Дополнительные энергетические уровни

Как показал И. Е. Тамм, вблизи поверхности кристаллического образца возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные нарушением трансляционной симметрии кристаллической решетки вследствие ее обрыва поверхностные состояния или, иначе, уровни Там-ма). В полупроводнике эти состояния локализуются внутри запрещенной зоны. Они могут либо отдавать, либо принимать электроны, в результате чего на поверхности полупроводника образуется заряд того или иного знака, приводящий к изгибу энергетических зон в приповерхностном слое. Если полупроводник содержит донорные примеси (п-полупроводник), то в этом случае электроны будут переходить от примесей на поверхностные уровни в результате поверхность полупроводника зарядится отрицательно, а внутри полупроводника вблизи его поверхности возникнет положительный объемный заряд. Это приводит к изгибу зон, показанному на рис. 7.5, б. Изгиб происходит в пределах слоя толщиной обычно не более 10 м значительная же часть фотоэлектронов зарождается глубже — на расстояниях примерно до 10 —10 м от поверхности. Для таких электронов энергия электронного сродства х и соответственно порог фотоэффекта W увеличиваются на некоторую величину ЬЕ (см. рисунок). Более интересен в практическом отношении случай, когда полупроводник содержит акцепторные примеси (р-полупроводник). В нем электроны будут переходить с поверхностных уровней на примеси, поверхность будет заряжаться положительно, изгиб зон будет иметь вид, показанный на рис. 7.5, в. В данном случае благодаря изгибу зон происходит снижение порога внешнего фотоэффекта. [c.166]

Наличие у реальных кристаллов полупроводников конечных размеров приводит к обрыву кристаллической решетки на поверхности. Происходящие при этом явления качественно можно проиллюстрировать на примере идеального кристалла беспримесного германия или кремния. В результате обрыва кристаллической решетки у атомов, расположенных в поверхностном слое кристалла, не все ковалентные связи будут завершены. Это означает, что поверхность кристалла полупроводника обладает электропроводностью р-типа. Поэтому на энергетической диаграмме поверхности полупроводника в отличие от его объема имеются дополнительные энергетические уровни, лежащие в запрещенной зоне. Они получили название поверхностных уровней (состояний) или уровней Тамма. [c.78]

Дополнительные энергетические уровни. В 61, раздел б), мы упомянули, что если кристалл не простирается бесконечно, то до пустимы некоторые непериодические состояния, относящиеся к классу 11) Крамерса. Если же кристалл простирается в бесконечность во всех направлениях, то по крайней мере в одном направлении амплитуда [c.338]

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УРОВНИ 339 [c.339]

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УРОВНИ 341 [c.341]

Мы можем, таким образом, заключить, что вкрапленные в решётку инородные атомы или дефекты решётки создают дополнительные энергетические уровни, соответствующие локализации электронов вблизи них. Эти уровни лежат в областях между непрерывными полосами. Как мы увидим, они могут играть очень важную роль, особенно в полупроводниках. [c.343]

И Т. Д. В слабом растворе растворенные частицы практически не будут взаимодействовать друг с другом. Обладая большой длиной волны, они не будут локализованы в определенном месте жидкости. Взаимодействие примесей с атомами Не приведет к появлению дополнительных энергетических уровней. Состояние примесей можно классифицировать по значению непрерывной переменной импульса. Таким образом, каждой частице примеси соответствует некоторое элементарное возбуждение, характеризующееся энергией — функцией импульса. Логически возможны различные типы спектров. Однако фактически мы имеем дело с самым простым случаем, когда энергия е есть просто квадратичная функция импульса р с некоторой эффективной массой т [c.137]

Атом вещества, имея определенный запас энергии, находится в устойчивом энергетическом состоянии и располагается на определенном энергетическом уровне. Для выведения атома из устойчивого энергетического состояния его необходимо возбудить. Возбуждение ( накачку ) активного вещества осуществляют световой импульсной лампой. Возбужденный атом, получив дополнительный фотон от системы накачки, излучает сразу два фотона, в результате чего происходит своеобразная ценная реакция генерации лазерного излучения, [c.414]

При рассмотрении реальной молекулы Нг возникает дополнительная трудность, связанная с тем, что нз жно решать не одноэлектронную, а двухэлектронную задачу. В этом случае необходимо учитывать принцип запрета Паули. Основному состоянию молекулы На (притяжению) отвечает в соответствии с этим принципом размещение обоих электронов на низшем энергетическом уровне с противоположной ориентацией спинов, как это показано на 80 [c.80]

