Диффузия амбиполярная

Дифференцирование разрывных функций U8 Диффузионная кинетика 272 Диффузия амбиполярная 213 [c.446]

Такой процесс совместного движения ионов и электронов через газ получил название амбиполярной диффузии. [c.57]

Продольное поле. При наложении продольного поля направления магнитного и электрического полей совпадают, поэтому на дрейфовое движение заряженных частиц магнитное поле влиять не будет. Однако электроны и ионы обладают еще тепловой скоростью хаотического движения и скоростью амбиполярной диффузии. [c.84]

Новая теория образования области F учитывает действие амбиполярной диффузии, к-рая объяснила [c.214]

Диффузия в плазме с ионами разных сортов даже при / — О не сводится к амбиполярной, т. к. электрич. поле оказывается пропорциональным градиентам всех парциальных концентраций. При этом нек-рые потоки частиц могут быть направлены в сторону возрастания их концентрации. В многокомпонентной плазме или в случае, когда подвижности зависят от электрич. поля, протекание пост, тока приводит к движению неоднородностей со скоростью а м биполярного дрейфа. В плазме, содержащей к сортов заряж. частиц с пост, подвижностями, имеется (А — 2) разл. значений скорости амбиполярного дрейфа, соответствующих разным типам сигналов. Напр., если имеются [c.570]

Характерные времена процессов биполярного дрейфа лежат в нано секундном, а времена диффузионных процессов — в микро секундном диапазонах i W 2D, где О — коэф. амбиполярной диффузии, [V — ширина базы) однако биполярный дрейф идёт при концентрации носителей, не сильно превышающей уровень легирования, а д.чя диффузионных процессов превышение обычно составляет 2—3 порядка и более. [c.586]

Так как благодаря кулоновским силам притяжения электроны и ионы не могут оторваться друг от друга на большие расстояния, они перемещаются коллективно. Например, если создается неравномерное распределение концентрации одной из заряженных компонент, то перемещаться в сторону пониженной концентрации будут обе компоненты. Такой процесс называется амбиполярной диффузией, и соответствующий коэффициент диффузии [18] [c.213]

Шнурование разряда в трубке имеет, как правило, ионизационно-термическую природу. Как было показано выше, предельные значения / , определяемые устойчивостью разряда, можно оценить, приравнивая инкремент этой неустойчивости к характерной частоте стабилизирующего ее процесса. В диффузионных лазерах таким процессом является амбиполярная диффузия заряженных частиц к стенкам трубки. Поэтому, приравнивая (3.44У и (Т.46), полупим [c.126]

Теория амбиполярной диффузии дает следующее соотношение между электронной температурой Те и произведением pD [c.158]

Рассмотрим газоразрядную трубку радиусом 1 см, наполненную равномерно как ионами, так и электронами с плотностью числа частиц Ni=Ne = = 10 3 см 3. Если бы все электроны вдруг исчезли и остались лишь положительно заряженные ионы, то чему был бы равен потенциал V стенок относительно середины трубки. С помощью этого рассуждения объясните явление амбиполярной диффузии, [c.158]

Для того чтобы при измерении ширины линии, которая согласуется с теоретическим значением допплеровской ширины, ненасыщенное усиление было мало, желательно иметь трубку с малым усилением. Поскольку же усиление и диаметр трубки в газовых лазерах, которым присущ ограничивающий эффект амбиполярной диффузии, связаны по меньшей мере обратным соотношением, то наиболее простое решение — взять такой же усилитель, но с большим диаметром трубки ( l см). Тогда (в случае неоднородно уширенной линии) измеренная ширина линии будет совпадать с теоретической допплеровской шириной при условии, что правильно выбрано значение средней атомной температуры [34. [c.400]

Найти дифференциальное уравнение, описывающее амбиполярную диффузию и дрейф распределения избыточных пар электрон — дырка внутри полупроводника, имеющего равновесные концентрации электронов По и дырок ро, которые сравнимы по величине при приблизительном выполнении условия электронейтральности внутри кристалла. [c.80]

В предельных случаях Гп< г и Ги г имеют место соответственно свободная и амбиполярная виды диффузии электронов с коэффициентами Dre и Dea- В переходной области для приближенных расчетов можно использовать, например, аппроксимацию следующего вида [42] [c.158]

Диффузия заряженных частиц в газе. Амбиполярная диффузия [c.290]

