Слой инверсионный

При высокой плотности поверхностного заряда, по знаку совпадающего со знаком основных носителей, расстояние от уровня Ферми до потолка валентной зоны в полупроводнике п-тнпа оказывается меньше расстояния до дна зоны проводимости, вследствие чего концентрация неосновных носителей заряда (дырок) у поверхности полупроводника становится выше концентрации основных носителей и тип проводимости этой области изменяется. Это явление получило название инверсии, а слои, в которых оно наблюдается, называется инверсионными слоями (они показаны на рис. 8.31, б, д). [c.247]

Значительное возрастание обратного тока наблюдается при появлении на поверхности полупроводника каналов проводимости. На рис. 8.37 показан р — п-переход, поверхность которого заряжена отрицательно. При большой плотности поверхностного заряда происходит образование инверсионного слоя на п-области перехода, который смыкается с р-областью. В этом случае говорят, что на поверхности га-области возник канал проводимости, (При большом положительном заряде на поверхности инверсионный слой 254 [c.254]

Если экстракция неосновных носителей осуществляется любым обратно смещённым контактом с обеднённым ими слоем, то аффективная их инжекция возможна лишь при высокой эмиссионной способности контакта. В случае контакта металл — электронный полупроводник инжекция дырок достигается при столь большом изгибе зон вверх, что у металла валентная зона становится ближе к уровню Ферми f f, чем зона проводимости (рис. 5), т. е. там образуется инверсионный [c.447]

При сильной инверсии, когда дно зоны проводи.мости /с опускается ниже (рис. 4), концентрация электронов в инверсионном слое слабо зависит от темп-ры [c.77]

При сравнении композитов рассматриваемой группы с инверсионной укладкой слоев (рис. 5.7) видно, что диапазон изменения значений [c.322]

Электроны в кремнии или германии имеют как спиновое, так и долинное вырождение (последнее связано с наличием многих минимумов в зоне проводимости). Было высказано предположение, что свойства инверсионного слоя с низкой плотностью электронов [c.198]

В случае низких источников выброса устойчивая стратификация может оказаться неблагоприятной и с точки зрения прямого воздействия концентраций газообразных вредных примесей на приземный слой воздуха и биосферу. Если верхняя граница приземного устойчивого (инверсионного) слоя оказывается ниже уровня выброса, то создаются наиболее благоприятные условия для рассеяния примеси, выбрасываемой из труб, так как в этом случае образуется так называемая приподнятая струя и рассеяние происходит только в слое выше верхней границы инверсии, которая предотвращает перенос примеси к Земле (рис. 3.1, г). Такие условия летом обычно кратковременны и могут существовать на протяжении нескольких часов, главным образом ночью. Зимой эти условия могут быть продолжительными. [c.38]

Конвекция компенсирует высокую статическую нестабильность марсианской атмосферы, близкой к насыщению даже при очень низком относительном содержании водяного пара. Эффективность механизма возбуждения конвекции в дневные часы примерно на порядок выше, чем в атмосфере Земли, в то время как ночью она полностью блокируется вследствие образования у поверхности инверсионного слоя (D), имеющего положительный температурный градиент (Рис. 1.2.5). Вместе с тем, протяженность ночного погранслоя значительно больше, чем дневного, и подобно земной атмосфере, здесь, вероятно, дуют наиболее [c.29]

Рис. 8.37. Распределение зарядов в р—п-пе-реходе у заряженной поверхности а — несимметричный р—/1-переход с инверсионным слоем б — несииметрнчны( р—п-персход с обогащенным слоем

Образование канала проводимости приводит к увеличению пло- щади р — и-перехода, так как носители могут переходить в другую область не только через поперечное сечение перехода, но и через инверсионный слой. Однако плотность тока через р—а-пере-ход не зависит от напряжения на нем, если это напряжение превышает величину порядка kTlq. На участке а (рис. 8.38) все напряжение, приложенное к диоду, падает на р — п-переходе. На участке-же б часть приложенного напряжения падает на инверсионном, слое, вдоль которого протекает ток. Вследствие этого по мере удаления от участка а напряжение на р — /г-переходе будет уменьшаться и в конце концов станет меньше kTlq. Поэтому в более удаленных. областях ток через переход практически отсутствует, несмотря на [c.255]