Электроны, занимающие энергетические уровни в полностью заполненных зонах, не могут принимать участия в электропроводности. Чтобы участвовать в этом процессе, электрону необходимо приобрести на длине свободного пробега дополнительную энергию за счет внешнего электрического поля, т. е. поле должно оказывать на электрон ускоряющее действие. В терминах зонной энергетической диаграммы это означает, что под действием электрического поля электрон должен перейти на энергетический уровень й той л<е зоне, расположенный более высоко. Вполне естественно, что рассматриваются слабые электрические поля, которые не мо- [c.81]

Своеобразие точечных дефектов в ионных кристаллах состоит в возможном захвате вакансиями (или иными дефектами) электронов, результатом чего является заметное изменение электронной структуры, появление дополнительных локальных энергетических уровней, изменяющих условия поглощения электромагнитного излучения. Это приводит к окрашиванию прозрачных ионных кристаллов. Весьма распространенным типом дефектов подобного типа являются F-центры окраски, наблюдающиеся в щелочно-галоидных кристаллах и представляющих собой образование, состоящее из электрона и удерживающей его анионной вакансии. Помимо F-центров окраски в ионных кристаллах появляются и олее сложные образования, например комплексы дырка—вакансия, комбинации f-центров и т. д. [c.235]

Приведенные данные показывают, что электрические и оптические свойства аморфных полупроводников похожи на свойства кристаллических полупроводников, но не тождественны им. Это сходство, как показал специальный анализ, обусловлено тем, что энергетический спектр электронов и плотность состояний для ковалентных веществ, которым относятся полупроводники, определяются в значительной мере ближним порядком в расположении атомов, поскольку ковалентные связи короткодействующие. Поэтому кривые N (е) для кристаллических и аморфных веществ во многом схожи, хотя и не идентичны. Для обоих типов веществ обнаружены энергетические зоны валентная, запрещенная и проводимости. Близкими оказались и общие формы распределения состояний в валентных зонах и зонах проводимости. В то же время структура состояний в запрещенной зоне в некристаллических полупроводниках оказалась отличной от кристаллических. Вместо четко очерченной запрещенной зоны идеальных кристаллических полупроводников запрещенная зона аморфных полупроводников содержит обусловленные топологическим беспорядком локализованные состояния, формирующие хвосты плотности состояний выше и ниже обычных зон. Широко использующиеся модели кривых показаны на рис. 12.7 [68]. На рисунке 12.7, а показана кривая по модели (Мотта и Дэвиса, согласно которой хвосты локализованных состояний распространяются в запрещенную зону на несколько десятых эВ. Поэтому в этой модели кроме краев зон проводимости (бс) и валентной (ev) вводятся границы областей локализованных состояний (соответственно гл и ев). Помимо этого авторы модели предположили, что вблизи середины запрещенной зоны за счет дефектов в случайной сетке связей (вакансии, незанятые связи и т. п.) возникает дополнительная зона энергетических уровней. Расщепление этой зоны на донорную и акцепторную части (см. рис. 12.7, б) приводит к закреплению уровня Ферми (здесь донорная часть обусловлена лишними незанятыми связями, акцепторная — недостающими по аналогии с кристаллическими полупроводниками). Наконец, в последнее время было показано, что за счет некоторых дефектов могут существовать и отщепленные от зон локализованные состояния (см. рис. 12.7, в). Приведенный вид кривой Л (е) позволяет объяснить многие физические свойства. Так, например, в низкотемпературном пределе проводимость должна отсутствовать. При очень низких температурах проводимость может осуществляться туннелированием (с термической активацией) между состояниями на уровне Ферми, и проводимость будет описываться формулой (12.4). При более высоких температурах носители заряда будут возбуждаться в локализованные состояния в хвостах. При этом перенос заряда [c.285]

Введение в полупроводник примесных атомов приводит к нарушению в нем стехиометрического состава и периодичности кристаллической решетки. Примеси вносят в структуру полупроводника дополнительные квантовые уровни, отличающиеся от зонной структуры уровней основного кристалла. В полупроводниках примеси в зависимости от их природы и природы полупроводников могут образовывать п- или р-проводимости. Примеси, образующие и-проводимость, должны иметь большую валентность, чем валентность, основного полупроводника примеси, создающие р-проводимость, должны иметь валентность меньшую по сравнению с валентностью основного полупроводника. Например, для четырехвалентного германия пятивалентные примеси As, Р, Sb и др. создают электронную проводимость, поскольку четыре атома примеси, занимая в кристаллической решетке германия определенные узлы, образуют ковалентные связи с соседними атомами германия, а избыточный (пятый) электрон внешней орбиты мышьяка остается свободным. Такие свободные электроны создают электронную проводимость. Примеси, освобождающие электроны, называются донорами, а соответствующие им энергетические уровни — донорными [c.282]

