Метод прямого разрешения

Различают предельное разрешение по линиям и по точкам. Разрешение по линиям определяют путем разрешения на изображении кристаллических плоскостей вещества-с известной структурой. Такие изображения получают путем пропускания через апертурную диафрагму первичного и одного из дифрагированных пучков (метод прямого разрешения см, 2,2.3), Разрешение по точкам определяют по макси.мальному полезному увеличению микроскопа, при котором удается различить на изображении (фотопластинке) две характерные точки, отстоящие одна от другой на 0,1—0,2 мм. Условия формирования изображения рассмотренных двух типов таковы, что разрешение по линиям всегда немного выше, чем по точкам. [c.49]

Весьма плодотворным оказалось применение темнопольной методики в сочетании с анализом диффузного рассеяния, возникающего на МДК (см. далее, раздел 2.3.4), а также метода прямого разрешения решетки для исследования начальных ( зонных ) стадий распада. Рассмотренными методами были получены прямые данные о размерах и распределении в матричной решетке кластеров растворенных атомов вплоть до прямого видения последних. Примеры электронно-микроскопических изображений структур стареющих сплавов приведены на рис. 2.5. [c.57]

Метод прямого разрешения. Улучшение разрешающей способности электронных микроскопов в сочетании с увеличением их ускоряющего напряжения обусловливает возможность широкого применения метода прямого разрешения для исследования кристаллических, в том числе металлических объектов. Электронно-микроскопические изображения, полученные этим методом, дают наиболее наглядное представление (в пределе — на атомном уровне) о структуре реального объекта. Несомненно, что использование метода прямого разрешения позволит выяснить детали атомного строения [c.61]

Ввиду указанного обстоятельства, а также принимая во внимание, что вообще вид этих уравнений не обладает той простотой, какая могла бы быть им придана, мы не будем здесь больше задерживаться на подробностях мы перейдем к прямому разрешению задачи, пользуясь общим методом отдела IV, который тотчас же даст нам уравнения, наиболее простые и наиболее удобные для вычислений. [c.250]

Для исследования металлографических объектов в электронном микроскопе просвечивающего типа используются прямой и косвенный методы. Прямой метод заключается в исследовании очень тонких слоев металла (фольг), прозрачных для пучка электронов. Этим методом удается обнаружить различные дефекты в кристаллической решетке, главным образом дислокации. Косвенные методы исследования структуры осуществляются с помощью отпечатков-реплик, которые воспроизводят рельеф поверхности шлифа. Реплики получают нанесением на поверхности шлифа раствора фотопленки в амилацетате или путем напыления угля в вакууме. Полученная тем или иным способом реплика отделяется от шлифа при погружении образцов в травящий раствор, после чего ее помещают в электронный микроскоп. При прохождении электронного луча через реплику благодаря неодинаковому рассеянию электронов в разных ее участках на экране электронного микроскопа воспроизводится рельеф поверхности шлифа. Разрешение, достигаемое на репликах, составляет от нескольких десятков до нескольких сотен ангстремов. [c.53]

Приближенные методы расчета функций пропускания. Эмпирические и комбинированные методы расчета функций пропускания являются параметрическими. Число параметров, определяемых путем подгонки к экспериментальным данным или данным, полученным методом прямого расчета, варьируется от одного до четырех. Наличие параметров и способы их определения обусловливают общее ограничение на использование приближенных методов их применимость лишь для определенного спектрального интервала и фиксированного спектрального разрешения, для которого проводилась подгонка. [c.189]

Среди всех известных методов мониторинга атмосферы, включая всевозможные методы прямых контактных измерений ее параметров, а также методы активного и пассивного дистанционного зондирования, несомненным преимуществом обладают методы активного дистанционного зондирования с использованием лазерных источников излучения. Методы лазерного зондирования, и только они, обеспечивают получение профилей или полей различных параметров атмосферы с исключительно высоким временным и пространственным разрешением, обладая при этом рекордными концентрационными чувствительностями. [c.5]

