Плоскость плотной упаковки

Дефект упаковки может образоваться разными путями сдвигом в плоскости плотнейшей упаковки, удалением или, наоборот, внедрением одной плотноупакованной плоскости или ее части и другими способами. [c.71]

Здесь она образуется в интервале 650—980 °С и имеет пластинчатую форму. Плоскости плотной упаковки 5-фазы и у-матрицы стыкуются в соответствии со следующими соотношениями [41] (010)51 I (Ш)у, [Ю0]51 [ИО]у. По границам зерен сплава 718 наблюдали и округлые выделения фазы (рис. 6.3) их кристаллографическая ориентировка по отношению к матрице была беспорядочной. [c.229]

Механические свойства суперсплавов при испытаниях на растяжение зависят главным образом от их химического состава и размеров выделений у -фазы. При ориентировке <001> суперсплавы со столбчатым зерном и с монокристаллической структурой деформируются посредством октаэдрического скольжения по плоскостям плотной упаковки ш при этом их предел текучести немного выше, чем у суперсплавов для обычных отливок [19]. Пластичность при растяжении обычно превышает 10%. [c.265]

Выше обсуждалась возможность получения ориентированных структур при совмещенных методах формирования покрытий. Развитие текстуры существенно влияет на адгезионные свойства покрытия. Минимальной адгезией характеризуются плоскости с максимальной плотностью атомов [12]. Вместе с тем вдоль таких плоскостей наиболее эффективно происходит развитие каналирования. В результате плоскости плотнейшей упаковки оказываются ориентированными перпендикулярно обрабатываемой поверхности. [c.149]

Рис. 13.24. Тройной узел в плоскости плотной упаковки в кристаллах с г. ц. к. решеткой

Рис. 13.25. Расщепление единичной дислокации в плоскости плотной упаковки в г. ц. к. кристаллах

В металлических монокристаллах с г. ц. к. решеткой в местах выхода дислокаций на поверхность, параллельную плоскости плотной упаковки, появляются треугольные ямки (рис. 13.26,6), стороны треугольника параллельны направлениям плотной упаковки. [c.449]

Рис. 13.31. Плоскости плотной упаковки в кристалле кремния (Филипс)

До сих пор существовало два главных пути изучения данных дефектов. Исторически первый и по-прежнему важный метод — это наблюдение растяжения рефлексов или диффузного рассеяния на дифракционных картинах. Классические примеры таких дифракционных картин дают структуры с плотной упаковкой, когда гексагональные плотноупакованные атомные плоскости уложены с нарушением регулярности чередования двух плоскостей в гексагональной структуре с плотной упаковкой или чередования трех плоскостей в кубической структуре с плотной упаковкой. Могут быть нарушения в том или ином типе последовательности атомных плоскостей и даже почти полная беспорядочность при переходе от одного типа последовательности к другому. В обратном пространстве результатом этого будут непрерывные линии рассеивающей способности, перпендикулярные плоскостям плотной упаковки и проходящие через некоторые точки обратной решетки. Первоначальный анализ был выполнен на дефектах упаковки гексагонального кобальта [395], но затем последовали другие примеры, и было обнаружено, что аналогичные эффекты существуют для целого-ряда структур металлических и неметаллических материалов-[172, 388]. [c.392]

Причиной такой кристаллографической ориентации пластин избыточного феррита является выполнение принципа структурного соответствия 111 [а МО [ф. Эти плоскости плотнейшей упаковки в г. ц. к. и о. ц. к. решетках имеют очень близкое строение. [c.166]

Плоскостями плотнейшей упаковки гране-центрированного куба являются плоскости [c.712]

В гексагональной структуре плоскости плотной упаковки — это плоскости, параллельные основанию шестигранной призмы основной ячейки таким образом, имеются одна плоскость возможного скольжения и только три системы скольжения. [c.139]

В кубической объемноцентрированной структуре плоскости плотной упаковки отсутствуют, однако существует направление плотной упаковки, а именно направление диагонали куба. В этом направлении всегда происходит скольжение, тогда как определенных плоскостей скольжения здесь указать нельзя, ибо существует несколько плоскостей, содержащих в себе направления диагонали, по которым скольжение происходит с одинаковой легкостью. [c.140]

Рис. 3.15. Схема распада полной дислокации 6i = (а/2)<110> на две частичные дислокации с векторами 62 = 63 = (а/6)<112> в плоскости плотнейшей упаковки (111).

