Шоттки-электрон

При толщине пленки порядка 1 мкм среднее значение напряженности поля достигает в ней 10 ... Ю В/см, что может обеспечивать появление Шоттки-электронов и возникновение электростатической эмиссии. [c.68]

Можно предполагать, что в большинстве случаев эмиссионный ток электронов с поверхности сварочных катодов будет складываться из собственно термоэлектронов, для которых Wx выше уровня АА (см. рис. 2.34), из Шоттки-электронов, энергия которых лежит между уровнями АА и ВВ, из туннельных электронов с энергиями Wi, лежащими ниже уровня ВВ, и из вторичных электронов. [c.69]

Влияние ускоряющего поля. Эффект Шоттки. В практических условиях на поверхности электрода-эмиттера всегда существует поле, тормозящее или ускоряющее электроны. Если, например, анодное напряжение Ua положительно, но не очень велико, то вблизи катода накапливается отрицательный пространственный заряд. Его поле тормозит электроны и часть их возвращается обратно на катод. [c.64]

Изменение работы выхода электронов Дш под действием внешнего поля называется эффектом Шоттки. Вычисление его влияния показывает, что работа выхода при наличии ускоряющего поля Фе будет равна [c.65]

Баланс энергии дуги. Как для катодной, так и для анодной областей дуги можно составить подробную схему баланса энергии. Например, для участка анода основные составляющие баланса следующие в) приход — потенциальная и кинетическая энергия электронов, конвективная и лучистая теплопередача от столба плазмы б) расход — плавление, излучение и теплоотвод в материал анода. Однако механизм явлений в переходных областях дуги пока недостаточно ясен, поэтому проводить точный расчет всех составляющих баланса энергии трудно. В катодной области остается неизвестной доля ионного тока, коэффициент аккомодации энергии ионов для данного катода, изменение работы выхода электронов вследствие эффекта Шоттки и т. п. [c.74]

Основным механизмом эмиссии электронов в W-дугах можно считать термоэлектронную эмиссию и эффект Шоттки. [c.79]

Важнейшей эмиссионной характеристикой твердых тел является работа выхода еср (е — заряд электрона, Ф — потенциал), равная минимальной энергии, которая необходима для перемещения электрона с поверхности Ферми в теле в вакуум, в точку пространства, где напряженность электрического поля практически равна нулю [1]. Если отсчитывать потенциал от уровня, соответствующего покоящемуся электрону в вакууме, то ф— потенциал внутри кристалла, отвечающий уровню Ферми. Согласно современным представлениям в поверхностный потенциальный барьер, при преодолении которого и совершается работа выхода, основной вклад вносят обменные и корреляционные эффекты, а также — в меньшей степени — электрический двойной слой у поверхности тела. Наиболее распространенные методы экспериментального определения работы выхода — эмиссионные по температурной, спектральной или полевой зависимости соответственно термо- фото- или полевой эмиссии, а также по измерению контактной разности потенциалов между исследуемым телом и другим телом (анодом), работа выхода которого известна [I, 2]. В табл. 25.1, 25.3 и 25.4 приведены значения работы выхода простых веществ и некоторых соединений. Внешнее электрическое поле уменьшает работу выхода (эффект Шоттки). Если поверхность эмиттера однородна, то уменьшение работы выхода. эВ, при наложении электрического поля напряженностью В/см, равно [c.567]

Эффект Шоттки. Вывод о независимости / от F при F > О не совсем точен. Ускоряющее поле у эмиттирующей поверхности, действуя на электрон с силой F = —q% (рис. 8.7, б), совершает на пути X работу Fx = —q x и тем самым уменьшает потенциальную энергию электрона на Ьщ = q x. На рис. 8.8, б показана зависимость от X потенциальной энергии электрона во внешнем поле 1>с [c.214]