Метод I. Для применения этого метода необходимо, чтобы градуируемая область спектра была достаточно густо и сравнительно равномерно заполнена точками Тп, (рис. 59, а). Через одну из этих точек (Го, то), соответствующей узкому хорошо разрешенному пику на кривой поглощения, проводится прямая с [c.152]

До сих пор этот принцип рассматривался только в качестве простой теоремы механики однако после того как Иван Бернулли принял предложенное Лейбницем различие между мертвыми силами, или силами давления, не вызывающими реального движения, и живыми силами, при которых имеет место движение, а также его предложение измерять последнего рода силы произведением масс на квадраты скоростей, рассматриваемый принцип стал следствием теории живых сил и общего закона природы, согласно которому сумма живых сил нескольких тел остается неизменной, в то время как эти тела действуют друга на друга с помощью одних только сил давления, и равной той живой силе, которая получается в результате действия активных сил, приводящих тела в движение. Поэтому он дал указанному принципу название принципа сохранения живых сил и успешно применил его при разрешении некоторых задач, которые до тех пор еще не были решены и которые представлялось трудным довести до конца с помощью прямых методов. [c.315]

Теория устойчивости и колебаний таких систем весьма сложна, и в ней имеется ряд не до конца разрешенных вопросов. В данной главе приведены постановка задачи, различные формы уравнений движения, их первые интегралы, рассмотрены простейшие случаи движения. Указаны вошедшие в инженерную практику алгоритмы расчета малых колебаний системы. Даны основные определения устойчивости движения систем твердых тел с полостями, частично или целиком заполненными жидкостью, соответствующие теоремы прямого метода Ляпунова, рассмотрены примеры. [c.280]

Косвенный метод исследования применяется ограниченно из-за трудности однозначно интерпретировать эффекты контраста на изображении и идентифицировать различные структурные составляющие, из-за частого возникновения артефактов, связанных с деформацией реплики при ее отделении от объекта и при различных манипуляциях с ней. Кроме того, разрешение электронно-микроскопических изображений лимитируется разрешением самой реплики, которое в лучшем случае достигает нескольких десятков ангстремов. В то же время развитие растровой (сканирующей) электронной микроскопии позволяет примерно с тем же разрешением прямо изучать поверхностный рельеф металлического образца, а также по рентгеновскому характеристическому излучению определять химический состав различных структурных составляющих и даже наблюдать картину распределения того или иного химического эле. гента по поверхности объекта. Поэтому практическая значимость косвенного метода невелика и в настоящее время ограничена электронной фрактографией. [c.50]

Непосредственное изучение таких поверхностей возможно лишь в отражательном, эмиссионном или растровом микроскопах, наблюдение объектов в которых может быть отнесено также к прямым методам исследования. Однако наибольшее распространение имеют электронные микроскопы просвечивающего типа, обладающие наибольшим разрешением из всех перечисленных типов, и потому для изучения структур поверхностей непрозрачных тел были разработаны и успешно применяются косвенные методы. [c.41]

Хотя на наилучших восстановленных изображениях достигнуто почти такое же разрешение, как и на прямых фотографиях, все же на них заметен сильный шум . В меньшей степени он обусловлен искажениями, созданными изображением-,.двойником , но в большей степени — частичками пыли и неоднородностями в двух объективах микроскопов. Можно отметить, что в электронном устройстве, по-видимому, нельзя ожидать появления этих неприятных эффектов, которые возникают из-за большой чувствительности метода, использующего когерентный фон, к сдвигам фаз. Пусть электронные линзы несовершенны с точки зрения теоретической оптики, но они свободны от пыли и не дают шлирен-эффектов, так как электромагнитное поле автоматически размазывается , и в этом отношении любая [c.264]

