Запись электрического поля

Запись электрического поля [c.48]

Ve ii +Е - и, наоборот, зная Е, можно разложить его на две взаимно перпендикулярные компоненты. В качестве направлений таких компонент Е удобно выбрать следующие первая лежит в плоскости падения — будем обозначать ее и, вторая Е колеблется перпендикулярно этой плоскости. Запись граничных условий для амплитуд и последующий вывод формул Френеля будем проводить раздельно для этих двух взаимно перпендикулярных направлений колебаний вектора напряженности электрического поля. [c.82]

Носители информации, в которых для модуляции параметров среды необходимо электрическое поле, часто называемые пространственными модуляторами света, как правило, имеют слоистую структуру. В зависимости от назначения устройства и специфики модулирующей среды пространственные модуляторы могут работать в проходящем свете или на отражение. На рис. 4.3.1 изображена обобщенная структура пространственного модулятора, работающего в проходящем свете. Запись [c.145]

В принципе возможен и другой подход, полностью эквивалентный уже рассмотренному с точки зрения теории линейных пространственно инвариантных систем, — это изучение реакции кристалла на запись точки (б-функции), т. е. изучение импульсного отклика. В рамках теории линейных систем первое и второе описания формально эквивалентны, так как связаны между собой фурье-преобразованием. Однако фактически, с экспериментальной точки зрения, удобнее изучать дифракцию света на решетке показателя преломления, чем анализировать детали профиля импульсного отклика. Поэтому в дальнейшем почти всегда анализ будет производиться в терминах элементарных решеток . Причем слово решетка употребляется для описания синусоидального распределения заряда, электрического поля, показателя преломления и т. п. Заметим, что, хотя линейное приближение является очень мощным способом исследования, реально в ФРК оно не всегда справедливо, и на это будет указано в дальнейшем в соответствующих разделах. [c.8]

Важным с практической точки зрения примером является запись информации, когда электрическое поле приложено вдоль оси z и запись проводится светом, падающим на одну поверхность кристалла, перпендикулярную к оси г. Такая геометрия характерна для записи изображений в так называемых пространственных модуляторах света. При этом формируется решетка заряда конечной толщины вдоль оси Z. В линейном режиме (до тех пор пока поле самой решетки не оказывает влияния на дрейф электронов) толщина решетки порядка дрейфовой длины Lq. В зависимости от конкретных условий протекания тока через образец при засветке записывающим светом преобладающую роль может играть либо решетка положительного заряда, либо решетка отрицательного заряда. В силу того что решетка заряда имеют конечную толщину, ненулевые значения поля оказываются не только вдоль оси х, но и вдоль оси г. Причем [c.12]

В работе [8.22] исследовалась возможность вычитать изображения с помощью модулятора ПРОМ. Если производить последовательную запись двух изображений при различных полярностях напряжения, приложенного к-электродам, то вычитание сводится к селективному стиранию первого изображения вторым. Если записать изображение, изменить полярность напряжения на противоположную и осветить участок изображения записывающим светом, то произойдет его стирание. Минимальный размер участка изображения, который может быть стерт, не менее 0.5—1 мм. Эта величина определяется процессами растекания свободных носителей заряда, генерируемых записывающим светом, под действием внутренних электрических полей в кристалле. Такой способ позволяет вычитать изображения лишь с малым пространственным разрешением. Чтобы устра- [c.168]

Пондеромоторную силу, обусловленную неоднородностью электрического поля в направлении, перпендикулярном запы- [c.319]

Запись электрических импульсов (числовых кодов) на магнитную ленту 1 (фиг. 307) производится в результате местного намагничивания отдельных участков ферромагнитного слоя ленты при перемещении ее мимо записывающей головки, сердечник которой состоит из двух полуколец 2 я 3, а через катушки 4 пропускают переменный ток. Магнитная головка изготовляется из пакета пермаллоя с намотанными на нем катушками. Импульс тока, поданный в катушку 4 записывающей магнитной головки, создает в рабочем зазоре Д поле, пропорциональное намагничивающим ампер-виткам. Участки ферромагнитного слоя ленты, проходящие в эти моменты времени над рабочим зазором головки, намагничиваются, при этом электрические импульсы фиксируются в виде магнитных отпечатков определенных параметров. [c.325]

