не изменяет своего первоначального энергетического состояния. Рассеянный квант света будет иметь ту же частоту vo, что и возбуждающий свет. [c.108]

Поскольку величина фазы б произвольна для различных молекул, то фазовые множители типа е - ) хаотически изменяются от одного центра рассеяния к другому и комбинационное рассеяние света некогерентно. Его интенсивность прямо пропорциональна числу рассеивающих молекул N. Для релеевского рассеяния (о = о ) все фазовые множители = 1 и оно будет [c.110]

Первый член ряда, как и в (3.6), определяет интенсивность релеевского рассеяния света, второй член — интенсивность основных тонов в спектре комбинационного рассеяния, а последующие члены ряда — интенсивности обертонов и составных тонов этого спектра. На основании этого разложения матричный элемент тензора поляризуемости для основного перехода выражается следующим образом [c.111]

Данилов В. Н. К оценке уровня структурных помех с учетом повторного релеевского рассеяния упругих волн//Дефектоскопия, 1988. 10, С,82—89, [c.452]

Более чувствительной характеристикой П. а. а. является т.н. фактор мутности атмосферы Т — отношение оптич. толщ реальной т и идеальной Тц (релеевской, т. е. когда П. з. а. определяется только релеевским рассеянием света) атмосфер. Рассматривая оптич. толщу реальной атмосферы как сумму оптич. толщ идеальной атмосферы Тд, водяного пара и аэрозоля Тд,получают [c.136]

Для простейшего случая релеевского рассеяния полностью поляризованного пучка (/i3 = /1 4 = 0, [c.20]

Для большинства представляющих интерес с точки зрения лазерной локации длин волн коэффициенты молекулярного и корпускулярного рассеяния увеличиваются обратно пропорционально величине длины волны в четвертой степени. Молекулярное (релеев-ское) рассеяние света неизбежно имеет место и оно почти не меняется во времени, но практически не препятствует прохождению света видимых и инфракрасных длин волн. Например, излучение с длиной волны 0,5 мкм, направленное вертикально с уровня моря в зенит будет ослаблено в толще атмосферы за счет релеевского рассеяния всего на 13% в дальнем инфракрасном диапазоне (10,6 мкм) релеевским рассеянием вообще можно пренебречь. [c.51]

Поскольку первые работы Денисюка стали уже классическими, полезно привести его собственное определение [6], сжато формулирующее идею этих работ При релеевском рассеянии излучения на объекте интенсивность волнового поля в окружающем объект пространстве с достаточной степенью точности моделирует оптический оператор рассеяния этого объекта. Это свойство излучения дает возможность, зафиксировав названное поле в материальной среде, получить пространственную структуру, оптические свойства которой совпадают с оптическими свойствами объекта . [c.319]

Спонтанное комбинационное рассеяние характеризуется низкой эффективностью. Если длины волн возбуждающего и рассеянного света лежат вдали от полос поглощения материала, интенсивность КР в 10 4-10 раз меньше интенсивности релеевского рассеяния [2.23]. Например, пленку поликристаллического кремния облучали пучком Аг+-лазера (Л = 514,5 нм) при мощности излучения 100 мВт [2.24]. Стоксову компоненту рассеянного света выделяли с помощью двойного монохроматора и регистрировали счетчиком фотонов. При этом скорость счета не превышала 10 фотонов/с. Таким образом, отношение потока регистрируемых рассеянных стоксовых фотонов к потоку первичных фотонов составляет в данном эксперименте примерно 4 10 . [c.52]

Интенсивность основных полос КР мала по сравнению с интенсивностью релеевского рассеяния. [c.53]

Каково расстояние между линией релеевского рассеяния и первой стоксовой линией вращательного КР-спектра [c.108]

Первый член обусловлен поглощением (упругим гистерезисом), второй— релеевским рассеянием. В материалах с большой разнозернистостью второй член может быть пропорционален кубу и даже [c.168]

В книге подробно и систематически рассмотрены вновь разработанные количественные методы, позволяющие однозначно определять строение жидкостей и концентрированных растворов и особенности теплового движения молекул в этих системах. Приведено описание методики измерения диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь в полярных жидкостях и растворах в миллиметровом и сантиметровом диапазонах радиоволн и способы теоретической обработки получаемых результатов. Приведено описание фотоэлектрической методики исследования релеевского рассеяния света в слабо рассеивающих жидкостях и растворах и теории, позволяющей по данным о релеевском рассеянии света вычислять периметры, характеризующие структуру жидкостей. Рассмотрен ряд общих проблем теории жидкого состояния и теории концентрированных растворов. [c.435]

Рис. 6.6. Диаграммы направленности при дифракции на малом диэлектрическом теле а) релеевское рассеяние б) на малом шаре из идеального металла в) на шаре из материала с п = 2 при ка = 1.