Скорость распада метастабильных состояний можно измерять и более простым методом, добавляя в газ примеси, флуоресцирующие при дезактивации метастабильных состояний (например, неон в разряде гелий-неоновой лазерной смеси). Интенсивность света флуоресценции примесей прямо пропорциональна концентрации метастабильных частиц в плазме послесвечения, и ее можно зарегистрировать при помощи спектрометра и фотоприемника. При этом необходимо достаточно высокое разрешение спектра, чтобы исключить излучение, возникающее при рекомбинации зарядов в плазме послесвечения. Излучение рекомбинации легко отличить, так как оно затухает пропорционально концентрации зарядов, а не плотности метастабильных состояний. [c.289]

Обычные спектральные методы во многих случаях непригодны или неудобны для измерения ширины линии излучения лазера. Ширину линии излучения тех лазеров, которые испускают свет в широкой полосе частот, например лазеров на стекле, активированном неодимом, на рубине и на арсениде галлия, оказалось возможным измерить при помош,и эталона Фабри— Перо с достаточно высоким спектральным разрешением. Практическая граница между линиями, ширину которых можно измерить прямыми (интерферометрическими) методами, и столь узкими линиями, ширину которых прямыми методами измерить невозможно, порядка 1 Мгц. Для линий с шириной, меньшей 1 Мгц, применяются методы гетеродинирования. Для измерения же ширины линий до килогерц в настоящее время часто применяются другие косвенные методы, основанные на измерении статистических характеристик лазерного шума. [c.379]

Здесь следует отметить, что в настоящее время атомное строение обычных границ зерен до конца не выяснено. Для них представление о структурных ЗГД может быть использовано пока только в виде гипотезы. Полученные в последние годы данные электронной дифракции прямого атомного разрешения подтвердили выводы более ранних исследований (см. [97]) о периодичности структуры этих границ. Вместе с тем структурные ЗГД в них не удается обнаружить современными экспериментальными методами, что неудивительно, поскольку в соответствии с геометрическим анализом ЗГД здесь должны иметь очень малые, близкие к нулю векторы Бюргерса. В связи с этим недавно было предложено описание структуры произвольных границ, где граница представляется как набор периодически расположенных групп атомов по типу полиэдров [155, 156]. Однако это описание пока не удается использовать для анализа перестроек зернограничной структуры с целью выявления поведения границ в деформационных процессах. В настоящее время более полезным здесь представляется использование дислокационных представлений, введение которых, даже формальное, позволяет понять многие свойства границ зерен [53, 54, 63, 150]. Поэтому представления о периодической структуре обычных границ зерен и ЗГД как нарушениях этой периодичности, мы будем использовать ниже при анализе конкретных зернограничных процессов. [c.78]

Электронный микроскоп, дающий на один-два порядка большее разрешение, чем оптический, позволяет подробно изучать тонкую структуру (субструктуру) металла. Одно из наиболее важных достижений электронной микроскопии — возможность прямого наблюдения дефектов кристаллической структуры. В электронном микроскопе (для предупреждения вторичного излучения, искажающего наблюдаемую картину) изучается не самый металл, а лаковый или кварцевый слепок, полученный с поверхности протравленного шлифа и воспроизводящий детали его рельефа, зависящие от действительной структуры металла. В последнее время широко применяется прямой метод исследования на просвет. В этом случае исследуют тонкие пленки толщиной несколько сот ангстрем, прозрачных для электронов, приготовленные из массивных образцов. [c.13]

В электронных микроскопах последних конструкций (японская фир.ма ТЕОЬ) методом, прямого разрешения удалось получить рекорд- [c.49]

Большие возможности в изучении структуры аморфных сплавов открывает метод просвечивающей микроскопии в режиме формирования фазового контраста. В этом случае можно наблюдать отдельные кристаллографические плоскости и даже отдельные атомы, если использовать объекты толщиной порядка 1—5 нм. Такие исследования проведены в [455] на сплавах Fe-B в режиме прямого разрешения. Авторы интерпретировали наблюдаемую структуру как микрокристаллическую (радиус этих микрокристаллов изменялся от 0,7 до 1,1 нм по мере снижения содержания бора от 5 до 15 ат.%). Вывод о микро исталлической природе аморфных сплавов сделан в авторами других электронно-микроско-пических исследований [456—458]. Однако при анализе субкристалли-ческнх структур (при структурной единице размером порядка 1 нм) трудно отличить "микрокрисгалл" от "кластера". Поэтому считают, что электронно-микроскопические исследования подтверждают в равной мере как микрокристаллическую, так и кластерную природу аморфных сплавов. [c.283]