Комплексная запись особенно удобна потому, что при ее использовании дифференцирование напряженности поля по времени d/dt сводится, как видно из (1.25), просто к умножению на —/со. Стоящее в показателе экспоненты в (1.25) скалярное произведение кг можно записать в виде k x + куу - - k z, поэтому дифференцирование Дг, /) по координате х сводится к умножению Е (г, /) на ikx. Так как оператор V означает дифференцирование по координатам, то его применение к напряженности поля сводится к умножению ее на вектор /к. Поэтому для плоской монохроматической волны, у которой напряженность Е(г, /) электрического поля и индукция В(г, /) магнитного поля записаны в комплексной форме (1.25), уравнения Максвелла (1.14) — (117) принимают следующий вид [c.16]

Реверсивные носители оптической записи могут быть реализованы на основе жидких кристаллов (см. табл. 11.1), которые при различных режимах воздействия луча лазера и внешнего электрического поля могут изменять фазовое состояние в локальной зоне (рис. 11.5) —переходить из смектического состояния в нематическое с образованием изотропной зоны в граничном слое. Изменяя напряжения, прикладываемые к параллельным и перпендикулярным электродам, можно реализовать запись и локальное стирание лучом лазера, а также полное разовое стирание всей сигналограммы. Воспроизводят такие сигналограммы с использованием затемненной оптики. [c.129]

Если исследуют электромагнитное поле в каком-либо веществе, изотропно заполняющем пространство, то значения векторов Е и В получаются при усреднении микроскопических величин <Е икр К и <Н кр> = В. Такая запись позволяет оперировать с мгновенными напряженностями электрического и магнитного полей в любой точке пространства. [c.16]

Как известно, магнитная запись информации, представленной последовательностью электрических сигналов, основана на изменении намагниченности отдельных участков магнитного слоя носителя (магнитной ленты, диска и др.). Запись и воспроизведение осуществляются с помощью магнитной головки. При записи электрические сигналы возбуждают в головке магнитное поле, воздействующее на носитель и создающее статическое пространственное распределение намагниченности в носителе, кодирующее информацию. След, оставляемый записывающим элементом в носителе, называется дорожкой записи. При воспроизведении магнитный носитель движется относительно головки воспроизведения и часть его остаточного магнитного потока проходит через [c.561]

В работе [61] использовалась более простая по конструкции структура на основе керамики состава 7,7/70/30, в которой запись изображений при включении электрического импульса поля амплитудой до 13 кВ/см осуществлялась с помощью источника [c.131]

Сказанное означает, что если первоначально в отсутствие внешнего поля для считывающего светового пучка R выполнялись брэгговские условия дифракции на некоторой голограмме, то включение поля может полностью выключить дифракцию на ней. И наоборот, при невыполнении в исходном состоянии (при Eg = 0) условий дифракции на другой объемной голограмме помещение кристалла во внешнем поле Е,, включит дифракцию на этой голограмме. Дальнейшее изменение поля может вывести из условий считывания и эту голограмму, однако включить третью и так далее. Таким образом, последовательное ступенчатое изменение внешнего поля Е дает возможность переключения (или электрической выборки) серии голограмм. Легко видеть, что запись такой серии должна последовательно осуществляться в данном объеме ФРК при том же фиксированном угле падения опорного пучка и при подаче на кристалл именно того значения поля, при котором данная голограмма впоследствии будет считываться. [c.242]

Магнитная запись в аппарате магнитной записи звука — магнитофона — осуществляется следующим образом. Записываемые электрические сигналы со входа через усилитель записи УЗ поступают в обмотку головки записи ГЗ и создают в ее сердечнике магнитный поток (рис. 9.25). Поле магнитной головки намагничивает ленту и преобразует временные изменения сигнала в пространственные изменения остаточной намагниченности ленты. В сердечнике головки воспроизведения ГВ, с которым соприкасается движущаяся магнитная фонограмма, возбуждается магнитный поток. Изменения потока создают ЭДС в ее обмотке. Она подводится к усилителю воспроизведения УВ. Стирание ненужной записи осуществляется головкой стирания ГС, питаемой током высокой частоты от генератора стирания и подмагничивания ГСП. Последний служит также для подмагничивания ленты с целью линеаризации процесса записи. [c.246]