После окончания освещения образца электроны переходят на более низкие энергетические уровни — примесные или в валентную зону. При непрерывном освещении полупроводника устанавливается динамическое равновесие между образующимися дополнительными (неравновесными) носителями и уходящими на нижние уровни, т. е. устанавливается динамическое равновесие между процессами генерации носителей заряда и рекомбинацией их. [c.276]

Сформированный таким образом сигнал проходит через блок 6, осуществляющий дополнительную энергетическую коррекцию уровня результирующего сигнала, который усиливается усилителем 7 мощности и поступает на вибростенд 8. Датчики 10 устанавливают на объект 9 в трех взаимно перпендикулярных плоскостях для исследования как продольных, так и поперечных крутильных колебаний элементов объекта. В датчиках 10 механические колебания преобразуются в электрические и через согласующие усилители поступают в анализатор 12. С помощью анализатора 12 выявляются гармонические составляющие, появляющиеся в элементах объекта, и исследуются резонансные свойства объекта. Результирующие АЧХ объекта по трем коор- [c.327]

Согласно постулатам Бора электроны в атоме могут иметь не произвольные, а жестко регламентированные значения энергии Е, Е2,. .. к т. д. Этот набор строго индивидуален для атомов каждого элемента. Если атому сообщить дополнительную энергию (например, облучив его), то электроны с нижних энергетических уровней (рис. 1) перейдут на верхние. Через некоторое время пострадавший от облучения электрон возвращается на исходный уровень, [c.18]

Свободный электрон в магнитном поле может быть ориентирован параллельно и антипараллельно полю. Это дополнительно расширяет энергетические уровни электронов проводимости в металле. В результате такого расщепления электроны проводимости обладают парамагнетизмом (парамагнетизм Паули). [c.306]

Выходное излучение газового лазера содержит дополнительные компоненты шума, которые увеличивают шумовую мощность на выходе по сравнению с идеальным значением, соответствующим выражению (9.7). Величина этих компонент зависит от типа газового лазера (на возбужденных или ионизированных атомах), методов возбуждения (постоянный гок, ВЧ-разряд или комбинация постоянного тока и ВЧ-разряда), превышения мощности возбуждения над пороговой и т. д. Например, возможны плазменные шумы, вызванные флуктуациями постоянного тока в плазме. Могут существовать шумы, характер которых совпадает с характером избыточного фотонного шума. Конкуренция между двумя нижними энергетическими уровнями при одном и том же инвертированном верхнем уровне, приводящая к когерентному излучению более чем на одной длине волны, также может быть причиной появления шумов. Возможна и интерференция мод, особенно в длинных лазерах, где одновременно генерируется большое число осевых типов колебаний. Кроме того, шумы от источников питания (в ионных лазерах) вызывают пульсирующие токи в плазме (или индуцированные в плазме магнитным полем [c.460]

Рассмотрим классический гелий-неоновый лазер. Спонтанное излучение возникает за счет переходов между энергетическими уровнями независимо от того, проявятся ли соответствующие переходы среди возможных линий генерации. Подчеркнем, что для обеспечения минимальных помех, создаваемых в интересующих нас модах посторонними источниками вынужденного излучения, световой поток на выходе лазера должен быть соответствующим образом отфильтрован. В большинстве случаев для этой цели достаточно защищенных многослойных полосовых спектральных фильтров ( 0,1 нм), но при необходимости можно добиться дополнительной селективности, пользуясь дифракционным спектрометром (от 1 до 3 ж). [c.470]

Эйнштейн первый показал, что если атом находится в потоке электромагнитного излучения, то должны возникнуть дополнительные, вызванные этим излучением переходы электронов с верхних энергетических уровней на нижние. До Эйнштейна в физике были известны только два типа световых явлений во-первых, спонтанное, самопроизвольное излучение, испускание (как, например, в случае обычных источников света) и, во-вторых, абсорбция (т. е. поглощение) фотонов. Теперь же речь шла еще об одном. [c.91]

