Ионизация поверхностная

В ряде работ установлено уменьшение скорости активного растворения металлов с увеличением плотности упаковки атомов в кристаллографической плоскости, в результате чего снижается поверхностная энергия и повышается энергия активации ионизации металла. Плотность упаковки атомов может также влиять на [c.326]

Ионная эмиссия и поверхностная ионизация. С анода, изготовленного из очень чистого и слабо испаряющегося металла, происходит небольшая эмиссия положительных ионов. Она значительно усиливается, если анод содержит легко испаряющиеся примеси, особенно примеси щелочных металлов. Возможна также эмиссия отрицательных ионов с металлов, покрытых электропроводными слоями металлов или полупроводниками типа оксидов. [c.69]

Если накаленный эмиттер находится в парах какого-либо металла, то атомы падают на поверхность эмиттера, ненадолго адсорбируются ею и затем испаряются вновь. Часть из них испаряется в виде ионов. Такое явление получило название поверхностной ионизации. [c.69]

Для того чтобы выбивание атомов шло с заметной интенсивностью, необходимо, чтобы эффективное сечение выбивания было не очень мало по сравнению с сечениями других конкурирующих процессов. Для нейтронов это сечение имеет порядок нескольких барн (в области энергий, достаточных для выбивания) и вполне сравнимо с сечениями конкурирующих неупругих процессов. Для электронов сечение выбивания имеет порядок десятков барн, но сечения возбуждения и ионизации электронов (в пересчете на один атом) имеют значительно большую величину. Для у-квантов в наиболее интересной для практики области энергий в несколько МэВ наибольшее сечение имеет процесс образования комптоновских электронов (см. гл. VHI, 4). Поэтому при у-облучении атомы выбиваются из решетки в основном комптон-электронами. Но если электронный пучок создает выбитые атомы только в поверхностном слое, то v-излучение выбивает атомы во всем объеме вещества. [c.651]

В пределах до ионизации в диэлектриках соблюдается закон Ома, закон пропорциональности тока и напряжения, а, следовательно, удельное объемное и поверхностное сопротивление определяются из формул [c.16]

Описанный метод пригоден для атомов, нормальное состояние которых характеризуется значением 7=0, т. е. является состоянием К числу их принадлежат атомы второго столбца периодической системы Менделеева. Однако для большинства из них не удается создать чувствительных приемников. Чаще всего используются приемники с поверхностной ионизацией. Устройство таких приемников основано на том, что атомы ряда элементов, попадая на раскаленный вольфрам, испытывают поверхностную ионизацию, т. е. покидают его в виде положительных ионов. Ионы ускоряются небольшим добавочным полем и, попадая на электрод, дают ток, измеряемый обычным способом. Эти приемники пригодны для регистрации пучков из атомов s, Rb, К, Ва, а при применении оксидированного вольфрама — пучков из атомов Li, Na, Ga и In. Из всех этих атомов только барий имеет нормальное состояние Sg. Однако дело облегчается тем, что приемники с поверхностной ионизацией пригодны также для регистрации пучков из молекул, содержащих один из щелочных металлов. Радиочастотный же метод Раби может быть применен и для молекул. [c.572]

Более реальным следует считать представление о преимущественном развитии механохимического эффекта в областях выхода линий скольжения, которые в обоих случаях находятся в возбужденном состоянии и вносят подавляющий вклад в величину прироста тока по сравнению со всей остальной поверхностью (активной или пассивной). Этот вклад, равный деформационному приросту тока реакции ионизации металла, определяется деформационным сдвигом химического потенциала атомов металлического электрода, одинаково влияющим на первичный акт перехода для активного и пассивного состояний, различающихся последующими промежуточными стадиями. Как в пленочной, так и в адсорбционной теориях пассивности считается установленным образование поверхностных хемосорбционных (промежуточных) соединений. На первичный акт перехода ион-атома металла при образовании такого промежуточного соединения оказывает влияние механическое воздействие на металлический электрод. [c.86]