Следовательно, расчет оптимального режима магнитной записи в магнитографической дефектоскопии имеет специфический, более сложный характер по сравнению с записью электрических сигналов. Необходимо также указать, что физика записи поля дефекта имеет принципиальное отличие от физики записи электрических сигналов движущейся магнитной головкой. При записи поля дефекта, осуществляемой в статическом поле намагничивающего устройства, подмагничивающее поле линеаризует магнитную характеристику ленты и делает возможным пропорциональную запись. При записи магнитной головкой зависимость между чувствительностью лент и высотой пика дифференциальной кривой предельной петли гистерезиса имеет нелинейный характер вследствие изменения направления поля, действующего на элемент носителя при прохождении его около рабочего зазора головки [54]. При записи электрических сигналов необходимо учитывать влияние неоднородности намагничивания рабочего слоя ленты и нормальной составляющей поля головки. [c.17]

Анализ влияния поля подмагничивания на процесс записи поля дефекта позволил предложить новые способы магнитной записи поляризационный [67] и с подмагничиванием переменным полем [68—70] (в технике звукозаписи применяется высокочастотное подмагничивание). Определенный интерес представляет также изучение способа термомагнитной записи. Первая работа по исследованию термомагнитной записи электрических сигналов появилась в 1958 г. [71]. Применительно к условиям магнитографической дефектоскопии термомагнитная запись исследуется ниже. [c.20]

Для нагрева диэлектриков используются частоты не выше 10 Гц. Полу-период напряженности электрического поля на несколько порядков больше периода собственных колебаний упругой поляризации, и этот вид поляризации устанавливается практически мгновенно после включения поля. Вектор поляризации следует за изменением вектора напряженности электрического поля без запа.здываиия. Угол потерь у таких веществ близок к пулю, и они не нагреваются в переменном электрическом поле. Источниками потерь у дпэлектрикон с упругой поляризацией служат посторонние примеси исвязан-ная с ними сквозная электропроводность. Добавлением электропроводных примесей специально пользуются в тех случаях, когда надо нагреть диэлектрик, имеющий только упругую поляризацию (см, 16-2). [c.146]

Магнитные программоносители. Для записи программы часто используется магнитная лента. Запись электрических сигналов на магнитной ленте основана на свойстве ферромагнитного тела намагничиваться при воздействии на него магнитного поля и сохранять остаточное намагничивание при удалении ферромагнитного тела из зоны действия поля. Запись программы на маг-нитой ленте аналогична записи звука на магнитофонах, с той лишь разницей, что записывается не музыка или речь, а исходная информация в виде определенной последовательности импульсов или непрерывных сигналов. [c.79]

В устройстве керампик [16, 56] применен эффект управляемого электрическим полем рассеяния света, для чего использовалась крупнозернистая сегнетоэлектрическая керамика ЦТСЛ состава 7/65/35. Запись изображения могла осуществляться пу- [c.130]

Изображения можно записывать, как проецируя изображение на кристалл, так и сканируя сфокусированным световым пучком, модулированным по интенсивности. Запись изображений проводят синим светом с —420 нм, а считывание —красным с А,=630 нм. При экспонировании кристалла в засвеченных участках происходит генерация носителей заряда, которые дрейфуют, к электродам под действием приложенного электрического поля, и попадая в диэлектрик, захватываются ловушками. В результате электрическое поле на засвеченных участках внутри кристалла из-за компенсац ш зарядов на электродах зарядами на ловушках оказывается много меньше поля на незасвеченных участках, где компенсации зарядов не происходит. После экспонирования напряжение снимается, а электроды закорачиваются. При этом поле внутри кристалла в незасвеченных участках становится равным нулю, а в засвеченных участках приобретает значение, соответствующее связанному на ловушках заряду, т. е. пропорционально локальной освещенности данного участка кристалла. [c.150]

Кристаллические сегнетоэлектрини, используемые для записи голограмм, имеют ряд преимуществ перед другими материалами. Это возможность записывать объемные фазовые голограммы с высокой плотностью записи и высокой дифракционной эффективностью, причем запись может быть стерта нагреванием, импульсами интенсивного света или приложением электрического поля. Последнее обстоятельство особенно перспективно для оперативного управления памятью. Следует отметить, однако, технологичесние трудности получения оптически однородных кристаллов. [c.332]

