Вторичное свечение

В данной установке измеряют не интенсивность света, прошедшего через а разность фаз, возникающую между двумя компонентами света в конденсаторе Керра. Эта величина, собственно говоря, и определяет интенсивность пропускаемого света измерение же разности фаз может быть выполнено с большим удобством (при помощи компенсатора К), чем оценка интенсивности пропущенного света. Измеренное таким образом запаздывание I складывается из двух величин Тц — времени прохождения светом пути Z TZ2 и т — времени запаздывания процесса вторичного свечения. Если заменить сосуд с флуоресцирующим веществом зеркалом, от которого отражение происходит практически мгновенно, то мы найдем непосредственного и получим возможность ввести соответствующую поправку и определить время запаздывания свечения т. [c.758]

При измерении спектров люминесценции следует иметь в виду, что их форма может быть существенно искажена вторичным поглощением (реабсорбцией) света люминесценции, а также возникновением вторичных свечений. Эти явления вызваны тем, что у большинства веществ спектры поглощения и люминесценции в той или иной степени перекрываются между собой (рис. 68). В этих случаях длинноволновая часть спектра поглощения накладывается на коротковолновую часть спектра люминесценции. Поэтому длины волн коротковолновой части спектра люминесценции, которые попадают в область перекрытия спектров, выходят из толщи исследуемого вещества в значительной степени ослабленными. Длинноволновая же часть спектра люминесценции не ме- [c.202]

На самом деле вторичное поглощение света люминесценции представляет гораздо более сложный процесс, чем это было описано выше. Дело в том, что поглощенный веществом свет люминесценции может вновь возбуждать его молекулы, приводя к возникновению вторичной люминесценции. Вторичное свечение также может быть поглощено веществом прежде, чем его лучи выйдут из раствора наружу, что может вновь привести к возникновению люминесценции и т. д. Спектры люминесценции вторичного и после- [c.203]

Бели эти изменения велики, так что к моменту забывается состояние, сформированное в момент т. е. рассеянный фотон статистически не связан с падающим, то такое Р. с. наз. некогерентным. Большие возмущения в промежуточных состояниях могут обусловить разного рода вторичные свечения, напр. фотолюминесценцию., к-рую традиционно не считают Р. с. Феноменологич. особенности этого свечения — инерционность, задержка или затягивание свечения (рассеяния), независимость спектра люминесценции от быстрых изменений характеристик падающего излучения. [c.277]

Компоненты вторичного свечения кристаллов. Взаимодействие света с кристаллическим веществом сопровождается разнообразными явлениями энергия фотонов может частично или целиком переходить в энергию теплового движения в веществе могут вызываться химические реакции или фотоэффект кристалл может излучать фотоны той же или изменённой частоты. [c.14]

Все виды излучения, возникающего в молекулах и кристаллах при оптическом возбуждении, принято называть вторичным свечением, которое подразделяется на релеевское рассеяние (без изменения частоты), комбинационное рассеяние (с изменением частоты), люминесценцию, горячую люминесценцию и резонансное свечение. Сюда же следует относить и отражение света от поверхности, так как оно сопровождается частичным проникновением света в кристалл и отражает характер возбуждённых состояний кристалла. [c.14]

Различия между некоторыми типами вторичного свечения достаточно условны и определить их оказывается возможным при рассмотрении классификации вторичного свечения в зависимости от тех или иных параметров, выбор которых зависит от предпочтений исследователя или от физики исследуемого явления. Проиллюстрируем это на следующем примере. Если в качестве такого параметра взять время I между актами поглощения и испускания фотонов, то условно можно прийти к следующему разбиению по типам вторичного свечения на такой временной шкале (рис. 1.1). Спустя время, равное периоду волны [c.14]

Рис. 1.1. Возможная классификация типов вторичного свечения в зависимости от времени возникновения вторичного свечения ОТР — отражение света, РКР — резонансное комбинационное рассеяние, ГЛ — горячая люминесценция, Л — люминесценция, Ф — фосфоресценция [35

В нашем изложении мы будем придерживаться следующей классификации вторичного свечения. Пусть свет возбуждает в кристалле реальные электронные или электронно-колебательные состояния. Тогда после поглощения света система находится некоторое время т в этом состоянии. Этот промежуток времени называется среднее время жизни, а процессы поглощения и испускания выступают как независимые процессы. Среднее время жизни т определяет экспоненциальное уменьшение интенсивности излучения с течением времени [c.15]

Резонансное вторичное свечение примесных центров кристаллов [c.327]

В работах [21—24] разработана теория зависящих от времени спектров резонансного вторичного свечения. Из полученных формул, а особенно из результатов проведенных на ЭВМ расчетов [21] этих спектров для конкретных моделей примесного центра, наглядно видно, каким образом по прохождении возбуждающего светового импульса последовательно возникают и накапливают интенсивность релеевское и комбинационное рассеяние, горячая люминесценция и обычная люминесценция. Вместе с тем зависящие от времени спектры РВС служат прекрасной иллюстрацией временного критерия Вавилова [3] различения рассеяния от люминесценции (дополненного, конечно, горячей люминесценцией). [c.336]