В ранее использованной модели [163, 171] предполагалось, что элементарные слои, образующие стопу, имеют толщину, равную d, и их оптические характеристики принимались равными характеристикам частиц. Такая связь между свойствами элементарного слоя и образующих его частиц может быть использована по крайней мере в качестве первого приближения при плотной упаковке частиц. Если система частиц сохраняет высокую объемную концентрацию при неплотной упаковке, связь между параметрами элементарного слоя и образующих его частиц будет более сложной. Для расчета этой зависимости служит геометрическая модель элементарного слоя—двумерная модель дисперсной среды [177], в которой реальные частицы, расположенные случайным образом в одной плоскости, заменены системой регулярно расположенных в узлах плоской квадратной сетки с шагом 2ур сфер. В рамках геометрической оптики взаимодействие излучения с поверхностью не зависит от ее размеров [125], поэтому принято, что сферы имеют единичный радиус. Предполагается, что поверхность их диффузно отражающая, серая. Для расчета характеристик элементарного-слоя используется вспомогательная схема (рис. 4.1), образованная моделью 2 и двумя абсолютно черными плоскостями I и 3. Задав на а. ч. плоскости 1 поток излучения плотностью qb, можно найти коэффициенты отражения и пропускания модели rt и Т( по отношению потоков, попадающих на плоскости / и 5 после многократного отражения на частицах, образующих систему 2, к заданному потоку, а затем поглощательную способность и равную ей степень черноты. [c.149]

Скольжение в кристаллической рен]етке протекает по плоскостям и направлениям с наиболее плотной упаковкой атомов, где величина сопротивлений сдвигу наименьшая. [c.43]

Пластическая деформация наиболее эффективно осуществляется по плоскостям с максимально плотной упаковкой атомов. [c.15]

Направлениями скольжения в кристалле являются направления также с наиболее плотной упаковкой атомов, т. е. они располагаются в плотноупакованной плоскости скольжения, поскольку в этих и перпендикулярных им направлениях элементарные сме-ш,ения при скольжении являются наименьшими, а значит, и процесс скольжения происходит при меньших напряжениях. [c.130]

Рис. 7.5. Элементарная ОЦК ячейка. Общий вид (а), направления плотнейшей упаковки в плоскостях (110) (б), октаэдрические пустоты (в), тетраэдрические пустоты (г)

В главе 8 было показано, что совершенную кристаллическую структуру многих материалов можно представить в виде последовательных одинаковых атомных слоев (плоскостей), расположенных вполне определенным образом. При этом нередко возникают плотноупакованные двухслойные, трехслойные, многослойные структуры. Для металлов и ряда сплавов типичны двухслойная плотная упаковка, соответствующая ГПУ структуре, и трехслойная, соответствующая ГЦК структуре. [c.235]

Рис. 6. Основные направления н плоскости наиболее плотной упаковки (111) в г. ц. к. кристалле (а) и их проекции на плоскость (ПО) (б)

Рис. 35. Расщепление полной дислокации Ь на две частичные 6i и 6j в плоскости (III) г. ц. к. решетки. Слой плотнейшей упаковки атомов с лунками для слоя В (светлый треугольник) сверху и лунками для слоя С (темный треугольник) снизу от слоя А

Кроме энергетического принципа Франка, образование частичных дислокаций определяется кристаллографическими особенностями г. ц. к., о. ц. к. и г. п. у. решеток. Так как сила Пайерлса — Набарро достигает минимальных значений для плотноупакованных плоскостей скольжения, то пространственное расположение атомов в плотнейших упаковках имеет исключительно важное значение. [c.68]

ЕДИНИЧНЫЕ И ЧАСТИЧНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ В Г. п. у. и О. Ц. К. РЕШЕТКАХ. Плоскостью плотнейшей упаковки г. п. у. кристаллов является чаще всего базисная плоскость с расположением атомов в каждом слое аналогично г. ц. к. кристаллу (см. рис. 35,6), но с чередованием слоев АВАВАВ... (см. рис. 7). Минимальный единичный вектор этой решетки а/3 <[12Г0]>, его модуль равен а. Дислокационная реакция диссоциации единичной дислокации на две частичные дислокации Шокли при расположении векторов Бюргерса аналогично рис. 35,6 записывается так (а/3) [1210] = (а/3) [0П0]+(а/3)[Г100]. [c.78]

