Импеданс поверхностный

Изотопический аффект в сверхпроводниках 631, 638, 679, 680, 752 Импеданс поверхностный 751, 912 Инверсии кривая 45—47, 62, 63 [c.928]

Поверхностный импеданс Z определяется как отношение комплексной величины ( )), описывающей переменное электрическое поле с частотой (о на поверхности, к проинтегрированной комплексной плотности тока J x) [c.751]

Гаррисон и Уэбб объясняли этот эффект тем, что благодаря поверхностному эффекту импеданс проволоки зависит от ее магнитной проницаемости в направлении силовых линий тока, которая в свою очередь зависит от продольного поля. Чем больше продольное поле, тем меньше д. в перпендикулярном к нему направлении и, следовательно, тем слабее выражен поверхностный эффект и тем меньше импеданс. [c.46]

Измерение толщин пленок осуществляется электрическими методами с помощью поверхностных датчиков. Электрические методы, основанные на измерении изменений импеданса датчика, разделяются на две группы 1) емкостные 134], с помощью которых производятся измерения малых изменений реактивной составляющей импеданса датчика, обусловленных наличием пленки 2) методы электрической) проводимости, в основе которых лежит измерение активной составляющей сопротивления пленки. Электрические методы выгодно отличаются от других методов измерения тем, что датчик, установленный в стенке канала, не возмущает пленку, а электрическая аппаратура позволяет регистрировать волновые процессы. [c.62]

Понятие В. с. переносят и на произвольное распределение волновых полей любой природы, в т. ч. и на отношение их амплитуд в бегущих волнах сложной структуры, Напр., в электродинамике это отношение напряжённостей электрич. и магн. полей, в акустике — отношение давления к скорости частиц среды и т. д. При этом равноправно используют также термин поверхностный (полевой) импеданс. м. А. Миллер. ВОЛНОВОЕ УРАВНЕНИЕ — линейное однородное ур-пие в частных производных гиперболич. типа [c.312]

Здесь принята гауссова система единиц, в к-рой величина (iJ.g/ea) безразмерна, соответственно в СИ она имеет размерность импеданса, поэтому её обычно наз. поверхностным импедансом, В данном случае Z совпадает с характеристическим импедансом среды 2. [c.581]

Более точный количеств, смысл как при нормальном, так и аномальном С.-э. (в отличие от 6) имеет поверхностный импеданс Z. В НЧ-области нормального С.-э. [c.542]

В действительности при Ф. р. в металле на его поверхности возбуждаются спиновые волны, к-рые распространяются в глубь металла и затухают, в осн., на длине 6 вследствие магн. потерь и электрич. потерь, обусловленных проводимостью металла. Теория этого процесса должна учитывать влияние обменного взаимодействия на параметры всех 4 типов волн, к-рые могут распространяться в ферромагн. металле, а также дополнит, (обменные) граничные условия на поверхности металла. В результате может быть вычислен поверхностный импеданс металла Zg и найдена ширина резонансной линии ДЯ, к-рая в данном случае определяется, как ширина кривой Zj (Яо) на половине её высоты. Сравнение результатов таких расчётов с экспериментом позволяет найти вклад ДЯ ,г магн. потерь, пропорциональный параметру диссипации в ур-нии Ландау—Лифшица, и вклад ДЯ , обусловленный проводимостью и обменным взаимодействием. В случае преобладания этого вклада и нормального скин-эффекта [c.309]

Поверхностный импеданс в условиях Ц, р. Комплексная проводимость, в металлах характеристики Ц. р. удобно выражать через поверхностный импеданс. [c.433]

Собственный механический импеданс 2о преобразователя мал. В электретных преобразователях можно применять диэлектрик любого вида. Типичным материалом является фторопласт-4 в виде пленки, который после термообработки в поле напряженностью 10 В/м приобретает поверхностную плотность зарядов порядка 2 10 Кл/м . В течение одного месяца а уменьшается До Кл/m j после чего [c.193]