В дальнейшем фоторефрактивная голографическая запись была получена на целом ряде полупроводников [57—63], наиболее популярным из которых остается GaAs. Сообщалось о записи с использованием диффузионного механизма формирования объемного заряда [57] и с применением постоянного [61] и переменного [60,63] электрических полей. Именно в последнем случае был достигн)т рекордно большой коэффициент усиления Г 7 см [63] и впервые получено усиление (с учетом поглощения) сигнального пучка по сравнению с падающим на кристалл. Этот результат позволяет предсказать появление вырожденных по частоте оптических генераторов на полупроводниках в ближайшем будущем ). [c.55]

Довольно быстро была качественно выявлена физическая суть эффекта, заключающаяся в том, что падающий на кристалл луч света возбуждает в освещенной области фотоэлектроны, которые в результате диффузии или дрейфа в приложенном электрическом поле (либо за счет фотовольтаического эффекта) уходят из освещенной области. Затем эти электроны захватываются на ловушки в неосвещенных участках кристалла. В результате образуется пространственно неоднородное распределение заряда, а следовательно, и электрического поля внутри образца. Поскольку рассматриваемые кристаллы обладают электрооптическим эффектом (их показатели преломления зависят от электрического поля), то в кристалле появляется неоднородное распределение показателя преломления. Та-кн.м образом, происходит запись изображения. Из этой модели не- [c.3]

В частности, характерное время выхода голограммы на стационарной режим определяется сомножителем, стоящим перед квадратными скобками в правой части (4.13). Для наиболее простого случая KLii, KLq 1) Ts оказывается равным максвелловскому времени релаксации Тм и не зависит ни от шага решетки, ни от доминирующего механизма записи голограммы (диффузионного, дрейфового во внешнем или в эффективном фотовольтаическом поле Eq). Поэтому абсолютная скорость роста амплитуды решетки поля Es на начальном участке записи (следовательно, и чувствительность фоторефрактивного кристалла как голографической среды) оказывается пропорциональной 1с /тм- Для диффузионного механизма это означает более быструю запись высших пространственных частот, так как в этом случае ЕЦ d ос /С. При дрейфовом механизме записи зависимость чувствительности от пространственной частоты решетки отсутствует, повысить абсолютное значение скорости записи здесь можно, увеличивая электрическое поле Е . [c.54]

Во всех электрооптических ПВМС, рассмотренных выше, для записи изображений в структуре модулятора с помощью пары прозрачных электродов создавалось продольное внешнее электрическое поле. Здесь мы кратко рассмотрим ПВМС, в которых запись информации осуществляется в кубических ФРК типа BSO при поперечном внешнем электрическом поле, а считывание — за счет поперечного электрооптического эффекта. При этом геометрия записи и считывания, т. е. взаимные ориентации внешнего поля, кристаллографических осей и направлений распространения света, совпадает с той, которая используется для голографической записи (см. главу 4). [c.198]

На рис. 8.27 показаны конструкции модуляторов, которые позволяют производить одновременно запись нескольких электрических сигналов. В первом варианте модулятор представлял пластину кристалла BSO, с одной стороны которой нанесены электроды в виде прозрачных проводящих полосок, а с другой — один сплошной рбщий электрод. Количество одновременно записываемых электрических сигналов соответствует количеству полосковых электродов. Электроды создают в кристалле в основном продольное электрическое поле. Во втором варианте (рис. 8.27, б) напряжения записываемых сигналов прикладываются к паре полосковых электродов, расположенных на одной поверхности кристаллической пластины. Для экспериментальных образцов электроды изготавливались фотолитографическим способом с расстоянием между ними 125 мкм. Причем величина управляющих сигналов ограничивалась пробоем по воздуху и не превышала 200 В, что ограничивало дифракционную эффективность ПВМС. При записи все электроды одновременно сканировались узкой полосой записывающего света. Считывание осу- [c.202]