Электроны в ТПБ (рис. 6) движутся от истока к стоку в направлении, перпендикулярном поверхности плёнки. Затвором служит металлич. сетка, погружённая в толщу полупроводниковой структуры ТПБ. По принципу действия ТПБ аналогичен ПТШ. Между металлич. сеткой и полупроводником возникает барьер Шоттки. Толщина обеднённой области вблизи проводников сетки определяется напряжением на затворе. Если толщина обеднённой области меньше расстояния между проводниками сетки, канал открыт и электроны свободно движутся к стоку. При достаточно большом напряжении обеднённые [c.9]

Вентильная (барьерная) эдс—образуется в результате разделения электронов и дырок электрич. полем приэлектродного Шоттки барьера на контакте металл — [c.342]

Внеш. электрич. поле уменьшает работу выхода и вследствие этого смещает порог Ф. э. на величину Д(/(Уо)=< -Уё (Е—напряжённость поля у поверхности металла, е — заряд электрона см, Шоттки эффект). [c.365]

В реальных структурах металл — полупроводник это соотношение не выполняется, т. к. в поверхности полупроводника или в тонкой диэлектрич. прослойке, часто возникающей между металлом и полупроводником, обычно есть локальные электронные состояния находящиеся в них электроны экранируют влияние металла так, что внутр. поле в полупроводнике определяется этими поверхностными состояниями и высота Ш. б. зависит от Ф менее резко, чем это может быть получено из приведённой выше ф-лы. Как правило, наибольшей высотой обладают Ш. б., получаемые нанесением на полупроводник и-типа плёнки Аи. На высоту Ш. б. оказывает также влияние сила электрич. изображения (см. Шоттки эффект). [c.467]

ШОТТКИ ЭФФЕКТ—рост электронного тока насыщения из твёрдого тела (катода) под действием внешнего ускоряющего электрич, поля вследствие уменьшения работы выхода электрона из твёрдого тела (рис.). При отсутствии электрич. поля распределение потенциала U у поверхности металла имеет форму гиперболы (кривая I на рис.), что связано с действием сил электрич. притяжения, называ- [c.467]

Током насыщения называется максимальное его значение при да иной температуре катода. Он возникает при достаточно большом напряжении, когда все электроны, вылетевшие из катода, достигают анода. Строго говоря, с ростом напряжения его значение слабо возрастает в соответствии с эффектом Шоттки [18]. [c.236]

Потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащий с металлом, исследован немецким ученым В. Шоттки [54] еще в 1939 г. и назван его именем. Дальнейшие исследования [55] показали, что для возникновения барьера Шоттки в структуре металл—полупроводник необходимо, чтобы работа выхода электронов из металла и полупроводника была больше Ф, > ФJJ, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно. Возникающая при установлении равновесия контактная разность потенциалов между металлом и полупроводником равна [c.166]

Эта разность потенциалов создается в приповерхностном слое полупроводника, в результате возникает барьер Шоттки высотой ф -ф = фд. В реальных структурах металл-полупроводник это соотношение не всегда строго выполняется, так как на поверхности полупроводника в тонкой диэлектрической прослойке, возникающей из-за технологических факторов между металлом и полупроводником, образуются локальные поверхностные состояния. Электроны, находящиеся на них, экранируют влияние металла так, что внутреннее электрическое поле в полупроводнике определяется этими поверхностными состояниями. [c.167]

Описанная здесь теория принадлежит Шоттки. Она оказалась неточной, и эта неточность исправляется волновой механикой, которая указывает на необходимость учитывать возмол ность прохождения электронов через так называемый потенциальный барьер на границе металла (иначе — туннельный эффект). По этой теории для выхода электрона из поверхности металла необязательно, чтобы энергия электрона была равна работе выхода или превосходила ее (превосходила потенциальный барьер). Возможно прохождение электрона сквозь потенциальный барьер, если ширина его ие очень велика. Это явление можно пояснить следующим образом (см. рис. 3-3). При отсутствии внешнего поля энергия электрона должна иметь величину W для выхода из поверхности катода (потенциальный барьер равен При относительно слабом внешнем поле потенциальный барьер уменьшается до величины Это уменьшение вызывается эффектом Шоттки и оно равно [c.66]