Аналогично в гетероструктурах (напр., на основе GaAs) у свободной поверхности полупроводников и на границах зёрен (Si, Ge, InSh и др.) образуется двумерный слой с избыточной концептрациеп подвижных носителей заряда или с инверсной проводимостью (см. Инверсионный слой). Он возникает из-за изгиба зон и при приложении разности потенциалов к структуре металл — диэлектрик — полупроводник (см. МДП-структура). Д. п. — [c.565]

К. X. э. наблюдается в двумерных инверсионных слоях п- и р-типа, в кремниевых МДП-струкгурах, а также в гетеропереходах на основе GaAs, InP, InAs, GaSb и др. в достаточно си.чьных полях и при низких темп-рах Т. При повышении темп-ры увеличивается сопротивление в минимуме Pxx t )t уменьшается ши- [c.337]

Теория. Осн. особенности ц, К. X. а. удаётся объяснить на основе одночастичных представлений (не взаимодействующие электроны). В инверсионном слое совокупность носителей заряда можно рассматривать в первом приближении как двумерный электронный ra j. Носители могут двигаться только в плоскости слоя. При наложении перпендикулярно плоскости слоя маге, поля i/эиергетич, спектр носителей заряда (для определённости электронов) из непрерывного становится дискретным. При достаточной величине Н спектр состоит из отдельных эквидистантных, неперекрываю-щихся Ландау уровней.. Энергия /-го уровня Ландау [c.337]

При изменении концентрации носителей п в слое или напряжённости магн. поля Н изменяется положение уровня Ферми Sp относительно системы уровней Ландау- Если р находится в области между двумя соседними уровнями Ландау (/, / + 1), где элергетич. плотпость состояний g ( ) мала, то при f -т О К все состояния на нижележащих уровнях Ландау полностью заполнены. Этому условию отвечает концентрация носителей в инверсионном слое, равная [c.337]

Достаточно большое уд. электросопротивление объёма полупроводника по сравнению с сопротивлением двумерного инверсионного слоя, характерный масштаб к-рого 2n /ve . 4) Достаточно большая концентрация п носителей заряда в полупроводнике, соответствующая металлич. проводимости инверсионного слой (п> с.м ). [c.339]

Т, а проводимость с инверсионного слоя приобретает иеталлич. характер до/дТ < 0. Инверсионный слой отделён от объёма полупроводника обеднённым слоем, где имеется фиксиров. заряд, связанный с донорами я акцепторами, а концентрация электронов и дырок кала. [c.77]

В квазидвумерных системах электроны или дырки, локализованные в обогащённых или инверсионных слоях гетеропереходов, МД Л-структур и др.), образуют двумерную нлазму, заряд к-рой скомпенсирован зарядом противоноложного знака на удалённом электроде. В этих условиях могут возбуждаться двумерные плазмоны, частота к-рых [c.602]

Электронные свойства поверхности отличаются от объёмных, в частности наличием электронных поверхностных состояний. Соответствующие им волновые ф-ции электронов экспоненциально затухают при удалении от П, Изменение концентрации электронов у П. полупроводников (вследствие их перехода в поверхностные состояния или от одной контактирующей среды к другой) приводит к изгибу энергетич. зон, на чём основано выпрямление тока на контактах металл — полупроводник (см. Шоттки барьер) и р — п-переходах. Приповерхностный слой может иметь проводимость, значительно превышающую объёмную, а при достаточно сильном изгибе зон изменяется сам характер проводимости и возникает инверсионный слой. Вследствие малой толщины проводящего слоя электроны в нём образуют квазидвумерную систему. В таких слоях может достигаться высокая подвижность электронов [10 с.м /(В с)], и их использование в микроэлектронных приборах позволяет повысить быстродействие и уменьшить рассеиваемую мощность. [c.654]

Он возникает в двумерной системе, к-рая реализуется, напр., в инверсионном слое МДП-структуры. Если сильное магн. поле направлено перпендикулярно слою, то зависимость холловской электропроводности а от 1агн. поля содержит ступеньки , к-рые описываются ф-лой [c.41]

В двумерных системах—инверсионных слоях и квантовых ямах — в полях Н, перпендикулярных плоскости слоя, носители вследствие их высокой концентрации вырождены. Вид линии Ц. р. в этих случаях зависит не только от величины уширеннй, но и от положения уровня Ферми относительно уровней Ландау. [c.431]

