Эмиссия вторичная

Для усиления фототока в фотоэлектронных умножителях использовано явление вторичной электронной эмиссии. Оно заключается в том, что бомбардировка пучком электронов поверхности металла, полупроводника или диэлектрика при некоторых условиях вызывает эмиссию вторичных электронов, которую обычно характеризуют коэффициентом вторичной эмиссии а — отношением числа выбитых электронов к числу падающих. Этот коэффициент зависит от многих параметров (вида и состояния поверхности, скорости и угла падения пучка электронов и т.д.) и для некоторых веществ может достигать больших значений (10 и выше). В частности, легко получается значительное усиление сигнала при использовании в качестве материала эмиттеров сплава сурьмы и цезия. Приводимая на рис. 8.18 схема иллюстрирует возможность усиления электронных токов за счет вторичной эмиссии. [c.438]

Принцип действия ФЭУ можно проследить на рис. 32.12. Фотоэлектроны, эмиттируемые с фотокатода ФК под действием электрического поля, ускоряются и попадают на первый промежуточный электрод Эу. Падая на него, фотоэлектроны вызывают эмиссию вторичных электронов, причем в определенных условиях эта вторичная эмиссия может в несколько раз превышать первоначальный поток фотоэлектронов. Конфигурация электродов такова, что большинство фотоэлектронов попадает на электрод Э,, а большинство вторичных электронов попадает на следующий электрод Эг, где [c.650]

Изображение формируется тонким пучком электронов, который сканирует по поверхности образца, вызывая вторичную эмиссию. Вторичные электроны улавливаются специальными датчиками, сигнал от которых подается после усиления на модулятор электронно-.лучевой трубки. Величина сигнала зависит прежде всего от особенностей рельефа поверхности, которую обегает электронный луч. Изменение силы сигнала обусловливает изменение яркости свечения экрана и формирования изображения изучаемой поверхности. Расшифровка полученных микроснимков обычно не вызывает затруднений, так как изображения выглядят как трехмерные, весьма приближенные к действительности. [c.179]

Можно использовать два метода измерений. При первом методе измеряется интенсивность эмиссии вторичного излучения, характерная для металла покрытия эта эмиссия возрастает с увеличением покрытия до предельной толщины, хотя будет обнаружено небольшое излучение, вызванное разбросом фонового излучения от незащищенного основного металла. Второй метод основан на изменении интенсивности эмиссии вторичной радиации, характерной для основного металла она уменьшается с увеличением толщины покрытия (благодаря поглощению [c.138]

Изменение химического состава дорожки трения определяли методом вторичной ионной эмиссии. Сравнивалась интенсивность эмиссии вторичных ионов, отраженных от поверхности трения и эталона. На поверхности трения наблюдалось перераспределение элементов сплава увеличение интенсивности окисла никеля, 140 [c.140]

Эмиссия вторичная электронная 237 [c.521]

Из информации, получаемой с помощью РЭМ (табл. 3.5), основными являются сведения о локальных изменениях топографии и химического состава поверхности. Соответственно выделяют топографический и композиционный контрасты. Топографический контраст обусловлен изменением интенсивности эмиссии вторичных электронов и коэффициента отражения для отраженных электронов при изменении угла наклона элемента поверхности к первичному пучку. При этом коэффициент вторичной эмиссии меняется сильнее, чем коэффициент отражения, что определяет преимущества использования вторичных электронов для изучения топографии поверхности. [c.66]

На интенсивность спектра вторичных ионов сильно влияет матрица даже незначительные загрязнения поверхности металла кислородом, хлором, фтором уменьшают интенсивность сигнала вторичных ионов на несколько порядков. Частично влияние матрицы ослабляют, предварительно насыщая поверхность кислородом или применяя ионы кислорода в качестве первичных, — это стабилизирует эмиссию вторичных ионов. [c.155]

Зависимость интенсивности эмиссии вторичных электронов связана с локальным углом падения пучка соотношением [c.178]

В ряде случаев необходимо знать полную или удельную площадь поверхности. Последнюю можно определить как отношение среднего значения интенсивности эмиссии вторичных электронов по всей исследуемой поверхности к ее минимальному значению [c.179]