Если это необходимо, то вводятся дополнительные механические и кинематические параметры и дополнительные параметры физической и химической природы температура, фазовый состав среды (например, во влажном паре—соотношение между количеством вещества в паровой и в жидкой фазах), концентрации различных составляющих газ или жидкость химических компонент, коэффициенты диффузии, теплопроводности, вязкости, величины, характеризующие сюйства лучистого переноса в газе, концентрации атомов с электронами, находящимися на различных энергетических уровнях, концентрации ионизованных атомов и свободных электронов и т. п. [c.14]

Для появления в спектре определенной линии необходима энергия, которую называют потенциалом возбуждения данной линии. Потенциалы возбуждения различны для разных энергетических уровней, распределение которых зависит от вещества — массы и заряда ядра элемента, числа электронов и т. д. Помещение вещества в пламя, в электрическое поле или соударение с частицей, атомом или электроном вызывает возбуждение атомов вещества за счет притока дополнительной энергии. При возбуждении атома электроны наружной оболочки приходят из нормального (стабильного) состояния в некоторые метастабильные состояния. Величина потенциала возбуждения определяется исходным энергетическим уровнем, с которого совершается переход. Наиболее легким является переход с нормального невозбужденного уровня на первый возбужденный. Поэтому обратные переходы, которым сопутствует излучение энергии в виде кванта света, с этих уровней на невозбужденные происходят наиболее часто. Линии оптического спектра, соответствующие этим переходам, называются резонансными. Они наиболее яркие в спектрах элементов и обладают наиболее низкими потенциалами возбуждения. [c.124]

Акцепторные примеси создают в полупроводнике дополнительные свободные энергетические уровни, на которы. могут переходить электроны из заполненной зоны, образуя та дырки. Такой полупроводник обладает электропроводностью типа р. [c.285]

Квантовомеханическое рассмотрение вопроса приводит к представлению о возникновении в кристалле полос (зон) разрешенных значений энергии, разделенных запрещенными зонами. Качественно этот эффект можно понять так. Электрон в атоме имеет дискретные уровни энергии. При добавлении второго атома в результате взаимодействия электронов — возмущения — каждый уровень расщепляется на два близко расположенных, поскольку возмущение мало. Добавление каждого нового атома приводит к появлению дополнительного энергетического уровня (и одновременно к некоторому изменению уже существующих). Этот процесс изображен на рис. 7, из которого видно, что в пределе возникает полоса (зона) дозволенных уровней энергии. Полное число уровней в зоне равно очевидно, числу атомов в кристалле. Поскольку это число велико (/ 10 з для одного грамм-атома), зону можно считать квазине-прерывной. Если исходные уровни были расположены далеко один от другого (например, 2s [c.25]

За расчетную схему примем наиболее общий случай течения в вихревой трубе с дополнительным потоком (рис. 4.7). В этом случае режим работы обычной разделительной вихревой трубы представляет собой предельный при О- Используем понятие элементарного объема вращающегося газа dQ. = V nrdr. Условие осевой симметрии обеспечивает отсутствие фадиентов в направлении угловой координаты ф. В сформированном потоке вихревой трубы радиальные скорости пренебрежимо малы. В процессе построения аналитической расчетной цепочки можно использовать принцип суперпозиции, т. е. независимость законов движения по нормальным друг к другу осям координат. Процесс энергообмена в сопловом сечении считаем заверщенным. Определим предельно возможные по разделению энергетические уровни потенциального и вынужденного вихрей. Длина пути перемешивания и фадиент давления определяют предельный эффект подофева приосевого турбулентного моля при его переходе на более высокую радиальную позицию. При этом делается допущение о переходе в сечении, перпендикулярном оси. Осевой снос моля не учитывают. Вязкость и теплопроводность проявляют себя, если присутствуют фадиенты скорости и температуры. Поэтому при формировании свободного вихря вязкость будем учитывать, анализируя процесс затухания окружного момента [c.191]

Формально такое неестественрюе распределение атомов по энергетическим уровням, называемое инверсией заселенности, может бьггь характеризовано введением некой отрицательной температуры. Однако представляется сомнительной целесообразность использования такого термина для описания этого сугубо неравновесного процесса. Важно отметить, что для создания инверсной среды всегда требуется дополнительная энергия, необходимая для перекачки атомов на избранные возбужденные уровни, заселенность которых затем уменьшается в основном за счет вынужденного излучения. В определенных у( ловиях опыта этот процесс может быть использован для когерентного усиления сигнала или генерации почти монохроматического излучения. [c.430]

