Керамика сегнетоэлектрическая

Материалы класса V, содержащие титанат бария, являющийся типичным сегнетоэлектриком, отличаются зависимостью диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля, а некоторые группы (с особо высоким значением е,) — большой зависимостью от температуры с максимумом при температуре точки Кюри. Чем больше содержит керамика титаната бария, тем сильней проявляются сегнетоэлектрические свойства. Свойства керамических материалов типа Б представлены на рис. 3-75. [c.240]

Существование электрического момента связано с изменением структуры сегнетоэлектрика в точках фазового перехода. Температура фазового перехода является критической для появления или исчезновения спонтанной поляризации сегнетоэлектрика и носит название температуры Кюри. Диэлектрическая проницаемость в точке Кюри достигает наибольшего значения, а выше этой температуры сегнетоэлектрические свойства исчезают. При снижении температуры ниже точки Кюри сегнетоэлектрические свойства появляются вновь. Однако сегнетокерамика не обладает пьезоэлектрическими свойствами. Они возникают только после того, как керамика будет подвергнута воздействию сильного постоянного электрического поля, в результате чего произвольно направленные диполи ориентируются под влиянием этого поля в одном определенном направлении. Этот процесс, носящий название поляризации, является характерным в производстве пьезокерамики. [c.195]

Эта система является кристаллохимическим аналогом системы ВаО—ТЮз, имеюш,ей первостепенное значение для технологии сегнетоэлектрической керамики. [c.477]

Система имеет большое значение для сегнетоэлектрической керамики. [c.460]

По назначению электротехническую керамику можно разделить на следующие виды высоковольтная, низковольтная, высокочастотная можно выделить специальные виды конденсаторной и сегнетоэлектрической керамики. [c.231]

Специальная конденсаторная керамика может быть разделена на два основных класса керамика с повышенным значением диэлектриечской проницаемости не-сегаетоэлектрического типа и керамика сегнетоэлектрического типа. [c.276]

Керамические материалы могут быть весьма разнообразны по свойствам и области применения в электротехнике используют керамические материалы в качестве полупроводниковых (стр. 265) и магнитных (ферр1ггы, стр. 283) материалов. Чрезвычайно большое значение имеют керамические диэлектрические, в частности электроизоляционные, а также сегнетоэлектрические и некоторые другие специальные керамические материалы. Многие керамические электроизоляционные материалы имеют высокую механическую прочность, очень малый угол диэлектрических потерь, значительную нагревостойкость и другие ценные свойства. По сравнению с органическими электроизоляционными материалами керамика, как правило, более стойка к электрическому и тепловому старению, не дает остаточных деформаций при продолжительном приложении к ней механической нагрузки. Металлизация керамики (обычно нанесением серебра методом вжигания) обеспечивает возможность осуществления спайки с металлом, что имеет особое значение для создания герметизированных конструкций. [c.169]

Одной из разновидностей этого метода является разлив шликера на органическую подложку [3]. При этом были получены сегнетоэлектрические пленки из керамики сложных составов толщиной до 10 мк. Преимуществом является то, что исключается платина в качестве подложки и пленки могут быть получены любых размеров. Так, например, были получены пленки ВаТЮз Ва (Т18г) Оз Ва (Т12г) О3 толщиной от 100 до 10 мк. [c.295]

Широкое применение в технике имеют пьезоэлементы, изготовленные из сегнетоэлектрической керамики титаната бария. Сегне-токерамика ВаТЮз является синтетическим материалом и изготовляется по обычной керамической технологии. [c.313]

Керамика кристаллическую основу которой в обоЖ женном виде представляют диоксид титана TiOj или ти-танаты щелочноземельных металлов, а также некоторые другие соединения с подобными им свойствами, объединена в один класс технической керамики по той причине, что все эти соединения обладают повышенным, высоким или даже сверхвысоким значением диэлектрической проницаемости по сравнению со всеми остальными керамическими материалами. Это отличительное свойство предопределяет их назначение в качестве материала для изготовления керамических конденсаторов и пьезоэлементов. Среди этого класса можно выделить группу материалов, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами и применяемых для производства нелинейных конденсаторов — варикондов и пьезокерамических элементов. Особенности технологии изготовления этих материалов и их своеобразные свойства позволяют объединить их в отдельные группы. [c.185]

Введение малого количества модифицирующих добавок существенно улучшает и стабилизирует некоторые свойства пьезокерамики системы ЦТС. В качестве таких модифицирующих добавок применяют оксиды трех-и пятивалентных элементов, таких, как ЬагОз, ТагОз, Ы гОз, ЫЬгОб, СггОз, в количестве 0,5—1%. Керамика в систег ме ЦТС имеет две сегнетоэлектрические фазы — тетрагональную и ромбоэдрическую. Между этими фазами существует морфотропная граница, положение которой зависит от концентрации компонентов. Вблизи фазовой границы наблюдается резкое изменение диэлектрических и пьезоэлектрических параметров. [c.203]

В отличие от сегнетозлектрической параэлектрическая керамика состава 9/65/35 iie обладает памятью кроме того, она характеризуется малыми рассея/тем и деполяризацией света (кривая 2), в результате чего оптический контраст превышает 500 1. На основании этих данных рассчитываются зависимости двулуче-иреломления от амплитуды электрического поля, соответственно для керамики с памятью и без памяти. Они представлены на рис. 2.ё. Для сегнетоэлектрической керамики (кривая /) максимальное изменение Ап составляет около 2,2 10 [17, 48]. В этом случае, согласно (2.8), изменение фазы света на л, т. е, достижение максимальной глубины модуляции интенсивности света осуществляется на толщине образца около 150 мкм. [c.65]