Кратко остановимся на измерениях облученности при помощи комплексной методики. Относительные измерения облученности выполняются фотоэлектрическим методом, рассмотрение которого не входит в нашу задачу. Основные достоинства этого метода прямая связь величины фотоэдс, генерируемой фотоэлектрическими приемниками излучения, со значением облученности, большая чувствительность и высокое вреыенн(5е разрешение (прпооры Ф5К [lObJ 10 сек, пикохроны [iSS] 5.10 сек). Главные недостатки фотоэлектрического метода - избирательность приемников излучения и некоторая нестабильность их технических показателей. [c.677]

В табл. 5.1 приведены данные о некоторых из запущенных на орбиту или разрабатываемых в настоящее время зеркальных рентгеновских телескопах высокого разрешения. Первые два телескопа, предназначенные для исследования рентгеновского излучения Солнца, были установлены в 1973 г. на американской орбитальной станции Скайлэб (эксперименты 5-054 и 5-056). Зеркальная система телескопа 5-054 состояла из двух совмещенных пар металлических зеркал параболоид—гиперболоид , изготовленных методом прямой полировки [71]. Объектив телескопа 5-056 был изготовлен из плавленого кварца [77]. Регистрация изображений Солнца в обоих телескопах проводилась на фотопленку. Спектральный диапазон определялся коэффициентами отражения зеркал и фильтрами. В телескопе 5-054 с помощью объективной дифракционной решетки регистрировались также изображения Солнца в различных спектральных линиях. В экспериментах на станции Скайлэб было получено несколько десятков тысяч рентгеновских снимков Солнца в различных стадиях его активности, которые дали огромный материал для исследования происходящих на Солнце физических процессов. [c.196]

В Лос-Аламосской лаборатории (США) зеркала микроскопа для исследований лазерной плазмы были изготовлены методом прямого полирования никелевого покрытия на алюминиевой подложке [67]. Высокая точность формы зеркал была достигнута благодаря контролю локальных углов наклона поверхности с помощью лазерного профилометра непосредственно в процессе полирования. Испытания этого микроскопа на длине волны 4,4 нм с похмощью сетки, освещаемой специальной рентгеновской трубкой, показали, что в пределах поля 600 мкм от оси разрешение лучше 5 мкм, а в центре — 1—2 мкм. [c.202]

Б свободном состоянии без закрепления их в жестких оправках. Во время полирования необходим многократный контроль формы и размеров зеркал, а на последней стадии — и шероховатости поверхности. Во время измерений должны быть максимально снижены деформации зеркал за счет креплений и силы тяжести. Зеркала телескопа обсерватории им. Эйнштейна, например, устанавливались для измерений в вертикальном положении на подставку, свободно плавающую в ванне с ртутью. Эти меры позволили достичь наиболее высокого для больших объективов разрешения — около 2—3". Для достижения еще более высокой точности (до 0,5") и снижения времени полирования при изготовлении зеркал для телескопа АКСАФ диаметром более 1. м технологию полирования предполагается усовершенствовать [80]. Рассматриваются два варианта полирование вертикально расположенного зеркала одновременно несколькими длинными полировальниками, а также полирование небольшим быстро вращающимся полировальником, перемещающимся под контролем ЭВМ вдоль оси зеркала. Общие затраты времени на полирование наибольшего из зеркал до указанной точности и шероховатости, равной 2,5 нм составят от ПОО до 2500 ч. Помимо большой трудоемкости зеркала для телескопов, изготавливаемые методом прямого полирования, обладают большой массой и требуют применения сложной конструкции крепления, обеспечивающей устойчивость к механическим перегрузкам и отсутствие температурных деформаций. [c.224]

