Шоттки

Рис. 14. Схематическое изображение дефектов по Шоттки

Влияние ускоряющего поля. Эффект Шоттки. В практических условиях на поверхности электрода-эмиттера всегда существует поле, тормозящее или ускоряющее электроны. Если, например, анодное напряжение Ua положительно, но не очень велико, то вблизи катода накапливается отрицательный пространственный заряд. Его поле тормозит электроны и часть их возвращается обратно на катод. [c.64]

Изменение работы выхода электронов Дш под действием внешнего поля называется эффектом Шоттки. Вычисление его влияния показывает, что работа выхода при наличии ускоряющего поля Фе будет равна [c.65]

Рис. 2.25. Зависимость плотности авто-термоэлектронного тока с вольфрама от напряженности поля у катода с учетом эффекта Шоттки (заштрихована область реальных плотностей тока в сварочных дугах)

При толщине пленки порядка 1 мкм среднее значение напряженности поля достигает в ней 10 ... Ю В/см, что может обеспечивать появление Шоттки-электронов и возникновение электростатической эмиссии. [c.68]

Можно предполагать, что в большинстве случаев эмиссионный ток электронов с поверхности сварочных катодов будет складываться из собственно термоэлектронов, для которых Wx выше уровня АА (см. рис. 2.34), из Шоттки-электронов, энергия которых лежит между уровнями АА и ВВ, из туннельных электронов с энергиями Wi, лежащими ниже уровня ВВ, и из вторичных электронов. [c.69]

Баланс энергии дуги. Как для катодной, так и для анодной областей дуги можно составить подробную схему баланса энергии. Например, для участка анода основные составляющие баланса следующие в) приход — потенциальная и кинетическая энергия электронов, конвективная и лучистая теплопередача от столба плазмы б) расход — плавление, излучение и теплоотвод в материал анода. Однако механизм явлений в переходных областях дуги пока недостаточно ясен, поэтому проводить точный расчет всех составляющих баланса энергии трудно. В катодной области остается неизвестной доля ионного тока, коэффициент аккомодации энергии ионов для данного катода, изменение работы выхода электронов вследствие эффекта Шоттки и т. п. [c.74]

Основным механизмом эмиссии электронов в W-дугах можно считать термоэлектронную эмиссию и эффект Шоттки. [c.79]

Точечные дефекты малы в трех измерениях и размерами приближаются к точке. Виды этих дефектов приведены на рис. 28. Одним из распространенных дефектов является вакансия, т.е. место, не занятое атомом (дефект Шоттки). На место вакантного узла может перемешаться новый ато.м, а вакантное место - дырка образуется по соседству. [c.46]

Ю.Какие из перечисленных дефектов является точечными дефект Френкеля, дислокация, дефект Шоттки, дисклинация, вакансия [c.159]

Шоттки). На место вакантного узла может перемещаться новый атом, а вакантное место- дырка -образуется по соседству. [c.264]

Кроме парных дефектов, по Френкелю, в кристаллах имеются и одиночные точечные дефекты — вакансии, впервые рассмотренные В. Шоттки (рис. 3.5). [c.87]

В общем случае кристалл содержит и дефекты по Френкелю, и дефекты по Шоттки. Однако преобладают те нарушения, для образования которых требуется меньшая энергия. [c.88]

Аналогичный термодинамический расчет может быть проведен и для вычисления концентрации дефектов по Шоттки. Изменение свободной энергии кристалла, содержащего N атомов и п вакансий, в этом случае составит [c.90]

Учитывая (3.16) при записи выражения для свободной энергии и проведя расчет, аналогичный описанному выше, получим выражение для концентрации дефектов по Шоттки [c.91]

Ширина запрещенной зоны 231 Шоттки дефект 87 [c.384]

Важнейшей эмиссионной характеристикой твердых тел является работа выхода еср (е — заряд электрона, Ф — потенциал), равная минимальной энергии, которая необходима для перемещения электрона с поверхности Ферми в теле в вакуум, в точку пространства, где напряженность электрического поля практически равна нулю [1]. Если отсчитывать потенциал от уровня, соответствующего покоящемуся электрону в вакууме, то ф— потенциал внутри кристалла, отвечающий уровню Ферми. Согласно современным представлениям в поверхностный потенциальный барьер, при преодолении которого и совершается работа выхода, основной вклад вносят обменные и корреляционные эффекты, а также — в меньшей степени — электрический двойной слой у поверхности тела. Наиболее распространенные методы экспериментального определения работы выхода — эмиссионные по температурной, спектральной или полевой зависимости соответственно термо- фото- или полевой эмиссии, а также по измерению контактной разности потенциалов между исследуемым телом и другим телом (анодом), работа выхода которого известна [I, 2]. В табл. 25.1, 25.3 и 25.4 приведены значения работы выхода простых веществ и некоторых соединений. Внешнее электрическое поле уменьшает работу выхода (эффект Шоттки). Если поверхность эмиттера однородна, то уменьшение работы выхода. эВ, при наложении электрического поля напряженностью В/см, равно [c.567]