Необходимо, однако, заметить, что, согласно представлению Мей кляра [7], для образования / -центра нет необходимости в присутствии дефектов по Шоттки он предполагает, что при нагревании галогенида серебра электрон вследствие теплового возбуждения переходит от иона брома к иону серебра. Образовавшийся нейтральный атом брома диффундирует по решетке, и в местах, покинутых атомами брома, образуются / -центры. [c.5]

Кроме того, возможна также следующая схема вхождения ионов 5 в решетку ионы брома замещаются однозарядными ионами 5 , а избыточные электроны занимают вакантные бромные узлы, образуя - -центры (согласно Митчеллу, в бромистом серебре преобладают дефекты по Шоттки). Экспериментальные результаты не согласуются с этой концепцией. Ослабление во времени примесной полосы поглощения и тот экспериментальный [c.53]

Образование центров окраски по Митчеллу, происходящее в результате захвата свободными вакантными бромными узлами второго электрона и ведущее к образованию однозарядных ионов Sg (т. е. без избыточного заряда) [6], может происходить лишь при значительном преобладании беспорядка по Шоттки. Существование ионов Sg обусловлено уже одним присутствием беспорядка по Френкелю. При комнатной температуре в состоянии равновесия концентрация ионов значительно превышает концентрацию вакантных бромных узлов. В таком кристалле образование центров окраски по Митчеллу невозможно. Результаты опытов по явлениям побежалости, проведенные в нашей лаборатории, также противоречат модели Митчелла ). [c.60]

Sq, или, точнее, Sg (Вг), обозначает (по Шоттки) ион серы в анионном узле решетки, т. е. ион серы, замещающий ион брома. Обозначения зарядов j, и как обычно, указывают на эффективные (избыточные) заряды соответствующих дефектов по отношению к идеальной решетке. При замещении вакантного бромного узла на электрон употребляется символ Вг без верхнего индекса. [c.60]

Полный отчет об этой теории еще не был опубликован, хотя он неоднократно докладывался ) и широко дискутировался. В первоначальном изложении этой теории принималось, что в галоидном серебре доминируют дефекты по Шоттки и что участием междуузельных ионов серебра в образовании скрытого изображения можно пренебречь. Логические выводы из такой предпосылки были сделаны путем рассмотрения взаимодействия между электронами и положительными дырками, с одной стороны, и вакантными галоидными и серебряными узлами — с другой. Далее были сформулированы свойства дефектов решетки, образующихся при указанном взаимодействии, среди которых наиболее важным является их способность к образованию внутренних / -центров и агрегатов из / -центров. Полученные выводы были использованы для создания теории фотографической чувствительности. Возможное участие междуузельных ионов серебра в какой-либо стадии образования скрытого изображения не рассматривалось, поскольку мы полагали, что они могут играть заметную роль только позже, в процессе проявления. [c.112]

Эта теория уже подтверждена многочисленными фотографическими данными. Тем не менее желательно на данной стадии ее развития пересмотреть один из основных постулатов — что междуузельные ионы серебра не принимают участия в образовании скрытого фотографического изображения. В этой теории, если исходить из существования дефектов по Шоттки, принимается, что центры светочувствительности и продукты химической сенсибилизации являются подповерхностными или внутренними дефектами решетки, которые не могли бы, будучи отрицательно заряженными, взаимодействовать с междуузельными ионами серебра с образованием устойчивых центров, если бы эти ионы не были способны улавливать электроны. [c.113]

Шнур диссоциации (ионизации) 78 Шоттки-электрон 68, 69 Шоттки-эффект 64, 65, 69, 70, 74, 79 Штейнбека принцип 58, 59 [c.555]