Равновесная температура за ударной волной при скоростях входа, до 11 км сек достигает порядка 10 000—15 000° К, а давление торможения может меняться от величин порядка миллионных долей до сотен атмосфер. В этих условиях, как уже указывалось в предыдущих параграфах обзора,, приходится иметь дело с явлениями возбуждения колебательных степеней свободы (М i= 5—7), диссоциацией (М 7 —25), ионизацией (М 12) и излучением в газе. Процессы возбуждения внутренних степеней свободы,, как правило, не вносят существенного вклада в коэффициенты давления, сопротивления и теплопередачи (менее 5—10%). Процессы диссоциации и ионизации за счет повышенной подвижности атомов к поверхности тела (в полтора раза выше, чем молекулы воздуха) и электронов (примерно в два с половиной раза выше, с учетом эффекта амбиполярной диффузии, чем молекулы воздуха) заметно увеличивают (до 20% при диссоциации и до 30—40% при ионизации) конвективный поток тепла. [c.552]

Возникает так называемый эффект амбиполярной диффузии, когда электрон и ион диффундируют вместе.— Прим. ред. [c.492]

Деионизация. В любой точке стационарного разряда концентрация заряженных частиц любого типа определяется равенством скоростей образования и потерь частиц в этой точке. Ионизация в плазме приводит к разделению зарядов, но электрическое притяжение ограничивает степень возможного разделения и плазма, как будет показано ниже, остается квазинейтральной. Наряду с ионизацией непрерывно происходят уравновешивающие ее процессы деионизации. К ним относятся рекомбинация заряженных частиц в нейтральные, захват электронов (прилипание), дрейф проводимости и диффузионные процессы, выравнивающие концентрацию (амбиполярная диффузия). [c.46]

Даже в простой слабоионизов. плазме в магн. поле перенос частиц не сводится к амбиполярной диффузии. Для её реализации был бы необходим электрич. потенциал, тормозящий во всех направлениях наиб, подвижные частицы (электроны — вдоль В ионы — поперёк В). Такой потенциал, как правило, не удовлетворяет граничным условиям и может реализоваться лишь в исключит, случаях. Поэтому и ур-ние амбиполярной диффузии описывает лишь одномерную эволюцию поперёк В, а также эволюцию профилей вида п(г,г) = = п. г)п г) (г — координата вдоль В, г — поперёк В) в диэлектрич, баллоне или в неограниченной плазме (в последнем случае такой профиль реализуется лишь при очень сильном превышении возмущённой концентрации над фоновой). Характерное диффузионное время жизни при этом [c.570]

При контактной инжекции или при локальной фотогенерации распределение пар по образцу осуществляется благодаря амбиполярной диффузии, а при пропускании через образец тока — благодаря биполярному дрейфу. Биполярный дрейф имеет место в примесном полупроводнике, где концентрация электронов п отлична от концентрации дырок р, причём направление дрейфа в электрич. поле Б определяется знаком разности р — в. Именно благодаря дрейфу возможен токовый перенос неравновесной концентрации на большие расстояния, оцениваемые длиной биполярного дрейфа [c.603]

Отношение а концентрации п отрицат. ионов к концентрации электронов (а = п /п ,) является очень важной для П. э, г. величиной, определяющей мн. её свойства. Эта величина и её изменение в пространстве определяют структуру разряда в электроотрицат. газах. С ростом а уменьшается самосогласов. поле, и при а > 10 величина поля обусловлена в основном нон-ионным взаимодействием. Коэф. амбиполярной диффузии заряж. частиц в П. э. г. также зависит от а. С увеличением а коэф. диффузии электронов в плазме возрастает и при а > 10 -40 достигает насыщения, т.е. становится равным коэффициенту свободной диффузии электронов. Незначит. изменение тока или давления газа в П. э. г. может привести к возрастанию или уменьшению этого отношения, что сопровождается изменением радиального диффузионного потока заряж. частиц. Так, при а > 10 диффузионный поток электронов настолько увеличивается, что в разряде концентрация электронов практически становится неизменной на участке от оси до стенки трубки. [c.605]

Оа — коэф. амбиполярной диффузии, л и р — коэф. ионизации и прилипания соответственно) и ур-ния теплопроводности. Повышение давления газа (т. е. плотности N нейтральных частиц) или разрядного тока приводит к возрастанию частоты столкновений электронов с нейтральными частицами и установлению градиента темп-ры газа, вследствие чего параметр E/N ( — продольное электрич. поле) станет переменным вдоль поперечного сечения плазменного столба. Т. к. частота ионизации зависит от E/N экспоненциально, а прилипание зависит слабо, то области образования и рекомбинации заряж. частиц окажутся пространственно разделёнными. В узкой приосевой области столба, где частота ионизации значительно превышает частоту прилипания (V > f>), будут образовываться электроны. На периферии, где Е1Н меньше, чем на оси, и поэтому V < 1, электроны, диффундирующие из центральной области, будут прилипать к нейтральным частицам, образуя отрицат. ионы, к-рые затем эффективно рекомбинируют вследствие ион-ионного взаимодействия. Положит, столб тлеющего разряда неустойчив, если на его периферии V — 0. Развитие этой неус- [c.605]