Однако указанное возрастание Y не может происходить неограниченно. Когда энергия фотона, постепенно увеличиваясь, достигнет значения для данного металла, наступит своеобразное насьвдение — теперь все электроны в зоне проводимости могут, в принципе, участвовать во внешнем фотоэффекте, так что дополнительное увеличение энергии фотона уже не приводит к возрастанию числа электронов, которые могут покинуть металл. В рассматриваемой ситуации зависимость У(1га>) начинает определяться другими факторами, которые п обусловливают некоторое уменьшение У по мере дальнейшего роста 1ш. К таким факторам относится, в частности, изменение с частотой коэффициента отражения света металлом и степени прозрачности металла, а также увеличение с частотой вероятности поглощения фотонов электронами, находящимися на более глубоких энергетических уровнях. [c.164]

Хорошо известно, что систематика уровней энергии и спектров многоэлектронных атомов строится на основе учета в модели самосогласованного (эффективного центрально-симметричного) поля атома дополнительных возмущений от нецентрального электростатического и релятивистских (спин-орбитального и спин-спинового) взаимодействий электронов. В нерелятивистском приближении при учете только электростатических взаимодействий энергетические уровни атома характеризуются значениями полного орбитального (L) и спинового (S) моментов электронов и вырожде- [c.838]

К тому же и на этом пути возникает дополнительная трудность, в какой-то мере случайного характера, обязанная своим происхождением свойству короткодействия ядерных сил. В теории атома, даже не имея квантовой электродинамики, мы могли бы довольно точно определить потенциал взаимодействия двух зарядов по данным о задаче двух тел, изучая систему энергетических уровней атома водорода. Как известно, атом водорода имеет богатую систему уровней, по которой можно восстановить многие, даже очень тонкие детали электромагнитного взаимодействия. В противоположность этому получение явного вида действующих между нуклонами ядерных сил по экспериментальным данным о задаче двух тел является значительно более тяжелой задачей. Объясняется это тем, что в системе нуклон — нуклон имеется всего лишь одно связанное состояние — дейтрон, а одна цифра — это очень небольшая информация о виде сил взаимодействия. Можно, конечно, воспользоваться экспериментальными данными о нуклон-нуклонном рассеянии, но данные по рассеянию всегда несравненно менее точны, чем данные об экспериментальных уровнях. Кроме того, даже по полной и точной совокупности экспериментальных данных о рассеянии и связанных состояниях точный вид сил может быть установлен однозначно лишь тогда, когда эти силы не зависят от скоростей, что для ядерных сил не имеет места. [c.80]

Следует отметить, что участки поверхности реальрых пор вследствие дефектов кристаллической решетки неравноценны и в энергетическом отношении. В связи с этим на поверхности пор имеет место перемещение молекул газа, сто ткнувшихся со стенкой поры, о перемещение молекулы продолжается до тех пор, пока не обеспечивается наиболее устойчивое положение молекулы при данном энергетическом уровне процесса или пока не осуществляется десорбг.ия этой молекулы. Десорбция молекулы происходит вследствие флуктуаций теплового движения. Период времени, необходимый для получения дополнительной энергии, в случае идеальной кристаллической структуры, согласно Френкелю [43], составляет [c.258]

Свободному электрону в твердом теле соответствует электромагнитная волна, способная распространяться в любом направлении. Однако поведение электрона изменяется, если он находится в области твердого тела, ограниченной потенциальными барьерами, примером которой может являться квантовый шнур с ограниченными размерами сечения. В этом случае в поперечных направлениях могут распространяться только волны с длиной, кратной геометрическим размерам структуры. При этом соответствующие им электроны могут иметь только определенные фиксированные значения энергии, тогда как вдоль шнура могут двигаться электроны с любой энергией. Запирание электрона хотя бы в одном из направлений сопровождается увеличением его импульса. Данное явление называется квантовым ограничением и приводит, с одной стороны к увеличению минимальной энергии электрона, а с другой - к дополнительному квантованию энергетических уровней, вследствие чего свойства наноразмерных структур будут отличаться от свойств материала, из которого они сформированы. [c.150]