При этой температуре упорядочивается только часть магнитных моментов. Остальные моменты обусловливают парамагнитные свойства. При Г = 0,23 К наблюдаются аномалии Шоттки в поведении теплоемкости. [c.671]

При этой температуре упорядочиваются магнитные моменты только в плоскостях (100). Система моментов плоскостей (200) обусловливает парамагнитные свойства при температуре ниже Т . При Г = 3,1 К наблюдается аномалия Шоттки в поведении теплоемкости. [c.687]

Образование дефектов в ионных кристаллах сопряжено с соблюдением дополнительного условия — необходимости сохранения электронейтральности кристалла. В этом случае возникают либо две одиночные вакансии противоположного знака (дефект Шот-тки), либо вакансия и межузельный атом (дефект Френкеля). При этом тип возникающих дефектов определяется спецификой кристалла. Например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов типичны дефекты по Шоттки, а для галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. Укажем, что если при образовании дефектов по Шоттки плотность кристаллов уменьшается, то при образовании дефектов по Френкелю она остается неизменной. [c.233]

ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ. Точечные дефекты — дефекты, размеры которых в трех измерениях по порядку величины сопоставимы с размером атома. К ним относятся вакансии (дефекты Шоттки), т. е. атомы, находящиеся в междоузлиях, примесные атомы внедрения и замещения, имеющие размер, отличающийся от размера основных атомов, образующих решетку, а также комбинация этих несовершенств. [c.27]

Если же атом перемещается из нормального положения в узле кристаллической решетки на поверхность кристалла, то возникает вакансия (дефект Шоттки). [c.27]

На концентрацию дефектов типа Шоттки и Френкеля, кроме температуры, резко влияют облучение и пластическая деформация. Концентрация вакансий в первом приближении растет пропорционально деформации и может быть определена зависимостью 4-10 )е, где е выражено в процентах. Такие вакансии называются деформационными. Наибольшая их концентрация соответствует знакопеременному нагружению. При совместном влиянии высоких температур и большой степени пластической деформации концентрация вакансий может достигать (5—10) 10 , что дает концентрацию атомов, смещенных со своих мест, 2,5—5%. По-видимому, в этом случае вакансии могут оказывать влияние на процесс и механизм пластической деформации. Однако обычно влияние деформационных вакансий на прочность и пластичность металла невелико. Точечные дефекты, внесенные пластической деформацией и облучением, являются термодинамически неравновесными. [c.30]

Физические свойства вещества в области фазового перехода первого рода испытывают характерную аномалию. На рис. 3.25 изображена экспериментальная зависимость теплоемкости от температуры для кристаллического натрия в области точки плавления, а на рис. 3.26 — теплоемкость Ср кристаллического кобальта в области структурного фазового перехода первого рода, когда гексагональная плотноупакованная решетка перестраивается в объемно-центрированную кубическую решетку. Возрастание теплоемкости Ср при подходе к точке плавления связано с увеличением концентрации точечных дефектов (вакансий по Шоттки) вследствие повышения температуры. [c.237]

Вакансии (дефекты Шоттки). Так как точечные дефекты соизмеримы с размерами атомов, их можно увидеть, например, только с помощью лонного проектора. [c.30]

Точечные дефекты Шоттки и Френкеля оказывают большое влияние на многие процессы, происходящие в металлах будучи центрами рассеяния носителей, понижают их подвижность. Эти дефекты могут служить источниками носителей, т. е. действовать подобно донорам и акцепторам. Они влияют на процессы пластической деформации при низких и высоких температурах, а также на магнитные свойства. Большое число вакансий может быть получено при резком охлаждении (закалке) нагретого металла, [c.32]

Дефекты структуры кристалла стехиометрического состава разделяются на два типа. Во-первых, это дефекты (так называемые дефекты Шоттки), которые содержат анионные и катионные вакансии в эквивалентных количествах, и, во-вторых, дефекты по Френкелю, которые содержат дефекты либо в одной катионной, либо в одной анионной подрешетке, а парные дефекты состоят из вакансий или внедренных атомов одного и того же компонента. [c.48]

Рост оксидной пленки может происходить внутри окалины при одновременном движении ионов металла и кислорода внутри окалины. Если в окалине со стехиометрическим составом существуют дефекты Шоттки, то ионы металла движутся наружу, а ионы кислорода внутрь от поверхности раздела оксид — кислород, взаимодействуя друг с другом внутри окалины. [c.57]