Эмиссия диэлектрических слоев (эффект Молтера). Относительный коэффициент вторичной эмиссии Овт с окисленной поверхности алюминия, обработанной парами цезия, т. е. с поверхности металла, покрытой тонкой, плохо проводящей пленкой, иногда достигает огромных значений (авт=ЮО—1000). Это же наблюдается при создании положительного заряда на пленке любым другим способом, в том числе осаждением положительных ионов из газа, что весьма возможно для условий сварочной дуги в парах металлов. При толщине пленки порядка 10 см среднее значение напряженности поля достигает в ней 10 - 10 в см, что может обеспечивать Шоттки-электроны и ав-тоэлектронную эмиссию. [c.89]

Следует ожидать, что в металлах могут существовать дополнительные степени свободы, связанные с движением свободных электронов поэтому здесь можно говорить об электронных возбуждениях. В некоторых телах вырожденные электронные уровнн могут расщепляться под действием локальных электрических и магнитных полей на ряд дискретных подуровней, с переходами между которыми (называемыми переходами Шоттки) также связан новый тип тепловых возбуждений. К этому типу принадлежит, кроме того, переход между основным и возбужденным электронными состояниями при малой разности энергий, что, по-видимому, имеет место у редкоземельных элементов. [c.316]

Уравнение Янга—Цобеля для ионного переноса дает ту же связь между плотностью тока и напряженностью поля, что и уравнение Шоттки, характеризующее электронную инжекцию на границе раздела фаз [c.75]

При оксидировании алюминия в растворе силиката натрия в области предпробнвных значений напряженности поля вклад электронной составляющей тока в процесс переноса, заряда составляет более 80 что делает невозможным использование традиционных кинетических уравнений для ионного тока. В связи с этим был выполнен теоретический анализ и экспериментальная проверка применимости уравнений Янга—Цобеля, Шоттки и Пула—Френкеля для описания полного тока и его электронной составляющей на границах раздела фаз ц в объеме оксида. Путем обработки кривых спада тока при вольтотатическом режиме формовки получены линейные характеристики в координатах Ini—VU и показано, что кинетика процесса контролируется контактными явлениями на границах раздела фаз. Энергетический расчет позволил предположить существование блокирующего контакта на границе металл— оксид. [c.238]

Величина Д. га. отличается от определяемой ф-лой Шоттки и в тех случаях, когда ток ограничивается пространственным зарядом. Примером может служить вакуумный диод, работающий в режиме, когда зависимость анодного тока от 01-с потенциала анода описывается законом тре.х. вторых . В этом случае вблизи катода существует область с настолько высокой плотностью электронного пространств, заряда, что распределение потенциала в ней характеризуется наличием отрицат. минимума виртуальный катод). Величина потенциала в минимуме и определяет величину тока, проходящего па анод. Если в результате флуктуаций кол-во эмитируемых за какой-то ManHii иромежутот времени электронов возрастёт относительно средней величины, то это принедёт к увеличению плотности иространств. заряда, а следовательно — к понижению потенциала в минимуме, что сдерживает рост проходящего через него тока. В результате флуктуации анодного тока оказываются меньшими, чем флуктуации тока эмиссии. Такое подавление (депрессия) Д. ш. описьшается введением в правую часть ф-лы Шоттки коэф. депрессии Г <1, С увеличением частоты эффект подавления Д. ш. пространств, зарядом уменьшается. [c.20]