Дислокации могут возникать в полностью затвердевшем металле в непосредственной близости от фронта кристаллизации и вдали от него. Считается, что основным здесь является вакансион-ный механизм образования дислокаций. Равновесная концентрация вакансий с иониженигм температуры от точки кристаллизации резко уменьшается. При ускоренном охлаждении создается сильное пересыщение кристалла вакансиями. Избыточные вакансии конденсируются в диски, параллельные плоскости плотнейшей упаковки. Толщина диска может быть в один, два или три слоя вакансий. Когда диаметр вакансионного диска превышает некоторую критическую величину, то под действием сил межатомного притяжения его стороны сближаются и диск сплющивается. Это явление называется захлопыванием диска вакансий. [c.104]

В ряде работ неоднократно отмечался эффект увеличения пластичносги и изменения твердости покрытия [19, 211, 213]. Возрастание пластичности связано с уменьшением концентрации примесных атомов, увеличением размера зерна, изменением уровня остаточных напряжений, подавлением столбчатой структуры. Однако должного понимания на сегодняшний день вопрос не нашел. Отмеченная выше возможность развития текстуры также может рассматриваться как механизм снижения твердости и роста пластичности покрытий. Действительно, поскольку плоскости плотнейшей упаковки располагаются преимущественно перпендикулярно поверхности, следует ожидать снижения сопротивления и хрупкости материала при вдавливании. [c.150]

Такого рода взаимная ориентация решеток легко объяснима плоскость плотнейшей упаковки 111J в г. ц. к. решетке наиболее близка по атомному строению к плоскости плотнейшей упаковки 110[ в о. ц. к. решетке, а направление плотнейшей упаковки dIO> в г. ц. к. решетке наиболее близко по атомному строению к направлению плотнейшей упаковки в о. ц. к. решетке. Подобная взаимная ориентация решеток наиболее полно удовлетворяет принципу структурного соответствия. Так как в г.ц.к. решетке аустенита имеется четыре кристаллографически эквивалентных плоскости типа lili , а именно (111), (1 И), (Ш), (Ш), и шесть кристаллографически эквивалентных направлений типа < 110>, то относительно одного положения кристалла аустенита возможны 24 ориентации кристаллов мартенсита, удовлетворяющие соотношению Курдюмова — Закса. [c.224]

Для сохранения структуры кристалла после скольжения необходимо, чтобы вектор смещения или скольжения был равен вектору трансляции решетки. Наименьший вектор решеточной трансляции, выраженный через постоянную решетки а, в случае гранецентрированной кубической структуры можно записать как (о/2)(дс + у), а в случае объемноцентрированной кубической структуры — (а/2) (дс + У + 2). Но в кристаллах с гранецентрированной кубической структурой наблюдаются также частичные смещения, нарушающие правильное чередование плоскостей плотнейшей упаковки АВСАВС... (гл. I) и создающие дефект упаковки типа АВСАВАВС... В результате образуется структура со смешанным типом плотнейшей упаковки — кубической и гексагональной. [c.694]

Такими плоскостями являются те, в которых атомы упакованы наиболее плотно направления скольжения— это опять-таки направления самого плотного расположения атомов. Так, например, в кубической гранецентрированиой решетке плоскостями плотной упаковки являются октаэдрические плоскости. [c.139]

Многие элементы с неполностью заостренными внутренними электронными й- и /-подоболочйами обладают типичными металлическими структурами типа К8, К12 или Г12. Наличие решетки типа К8 у этих элементов объясняется тем, что после отделения всех валентных электронов внешней у ионов оказывается р -подоболочка с шестью электронами, образующими взаимодействующие эллиптические электронные облака . Решетка типа К12 является плотнейшей упаковкой. Для этой решетки удвоенное расстояние между двумя наиболее плот-ноупакованными октаэдрическими плоскостями, деленное на кратчайшее расстояние между соседними атомами в этой же плоскости <1, тождественно отношению параметров идеальной решетки типа Г12 при с/а= 1,6333. Несферичные ионы не дают плотнейшей решетки типа К12, хотя образуют плотнейшую решетку типа Г12. [c.11]

Смотреть страницы где упоминается термин Плоскость плотной упаковки : [c.72] [c.20] [c.497] [c.114] [c.12] [c.220] [c.24] [c.25] [c.43] [c.11] [c.166] [c.50] [c.28] [c.113] [c.130] [c.559] [c.129] [c.12] [c.13] [c.16] [c.68]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...