При рассмотрении электромагнитных полей над гребенчатыми структурами (ср. начало гл. IX) часто вводят поверхностные импедансы, связывающие тангенциальные составляющие электрического и магнитного полей на границе структуры [c.273]

Плоскость у = 0 с граничными условиями (57.02) и (57.03) можно назвать импедансной ступенькой. Пусть справа к границе раздела импедансов приходит поверхностная волна [c.338]

Задача о диффракции плоских и поверхностных волн на импедансном клине допускает строгое решение (см. работы [53], [54] и [55], а также статьи [56] и [57], в которых рассмотрена диф-фракция цилиндрической волны на импедансном клине). Это решение является в общем случае довольно громоздким, однако из него можно получить ряд численных результатов и простые формулы для величин, имеющих физический интерес. Так, при равенстве реактивных импедансов граней [c.349]

Импедансный метод и метод вибрации способны выявить дефекты при соединении не только однородных, но и разнородных материалов [25]. Импедансный метод [27] основан на сравнении жесткости отдельных участков соединений конструкции. Если стержень, совершающий продольные колебания, соприкасается с монолитным участком изделия, то вся конструкция колеблется как единое целое и механическое сопротивление (механический импеданс), оказываемое изделием стержню, определяется жесткостью всей конструкции. Нарушение сплошности материала вызывает изменение его жесткости. Сила реакции при этом резко уменьшается, что приводит к падению напряжения на пьезоэлементе датчика. Эти изменения импеданса материала шва фиксируются стрелочным индикатором или оповещаются световыми сигналами. Дефекты, расположенные параллельно поверхности, надежно выявляются, если жесткость прилегающего к дефекту поверхностного слоя меньше жесткости остальной части материала. Существенным достоинством метода служит точечный [c.567]

При определении области потенциалов, в которой происходит адсорбция ингибиторов, можно исходить из величины потенциала нулевого заряда исследуемого металла или из изменений емкости двойного электрического слоя при добавке в электролит адсорбирующегося вещества. Рассмотрим, какие возможности имеются в настоящее время для определения области потенциалов адсорбции заданных веществ методом измерения импеданса. С точки зрения анализа результатов измерений импеданса простейшей является адсорбция нейтральных органических веществ. Если исследуемые вещества являются поверхностно-активными адсорбирующимися веществами, диэлектрическая постоянная которых меньше, чем воды, то в области их адсорбции наблюдается понижение емкости двойного слоя и область потенциалов адсорбции на кривых зависимости емкости от потенциала ограничивается пиками адсорбции — десорбции [2]. [c.27]

Большую роль при определении области адсорбции ингибиторов играет потенциал нулевого заряда. Эта характеристика металла, как известно, может явиться важным ориентиром для выбора ингибиторов коррозии, а также при исследовании механизма коррозионных процессов. Один из методов определения потенциала нулевого заряда — измерения зависимости емкости двойного электрического слоя от потенциала в разбавленных растворах поверхностно-неактивных электролитов. Такие данные могут быть получены при измерении импеданса. В соответствии с теорией двойного слоя в разбавленных растворах поверхностно-неактивных электролитов на кривых зависимости емкости от потенциала должен быть минимум, потенциал которого равен потенциалу нулевого заряда металла. Экспериментальные данные, полученные на ртути, хорошо согласуются с этими теоретическими представлениями [13]. [c.29]

Величина звуковой энергии, проходящей через стенки капота, определяется уровнем шума под капотом и энергией, затрачиваемой на возбуждение в нем механических колебаний. Иными словами величина звукоизоляции Ь капота обусловливается импедансом его стенок, который в общем случае определяется поверхностным весом и жесткостью стенок. [c.528]