В W-дугах при высокой температуре катода (Г>4500...5000 К) вероятен термоэлектронный ток, измененный при >10 В/мм эффектом Шоттки. Наличие полупроводниковых пленок на тори-рованном или лантанированном вольфраме может сильно сни- [c.69]

Шнур диссоциации (ионизации) 78 Шоттки-электрон 68, 69 Шоттки-эффект 64, 65, 69, 70, 74, 79 Штейнбека принцип 58, 59 [c.555]

Дефекты по Шоттки обычно встречаются в кристаллах с плотной упаковкой атомов, где образование междоузельных атомов затруднено и энергетически невыгодно. Процесс образования дефектов в таком кристалле может происходить следующим образом. Некоторые атомы из приповерхностного слоя в результате теплового движения могут оказаться в состоянии частичной диссоциа-. [c.87]

Образование дефектов по Шоттки уменьшает плотность кристалла из-за увеличения его объема при постоянной массе. При образовании дефектов по Френкелю плотность остается неизменной, так как объем кристалла не изменяется. Измерения плотности свидетельствуют о том, что, например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов доминируюш,ими дефектами являются дефекты по Шоттки, а для чистых кристаллов галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. [c.88]

В бинарных кристаллах, например простейших типа АВ, дефекты по Френкелю и дефекты по Шотткй могут возникать как в подрешетке А, так и в подрешетке В. При этом возможно образование следующих типов точечных дефектов 1) вакансии в подрешетке Л 2) вакансии в подрешетке Б 3) парные дефекты (вакансия и междоузельный атом) в подрешетке А 4) парнке дефекты в подрешетке В 5) атомы подрешетки А, попавшие в междоузлия подрешетки В 6) атомы подрешетки В, внедренные в междоузлия подрешетки Л 7) атомы подрешетки Л, попавшие в вакансии подрешетки В 8) атомы подрешетки В, занимающие вакансии подрешетки Л. [c.93]

Выше отмечалось, что в ионных кристаллах обычно возникают не парные дефекты по Френкелю, а дефекты по Шоттки. Так, на-лример, в щелочно-галоидных кристаллах вакансия аниона (т. е. д. отсутствие отрицательного заряда ) дей- 3/ ствует как эффективный положительный за- [c.94]

Следует ожидать, что в металлах могут существовать дополнительные степени свободы, связанные с движением свободных электронов поэтому здесь можно говорить об электронных возбуждениях. В некоторых телах вырожденные электронные уровнн могут расщепляться под действием локальных электрических и магнитных полей на ряд дискретных подуровней, с переходами между которыми (называемыми переходами Шоттки) также связан новый тип тепловых возбуждений. К этому типу принадлежит, кроме того, переход между основным и возбужденным электронными состояниями при малой разности энергий, что, по-видимому, имеет место у редкоземельных элементов. [c.316]

Эти результаты, получеггные Шоттки [182], использовались Симоном [183] для объяснения отклонений теплоемкости лития, натрия, кремния, серого олова и алмаза от формулы Дебая (5.6). Однако теплоемкость этих веществ меняется с температурой монотонно, любой же монотонный ход теплоемкости, как отмечал Блекмен [39], может быть получен из соответствующего непараболического спектра решетки. Поэтому рассмотренную выше схему энергетических уровней следует использовать для объяснения поведения теплоемкости только при наличии максимумов теплоемкости. Так, нанример, для некоторых редкоземельных элементов [99] подобные максимумы связываются с переходами между 4/-уровнями, расщепленными внутрикристаллическим нолем (см. п. 20). [c.366]

Переходы Шоттки в парамагнитных нонах. Метод Шоттки находит себе наиболее обширное применение при изучении солей, содержащих невзаимодействующие парамагнитные ионы. Многие такие соли, в основном квасцы и соли Туттона, в которых кристаллизационная вода обеспечивает необходимое резведение парамагнитных ионов, использовались для достижения очень низких температур (до 10 °К) с помощью адиабатического размагничивания. Так как данные по теплоемкости таких солей будут приведены в дальнейшем, здесь мы обсудим лишь некоторые измерения на солях, которые не использовались для магнитного охлаждения. [c.367]

Точечные дефекты — это нарушения кристаллического строения в изолированных друг от друга точках решетки. Различают следующие точечные дефекты (рис. 17) 1) вакансии (дефекты Шоттки), т. е. узлы решетки, в которых атомы отсутствуют 2) атомы в междуузлиях (дефекты Френкеля) или атомы внедрения, Т. е. атомы, находящиеся В Промежутках между узловыми атомами [c.29]

Уравнение Янга—Цобеля для ионного переноса дает ту же связь между плотностью тока и напряженностью поля, что и уравнение Шоттки, характеризующее электронную инжекцию на границе раздела фаз [c.75]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...