Все виды излучения, возникающего в молекулах и кристаллах при оптическом возбуждении, принято называть вторичным свечением, которое подразделяется на релеевское рассеяние (без изменения частоты), комбинационное рассеяние (с изменением частоты), люминесценцию, горячую люминесценцию и резонансное свечение. Сюда же следует относить и отражение света от поверхности, так как оно сопровождается частичным проникновением света в кристалл и отражает характер возбуждённых состояний кристалла. [c.14]

Как известно, тепловое движение атомов твёрдого тела рассматривают как совокупность нормальных малых колебаний кристаллической решётки. В квантовой теории вместо этих колебаний вводится понятие о фононах как о некоторых распространяющихся по решетке квазичастицах, обладающих определенными энергиями и направлениями движения. Если частота возбуждающего света попадает в область прозрачности кристалла, то в результате взаимодействия света с веществом происходит рассеяние с той же частотой или с изменённой частотой. Процессы рассеяния света в теории рассматриваются как процессы второго порядка, проходящие через промежуточные виртуальные состояния. При релеевском рассеянии процессы поглощения и излучения когерентно связаны такое рассеяние является упругим соударением фотона с атомами кристалла. При комбинационном рассеянии происходит неупругое столкновение фотона с фононами. Из-за изменения частоты когерентность нарушается, однако сохраняются кинематические соотношения, обусловленные выполнением законов сохранения энергии и импульса. [c.14]

Параметрические колебания и усиление (1965). Вынужденное комбинационное рассеяние (1962). [Перестраиваемые комбинационные лазеры (1969).] Вынужденное бриллюэновское рассеяние (1963). Вынужденное релеевское рассеяние (1965). Оптический эффект Керра (1964). [c.28]

Последняя формула совпадает с формулой Томсона для релеевского рассеяния на свободном электроне. Для амплитуды дипольного момента на частоте 2fb из (2.1-8) следует [c.108]

В заключение настояш его раздела мы дадим еще оценку поперечного сечения для отдельного дипольного момента при генерации фотонов в первом порядке (релеевское рассеяние), во втором порядке (генерация второй гармоники) и в третьем порядке (генерация третьей гармоники). Для этого можно воспользоваться соотношениями (2.22-6). Предположим, что импульс рубинового или неодимового лазера действует на вещество, прозрачное в видимой области спектра и поглощающее в ультрафиолетовой области. В соответствии с этим примем, что резонансная частота я = 8-10 с" , а частота задающего излучения со = 2-10 с . Пусть на атомную систему действует интенсивное излучение с l-Ej — = 1,4-10 В/м или (S) 2,7-10 Вт/м2. Если обозначить через L мощность, излученную в полный телесный угол, то поперечное сечение будет равно L)/(S). Зависимость средней мощности (L) от величины р отдельного дипольного момента определяется соотношением [c.118]

Из указанных численных значений для не зависящего от напряженности поля поперечного сечения первого порядка получается величина 2-10" м , что соответствует по порядку величины значению, полученному эмпирически из релеевского рассеяния. Для зависящих от поля поперечных сечений второго и третьего порядков полу- [c.118]

Первый член описывает релеевское рассеяние молекулы спектры частот индуцированного дипольного момента и падающего излучения одинаковы количественные оценки приводят по порядку величины к тем же результатам, которые были получены, для чисто электронных эффектов в 2.2. [c.134]

Токи проводимости 29 Томсона формула для релеевского рассеяния 108 Торможение излучением 35 Точечной симметрии преобразование 66 Тейлора ряд обобщенный 42 [c.240]

При малых энергиях существенную роль начинает играть также релеевское рассеяние на связанных электронах атомов, и при определенных условиях может проявиться резонансное поглощение энергии внешних электрического и магнитного полей. Резонансные процессы поглощения и рассеяния оказываются существенными лишь в очень узких (резонансных) областях энергий, положение которых в энергетическом спектре индивидуально для различных элементов. Энергия рентгеновского характеристического излучения при этом невелика. [c.171]

Исследование деполяризованного релеевского рассеяния в жидких производных бензола, [c.149]

К теории релеевского рассеяния жидкостями. [c.150]

Степень деполяризации релеевского рассеяния в случае, когда возбуждающий свет линейно поляризован (при наблюдении рассеяния под углом 90° к направлению возбуждающего пучка), выраженная через р , равна (см. Борн [2] [c.268]