Как известно, оптически изотропная среда под действием магнитного поля приобретает свойство двойного лучепреломления по кругу для света, распространяющегося вдоль поля. Это значит, что если без магнитного поля среда поглощает свет на частоте Mq, то при наложении поля II у нее появляются две резонансные частоты поглощения о>о — еН12тс) для света с левой круговой поляризацией и (О9 -Ь (еН1 12тс) — для света с правой круговой поляризацией е, т — заряд и масса электрона, с — скорость света), причем показатель преломления в одном случае возрастает, а в другом — уменьшается по сравнению с показателем преломления среды, когда магнитное поле отсутствует. Измеряя разность резонансного поглощения света, поляризованного по правому и левому кругам, можно получить дополнительную информацию об электронных энергетических уровнях исследуемого вещества, помогающую в расшифровке спектров оптического поглощения. [c.32]

Коэффициент а зависит от того, сколько частиц микросистемы (среды) находится на верхнем и нижнем энергетических уровнях, т. е. от заселенности уровней. При малой заселенности верхнего уровня наблюдается поглощение, при большой - излучение. Принцип получения стимулированного излучения, лежащий в основе работы лазеров, поясняет рис. 15. Слева на систему, находящуюся в неравновесном состоянии (/), упал квант света с частотой перехода с верхнего уровня 2 на нижний Е . Этот квант мог бы сообщить системе дополнительную энергию. Но система уже имеет избыточную энергию, так как на верхнем уровне значительно больше частиц, чем на нижнем, т. е., верхний уровень перезаселен, и поэтому дополнительная энергия [c.24]

ЛИШЬ при применении третьего метода возбуждения, т. е. при накачке посредством инжещии носителей заряда. Используется полупроводниковый диод, имеющий р, п-переход. При достаточно высоком легировании высота образующегося на границе перехода потенциального барьера может стать больше ширины запрещенной зоны (рис. 2.21, а) тогда в п-области уровень Ферми находится в зоне проводимости, а в р-области — в валентной зоне. При приложении к полупроводниковому диоду напряжения и носители заряда, проходя через р, п-переход, должны преодолеть дополнительный энергетический барьер eU это означает, что энергии уровней Ферми в обеих областях различаются на величину eU. В зависимости от знака приложенной к переходу разности потенциалов высота потенциального барьера у перехода может уменьшаться или увеличиваться. На рис. 2.21, б показано действие прямого напряжения, вызывающее уменьшение высоты потенциального барьера. Происходит усиленное проникновение электронов и дырок через переходный слой, т. е. имеет место инжекция носителей заряда. Предположим, что выравнивание населенностей между зоной проводимости и валентной зоной через межзонные процессы релаксации происходит медленнее, чем идет пополнение носителями заряда. Тогда неравновесная электронная населенность в переходном слое должна опять характеризоваться квазиуров- [c.87]

Дополнительные возможности в повышении дальности зондирования и уменьшении габаритов установки сулит использование в качестве источника информации неравновесного допробойного свечения атмосферы, которое является разновидностью явления электролюминесценции. Фотостимулированная электролюминесценция (ФЭЛ) [S1] возникает как результат возбуждения атомов и молекул затравочными термоэлектронами, набравшими энергию, в поле лазерного излучения за счет эффекта обратного тормозному излучению при упругих электронно-атомных соударениях. За счет ускоренных излучением горячих электронов энергия возбуждения энергетических уровней газовой среды может существенно превышать энергию кванта зондирующего лазерного излучения. Это выгодно отличает электролюминесценцию от широко используемого в зондировании эффекта флюоресценции. [c.203]

Потенциалы ионизации и возбуждения. На освобождение электрона от связи с атомным ядром, вследствие чего и происходит образование положительного иона, необходимо затратить определенное количество энергии. Энергия, израсходованная на отрыв электрона, называется работой ионизации. Работа ионизации, выраженная в электрон-вольтах, называется потенциалом ионизации. Если сообщить связанному электрону газовой молекулы или атома некоторое количество дополнительной энергии, то электрон перейдет на новую орбиту с более высоким энергетическим уровнем, а молекула илн атом будут находиться в возбужденном состоянии. Количество энергии, выраженное в электрон-йОЛЬтах, которое необходимо затратить для возбуждения атома или молекулы газа, называется потенциалом возбуждения. Возбужденное состояние атома или молекулы газа является неустойчивым, и электрон может снова возвратиться на стационарную орбиту, а атом или молекула перейдет в нормальное невозбужденное состояние. Энергия возбуждения при этом передается в окружающее пространство в форме светового электромагнитного излучения. [c.29]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...