В тонких (монослойных) пленках или в ленгмюровских пленках, сос-стоящих из нескольких слоев органических молекул [219], инверсионная симметрия может отсутствовать [220]. Поэтому в монослоях наблюдается генеращш второй гармоники [221, 222], резко усиливается комбинационное рассеяние [222, 223] и наблюдаются некоторые дрзлгие нелинейные оптические эффекты. В монослоях квазиодномерных молекул [224], например полиацетиленов, наблюдаются нелинейные экситонно-деформа-ционные возбуждения (солитоны) [225,226]. [c.148]

V90°] [90°/ 30°] [ 30°/к/-30°/90°1 [ 30°/к/90°], и [ 30°/90°/к] , где к — изотропная клеевая прослойка. В модельных плитах угол в = 30° выбран в области наибольших расчетных значений (рис. 5.14, кривая /). Из модельных плит изготавливались образцы для испытаний на одноосное квазистатическое растяжение. Результаты испытаний приведены в табл. 5.4. Они показывают, что введение изотропной клеевой прослойки в срединную плоскость позволило полностью исключить расслоение, начинающееся на свободной кромке, и повысить прочность образцов на 27% (табл. 5.4, образцы 1 и 5). Инверсия слоев (образец 2) также полностью исключает расслоение и повышает прочность в данном случае на 23%, однако недостатки инверсионного метода уже обсуждались ранее. Следует отметить, что если для исходной плиты (образец 1) и плиты, армирование которой проведено зеркальным отображением укладки слоев плиты 1 относительно лицевой поверхности, эффективные модули упругости практически совпадают = 42,5 ГПа и = 42,8 ГПа), то эффективный модуль плиты 5 меньше на 14% и равен +(5) = 36,85 ГПа. Уменьшение модуля упругости плиты 5 связано с увеличением ее толщины из-за введения изотропного слоя. Образцы исходной плиты начинали расслаиваться на свободной кромке в срединной плоскости при осевой деформации, составляющей 67—84% осевой деформаций разрушения. При дальнейшем увеличении нагрузки расслоение быстро продвигалось к центру образца. Разрушение плиты 1, как, впрочем, и плит 3 и 4, характеризовалось сильным расслоением в срединной плоскости. Введение изотропных клеевых прослоек в межслойные плоскости, не являющиеся срединной (плиты 3 и 4), желаемого результата не дало. Образцы разрушались с сильным расслоением, которое начиналось при более высоких осевых деформациях (табл. 5.4). Следует отметить и характерное для этих плит некоторое увеличение деформации разрушения (eij = 0,784...0,823). [c.327]

Электроны в инверсионных слоях. Приближение функционала локальной плотности использовалось также для изучения квазидвумерных электронных систем. Такие системы могут образоваться на. поверхности раздела между диэлектриком и полупроводником в полевом МДП-транзисторе при приложении электрик ческого поля в направлении, перпендикулярном плоскости структуры. Изменение эффективного потенциала в этом направлении можно описать в приближении функционала плотности. Согласно проведенным недавно расчетам энергетических зон в инверсионных слоях, эффекты взаимодействия в такой многоэлектронной системе, по-видимому, хорошо описываются при совместном использовании приближения функцио нала локальной плотности и гамильтониана с эффективной массой. [c.198]

Сафмен исследовал продольную диффузию в плоском канале между двумя твердыми стенками, рассматривая такой канал, как возможную модель приземного слоя атмосферы при наличии на высоте Н инверсионного слоя, преграждающего подъем примеси выше этой высоты. Поскольку эта модель является довольно грубой, профиль скорости ветра г(2) он описывал лишь схематически кроме ламинарного течения Куэтта, когда й 1) = 22 [c.561]

Степень устойчивости С. а. играет определяющую роль в образовании облаков. Конвективные облака, с к-рыми связаны ливни и грозы, развиваются, когда в нижней и средней тропосфере наблюдается неустойчивая стратификация. Образованию слоистообразных облаков благоприятствует устойчивая С. а., особенно наличие инверсионных или изотермич. слоев, под к-рыми происходит накопление водяного пара и продуктов конденсации. Устойчивость С. а. определяет степень развития атм. турбулентности, к-рая при прочих равных условиях тем больше, чем больше Y, но занисит также и от вертикальных градиентов вектора ветра, увеличиваясь пропорционально их квадрату. [c.91]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...