Ударная волна создается в результате мгновенного импульсного воздействия на поверхность материала, вследствие чего тонкий поверхностный слой быстро испаряется. Давление этой волны и интенсивность механического воздействия определяются плотностью мощности лазерного излучения и теплофизическими характеристиками материала поверхностного покрытия (отражательной способностью, энергией сублимации и ионизации обрабатываемого материала). Облучению подвергали образцы без покрытий, с прозрачным кварцевым покрытием, с покрытием в виде свинцовой фольги, а также с комбинированным покрытием кварцем и свинцом. При воздействии излучения на свинцовое покрытие из-за низкой энергии сублимации свинца это покрытие испаряется раньше, чем слой железа (подложка), вследствие чего увеличивается импульс отдачи, а следовательно, и давление ударной волны. Покрытие кварцем способствует ограничению испарения металла. [c.24]

Рис. 13. Кривые потенциальной энергии поверхностного атома металла (слева) и одноименного иона в растворе (справа). — энергия активации ионизации металла, W2 — энергия активации процесса разряда катиона металла из раствора a = ai-fa2 — полное расстояние переброса.

Первичная стадия взаимодействия металла с компонентами раствора одна и та же —ею служит образование поверхностного комплекса МеА. Различие в последующем поведении таких комплексов, по мысли Я. М. Колотыркина, определяется тем, что в одном случае его энергия активации растворения выше соответствующей"энергии ионизации металла в виде простых ионов. Очевидно, при этом скорость ионизации металла будет понижена. Если же, напротив, энергия активации растворения промежуточного комплекса меньше, чем та же величина для обычной ионизации металла, то наступит ускорение ионизации металла. [c.120]

Свойства материала, способствующие износостойкости контактов электрофизические — высокие электро- и теплопроводность, параметры дуги, значения работы выхода электронов и потенциала ионизации коэффициент Томсона и угол смачивания близки нулю. Высокое поверхностное натяжение в жидком состоянии. Малый атомный объем и термо-э. д. с. в паре с медью и алюминием [c.279]

Для эффективного осуществления поверхностной ионизации на нагретой поверхности из щелочных металлов наиболее подходящим оказался цезий, потенциал ионизации которого равен 3,88 В. Давление паров цезия в преобразователях регулируется, как правило, температурой специального цезиевого резервуара, сообщающегося с межэлектродной областью. [c.19]

При низком давлении паров цезия в диоде (10 мм Hg) требуется высокая температура катода. Ионы для нейтрализации пространственного заряда образуются с помощью поверхностной ионизации на катоде. Температура источника тепла должна быть больше 1800° С. Цезий на катоде при этих условиях отсутствует и меж-электродный зазор может достигать 1 мм. [c.106]

Д. п. и испарение полем можно рассматривать как термич. испарение ионов, преодолевающих за счёт теплового возбуждения потенциальный барьер, сниженный сильным электрич. полем (аналогично термоэлектронной эмиссии в сильном электрич. поле, см. также Шоттки эффект). Д. п. можно рассматривать и как поверхностную ионизацию В сильном электрич. поле. Для частиц с относительно низкой энергией ионизации и для не слишком низких темп-р теория удовлетворительно определяет кратность заряда ионов и объясняет наблюдаемую связь между десорбирующим полем Е и темп-рой Т для одной и той же скорости Д. п. [c.585]

Для больших энергий ионизации и для низких темп-р, когда термич. возбуждение не обеспечивает преодоления барьера, теория Д. п. усложняется. Привлекается механизм туннельного просачивания ионов через барьер (см. Туннельный эффект), учитываются проникновение поля в проводник, поляризуемость поверхностных атомов. Строгой теории Д. п., объясняющей всю совокупность накопленных экспериментальных фактов, пока нет. [c.585]

Поверхности различных окислов отличаются в основном кислотно-основными характеристиками, которые зависят от количества ионных связей металл — кислород. Это становится очевидным, если рассмотреть поверхность раздела окисел — вода (в массе) и нулевую точку заряда (НТЗ). НТЗ соответствует pH водного раствора, при котором поверхность окисла нейтральна, т. е. когда концентрация протонов или гидроксильных ионов такова, что ионизации поверхностных гидроксильных групп не происходит. Хели и Фурстено [34] установили связь между НТЗ и теплотой иммерсии в воде для шести неорганических окислов (рис. 3). Следует отметить низкую НТЗ двуокиси кремния, что находится в соответствии с ее кислым характером. На рис. 3 приведены значения теплоты иммерсии для окислов, высушенных при 200 °С. При такой обработке с поверхности удаляется только физически адсорбированная вода, а гидроксильные группы остаются. Таким обра- [c.92]