С появлением лазерных источников стало необходимым, а с развитием вычислительной техники — возможным использование метода прямого расчета функций пропускания, учитывающих вклады всех линий поглощения, находящихся в интервале излучаемых частот так называемого метода line by line . Он является самым точным из существующих ныне. С его помощью расчет функций поглощения и пропускания проводится по строгим формулам (8.6) — (8.9) с привлечением высокоточной информации, получаемой с высоким спектральным разрешением на современных спектрометрах, включая лазерные приборы, а также современными расчетными методами, рассмотренными выше, и дающими точность описания спектра, сравнимую с экспериментальной. Необходимая информация включает в себя данные о структуре спектра поглощения и параметрах отдельных спектральных линий форме контура линий поглощения в широком интервале смещенных частот зависимости характеристик спектральных линий от состава, давления и температуры газа, а также дополнительную информацию о метеомоделях и высотных профилях газовых составляющих атмосферы и параметрах трассы распространения. [c.188]

Иллюстрацией эффективности предложенного метода могут служить расчеты пропускания СО2 в области 2,7 мкм, проведенные в [23] с разрешением 20 и 8 см . На рис. 8.1 а представлены значения пропускания Г=1 —Л, рассчитанные с разрешением 20 см методом прямого счета по (8.16) (кривые 4), с помощью обсуждаемой модели отдельной линии (кривые 7), а также по статистической модели и модели Эльзассера (2, 5). [c.191]

Анализ методов расчета функций пропускания показывает, что наибольшую точность обеспечивают методы прямого полиней-ного счета. Однако в тех случаях, когда достаточно иметь оценки пропускания в широком спектральном диапазоне с невысоким разрешением Av и погрешностью 5... 10%, целесообразно использовать приближенные методы. В этом случае можно рекомендовать модель отдельной линии, параметры которой определяются в соответствии с рассмотренной схемой. [c.194]

Оценивая возможности метода гетеродинного детектирования использованием СОг-лазеров в целом, можно сделать заключение о том, что он вполне конкурирует с методами прямого детектирования в видимой области спектра. Для иллюстрации преимуществ рассматриваемого метода по сравнению с методом прямого детектирования в ИК-области для одной и той же лидарной системы приведем один убедительный пример. Лидарная система ЛРЬ, включающая 2С02-лазера с энергией в импульсе 60 мДж, длительностью 0,5... 2 мкс, частотой следования импульсов 50... 150 Гц и приемную систему с диаметром телескопа 0,3 м при частоте биений 30 МГц, обеспечивает в режиме прямого детектирования дальность зондирования от 1 до 3 км, а в режиме гетеродинного приема — от 5 до 10 км. Пространственное разрешение в обоих случаях 300 м. [c.127]

В самом начале 70-х годов успешное развитие получили методы прямого измерения бысгропротекающих процессов, основанные на применении электронно-оптических преобразователей [111]. Были созданы фотоэлектронные регистраторы (ФЭР), характеризующиеся временнйм разрешением 10 —б 10 НС. В 1972 г. был разработан электронно-оптический преобразователь с циклоидальной разверткой во времени, позволяющей получить разрешение 5-10 не. [c.387]

ИОННАЯ МИКРОСКОПИЯ. Для прямого анализа расположения атомов вокруг линии дислокации необходимо очень высокое разрешение. В настоящее время такое разрешение дает только ионный микроскоп (ионный проектор), принцип действия которого состоит в следующем. С поверхности образца, представляющего собой иглу с очень малым радиусом закругления острия (менее 10 см), находящуюся под действием поля высокого напряжения, срываются электроны. За счет эффекта поляризации на игле осаждаются молекулы нейтральнм о газа. После соприкосновения с ио-верхностью металла молекулы газа диффундируют к острию иглы. Когда такая молекула попадает в область местного усиления поля высокого напряжения, происходит ее ионизация и ион летит под действием ускоряющего высокого напряжения к флуоресцирующему экрану прибора. Этот метод, имеющий наибольшее разрешение из всех известных в настоящее время прямых методов исследования структуры материалов, позволяет различать отдельные атомы в кристаллах. Увеличение прибора определяется соотношением между радиусом кривизны острия и расстоянием от объекта до экрана и может достигать нескольких миллионов. [c.94]

