Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Индикатриса относительная

Рис. 1-9. Индикатрисы относительной яркости излучения. Рис. 1-9. Индикатрисы относительной яркости излучения.

Рис. 1-14. Индикатрисы относительной яркости излу-й(ф) Рис. 1-14. Индикатрисы относительной яркости излу-й(ф)
Рис. 1-15. Индикатрисы относительной яркости излучения некоторых Рис. 1-15. Индикатрисы относительной яркости излучения некоторых
Изменение центра приведения 199 Импульс силы 76, 150, 326 Индикатриса относительная 427—429  [c.461]

На рис. 11.12 изображены типичные индикатрисы относительной яркости излучения для различных тел. Диэлектрики (изоляторы) и окисленные металлы, как правило, подчиняются закону Ламберта в диапазоне изменения угла ф от О до 60°. Излучение полированных металлов подчиняется закону Ламберта в более узком диапазоне изменения угла ф (от О до 30°). При этом яркость излучения диэлектриков при больших углах ф уменьшается, а полированных металлов возрастает.  [c.291]

Поверхность нормалей. Аналогичным образом вводится так называемая поверхность нормалей, представляющая собой геометрическое место концов отрезков, равных в данном направлении VNt и vnI v f mvn — скорости по нормали). Поверхность нормалей также представляет собой двухполостную самопересекающуюся в четырех точках, поверхность. Проведенные через эти четыре точки две линии, расположенные симметрично относительно главных осей индикатрисы, вдоль которых свет распространяется с единственной фазовой скоростью, являются оптическими осями второго рода.  [c.258]

Если оценить интенсивность света, рассеянного по разным направлениям, то она окажется симметричной относительно оси первичного пучка и относительно линии, к ней перпендикулярной (рис. 29.3). Кривая, графически показывающая распределение Интенсивности рассеянного света по разным направлениям, носит название индикатрисы рассеяния. При естественном падающем свете индикатриса рассеяния имеет вид, показанный на рис. 29.3, и выражается формулой  [c.580]


Пространственная индикатриса получается вращением кривой (см. рис. 29.3) относительно оси ВВ.  [c.581]

Индикатриса рассеяния. Из формулы (23.4) видно, что интенсивность света зависит от угла рассеяния Д. Измерение интенсивности рассеянного света по разным направлениям показывает, что изменение интенсивности симметрично относительно направления первичного пучка и линии, перпендикулярной к нему (рис. 23.5). Кривая, показывающая распределение интенсивности рассеянного света от угла рассеяния, носит название индикатрисы рассеяния. Индикатриса, изображенная на рис. 23.5, характерна для естественного падающего света. Пространственная индикатриса получается вращением кривой на рис. 23.5 около оси ВВ.  [c.116]

При малых размерах частиц R X) индикатриса рассеяния является симметричной. С увеличением размера частиц доля света рассеянного вперед, растет (эффект Ми) и индикатриса теряет симметрию относительно плоскости, перпендикулярной к падающему лучу. В зависимости от размера и концентрации частиц (вида индикатрисы рассеяния) применяют различные методы определения размера частиц метод асимметрии индикатрисы,  [c.243]

Сопряжённые направления. Две касательные прямые к поверхности в точке М называются сопряжёнными, если они сопряжены относительно индикатрисы Дюпена в этой точке.  [c.220]

Для индикатрис рассеяния, обладающих симметрией относительно направления рассеиваемого луча s, имеет место соотношение  [c.147]

Для изотропной среды индикатриса инвариантна относительно угла между направлениями приходящего и рассеянного лучей.  [c.269]

Размер капель оказывает большое влияние на характер распределения интенсивности рассеянного света, т. е. — на индикатрису рассеяния. Для очень малого размера капель она симметрична относительно осей координат. С увеличением радиуса капель нарушается симметрия индикатрисы рассеяния относительно оси абсцисс, причем преобладает рассеяние вперед .  [c.161]

Он использовал метод, предложенный Чандрасекаром, и рассчитанные им Я-функции. В работе [46] рассчитана отражательная и пропускательная способности плоскопараллельного слоя рассеивающей среды (со == 1) с прозрачными границами в случае линейно анизотропного рассеяния [согласно индикатрисе рассеяния (11.155)], а в работе [47] применен метод Монте-Карло для определения отражательной и поглощательной способностей цилиндрического объема относительно диффузного излучения. Наконец, в работе [48] получено точное рещение уравнения переноса излучения методом разложения по собственным функциям и определены пропускательная и полусферическая отражательная способности слоя конечной толщины поглощающей, изотропно рассеивающей среды с отражающими границами.  [c.474]