Интегрирование в (4.3) производится по области (рис. 4.1), снаружи ограниченной 8ц, внутри — поверхностями, импеданс-ными Зт, металлическими ( Ш== О и ш = оо ) и диэлектрическими 5е. Кроме того, такой же интеграл надо взять по области, занятой диэлектриком и снаружи ограниченной поверхностью. 5е. Применять (4.3) сразу ко всему объему нельзя, поскольку волновое уравнение справедливо только в областях, где е непрерывна. Затем надо сложить равенства (4.3), полученные при интегрировании по обеим областям. При этом поверхностный [c.37]

Стационарный функционал для собственного импеданса. Как мы отмечали в 10, решение задачи дифракции можно представлять в виде ряда по собственным функциям однородных задач в которых собственным значением служит не частота, а поверхностный импеданс. В скалярной записи однородная задача запишется так [c.146]

Ииплард (частное сообп1енис) отмечает, что интерпретация экспериментов по анизотропии сомнительна, поскольку действитольиап часть поверхностного импеданса велика на применявшихся частотах. Способ экстраполяции к пределу низких температур не исключал в.шяния поправочных членов. [c.690]

Зависимость глубины проникновения от поля. Пиппард [74] наблюдал небольшую, но весьма важную зависимость глубины проникновения в олове от поля соответствующие данные изображены пунктирной линие па фиг. 13. Оказалось, что ДХ/Х пропорционально квадрату нанряженностц ноля Н. Приведенная на графике величина ДХ/Х является относительной разностью между глубиной проникновения в поле, равном критическому значению при данной температуре, и глубиной проникновения без поля. Измерения проводились микроволновым методом. Определялась зависимость реактивной части поверхностного импеданса от приложенного статического магнитного поля. [c.739]

Большое количество экспериментальных и теоретических работ было посвящено изучению сверхпроводников в полях высокой частоты. Некоторые из них выполнены с нолями, малыми по амплитуде поверхностный импеданс измерялся на микроволновых частотах. Обзорная статья Пин-парда [50] подводит итог этим работам и содержит ссылки на литературу. Другим вопросом является изучение кинетики фазового перехода в этом случае интерес представляют поля с большой амплитудой во всех областях спектра. Теория разрушения сверхпроводимости переменными полями большой амплитуды обсуждалась Лифшицем [10G, 107], Мы подведем здес1, только итог теоретической стороне работ по поверхностному импедансу. [c.751]

Гаррисон и его сотрудники подробно исследовали зависимость импеданса проволоки от силы тока, частоты и внешнего магнитного поля и обнаружили, что с ростом силы тока сопротивление проволоки скачком растет, затем убывает. Полученная ими зависимость импеданса от частоты отличается от той, которую дает классическая линейная теория поверхностного эффекта. Вскоре после этих работ появилась статья Уэбба [28], который обнаружил и исследовал на радиочастотах влияние продольного поля на импеданс проволок, изготовленных из жестких магнитных материалов. Он указал ряд возможных радиотехнических применений зависимости импеданса от магнитного поля автоматическая настройка, автоматическая регулировка громкости и т. п. [c.46]

Согласно этим соображениям, эффект Гаррисона имеет в слабых продольных полях двоякую природу импеданс уменьшается с ростомЯж не только вследствие уменьшения но также и благодаря уменьшению потерь на гистерезис. Кроме того, в сильных продольных полях должна исчезать зависимость импеданса от силы тока, а его зависимость определяется формулой (5) в сочетании с линейной теорией поверхностного эффекта вихревых токов. Дальнейшие исследования подтвердили это. Измерения показали, что в продольных полях порядка 2 э исчезает зависимость импеданса от силы тока и что если продольное поле превышает 2 э, то зависимость импеданса от частоты описывается с достаточной точностью классической линейной теорией поверхностного эффекта, причем вычисленная по импедансу удовлетворяет соотношению (6). Таким образом, справедливы следующие выводы [c.47]