Т. р. постоянного тока в трубке. Поскольку толщина КС порядка длины ионизации, часть электронов, ускоряясь на катодном скачке потенциала, набирает энергию, равную этому потенциалу, В результате интенсивной ионизации газа этим пучком электронов в области ТС образуется светящийся слой плазмы большой плотности. Величина электрич. поля здесь близка к нулю. По мере продвижения от области ТС по направлению к аноду плотность плазмы падает из-за рекомбинации и амбиполярной диффузии, электрич. поле растёт, но enie недостаточно для ионизации и возбуждения атомов (область ФТП). Далее, в области ПС электрич. поле достигает величины, при к-рой ионизация электронами, набирающими энергию в этом поле, становится существенной. Для электрич. поля в ПС справедлив закон подобия Ejp f(pR), вытекающий из равенства скоростей ионизации и потерь за счёт амбиполярной диффузии к стенкам (теория Шоттки). ВАХ ПС не зависит от тока, плотность плазмы пропорциональна плотности тока. Для молекулярных газов с ростом тока необходимо учитывать гфоцессы объёмной рекомбинации, приводящие к слабому росту напряжения на ПС, при дальнейшем увеличении тока происходит нагрев газа (для молекулярных газов). Б атомарных газах при увеличении тока в первую очередь газ разогревается, плотность его уменьшается [c.117]

Здесь Z) — коэф. амбиполярной диффузии носителей заряда, п—хонцентрацйя неравновесных носителей заряда. Вид распределения и в общем случае сложен он зависит от диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводника, от коэф. поглощения света и квантового выхода фотогенераиии носителей. [c.351]

В любом сечении длинного однородного положит, столба ионизация компенсирует гибель электронов за счёт рекомбинации, амбиполярной диффузии к стенкам, прилипания (к-рое может частично компенсироваться отлипанием). Этим определяется зависимость поля в столбе от плотности зарядов в плазме (эквивалент ВАХ столба). При сильном нагреве газа ВАХ — падающая. В тлеющем разряде возникают разл. неустойчивости. Наиб, распространена иони-зационно-перегревная, связанная с увеличением частоты ионизации при тепловом расширении газа, вызванном случайным локальным перегревом. Рост v ведёт к увеличению и, дополнит, тепловьщелению и дальнейшему росту Т. Эта неустойчивость вызывает контракцию газового разряда— стягивание разряда в токовый шнур. Др. неустойчивости приводят к возникновению страт—расслоению положит, столба вдоль тока на сильно и слабо ионизованные участки. Чаще всего страты бегут от анода к катоду и глазом не видны (см. также Низкотемпературная плазма). [c.512]

Диффузионный режим имеет место при условии, что число Кнудсена для плазмы d/X 1 (d— межэлектродный зазор, X—длина свободного пробега электрона), а к плазме приложено напряжение Uj ниже порога возникновения разряда. Реализуется режим переноса электронов по механизму амбиполярной диффузии в плазме, образующейся за счет поверхностной ионизации (цезия) [28]. [c.521]

Вторая зона соответствует нагретому неионизированному газу 2, это тепловой слой дуги третья зона — токопроводящая область дуги 4. По мере увеличения размеров дуги (вдоль по потоку) область неионизированного газа уменьшается и на теплообмен ионизированного газа со стенкой разрядного канала начинают влиять процессы рекомбинации и амбиполярная диффузия элек-трон-ионных пар. В молекулярном газе начальный участок дуги тоже имеет три зоны. Две из них — первая и последняя — такие же, как и в атомарном газе, а между ними во второй зоне появляется область 26 диссоциированного газа (рис. 69), где на потери тепла существенное влияние оказывает ассоциация атомов. Таким образом, в молекулярном газе тепловой слой дуги состоит из нагретого и диссоциированного газа. [c.130]

Смотреть страницы где упоминается термин Диффузия амбиполярная : [c.148] [c.56] [c.432] [c.65] [c.65] [c.65] [c.257] [c.569] [c.570] [c.28] [c.117] [c.511] [c.82] [c.86] [c.88] [c.100] [c.124] [c.126] [c.149] [c.166] [c.187] [c.290] [c.347] [c.120]

Теория сварочных процессов (1988) -- [ c.56 , c.84 ]

Теплоэнергетика и теплотехника Общие вопросы (1987) -- [ c.213 ]

Теплоэнергетика и теплотехника Общие вопросы Книга1 (2000) -- [ c.234 ]

Термодинамика необратимых процессов В задачах и решениях (1998) -- [ c.85 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...