Создание при выключении тюляризации оптически изотропного состояния в объеме сегнетоэлектрической керамики, а вместе с ним высокого и равномерного оптического контраста, можно обеспечить двумя методами [1] 90°-ной переориентацией векторов спонтанной поляризации доменов в постоянном электрическом поле и [c.74]

В устройстве ферпик [16, 122], разработанном фирмой Белл, применен эффект управляемого электрическим полем двулуче-преломления в мелкозернистой ЦТСЛ-керамике состава 7/65 35. Использовалась структура с механическим нагружением (изгибом) керамической пластины с помощью специальной плексигласовой подложки. Результатом освещения и перераспределения электрического поля в слоях структуры была переориентация векторов поляризации сегнетоэлектрических доменов в направлении силовых линий электрического поля (перпендикулярно плоскости пластины). Считывание изображений осуществлялось при пропускании через структуру пучка гелий-неонового лазера, к которому она была нечувствительна. [c.130]

В устройстве керампик [16, 56] применен эффект управляемого электрическим полем рассеяния света, для чего использовалась крупнозернистая сегнетоэлектрическая керамика ЦТСЛ состава 7/65/35. Запись изображения могла осуществляться пу- [c.130]

Для создания пространственных модуляторов света можно также использовать наведенное двулучепрелом-ление, управляемое рассеяние света и управляемый геометрический рельеф поверхности в сегнетоэлектрических керамиках. [c.151]

Наилучшие результаты были получены с прозрачной сегнетоэлектрической керамикой на основе титана-цир-коната свинца, легированного лантаном типа PLZT 7/65/35 (7% La, 65% PbZrOs, 35% PbTiOs) с размером зерна порядка 1—5 мкм. Этот тип прозрачный керамики обладает рядом, уникальных оптических свойств. [c.151]

Геометрический рельеф поверхности, образующийся на поверхности сегнетоэлектрической керамики в результате переориентации доменов, используется в пространственном модуляторе света Ferri on (рис. 4.3.5). На прозрачную пластинку керамики PLZT с обеих сторон нанесен слой фотопроводника, поверх которого напылены электроды. Один из электродов прозрачный, а другой зеркально отражающий. Используется пластинка керамики толщиной 250 мкм. Фотопроводящий слой также [c.154]

Зерно полупроводниковой керамики можно представить в виде ядра из основного материала, окруженного оболочкой с иной проводимостью. В сегнетоэлектрической фазе проводимость керамики определяется проводимостью ядра и прослойки. При фазовом переходе сегнетоэлектрик—параэлектрик происходит резкое увеличение потенциальных барьеров и, следовательно, сопротивления прослойки. Такого рода структуры были рассмотрены в 2.5 и там же приведен метод расчета проводимости, из которого следует, что основная трудность связана с оценкой сопротивления прослойки, окружающей ядро зерна. [c.153]

Имеет большое значение для сегнетоэлектрической керамики. Смоленский, Аграновская и Крайник [1] детально изучили цир- [c.317]

Явление усталости проявляется в изменении переключательных характеристик сегнетоэлектрика в процессе длительной работы. Число циклов переключения, начиная с которого проявляется усталость, зависит не только от сегнетоэлектрического материала, но и от материала электродов. Так, в керамике цирконата-титаната свинца с лантаном (ЦТСЛ) с алюминиевыми и серебряными электродами усталость проявляется через 10 переключений, а с индиевыми — через 10 . [c.217]

Таким образом, такие керамические материалы, близкие по своим свойствам к монокристаллам и обладающие значительной фоточувстви-тельностью, могут являться хорошими объектами для изучения взаимодействия сегнетоэлектрических, диэлектрических и фотоэлектрических свойств. Известно также, что монокристаллы титаната стронция обладают большим внутренним фотоэффектом в широком температурном интервале. Поэтому представляет интерес исследовать фотоэффект в керамике титаната стронция и твердых растворов (Ва,5г )Т102, а также в твердых растворах монокристаллов (Ва,5г )Т10з. [c.103]

Величина tg б сегнетоэлектриков также зависит от напряженности электрического поля и имеет соответствующий максимум. У титаната бария максимум tg б в зависимости от напряженности электрического поля несколько смещен по сравнению с расположением максимума диэлектрической проницаемости в область более слабых полей на участок, соответствующий наиболее быстрому росту диэлектрической проницаемости. Величина tg б титаната бария при частоте 50 гц в слабых электрических полях лежит в пределах 0,02—0,03. Сверхвысокая диэлектрическая проницаемость керамического сегнетоэлектрика — титаната бария — представляет интерес с точки зрения использования его в малогабаритных конденсаторах. Однако такие конденсаторы обладают низкой температурной стабильностью емкости. В этом отношении значительно лучше керамические материалы со сверхвысокой диэлектрической проницаемостью не сегнетоэлектрического типа, например, описанная в 2-4 стронций-висмут-титанатная керамика. Сегнетоэлектрики обладают нелинейными свойствами вследствие изменения их диэлектрической проницаемости при изменениях напряженности электрического поля и величина зарядов сегнетоэлектрического конденсатора нелинейно изменяется с изменением напряжения. Эта нелинейность связана с тем, что при циклическом изменении напряжения заряд сегнетоэлектрического конденсатора изменяется по закону петли гистерезиса (рис. 2-17). При увеличении напряжения от нуля происходит увеличение заряда по первоначальной кривой зарядки, достигающей насыщения при [c.39]

Смотреть страницы где упоминается термин Керамика сегнетоэлектрическая : [c.173] [c.321] [c.176] [c.61] [c.62] [c.64] [c.73] [c.78] [c.131] [c.151] [c.326] [c.29] [c.37] [c.175] [c.184] [c.215] [c.268] [c.153] [c.216] [c.218] [c.224] [c.104] [c.300] [c.300] [c.93] [c.206]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...