ГАНТМАХЕРА ЭФФЕКТ (радиочастотный размерный эффект) — аномальная зависимость (появление пиков) поверхностного импеданса металлич. пластин от величины пост. Mai H. поля. Г. э. наблюдается при тех значениях напряжённости поля, когда один из характерных размеров электронных траекторий внутри металла становится сраннилшм с толщиной пластины. Этот эффект, открытый В. Ф. Гантмахером (1902), нашёл примоненле как метод исследования ферми-поверхности и процессов рассеяния электронов в металлах. [c.416]

Изложенный метод позволяет решать задачи, к-рые пе удается решить на основе френелевского метода, напр, задачу распространения волны над поглощающей поверхностью х—0, характеризуемой изотропным поверхностным импедансом 1/g, так что краевое условие на этой поверхности имеет вид dAldx=hA, где h= =2 ng/iX. Когда волна, скользящая вначале вдоль идеально отражающей плоскости (рис. 6), где =0, проходит затем нек-рый участок где имеется [c.666]

ИМПЕДАНС (англ. impedan e, от лат. impedio — препятствую) (комплексное сопротивлепие) — аналог элек-трич. сопротивления для гармония, процессов. Различают Н. элемента цепп пером, тока (И. двухполюсника) и И. к.-л. поверхности в монохро.матич. эл.-магн. поле (полевой И., поверхностный II.). [c.127]

Поверхностный (полевой) импеданс Z вводят для монохроматич. эл.-магн. полей JE (г)ехр (гшг), / л)ехр(itijf) ыа любой условной поверхности S след, образом [c.129]

Именно для этого случая соотношение (1) было впервые предложепо М. А. Леонтовичем в качестве граничного условия, позволившего заменить задачу о нахождении полей в двух средах задачей для одной среды с однородным условием (1) на границе. Л. г. у. было сформулировано им ещё в 30-х гг., но опубликовано в 1948. Им же получено и более точное выражение для поверхностного импеданса, к-рое в случае однородного проводящего тела имеет вид [c.581]

ПОВЕРХНОСТНЫЙ ИМПЕДАНС электром аг-нитного поля — соотношение, определяющее связь между тангенциальными компонентами комплексных амплитуд гармония, электрического (г)ехр(1Сйг) и магнитного Н(г)ехр(гсй1) нолей на нек-рой поверхности 5. В случае произвольной поляризации полей и ориентации 5 П. и. является двумерным тензором второго ранга. Если тангенциальные составляющие полей Е.,. и перпендикулярны, вводят скалярный П. и. EJH. обладающий многими сходными свойствами с импедансом участка цепи переменного тока. Подробнее см. Импеданс (электрич.). ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОЛН АНТЕННА — антенна, в к-рой используется открытая линия передач с замедляющей системой частный случай антенны, бегущей волны. Бегущие замедленные волны оказываются прижатыми к направляющей поверхности, поэтому их называют поверхностными (поперечная составляющая волнового вектора является в таких системах мнимой величиной, т. е. амплитуда поля в направлении нормали к поверхности экспоненциально убывает), поток энергии вдоль поверхности концентрируется вблизи неё. [c.653]

Т. к. Вехи то, изменяя поле Н, можно перемещать расположение всплесков ВЧ-поля. Прозрачность тонкой пластины резко во астает при тех значениях Я, при к-рых всплеск приближается к противополож- ной поверхности образца. В результате прозрачность н поверхностный импеданс пластины осциллируют с изменением Н (Гантмахера эффект). [c.246]

Всплеск поля формирует небольшая доля электронов (у к-рых разброс диаметров орбит АО 6), н, как правило, поле во всплеске невелико, оно меньше поля на поверхности пластины Е(0) Е 0 х1т) < (0)- Однако в условиях циклотронного резонанса возможна ситуация, когда одни и те же электроны формируют и поверхностный импеданс, и всплеск ВЧ-поля. Тогда Е Оех1г) 0(0). [c.246]