На рис. 9.5, б приведены результаты использования данного способа непрерывного считывания усредненной во времени голограммы для визуализации колебательных структур диффузно рассеивающей мембраны. Запись осуществлялась на длине волны гелий-неонового лазера (к = 633 нм) в кубическом ФРК BiigTiOao >(ВТО) в отсутствии внешнего электрического поля. Необходимость использования диффузионного механизма записи диктовалась тем, что приложение внешнего поля к кристаллу сильно искажало поляризацию световых волн и делало ее неоднородной по сечению пучка, что затрудняло качественное подавление сигнальной волны. Вместе с этим дифракционной эффективности записываемой диффузионной голограммы при толщине образца d 8 мм на пространственной частоте 500 мм оказывалось вполне достаточно для обеспечения нормальной работы видикона телевизионной системы. [c.217]

Адаптивный интерферометр для измерения малых механических вибраций, собранный по аналогичной схеме, был экспериментально исследован в [9.26]. В этой работе запись динамических голограмм в кристаллах SBN Се осуш,ествлялась с помош,ью гелий-кадмие-вого лазера (к = 442 нм) во внешнем постоянном электрическом поле Eq = 3.6 кВ-см- . При используемой мощ,ности световых пучков Ро = 20 мВт) характерная частота среза /о = (2ят8, ) 10 Гц. Экспериментально достигнутый минимальный уровень регистрируемых колебаний зеркала порядка 1 А в диапазоне частот 10 4--ьЮ Гц и полосе Af 10" / определялся главным образом собственными шумами лазера. Такая же величина чувствительности была получена и при использовании в качестве записываюш,ей среды кристаллов LiNbOg на длине волны к = 475 нм. [c.222]

Впоследствии аналогичные эксперименты по оконтуриванию изображений были выполнены и с использованием ФРК BaTiOg [9.136, 9.137]. Однако голографическая запись в этом случае выполнялась в отсутствие внешнего электрического поля, т. е. за счет диффузионного механизма. Для объяснения эффекта оконтуривания авторами привлекается иной механизм нелинейности, весьма характерный для большинства известных ФРК, а именно отсутствие зависимости дифракционной эффективности голограммы от суммарной интенсивности записываюш их световых пучков. [c.260]

Гнусин Я. Я. Моделирование электрических полей в электролитах и некоторые вопросы распределения тока на электродах. Уч. зап. БИИЖТА, Гомель, 1957, вып. 4. 207 с. [c.88]

Рис. 4.11. Запись шумов (слева), квадратурные распределения Р х ) = = W X ) и реконструированные функции Вигнера (справа) для различных генерируемых квантовых состояний. Сверху вниз когерентное состояние, сжатое по фазе состояние, повёрнутое ф = 48°) сжатое состояние, сжатое по амплитуде состояние, сжатое вакуумное состояние. Для четырёх верхних состояний запись шумов как функции времени отвечают осцилляции электрических полей в интервале 4тг, в то время как для сжатого вакуума (относящегося к другому набору измерений) показан интервал Зтг. Квадратурные распределения (в центре) можно интерпретировать как эволюцию во времени волновых пакетов (плотностей вероятности координат) за период одного колебания. Для эеконструкции квантовых состояний достаточно интервала тг. Взято из работы

Эта зависимость графически изображена на рис. 9.1 . Такая запись важна в теории туннелирования Зииера при описании переходов электронов из одной энергетической зоны в другую при наличии сильного электрического поля (см. книгу Займана [5]). Экспериментальное подтверждение правильности предсказаний, вытекающих из вычисленного выражения для 1т (й), имеется в работе Паркера и Мида [6] см. также работу Кертина и др. [7]. [c.334]

Принцип действия дефектоскопа основан на построчном считывании с магнитной ленты полей, зафиксированных в процессе контроля сварных соединений и преобразований информации в электрические сигналы многоэлементным микроферрозондо-вым преобразователем, с последующей обработкой и частотной селекцией сигналов и регистрацией результатов на электрохимической бумаге. Запись сигналов ведется по четырем каналам — по одному каналу записывается плоскостное полутоновое изображение рельефа магнитного поля, записи по остальным каналам дают возможность судить по амплитуде сигнала от дефектов и их местоположении по толщине изделия. Получение в дефектоскопе двухмерного плоскостного изображения достигается за счет возвратно-поступательного движения по электрохимической бумаге подвижного электрода и пропускания через пишущие электроды (подвижный и неподвижный) электрического тока, пропорционального величине сигнала, поступающего с феррозондов. Подвижный электрод движется синхронно с движением феррозондов над магнитной лентой. Степень потемнения бумаги оказывается тем большей, чем больший по амплитуде сигнал снимается с феррозондов. [c.46]