Основываясь на формуле (26), легко оценить долю релеевского рассеяния во вторичном свечении. Пусть а — характерная ширина полосы поглощения в области частоты (Оо. По порядку величины она, очевидно, равна Tt a Г<). Поскольку й((0о) [c.337]

Подчеркнем, что а Г< определяет скорость процессов фазовой релаксации. Последние процессы хотя и не ведут обязательно к установлению теплового равновесия по колебаниям (к нему ведет энергетическая релаксация, скорость которой Г , как отмечалось, может быть гораздо меньше Гг), но тем не менее уменьшают долю релеевского рассеяния во вторичном свечении за счет увеличения доли горячей люминесценции. [c.337]

Резонансное вторичное Свечение примесных центров кристаллов 339 [c.339]

В большинстве случаев введение двух различных явлений вторичного свечения оправдано. Действительно, в традиционно понимаемом рассеянии света возбужденные состояния системы являются виртуальными, тогда как при фотолюминесценции излучению фотона обычно предшествуют многократные переходы системы между реальными возбужденными состояниями. [c.163]

Различные компоненты вторичного свечения кристаллов [c.575]

В этом параграфе мы исследуем только излучение кристалла, обусловленное его оптическим возбуждением. В настоящее время все виды излучения, возникающего в молекулах и кристаллах при оптическом возбуждении, принято называть вторичным свечением [459, 460]. Вторичное свечение подразделяется на I) релеевское рассеяние (без изменения частоты 2) комбинационное рассеяние (с изменением частоты) 3) люминесценцию 4) горячую люминесценцию и 5) резонансное свечение. К вторичному свечению следует отнести и отражение света от поверхности, так как оно сопровождается частичным проникновением света в кристалл и отражает характер возбужденных состояний кристалла. [c.575]

РАЗЛИЧНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ВТОРИЧНОГО СВЕЧЕНИЯ 577 [c.577]

РАЗЛИЧНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ВТОРИЧНОГО СВЕЧЕНИЯ 579 [c.579]

РАЗЛИЧНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ВТОРИЧНОГО СВЕЧЕНИЯ 581 [c.581]

Под рассеянием оптического излучения понимается такое пре-образование света веществом, при котором изменяется направление его распространения. Рассеяние света, проявляющееся как вторичное свечение вещества, вызывается оптическими неоднородностями при любом фазовом состоянии вещества. При этом под оптическими неоднородностями понимают неоднородности показателя преломления, в общем случае зависящего от электрической и магнитной проницаемости среды. [c.7]

При освещении кюветы сфокусированным излучением аргонового лазера хорошо наблюдается движение конвекционных потоков частиц, находящихся вне фокуса (рассмотрение действующих в таких условиях сил см. в УФН, 110, 1973). В течение нескольких секунд, а иногда и минут можно наблюдать яркое свечение рассеянного на взвешенной частице лазерного излучения (рис. 2.27). Следует заметить, что в этом эффектном опыте проявляются особенности лазерного излучения, которое можно сфокусировать в пятно диаметра л и создать условия, позволяющие освободиться от вторичных эффектов, которые при использовании тепловых источников во много раз превышают исследуемое явление. [c.112]

Каждое облучение возбужденного кристаллофосфора импульсом ИК-лучей вызывает кратковременную вспышку его свечения (оптическая вспышка), возникающую при рекомбинации оптических электронов. Кроме того, появляется слабое, но довольно продолжительное послесвечение — вторичная фосфоресценция. Вторичная фосфоресценция возникает при задержанной рекомбинации оптических электронов, успевших первоначально локализоваться на ловушках, а затем медленно освобождающих с них тепловым путем. Величина энергии минимальных квантов, достаточных для освобождения ловушек данной системы, называется их оптической глубиной, которая превышает термическую глубину. [c.187]

Учет перечисленных эффектов требует проведения дополнительных расчетов. Спектр люминесценции с введенными поправками на вторичное поглощение по формуле (4.36) тогда оказывается несколько смещенным в сторону длинных волн по сравнению с истинным спектром, для которого учтено возникновение вторичного и последующих свечений. В качестве примера на рис. 77 приведены результаты таких расчетов для растворов красителя флуоресцеина. При малых толщинах люминесцирующего слоя влияние вторичных свечений практически не проявляется (а, кривые 2 и 3), В толстых слоях ( 1 см) их роль становится более значительной (б, кривые 2 и 3). Эти данные показывают, что при работе с тонкими слоями разведенных растворов люми-несцирующих веществ поправки на вторичные свечения можно не учитывать. [c.204]

Признак длительности имеет большое практич. значение и дает возможность отличить Л. от других неравновесных процессов. В частности, он сыграл важную роль в истории открытия явления Вавилова — Черенкова, позволив установить, что наблюдавшееся свечениенельзяотнестик Л. Вопрос о теоретич. обосновании критерия Вавилова рассматривался В. И. Степановым и Б. А. Апанасевичем [3]. Согласно [3], для классификации вторичного свечения большое значенио имеет существование или отсутствие промежуточных процессов между поглощением энергии, возбуждающе Л., и излучением вторичного свечения (например, переходов между электронными уровнями, изменений колебательной энергии и т. п.). Такие промежуточные процессы характерны для Л. (в частности, они всегда имеют место нри неоптическом возбуждении Л.). [c.31]

