Эмиссия диэлектрических слоев

Эмиссия диэлектрических слоев. Обнаружено, что относительный коэффициент вторичной эмиссии Овт с окисленной поверхности алюминия, обработанной парами цезия, т. е. с поверхности металла, покрытой тонкой, плохо проводящей пленкой, иногда достигает огромных значений (оат= 100... 1000). Это же наблюдается при создании положительного заряда на пленке любым другим способом, в том числе осаждением положительных ионов газа, что весьма возможно для условий сварочной дуги в парах металлов. [c.68]

При стираний электронного изображения на зеркале (кристалле) с помощью вторичной Электронной эмиссии потенциал Уг уменьшается и поддерживается малое поле в щели, чтобы вторичные электроны легко покидали поверхность кристалла. Время стирания составляет десятки миллисекунд. Изображение может быть стерто и с помощью дополнительной засветки, если поверхность диэлектрического зеркала покрыть тонким слоем чувствительного к пей фотополупроводника. [c.200]

Эмиссия диэлектрических слоев (эффект Молтера). Относительный коэффициент вторичной эмиссии Овт с окисленной поверхности алюминия, обработанной парами цезия, т. е. с поверхности металла, покрытой тонкой, плохо проводящей пленкой, иногда достигает огромных значений (авт=ЮО—1000). Это же наблюдается при создании положительного заряда на пленке любым другим способом, в том числе осаждением положительных ионов из газа, что весьма возможно для условий сварочной дуги в парах металлов. При толщине пленки порядка 10 см среднее значение напряженности поля достигает в ней 10 - 10 в см, что может обеспечивать Шоттки-электроны и ав-тоэлектронную эмиссию. [c.89]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...