Этот способ сведения законов динамики к законам статики в действительности является менее прямым, чем способ, вытекающий из принципа Даламбера, но зато он приводит к большей простоте в применениях он представляет собою возврат к методу Эрмана и Эйлера, который применил его при разрешении многих проблем механики. В некоторых курсах механики его можно встретить под названием принципа Даламбера. [c.313]

В зависимости от способа распределения косвенных расходов полную себестоимость, т. е. все издержки на изготовление и сбыт продукции, подсчитывают по одному из трех методов коэффициенто-машино-часов, бухгалтерским и прямым путем (расчетный метод). Основным методом является первый. Если в уровне механизации и автоматизации процессов изготовления отдельных изделий нет больших различий, допускается с разрешения вышестоящих организаций распределять косвенные расходы бухгалтерским методом (пропорционально заработной плате основных рабочих — см. ниже) на автоматизированных предприятиях и в автоматизированных цехах, выпускающих один вид продукции, расходы на содержание оборудования рассчитывают прямым путем. [c.758]

При прямом освещении в микроскопе видны пылинки размером 0,4 мкм и более, а при косом освещении — 0,2 мкм. Предел видимости в темном поле — до 0,06 мкм [ 60]. Подсчет пылинок методом фазового контраста в счетчиках Оуэнса позволяет фиксировать частицы размером до 0,02 мкм. Особо высоким разрешением обладают электронные микроскопы. Поскольку линейные измерения связаны с идентификацией положения и расстояния точек поверхностей, то допускаемую объемную загрязненность воздуха твердыми частицами можно, в частности, определять через нормы запыленности измеряемой поверхности. При контактных измерениях положение точек измерения оценивается с разрешением порядка 1. .. 2 мм (кроме специальных задач), откуда допускаемое число частиц пыли Nan нормируемых размеров а [c.97]

В 1946 г. антенны радиолокаторов имели на волне 1,5 м ширину луча около 10°, чего было совершенно недостаточно для вьщеления, например, областей на поверхности Солнца из общего галактического фона. Интерферометрия представляла возможность разрешения этой трудности, и потому Д. Л. Пози и его коллеги в Австралии провели такие же наблюдения, как и Эпплтон, используя антенну, расположенную высоко на выступающем над морем утесе в Сиднее. Установка (рис. 6.11), которая служила интерферометром, по своей схеме была аналогична опыту Ллойда с зеркалом в оптике. Интерференция возникала между прямыми радиосигналами и сигналами, отраженными от поверхности моря. По существу, метод был тем же самым, что и в звездном интерферометре Майкельсона, но с недостатком, состоящим в наличии фиксированной базовой линии. С помощью той же антенны Болтон и Стэнли [4] успешно зарегистрировали лепестки от источника в Лебеде-созвездии, которое поднималось лишь незначительно над горизонтом в Сиднее. Австралийские исследователи нашли также другие источники, включая небольшой интенсивный источник в созвездии Тельца. Этот объект наряду с другими первыми радиозвездами быстро был отождествлен с Крабовидной туманностью. [c.151]

Для пламен, содержащих молекулы гидроксила ОН, используется спектр излучения этих молекул, соответствующий переходу от возбужденного к невозбужденному состоянию. Наиболее удобны интенсивные полосы при длинах волн 0,3064, 0,3122 и 0,3185 мкм, расположенные в ультрафиолетовой области спектра. Для их хорошего разрешения требуется спектральная аппаратура с кварцевой оптикой, обладающая большой дисперсией. Регистрация осуществляется методами фотографической фотометрии. При выборе линий тонкой структуры очень важно, чтобы в их число не попали линии, накладывающиеся друг на друга. Использование нескольких (а не двух) линий обусловлено необходимостью проконтролировать отсутствие влияния самойоглощения линий или хемилюминесценции, весьма интенсивной в этой области. При наличии такого влияния точки для разных линий не будут укладываться из прямую графика. [c.422]