В большинстве случаев вариации интенсивностей в картинах К-линий могут рассматриваться как результат изменения эффективного коэффициента поглощения при условии динамической дифракции. Процесс поглощения часто включает в себя эмиссию вторичного излучения, и интенсивность вторичного излучения будет также флуктуировать с направлением падающего пучка. [c.331]

В области В имеются электроны, возникшие в результате объемной ударной ионизации и движущиеся от иглы возникшие в результате ударной ионизации положительные ионы, движущиеся к поверхности иглы и вызывающие на ней вторичную электронную эмиссию вторичные электроны, движущиеся от иглы и производящие ударную ионизацию. В области 1 2, где вследствие ослабления электрического поля ударная ионизация отсутствует, имеются электронная компонента, постепенно истощающаяся в результате прилипания электронов к нейтральным молекулам отрицательная ионная компонента, плотность потока которой постепенно возрастает в направлении к внешнему положительному электроду. Во внешней зоне II имеется только отрицательная ионная компонента. [c.658]

К числу бесконтактных методов относится также изучение шероховатых поверхностей с помощью электронной микроскопии, в частности, для этой цели применяется растровая электронная микроскопия, использующая для формирования изображения низкоэнергетические вторичные электроны. Профиль поверхности оценивается по изменению интенсивности эмиссии вторичных электронов при повороте образца. Прибор соединен с компьютером и позволяет определять стандартные характеристики шероховатости. Поскольку вертикальное разрешение составляет около [c.28]

Основными элементами сцинтилляционного счетчика (рис. 53) являются фосфор (сцинтиллятор), фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) и регистрирующая система. Под действием рентгеновского кванта 1 в фосфоре <9, находящемся в алюминиевой фольге 2, возникает вспышка света 7, которая попадает на фотокатод 4 ФЭУ, в результате чего из него выбиваются фотоэлектроны 6. Эти фотоэлектроны за счет эмиссии вторичных электронов, т. е. за счет вырывания вторичных электронов из ряда последовательно расположенных электродов-динодов 5, умножаются и вызывают на выходе ФЭУ импульс тока, который создает на нагрузочном сопротивлении импульс напряжения, регистрируемый счетной системой. [c.106]

Главное возражение против подобного использования метода термоэлектронной эмиссии касается задерживающего электрода С, задача которого состоит в подавлении эмиссии вторичных электронов с коллектора и коллиматорных щелей. Такой вторичный ток составляет пренебрежимо малую часть эмиссионного тока с плоскостей монокристалла вольфрама с малыми значениями работы выхода, но сопоставим по своей величине с током эмиссии плоскостей с большим значением работы выхода. Благодаря этому средние значения ф могут оказаться заниженными. Описанный способ использования электрода С вызывает сомнение в правильности значений ф для плоскостей (ПО) и (112), полученных в этих экспериментах, особенно у Смита. Хьюз и др. показали, что при использовании натрия значения Ф для плоскостей (110) и (112) совпадают с соответствующими значениями ф в пределах ошибок измерения. Хотя такое хорошее согласование и является случайным, поскольку значение ф отдельной плоскости не может быть измерено совершенно независимо от ионизации на других плоскостях, оно все же свидетельствует в пользу того, что полученные ими значения Ф не слишком занижены. [c.221]

Если ионизация вызывается только носителями одного типа, скажем, электронами (к = 0), то лавина развивается более простым путем, который иллюстрируется рис. 13.1, в. На интервале, значительно превышаюш,ем ( / ), число электронов растет экспоненциально. В реальных материалах к фО, что соответствует частичной положитель-гюй обратной связи в процессе умножения. В результате появляется неопределенность в теоретическом расчете числа электрон-дырочных пар на конечном интервале. (Этот процесс аналогичен пробою Таунсенда в газе, но несколько сложнее. В газе первичный электрон рождает ионы и электроны. Ионы падают на отрицательный электрод, где они с конечной вероятностью вызывают эмиссию вторичных электронов. Если первичный электрон произведет достаточное количество иоиов, чтобы в результате эмиссии появилось не менее одного электрона, ток может неограниченно нарастать и наступит пробой. На практике при этом устанавливается новая форма разряда, соответствующая большему току и меньшему напряжению.) [c.330]