Электронные свойства поверхности отличаются от объёмных, в частности наличием электронных поверхностных состояний. Соответствующие им волновые ф-ции электронов экспоненциально затухают при удалении от П, Изменение концентрации электронов у П. полупроводников (вследствие их перехода в поверхностные состояния или от одной контактирующей среды к другой) приводит к изгибу энергетич. зон, на чём основано выпрямление тока на контактах металл — полупроводник (см. Шоттки барьер) и р — п-переходах. Приповерхностный слой может иметь проводимость, значительно превышающую объёмную, а при достаточно сильном изгибе зон изменяется сам характер проводимости и возникает инверсионный слой. Вследствие малой толщины проводящего слоя электроны в нём образуют квазидвумерную систему. В таких слоях может достигаться высокая подвижность электронов [10 с.м /(В с)], и их использование в микроэлектронных приборах позволяет повысить быстродействие и уменьшить рассеиваемую мощность. [c.654]

Епшние неоднородностей. Поверхность большинства эмиттеров неоднородна, на ней существуют пятна с разной работой выхода. Между ними возникает контактная разность потенциалов Аф и электрич. поля (поля пятен) величиной Лф/Л (где R—характерный размер неоднородностей). Эти поля создают дополнит, потснц. барьеры для эмитируемых электронов, что приводит к более сильной зависимости тока от анодного напряжения (аномальный эффект Шоттки), а также увеличивает зависимость тока от Г. Поскольку размеры неоднородностей обычно не малы, 100 А, а значения разности потенциалов между соседними пятнами 0,1 — 1 эВ, то типичные величины полей пятен не велики ( )0 В/см или меньше) и требуют для своего раскрытия относительно малых (по сравнению со случаем нормального эффекта Шоттки) внеш. полей, с чем и связана большая величина (аномальность) эффекта в случае неоднородных поверхностей. [c.101]

Т. р. постоянного тока в трубке. Поскольку толщина КС порядка длины ионизации, часть электронов, ускоряясь на катодном скачке потенциала, набирает энергию, равную этому потенциалу, В результате интенсивной ионизации газа этим пучком электронов в области ТС образуется светящийся слой плазмы большой плотности. Величина электрич. поля здесь близка к нулю. По мере продвижения от области ТС по направлению к аноду плотность плазмы падает из-за рекомбинации и амбиполярной диффузии, электрич. поле растёт, но enie недостаточно для ионизации и возбуждения атомов (область ФТП). Далее, в области ПС электрич. поле достигает величины, при к-рой ионизация электронами, набирающими энергию в этом поле, становится существенной. Для электрич. поля в ПС справедлив закон подобия Ejp f(pR), вытекающий из равенства скоростей ионизации и потерь за счёт амбиполярной диффузии к стенкам (теория Шоттки). ВАХ ПС не зависит от тока, плотность плазмы пропорциональна плотности тока. Для молекулярных газов с ростом тока необходимо учитывать гфоцессы объёмной рекомбинации, приводящие к слабому росту напряжения на ПС, при дальнейшем увеличении тока происходит нагрев газа (для молекулярных газов). Б атомарных газах при увеличении тока в первую очередь газ разогревается, плотность его уменьшается [c.117]

Дробовой Ш.—специфич. и наиб, важный вид внутр. естеств. Ш. в электронных приборах. В ЭВП он возникает на поверхности катода вследствие статистич. характера эмиссии электронов и дискретности их заряда. Спектральная плотность тока катода S I) дробового Ш. при работе ЭВП в режиме насыщения определяется соотношением (Шоттки формула) S (/) = e/o, где е—заряд электрона, /о — постоянная составляющая тока. Спектр дробовых Ш. флуктуаций анодного тока, обусловленных дробовым Ш. тока катода, равномерен до весьма высоких значений частот (на к-рых становится существенной конечность времени пролёта электрона от катода к аноду). В силу теплового разброса скоростей эмитируемых электронов дробовой Ш. всегда сопровождается флуктуациями не только тока, но и др. характеристик электронного потока. Элек-трнч. Ш., родственные дробовому III. в ЭВП, наблюдаются и в полупроводниковых приборах. В последних различают Ш., вызванные дрейфом носителей заряда, и Ш., вы- ванные диффузией носителей заряда. [c.479]

Естественно, это приводит к существенному снижению величины потенциального барьера Шоттки для электронов вблизи металлических краев и, как следствие, к увеличению электронного тока в обратном направлении, дополнительно к электронному току, обусловленному термоэлектронной эмиссией Ричардсона-Дэшмана. [c.170]

Рис. 3.24. Радиальная зависимость плотности электронов в газе, заключенном в цилиндрическую трубку (продольный разряд). Кривая А — теория Шоттки газ высокого давления) кривая 5 —теория Тонкса — Ленгмюра газ низкого давления).