Кроме этих вопросов, связанных с теорией кривых распределения, по поводу осадков возникает ряд вопросов совершенно иного порядка, связанных с теорией изменяемости (по старой терминологии — с теорией устойчивости) статистических рядов. Задача ставится следующим образом можно ли считать, что изменения сумм осадков, годичных или за определенную часть года, происходят во времени около постоянного уровня, графически представляемого прямой горизонтальной линией, или же в этих изменениях есть систематические тенденции векового или периодического характера (к первым практически можно отнести также волны очень длительных периодов). Работы многочисленных авторов приводят к мысли, что периодические, по крайней мере, изменения осадков действительно имеют место. Строгое разрешение этой проблемы представляет значительные методологические трудности и требует большой вычислительной работы. Наши еш е незаконченные попытки подойти к этому вопросу с точки зрения косвенного метода определения изменяемости статистических рядов , изобретенного Б.С. Ястремским, приводят к представлению о возможности некоторой слабой эволюции осадков, с одной стороны, и зигзагообразных изменений осадков во времени — с другой. [c.48]

Специфические детали быстрых электронных релаксащюн-ных процессов удалось исследовать также в полупроводниках. Для этого использовались спектрометры с пробными импульсами с фемтосекундным временным разрешением или другие менее прямые методы. Так, например, было определено время жизни электронов в GaAs, заброшенных в зону проводимости на уровень, превышающий дно этой зоны на 0,5 эВ. Оно оказалось равным 60 фс [9.49]. Эта релаксация определяется главным образом электронно-фононным взаимодействием. В [9.50] различные релаксационные процессы в e-GaAs были разрешены [c.346]

Реже для исследования зернограничной сегрегации применяют метод спектроскопии обратного рассеяния ионов [31, 272]. В этом случае пучок ионов или с энергией 2 МэВ, полученный в ускорителе Ван де Граафа, ударяет в поверхность межзеренного излома. Часть ионов, проникших в приповерхностный слой, испытывает обратное рассеяние на атомах образца. При заданном угле рассеяния энергия рассеянных ионов связана с массой рассеивающих атомов чем больше масса, тем выше энергия. Приме> ение этого метода ограничено тем, что он позволяет с удовлетворительной чувствительностью определять сегрегацию только тех элементов, атомы которых тяжелее атомов матрицы. Кроме тогр, его разрешение по глубине (с 100 атомных слоев) значительнохуже чем у методов фотоэлектронной и Оже-спектроскопии. Однако метод спектроскопии обратного рассеяния ионов имеет и свои преимущества он прямо, без какого-либо пересчета и без использования эталонов, дает количественные результаты его чувствительность для тьжелых элементов (например, сурьмы в железе) даже выше, чем в случае Оже-спектроскопии большая глубина проникновения обладающих высокой энергией ( 2 МэВ) первичных ионов в поверхностный слой образца позволяет проводить прямой анализ зернограничной сегрегации на глубинах более нескольких первых атомных слоев без каких-либо опасений по поводу загрязнения анализируемой поверхности остаточными газами. Следовательно, проведение анализа этим методом не требует ни разрушения образца в камере спектрометра, ни поддержания сверхвысокого вакуума. Метод спектроскопии обратного рассеяния ионов с успехом применен в серии работ [31, 276], посвященных изучению зернограничной сегрегации сурьмы в марганцовистых сталях. [c.33]

Прямые методы позволяют исследовать тонкие металлические фольги толщиной до 300 нм (3000 А) на просвет с помощью электронных микроскопов высокого разрешения (микроскопы УЭМВ-100, УЭМВ-ЮОА, УЭМВ-ЮОВ). [c.107]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...