Д. э. характерен не только для термоэлектронной эмиссии он сопровождает любые процессы, связанные с образованием потоков заряж. илп нейтральных ч-ц, напр, протекание электрич. тока через ПП, фотоэлектронную эмиссию, вторичную электронную эмиссию, формирование молекулярных и атомных пучков и т. п. [c.185]

Известны следующие виды эмиссии электронов твердыми телами термоэлектронная автоэлектронная (или электростатическая) фотоэлектронная (или внешний фотоэффект) вторичная, возникающая при бомбардировке твердого тела тяжелыми частицами (атомами, ионами) или потоком первичных электронов. [c.61]

И ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ [c.66]

Вторичная эмиссия. Ион, приближающийся к металлу, нейтрализуется. Нейтрализация положительного иона осуществляется присоединением к нему одного из электронов металла, а отрицательного — передачей металлу лишнего электрона. [c.67]

Вторичная эмиссия считается возможной [c.67]

Эмиссия диэлектрических слоев. Обнаружено, что относительный коэффициент вторичной эмиссии Овт с окисленной поверхности алюминия, обработанной парами цезия, т. е. с поверхности металла, покрытой тонкой, плохо проводящей пленкой, иногда достигает огромных значений (оат= 100... 1000). Это же наблюдается при создании положительного заряда на пленке любым другим способом, в том числе осаждением положительных ионов газа, что весьма возможно для условий сварочной дуги в парах металлов. [c.68]

Лампа со вторичной эмиссией — электронная лампа, в которой для увеличения электронного потока использовано явление вторичной эмиссии [3]. [c.147]

Умножитель фотоэлектронный — электровакуумный прибор, в котором ток фотоэлектронной эмиссии, полученный от фотокатода, усиливается внутри самого прибора посредством вторичной электронной эмиссии имеет очень высокую чувствительность, малую инерционность 13, 4). [c.162]

Для увеличения чувствительности контроля используют также усиливающие экраны (металлические и флуоресцентные). Материалом металлических экранов служит фольга тяжелых металлов (свинца, олова, вольфрама), а флуоресцентных — сернистый цинк, сернистый кадмий и др. Физическая сущность действия усиливающих экранов заключается в эмиссии с них вторичных электронов, которая инициируется излучением от источника (для металлических экранов, толщиной 0,0.5...0,5 мм), или эмиссией фотонов видимой части спектра (для флуоресцентных экранов толщиной 0,002. .. 0,2 мм). Усиливающие экраны, помещаемые между пленкой и объектом, служат своеобразным фильтром рассеянного излучения. При этом рассеянное вторичное излучение от тяжелых металлов, подобных свинцу, невелико. [c.155]

На поверхность образца направляется зондирующий моноэнергети-ческий пучок частиц (электронов, фотонов или ионов), вызывающий эмиссию вторичных частиц, анализ которых и позволяет извлечь информацию об элементном составе и других свойствах образца или поверхности. Обычно анализируются вторичные электроны или рентгеновские фотоны. Под действием зондирующего пучка происходит ионизация внутренних электронных оболочек атомов образца. Образующиеся при этом возбужденные ионы в процессе релаксации в основное состояние испускают вторичные электроны или рентгеновские фотоны, измеряя энергию которых можно однозначно установить, какие элементы (а иногда и химические соединения) входят в состав образца. [c.120]

Таким образом, плутоний может с успехом заменить легкий изотоп урана (если его деление сопровождается эмиссией вторичных нейтронов). Если при этом эффективное сечение плутония для нейтронов значительно больше, чем у и235, реакция цепного взрыва может" развиваться в нем при относительно небольших размерах, начинаясь спонтанным образом. [c.331]

Электронно-микроскопические исследования поверхности образцов после испытаний проводили на приборе s-405 рмы "Хитачи". Перед исследованием образцы обезжиривались и обезвоживались промывкой в ацетоне и в спирте. На исследтемую поверхность напылялось платиновое покрытие толщиной 250 А, которое выравнивало поверхностную электропроводность образца и увеличивало эмиссию вторичных электронов, что обеспечивало хорошую проработку на микрофотографиях структурных и морфологических особенностей не-электроцроводных продуктов коррозии. [c.39]

Схема простейшего фотоэле- жуточный электрод (динод) Дь вызывая мента эмиссию вторичных электронов. Кон- [c.460]