Универсальным методом изучения дисперсных сред, применимым в довольно широком диапазоне радиусов капель (0,01—100 мкм), следует считать метод измерения индикатрисы рассеяния. На рис. 2.14 представлены типичные индикатрисы, вычисленные для различных диаметров капель воды. Масштаб инди-катрис разный (для сравнения на рис. 2.14 индикатриса для р=30 должна быть в 70 раз длиннее , чем для р=8 (р=2яг // , где —длина волны падающего света). Изображение на рис. 2.14, а соответствует релеевскому рассеянию частицами очень малых радиусов (Iimp -0). Его характерные особенности следующие [c.43]

Случай б соответствует также релеевскому рассеянию с асимметрией индикатриссы относительно =90°. С увеличением р асимметрия в интенсивности возрастает. Отношение интенсивностей рассеянного света, измеренных для двух одинаковых углов ф по обе стороны от Р=90°, является монотонной функцией г, и может служить для измерения последнего в пределах 0,01—1 мк. [c.402]

Кювета для комбинационного рассеяния света 3 имеет с одной стороны плоское окно, а с другой — зачерненный рог (рог Вуда), который поглощает излучение возбуждающей линии ртути, отраженное от внутренних стенок и окон кюветы. Этот свет сильно мешает наблюдению слабого КР-спектра, Чтобы излучение от источника возбуждения не мешало наблюдению. малоинтенсивного КР-спектра, рассеянный свет фотографируется под углом 90°. Рассеянный свет от кюветы собирается и направляется на щель спектрографа 6 линзой-конденсором 7. Конденсор, как и осветитель, укрепляется на рельсе спектрографа на строго определенном расстоянии от щели. Обычно передняя часть кюветы (дно) проецируется на объектив коллиматора, а задняя (начало рога Вуда) — на щель спектрографа. Для стандартных кювет длиной около 10 см и при фокусном расстоянии конденсора /=9,5 см это.му требованию удовлетворяет расстояние от щели до задней части кюветы— примерно 33 с.м. В связи с тем что линии КР-спектра очень слабы и времена экспозиции при фотографировании достигают нескольких часов, необходимо устранить все посторонние источники света. Для этого на конденсор надеты выдвижные светозащитные кожу.хи, а кассетную часть рекомендуется прикрывать черной материей. Кроме того, необходимо устанавливать более широкие входные щели (порядка 50 мкм), чем в случае полосатых спектров испускания двухатомных молекул. В спектре ртутной лампы наряду с возбуждающей линий А=435,8 нм содержатся еще ряд более слабых линий, и в КР-спектре они могут проявляться как линии релеевского рассеяния. Для того чтобы эти линии идентифицировать на фотопластинке рядом с КР-спектром снимают также и спектр ртутной лампы. [c.145]

VIII—IX, расшифруйте визуально спектр ртутной лампы на фотопластинке. Найдите линию ртути 4358 А, которая является возбуждающей линией КР-спектра. Перенесите на КР-спектр чернильными точками линии спектра ртути, которые обусловлены релеевским рассеянием. Тогда оставшиеся линии будут линиями комбинационного рассеяния. [c.205]

ПОСТОЯННОЙ) ИЛИ представлять собой маленькие объ-емчики новой фазы. В последнем случае интенсивность J релеевского рассеяния пропорциональна п п — число рассеивающих пузырьков (капелек) в наблюдаемом объеме, — их средний объем [117]. Джалалуддин и Замков [118, 119] использовали маленькую стеклянную пузырьковую камеру для изучения оптическим методом начальной стадии фазового перехода в диэтиловом эфире и фреоне-13. Свет, рассеянный под углом 45°, 30° или 135°, попадал на фотоумножитель, сигнал с которого осциллографировался одновременно с сигналом пьезоэлектрического датчика давления, помещенного в промежуточную камеру, наполненную глицерином. При сбросе давления (— 0,01 сек) интенсивность рассеяния монотонно растет с увеличивающейся крутизной. Появление микроскопических пузырьков в перегретой жидкости не нарушает плавного характера зависимости Ь (т). Рассеяние сохраняет релеевский характер — 1Л . Заметное отклонение от релеевского закона происходит только в конце процесса расширения камеры, спустя — 1 жеп после начала спонтанной нуклеации. Это подтверждается измерениями асимметрии рассеяния [1191 сделана оценка числа пузырьков в эфире, давление на который при 160 °С было сброшено до атмосферного. Спустя 2 мсек после начала интенсивного зародышеобразования п достигает 10 — 10 см . Грубо это соответствует частоте нуклеации / — 10 — 10 см -сек . [c.127]

Одни из перспективных способов оценки структуры материала — анализ спектра донных сигналов (спектроскопический метод). Частота заполнения ультразвуковых импульсов меняется от посылки к посылке, при этом по амплитуде определяется область релеевского рассеяния. Влияние величины зерна на затухание усиливается вследствие многократного прохождения ультразвуковых волн через границы зерен. Для определения величины зерна также применяются резонансные методы, особенно иммерсионный способ. Например, при контроле импульсно-резонансным способом затухание определяется по отношению амплитуды колебаний, в стенко изделия на резонансной частоте, к амплитуде колебани при отсутствии резонансных явлений. [c.246]