Электрофорез — типичный гальванический процесс, однако он отличается от электроосаждения металлов тем, что происходит не в растворах. Заряд, возникающий ка частицах при электрофорезе, обусловлен наличием на их поверхности полного диффузного двойного электрического слоя в результате адсорбции из жидкой среды ионов, ПАВ, молекул растворителя, воды или других веществ или ионизации поверхностных молекул пленкообразующего вещества. Свойства и особенности образующихся адсорбционных слоев определяют их поляризуемость, направление, скорость переноса и коагуляции дисперсных частиц и, соответственно, выход и качество образующегося электрофоретического осадка. Так, если применить в полимерных водно-спиртовых дисперсиях анионоактивные ПАВ, например натриевую соль карбоксиметилцеллю-лозы, то при получении покрытий осадок будет образовываться на аноде, в случае катионоактивных ПАВ, например диметил-диоктадециламмонийхлорида [( H j)2N( i H3,) ] НС1, осаждение происходит на катоде. При отсутствии ПАВ в средах с большой диэлектрической постоянной (вода, спирты) частицы, как правило, приобретают отрицательный заряд и осаждаются на аноде 115, с. 14 [. [c.239]

Для образования И. п. необходимо получить достаточное кол-во ионов, ускорить их и соответствующим образом направить их движение. В ионных источниках ионы получают путём ионизации атомов и молекул электронным ударом (см. Ионизация), поверхностной ионизации, фотоионизации, автоионизации и т. п. Мощным источником ионов явл. электрич. разряд в вакууме (низковольтный дуговой разряд, высокочастотный разряд). Ускорение и формирование ионов в пучок производится системой ионных линз (см. Электронные линзы). При большой интенсивности И. п. для предотвращения их расширения, связанного с образованием объёмного заряда, применяются ионные линзы спец. конструкций. В части И. п., находящейся вне зоны воздействия электрич. полей, при определ. условиях может наступить компенсация положительного объёмного заряда ионов [c.231]

Изотермы соединений КСФ1-КСФ4 имеют линейный характер и могут быть описаны уравнением Темкина (0 = Л + 2,3/Дg ), что соответствует случаю взаимодействия частиц в адсорбированном слое (хемосорбция). Адсорбция в этом случае носит мономолекулярный характер, увеличивает энергетический барьер ионизации атомов поверхностных слоев металла и практически необратима. Нелинейная изотерма соединения КСФ5 описывается уравнением Фрумкина [c.268]

При скоплении ионов водорода вблизи дефектов структуры становятся возможными и процессы их ионизации со значительным увеличением объема газа и, следовательно, резким увеличением давления в наиболее слабых элементах кристаллической решетки и созданием условий для развития поверхностных тренщн. Механизм процесса на-водороживания сталей связан с тем, что химическое сродство водорода к углероду может приводить к восстановлению карбидных фаз углеродистых сталей. При высоких давлениях водорода и температурах 200-600 С создаются благоприятные термодинамические условия для реакции диссоциации цементита и обезуглероживания стали [c.61]

Растворение латуней, как и любых сплавов, образованных компонентами с разными электрохимическими свойствами, начинается с преимущественной ионизации наиболее электроотрицательной составляющей цинка. В случае а-латуней избирательное растворение цинка из объема сплава быстро затухает и затем сплавы растворяются равномерно. (З-латуни имеют более высокую концентрацию цинка, поэтому избирательное растворение его создает высокую концентрацию дефектов в поверхностном слое. В опреп,еленных условиях за счет поверхностной диффузии на электроде происходит образование мелкодисперсной меди в собственной фа е. Такое избирательное растворение с фазовым превра1це-нием на р-латунях в растворе НС1 протекает частично. Некоторая доля медной составляющей ионизируется и переходит в раствор электролита. [c.31]

Увеличение скорости анодного процесса ионизации железа под действием сероводорода можно объяснить образованием поверхностного катализатора ( еН25)ддр в результате взаимодействия адсорбированных молекул сероводорода с поверхностными атомами железа по реакции [c.65]