Если падающие частицы каналируются в основном между плоскостями атомов, примесный атом, лежащий в этих плоскостях, будет защищен от падающего излучения и для него эмиссия вторичного излучения будет маловероятна. Но если он лежит между плоскостями, вероятность эмиссии возрастает. Следовательно, интенсивность вторичного излучения можно использовать для обнаружения и локализации атомов примеси, и чувствительность такого метода будет высока. [c.332]

При бомбардировке поверхности металла в вакууме электронами, которые ускоряются электрическим полем, наблюдается встречный пэток электронов от поверхности. Это явление называется вторичной электронной эмиссией. Вторичный электронный поток состоит из электронов, отраженных поверхностью, а также из электронов, вырванных из металла. Наибольшая эмиссия вторичных электронов происходит при энергиях первичных электронов в несколько сотен эВ. Для некоторых чистых [c.238]

В связи с этггм получили п )именепие растровые электрон и ы е микроскопы, в которых изображение создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает HenpepbiBH(j перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов. [c.13]

Вторичная электронная эмиссия, отражение электронов и термоэлектронная эмиссия с обрабатываемой проверхности. [c.113]

Различают первичную акустическую эмиссию от дефектов (рост трещин) и вторичную (трение берегов трещин). Источники вторичной эмиссии наблюдаются при любых нагрузках, первичной — только при нагрузках, превышающих рабочие. Сигналы акустической эмиссии могут также регистрироваться в процессе снижения давления. При повышении давления данные об акустико-эмиссионных сигналах появляются на мониторе измерительной системы в виде кумулятивных зависимостей общего счета ( квазиэнергии ) акустической эмиссии от давления. [c.180]

Второй элемент — буква, характеризующая тип лампы А — частотно-преобразовательная лампа с двумя управляющими сетками, Б — пентод с одним или двумя диодами в одной колбе, В — пентод с вторичной эмиссией, Г — триод с одним или двумя диодами в одной колбе, Д—диод, Е — индикатор настройки, Ж — пентод или лучевой тетрод с короткой характеристикой, И — частотно-преобразова-тельпая лампа типа триод-гексод, триод-гептод или триод-октод, К — пентод или лучевой тетрод с удлиненной характеристикой, И — двойной триод, П — выходной, т. е. мощный, пентод или лучевой тетрод, Р — двойной пентод или тетрод, С — триод, Ф — частотно-преобразо-вательная лампа типа триод—пентод, X—двойной диод, Ц — кенотрон, Э — тетрод. [c.138]

Моноскоп ( Лжетрубка ) — специальная передающая телевизионная трубка, в которой на мишени нанесено изображение с помощью графита, обладающего меньшим коэффициентом вторичной эмиссии, чем мишень при развертке считывается сигнал изображения [9]. [c.149]

Пенпюд со вторичной эмиссией — см. лампа со вторичной эмиссией. [c.150]

Вторичная электронная эмиссия широко используется для усиления слабых токов, в частности фототоков. Такие устройства называются фотоэлектронными умножителями. Схематическое изображение одиокаскадного фотоэлектронного умножителя приведено на рис. 26.17. Фотоэлектроны, вырываемые светом из фотокатода К, ускоряются электрическим полем, и значительная их часть, пролетая сквозь анод А, представляющий собой сетку, попадает на вторичный эмиттер. Выбитые из него электроны меньших скоростей, чем первичные, собираются анодом. Такие фотоумножители позволяют получать 10—20-кратг[ое усиление фототока. [c.172]

Электронная и ионная эмиссия — испускание электронов или ионов телами под влиянием внешних воздействий нагревания, потока фотонов, электронов, ионов или сильного электрического поля. В зависимости от характера внешнего воздействия различают соответственно термоэлектронную, термоионную, фотоэлектронную, вторичную электронную и вторичную ионную, электронноионную, ионно-электронную и полевую (иначе — туннельную или автоэлектронную) эмиссии. Во всех видах эмиссии. кроме полевой, роль внешних воздействий состоит в увеличении энергии части электронов или ионов тела до значения, позволяющего преодолеть действие сил. которые связывают их с телом, и выйти в вакуум или в другую среду. При ионной эмиссии эмитироваться могут как положительные, так и отрицательные ионы. [c.567]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...