Размерный циклотронный ц зонанс. В магн. поле Н, параллельном граням пластины, при 0 ,х1г < Циклотронный резонанс имеет такой же характер, как ив массивных образцах, т. е. наблюдается резонансное уменьшение активной Л и реактивной X составляющих поверхностного импеданса 2 пластины. Если же траектория резонирующих электронов не помещается в сечении образца, т. е. Dgx J. > д, то происходит [c.246]

Отражённые Н — iS-граяицей электроны создают всплеск ВЧ-поля на нек-ром расстоянии от межфазной границы. Когда всплеск с уменьшением Я приближается к скин-слою, происходит резкое изменение поверхностного импеданса пластины. [c.247]

Модифицированная теория возмущений (МТВ) учитывает при расчёте ср. поля (I7) многократное рассеяние. Отражение ср. поля 17 от случайной поверхности происходит так же, как и от плоской границы раздела г = о, но с эфф. поверхностным импедансом Ti(ki), зависящим от длины волны Я. и направления облучения, т. е. при Р. в. на с. п. имеет место дисперсия пространственная. Для абсолютно жёсткой поверхности Г (кх) выражается через интеграл по всем направлениям рассеяния р от величины u(a, р), аналитически продолженной в область комплексных углов рассеяния 9 (sin 0 = Ipil = y lk > 1) [c.268]

Активная часть импеданса Reti(ki) пропорциональна энергии, рассеянной во флуктуац. поле, и определяется интегралом (2) только по вещественным углам рассеяния ( Pi ) 1, рассеяние происходит в однородные уходящие от поверхности волны реактивная часть ImTj(ki) связана с рассеянием в неоднородные волны (IPil > 1), ею обусловлены сдвиг фаз между падающей II отражённой волнами и замедление поверхностных волн, распространяющихся над шероховатой жёсткой поверхностью. [c.268]

Наиб, широко используются два метода эксперим. исследования ЭМЛП. Первый из них заключается в генерации эл.-магн. полем короткого УЗ-импульса, к-рый, отражаясь от противоположных граней образца, создаёт последовательность затухающих эхо-сигналов. Регистрация этих сигналов осуществляется либо той же катушкой индуктивности за счёт эффекта обратного ЭМАП, либо пьезоэлектрическими преобразователями или магчшпострик-ционными преобразователями. Второй метод предполагает исследование резонансных особенностей поверхностного импеданса Z при установлении стоячих упругих волн в образцах правильной формы—пластинах, стержнях и т, д. [c.538]

D. Переменный ток встречает активное сопротивление электролита и поверхностную емкость на каждом участке поверхности, соответствующем определенной стадии построения канторова множества. Для расчета входного импеданса системы электролит—электрод предлагается эквивалентная электрическая схема модельной поверхности. Так как для природных объектов фрактальность проявляется в ограниченном диапазоне масштабов, рассматривается электрическая цепь на конечной стадии построения. На низких частотах ReZ(OJ) выходит на плато, высота которого определяется количеством стадий построения эквивалентной схемы, 1т2(ш) (OJ) i, на высоких частотах Z( o) = R ImZ( o) (ш)" . В промежуточной области частот система обладает свойством ЭПФ, при этом Z( o) =Л(/а)) Ч, при А - onst, г = I - D, D = 1п2/1па [122]. Для шероховатой поверхности раздела [c.73]

Поверхностное сопротивление (импеданс) сверхпроводника при la TOTax ниже критических в 10-100 раз меньше поверхностного сопротивления хорошо проводящих материалов (медь, алюминий) при тех же температурах. [c.587]

Таким образом, в отличие от поверхностной волны Ценнека (см. 58), поверхностная волна 13оммерфельда имеет существенное значение при распространении волн вдоль тонкого цилиндрического проводника. Объясняется это тем, что поверхностный характер волны Зоммерфельда выражен гораздо более четко она локализована вблизи поверхности провода более сильно, чем волна Ценнека у плоской поверхности раздела. Если же плоскость имеет конечный индуктивный импеданс [c.363]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...