Ослабление сигнала в оптических волокнах-световодах происходит как за счет поглощения, так и за счет релеевского рассеяния излучения. Можно различать собственное поглощение, которое вызвано взаимодействием распространяющейся волны с компонентами вещества световолокна, и поглощение, связанное с наличием примесей, например, ионов хрома, железа, никеля, магния и других элементов, в частности, воды. Однако полосы поглощения из-за второй причины очень узки. Большая доля потерь световой энергии возникает из-за радиационных потерь релеевское рассеяние получается из-за флуктуаций плотности вещества волокна или нерегулярности световода — изгибания, неравномерности диаметра и т. д. [c.75]

К процессам рассеяния (релеевского и комбинационного) следует также добавить процессы, при которых возбуждённые состояния кристалла выступают только как виртуальные (даже в условиях резонанса). При релеевском рассеянии процессы поглощения и излучения когерентно связаны между собой и оно является процессом упругого рассеяния фотонов в кристалле. Следующее из теории возмущений участие в рассеянии промежуточных (виртуальных) возбуждённых состояний кристалла не отражает реальный процесс перехода в возбуждённое состояние. Действительно, согласно теории возмущений волновая функция кристалла, взаимодействующего с фотоном, представляется в виде суперпозиции волновых функций возбуждённых состояний невозмущённого гамильтониана. Однако эту же функцию можно разложить и по любой другой полной ортонормированной системе функций, определённых в том же пространстве независимых [c.19]

В поле интенсивных когерентных световых волн могут возникать различные другие возбуждения, которые сами воздействуют на поле излучения. Например, подобно оптическим фононам могут создаваться акустические фононы, температурные волны, волны энтропии и анизотропии, которые приводят к вынужденному брил-люэиовскому рассеянию, вынужденному релеевскому рассеянию и рассеянию на крыле линии Релея. Эти явления рассеяния можно исследовать по аналогии с вынужденным комбинационным рассеянием, причем можно возвратиться к классическому или полуклассическому рассмотрению (ср. ч. I, 4.3, [3.1-11 и 4.-21]). [c.488]

Чтобы закончить этот обзор, кратко обсудим методы измерения рассеяния, обусловленного флуктуациями энтропии (релеевское рассеяние) в этом случае смещения частоты линии не происходит и изменяется только ее форма. Для измерения ширины и формы линии Форд и Бенедек [31] предложили метод, схематически представленный на фиг. 6. Свет посылается на фотодетектор. Можно показать [31], что спектр флуктуаций тока фотодетектора связан оператором свертки с характеристиками падающего света, а именно корреляционная функция тока на выходе детектора пропорциональна квадрату корреляционной функции электромагнитного поля, попадающего в детектор. Поэтому с помощью такого метода можно получить корреляционную функцию рассеянного света, анализируя ток [c.164]

Изменения е, имеющие статистич. характер и обусловленные термодинамическими плп турбулентными флуктуациями, приводят, с одной стороны, к статистич. нарушония.м формы волновых поверхностей и, соответственно, — к флуктуациям амплитуды (мерцанию) и углов прихода (дрожанию и размыванию изображения) световой волны и, с другой стороны, — к релеевскому рассеянию света. Аналогичную природу имеет и рассеяние света на ультразвуковых волнах. [c.502]

Поляризация релеевского и комбинационного рассеяния. Если эллипсоид поляризуемости молекулы является сферой (как, например, в случае молекулы Hj), то направление индуцированного момента Р при любой ориентации системы совпадает с направлением электрического поля Е, под действием которого возникает этот дипольный момент. Поэтому при облучении газа, состоящего из таких молекул, светом с частотой колебаний v (т. е. если Е = = "о os 2t vi) рассеянное излучение той же частоты v (релеевское рассеяние) при его наблюдении под прямым углом к направлению возбуждающего света будет полностью поляризовано в плоскости, перпендикулярной к направлению возбуждающего света, независимо от того, поляризован или неполяризован возбуждающий свет. Если, однако, эллипсоид поляризуемости не является сферой, то направление вектора индуцированного момента Р совпадает с направлением вектора электрического поля Е лишь при условии, что вектор Е совпадает с одной из осей эллипсоида поляризуемости рассеивающих молекул в противном случае векторы Р и Е имеют различные направления. При облучении газа (или жидкости), содержащего такие молекулы, ориентированные всевозможными способами, индуцированный момент Р уже не будет лежать [c.266]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...