Возьмем иример металлического электрода в - раство одноименных ионов, когда в наружной обкладке двойного слоя на границе электрода и раствора находятся катионы металла, между тем как внутренняя обклаДка двойного слоя со стороны металла образована избыточными электронами. Их поверхностная плотность и создает отрицательный скачок потенциала на границе. Величина этой плотности при заданной концентрации одноименных ионов в растворе имеет постоянное и вполне определенное значение, допустим qo. Пусть электрод включен в цепь со вторым вспомогательным электродом так, что движение электронов во внешней цепи направлено именно к этому вспо могательному электроду, а исследуемый электрод является их источником. Такая утечка электронов приведет к понижению qo их поверхностной плотности, а с 1нею — и потенциала электрода в тем большей степени, чем сильнее затруднен процесс ионизации металла [c.42]

При наличии в растворе, кроме гидроксильных ионов, галоидных ионов между ними возникает своеобразная конкуренция за более выгодные в энергетическом отношении участки поверхности металла, на которых происходит специфическая адсорбция анионов. Если лри этом оказывается, что анионы, в наибольшей степени стимулирующие процесс ионизации металла, вытесняются с его поверхности менее эффективными в этом отношении анионами, то вместо ускоряющего действия наступает торможение анодного растворения, т. е. ингибирование анодного -процесса. Известно, например, что ионы йода задерживают ионизацию никеля в кислых растворах сульфат-ионов. Этот эффект можно понять в указанном плане как результат конкурирующей адсорбции между ионами йода и гидроксила, если предположить, что первичная неэлектрохимическая стадия ионизации никеля в сульфатном растворе состоит в образовании поверхностных комплексов этого металла с ОН-ионами [c.112]

ИОНИЗАЦИЯ [диссоциативная состоит в распаде молекул с одновременной ионизацией продуктов диссоциации многофотонная— разновидность ионизации, обусловленная одновременным поглощением нескольких фотонов атомов или молекул поверхностная происходит вследствие термическо11 десорбции положительных или отрицательных ионов с поверхности твердых тел термическая происходит за счет кинетической энергии сталкивающихся частиц при высоких температурах ударная — ионизация газа, осуществляемая ударами электронов, ионов или атомов] [c.241]

ВОЛНЫ ИОНИЗАЦИИ — см. Ионизационные еолны. ВОЛНЫ НА ПОВЕРХНОСТИ ЖИДКОСТИ — волновые движения жидкости, существование к-рых связано с изменением формы её границы. Наиб, важный пример — волны на свободной поверхности водоёма (океана, моря, озера и др.), формирующиеся благодаря действию сил тяжести и поверхностного натяжения. Если к.-л. внеш. воздействие (брошенный камень, движение судна, порыв ветра и т. п.) нарушает равновесие жидкости, то указанные силы, стремясь восстановить равновесие, создают движения, передаваемые от одних частиц жидкости к другим, порождая волны. При этом волновые движения охватывают, строго говоря, всю толщу воды, но если глубина водоёма велика по сравнению с длиной волны, то эти движения сосредоточены гл. обр. в приповерхностном слое, практически не достигая дна (короткие волны, или волны на глубокой воде). Простейший вид таких волн — плоская синусоидальная волна, в к-рой поверхность жидкости синусоидально гофрирована в одном направлении, а все возмущения физ. величин, напр, вертик. смещения частиц (z, X, t), имеют вид 1=А z) os (i>t—kz), где х — горизонтальная, Z — вертикальная координаты, ы — угл. частота, к — волновое число, Л — амплитуда колебаний частиц, зависящая от глубины г. Решение ур-ний гидродинамики несжимаемой жидкости вместе с граничными условиями (ноет, давление на поверхности и [c.332]

В зависимости от физ. природы эмиттера ионов различают неск. типов И. и. 1) И. и. с поверхностной ионизацией, где эмиттером ионов служит поверхность накалённого Л1атериала, работа выхода к-рого превышает потенциал ионизации падающих на него атомов [c.207]

Смотреть страницы где упоминается термин Ионизация поверхностная : [c.521] [c.55] [c.383] [c.217] [c.179] [c.457] [c.457] [c.554] [c.118] [c.73] [c.61] [c.66] [c.32] [c.120] [c.152] [c.239] [c.193] [c.199] [c.207] [c.581] [c.581] [c.54] [c.585]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...