РАССЕЯНИЕ СВЕТА — преобразование света веществом, сопровождающееся изменением напраиле-ппя его распространепии и проявляющееся как свечение вещества (т. н. несобственное свечение, нанр. свечение планет). Явление Г , с. весьма многообразно и играет важную роль в обыденной жизни, в технике II как мощное средство исследования строения вещества (строения молекул, жидкого состояния и т. п.), а также промышленного контроля. Р. с. родственно фотолюминесценции, от к-рой отличается отсутствием промежуточных квантовых переходов в веществе, т. е. с точки зрения классич. теории тем, что свечение вещества возникает в результате возбуждения светом вынужденных (а не собственных) колебаний заряда, диполей и мультиполей. Экспериментальным критерием для различения Р. с. от фотолюминесценции может служить зависимость (для F>. с.) илп независимость (для люминесценции) спектра вторичного свечения от спектрального состава возбуждают,его евета, а также критерий Вавилова, согласно к-рому фотолюминесценция отличается от Р. с. более длительным поел есвечением. [c.352]

В русское издание книги включены два дополнения, помещенные в конце второго тома. В первом из них, подготовленном сотрудницей автора профессором Р. Беренсон, излагаются полученные в последнее время результаты по применению кристаллических коэффициентов Клебша — Гордана в ряде задач спектроскопии твердого тела. Второе дополнение, написанное К. К. Ребане и В. В. Хижняковым, посвящено теории резонансного вторичного свечения кристаллов. Проблеме резонансного рассеяния в основном тексте книги уделено мало места, хотя автор подчеркивает то значение, которое она приобрела в последние годы. Указанное дополнение имеет целью на примере примесного центра в кристалле дать представление о том, каким образом при резонансном возбуждении в полосе поглощения благодаря свойственным кристаллу быстрым процессам колебательной релаксации подавляющая доля энергии трансформируется в люминесценцию и каким образом из общего потока вторичного свечения можно выделить две другие компоненты — рассеяние и горячую люминесценцию. [c.7]

Все излучение в целом, представляющее собой отклик вещества на фотовозбуждение, принято называть вторичным свечением. Пользуясь этим термином, можно сказать, что в нерезонансном случае вторичное свечение сводится лишь к относительно слабому рассеянию света, в то время как в резонансном оно становится намного (на несколько порядков) интенсивнее и во многих актуальных случаях может рассматриваться как состоящее из нескольких компонентов с существенно различными свойствами. Отсюда следует, что одним из основных вопросов, возникающих при переходе к резонансному возбуждению, является классификация резонансного вторичного свечения (РВС). [c.327]

Спектроскопия фотолюминесценции твердых тел методически основана на измерении спектра вторичного свечения при фиксированном спектральном составе возбуждающего света и на измерении спектра возбуждения фотолюминесценции, когда приемник регистрирует вторичное излучение в узком спектральном интервале и измеряется зависимость сигнала от частоты возбуждающего света. В первом методе измеряемый спектр определяется главным образом силой осциллятора и временем жизни излучающих состояний, энергетически расположенных вблизи края фундаментального поглощения, и косвенно процессами энергетической релаксации горячих возбужденных состояний. Во втором методе в первую очередь получается информация о спектре и силе осциллятора (но не о времени жизни) электронных возбуждений в энергетической области выше края поглощения. Вклад в фотолюминесценцию полупроводников могут вносить различные механизмы излучательной рекомбинации, такие как зона—зона , зона—примесь , донор—акцептор , с участием фонона, излучение свободных, связанных или локализованных экситонов, а также экситон-поляритонная и биэкситонная рекомбинации. Фотолюминесценция структур с квантовыми ямами имеет свои характерные особенности. В частности, низкотемпературная люминесценция нелегированных квантовых ям обычно связывается с излучательной рекомбинацией экситонов, локализованных на шероховатостях интерфейсов и флуктуациях состава. Дело в том, что в реальности интер- [c.134]

Такой процесс вторичного свечения можно рассматривать как рассеяние света, так как спектр вторичного излучения привязан к первичной частоте со, и сдвигается со сдвигом со,. С другой стороны, этот процесс имеет черты фотолюминесценции, так как его можно описывать в терминах двухступенчатого процесса поглощение (absorption) + излучение (emission), с реальным промежуточным состоянием. Таким образом, его можно интерпретировать одновременно и как резонансное рассеяние, и как резонансную фотолюминесценцию. По этой причине иногда в этом и аналогичных случаях используют термин резонансное вторичное свечение . Заметим, что при оптическом возбуждении немонохроматическим светом со спектральной интенсивностью /о(со I ), плавно зависящей от частоты со, в окрестности резонанса oq, для спектра излучения получаем [c.163]

К. К. Рсбане, Вторичное свечение примесного центра кристалла, Тарту, 1970. [c.635]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...