Механизм применяется в тех случаях, когда измеряемая величина изменяется слишком медленно или когда желательно вести одновременную запись нескольких измеряемых величин на одной ленте. Через определенные промежутки времени часовой механизм, не показанный на рисунке, включает электрический ток в обмотке электромагнита /. Якорь 2, притягиваясь к электромагниту, опускает дужку 3, которая прижимает стрелку 4 к бумаге 5 и пропитанной красками прокладке, лежащей под бумагой. При выключении электрического тока в обмотке электромагнита I якорь 2 под действием пружины 15 отходит от электромагнита 1. Дужка 3 ирн этом поднимается и освобождает стрелку 4, которая получает возмол ность установиться в новое положение. Установка стрелки 4 в новое положение происходит сле-ДУЮИ1.НМ образом. В то время, когда якорь 2 отходит от. электромагнита /, собачка а, укрепленная на якоре 2, поворачивает храповое колесо 7, укрепленное на валу 8 при этом подвил<ные контакты 9 переводятся с одник неподвижных контактов d на другие, соответствующие новому объекту измерения. Подвижная катушка 10, находящаяся в поле постоянного магнита II, получает при этом новый импульс и иереводит укрепленную на ней стрелку 4 в новое положение. Поворот валика 12 с прокладкой, пропитанной красками, происходит при повороте храпового колеса 7 при помощи червячных передач 13, 14 и зубчатой передачи 6—16. [c.139]

Магнитографический метод обеспечивает запись на магнитную ленту магнитных полей рассеяния. Лента яа( ладывается на контролируемую поверхность изделия. Информация о результатах контроля считывается с по-мош,ью магнитографического дефектоскопа возникающий на экране электрический сигнал пропорционален величине остаточного магнитного потока полей рассеяния дефектов, записанных на ленте. [c.364]

Создана система автоматизированного выпуска электрических принци пиальных схем типового элемента замены (ТЭЗ), построенных на отечест венной и зарубежной элементной базе [12]. Выпуск документации осуществляется на мини-ЭВМ семейства СМ-4 АЦПУ СМ-6315 на формате АЗ. Система выполняет следующие задачи формирование титульного листа предварительное формирование листов разъемов анализ и обработка таблицы элементов анализ и обработка таблицы связей размещение элементов схемы по листам формирование и запись информации о связях запись обозначения ТЭЗ. С помощью системы Получают 49 листов схем, содержащих 100 микр< схем серии К-1500, К-1520 и 1500 связей за 30 минут. 8.1. Выполнение конструкторских документов на печатающих и граф ческих устройствах вывода ЭВМ, В стандарте ГОСТ 2.004- 88 установлены форматы листов документов, получаемых на АЦПУ правила вьшолнения текстовых документов на печатающих устройс вах. В стандарте приведены формы конструкторских документов и изв щение об изменении, выполненные на АЦПУ. Вопрос. Что такое информационное поле и чем ограничиваются его ра меры [c.316]

Здесь имеется аналогия с фоторефрактивным голографическим преобразователем изображений, который рассматривался выше. Там запись изображений осуществляется во внешнем поле, промодули-рованном за счет записи когерентным светом синусоидальной решетки здесь внешнее поле оказывается также промодулированным, но за счет системы электродов на поверхности кристалла. Однако относительно низкая пространственная частота внешнего поля (v л л 1.5 лин/мм) практически не позволяет, по крайней мере для двумерных изображений, восстановить записанное изображение в первом порядке дифракции считывающего света на решетке внешнего поля. Чтобы это можно было сделать, желательно увеличить пространственную частоту электродной структуры. Однако глубина проникновения внешнего поля в кристалл пропорциональна расстоянию между электродами. Поэтому увеличение частоты электродной стр уктуры должно привести к уменьшению слоя кристалла, в котором происходит запись изображения, и, следовательно, к уменьшению чувствительности и дифракционной эффективности ПВМС, В работе [8.92] было предложено использовать ФРК для электрически управляемой записи информации. В простейшем варианте такая запись может быть осуществлена, например, на ПВМС ПРИЗ [c.201]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...