В недавней своей работе Митчелл [7] предложил другую схему внедрения сернистого серебра в бромистое серебро. Он принимает, что в решетке преобладают дефекты по Шоттки и что однозарядные ионы 5 встраиваются в решетку вместо нормальных ионов брома. Вакантные бромные узлы, появляющиеся в равном количестве и обладающие эффективным положительным зарядом, заполняются избыточными электронами из ионов 8. Вакантные бромные узлы, захватившие электроны, были названы / -центрами . Митчелл предположил, что эти / -центры обусловливают примесную полосу поглощения, обнаруженную у смешанных кристаллов бромистого и сернистого серебра. [c.47]

В настоящее время мы приписываем примесную полосу поглощения исключительно присутствию неассоциированных ионов 5 в узлах решетки и полагаем, что поглощение света этими ионами переводит один из валентных электронов в полосу проводимости кристалла. Если принять такую модель процесса поглощения и исходить из одновременного присутствия дефектов по Шоттки и по Френкелю и ассоциированных дефектов рещетки, то можно удовлетворительно объяснить все экспериментальные данные. [c.54]

Митчелл [3], впервые указавший на роль дефектов по Шоттки в фотографическом процессе, считает, что агрегат выше определенного критического размера (возможно, два или три вакантных анионных узла с сопровождающими их электронами) способен захватить еще один вакантный анионный узел и, следовательно, должен обладать положительным зарядом. Митчелл полагает, что агрегат из / -центров, достигший таких размеров, способен функционировать в качестве скрытого изображения, так как его [c.108]

Когда Герни и Мотт [6] предложили свою теорию, предполагалось, что единственными дефектами, существующими в решетке бромистого серебра, являются вакантные серебряные узлы и междуузельные ионы серебра. Недавно Митчелл [10] высказал мысль, что важными дефектами бромистого серебра при комнатной температуре являются вакантные серебряные и вакантные бромные узлы (дефекты по Шоттки) и что вакантные бромные узлы играют важную роль в образовании скрытого изображения. Одной из функций этих вакантных узлов является захват электрона, который замещает недостающий ион брома, образуя / -центр. Этот F-центр можно приближенно рассматривать как электрон, принадлежащий одновременно шести узлам решетки (или атом серебра, размазанный по шести узлам). Теперь становится ясно, что ионы свинца, увеличивая число вакантных серебряных узлов, уменьшают тем самым число вакантных бромных узлов-, так как произведение из концентраций вакантных серебряных и бромных узлов является величиной постоянной (при тепловом равновесии). Это приводит к уменьшению числа захваченных электронов, что согласуется с повышением фотопроводимости в присутствии свинца. Кроме то-го, поскольку серебро образуется в результате агрегации f-центров, ионы свинца должны уменьшать выход серебра в согласии с опытом. [c.338]

Дальнейшее увеличение светочувствительности эмульсионных микрокристаллов в процессе химического созревания можно объяснить двумя причинами во-первых, образованием на уже существующих центрах светочувствительности агрегатов, состоящих из электронов и междуузельных ионов Ag+ такой агрегат может играть роль субцентра в момент экспонирования (гипотеза Митчелла) и, во-вторых, увеличением числа или подвижности дефектов решетки (дефектов по Шоттки и по Френкелю), миграция которых к центрам светочувствительности способствует образованию центров скрытого изображения. [c.410]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...