Дифрактометрические рентгеновские малоугловые съемки проводят, как правило, на высоковакуумных малоугловых дифрактометрах с повышенным угловым разрежением. Абсолютную интенсивность первичного пучка измеряют при помощи специального калибровочного эталона. Целесообразно проведение наклонных съемок при различной азимутальной и полярной ориентации образца относительно первичного пучка. Это дает возможность контролировать степень изотропности рассеяния под малыми углами. Индикатрисы рассеяния строят обычно по точечной регистрации интенсивности рассеяния с последующей машинной обработкой.  [c.161]

С практической точки зрения, эффективность той или иной схемы электрического управления определяется характерной величиной изменения поля АЕ , которое приводит к заметному изменению в брэгговских условиях дифракции [9.102]. Предположим, что в исходном состоянии (т. е. до приложения к образцу поля Е ) для считывающего плоского светового пучка выполнялись брэгговские условия дифракции на элементарной синусоидальной решетке с волновым вектором К (рис. 9.16, а). Во внешнем электрическом поле оптическая индикатриса электрооптического кристалла деформируется, что приводит к смещению (относительно их исходного положения) участков поверхности волновых векторов, непосредственно примыкающих к точкам, соответствующим считывающей R и вос-  [c.242]


Ориентировочные относительные данные, характеризующие влияние способа матирования стекла на его оптические характеристики, приведены в табл. 20. Индикатрисы рас-  [c.273]

Ширина индикатрисы рассеяния азимутальной плоскости является весьма информативным признаком. Плоскостные дефекты в силу направленных отражательных свойств дают узкую индикатрису рассеяния. Если при повороте ПЭП на 45° в каждую сторону относительно направления максимального сигнала амплитуда сигнала уменьшается на 8 дБ, то такой дефект считается плоскостным (рис. 6.17).  [c.190]

Относительная информативность отдельных признаков следующая коэффициент формы 0,57, коэффициент /(а=0,51 соотношение сигналов при дельта-методе 0,53 ширина индикатрисы в азимутальной плоскости 0,5 эквивалентная площадь (продольными волнами) 0,26%, азимут 0,07 разница азимутов 0,05 координаты в горизонтальной плоскости 0,14.  [c.196]

Индикатриса рассеяния излучения. . . Относительное эффективное сечение ослабления интенсивности излучения. . Коэффициент ослабления интенсивности  [c.8]

Содержание опыта сводится к введению запыленного зеркала в лазерный пучок и получению лазерного зайчика , окруженного интерференционной картиной. Ход полос в ней зависит от расположения прибора относительно пучка. Любопытная особенность картины, связанная с наличием в центре нулевой полосы зеркального изображения освещающего источника, отличает ее от картины, полученной по любой другой интерференционной схеме, и обусловлена тем обстоятельством, что лучи, рассеянные в направлении зеркального отражения 9 = г) имеют нулевую разность хода. Предметом демонстрации может являться сам факт формирования интерференционной картины с зеркальным изображением 8 в средней части нулевой полосы, а также факт влияния свойств рассеивающего покрытия на индикатрису рассеяния и распределение освещенности в картине, и контрастность полос.  [c.21]

Поскольку величины скоростей по лучу и нормали определяются длинами полуосей сечения эллипсоида, ориентированного перпендикулярно соответственно направлениям луча S и нормали Л/, то очевидно, что оптические оси есть направления, перпендикулярные сечениям с одинаковыми длинами полуосей, т. е. круговым сечениям. Из стереометрии известно, что любой эллипсоид в общем случае имеет два круговых сечения, расположенных симметрично относительно его главных осей. На рис. 10.8 показаны эти сечения, которые направлены перпендикулярно осям Ofii и Следовательно, в общем случае кристаллы могут быть двуосными. В частности, при равенстве двух из трех главных значений диэлектрической проницаемости (например, = е, е ) оптическая индикатриса превращается в эллипсоид вращения и кристалл становится  [c.256]

Как показывает анализ, для одномерных схем с осесимметричными индикатрисами рассеяния изменение этих коэффициентов протекает сравнительно слабо, вследствие чего их можно заменить постоянными средними ко-.чффициентами. После такого упрощения решение систем уравнений (4-5), (4-6), (4-8), (4-9) с граничными условиями (4-10) или (4-17) уже не встречает принципиальных затруднений. Приближенные значения всех коэффициентов могут быть найдены на основе принятия упрощенной закономерности относительного распределения интенсивности по различным направлениям в пределах исследуемой системы. Обычно для этого сферический телесный угол 4я разбивается на ряд углов, в пределах каждого из которых интенсивность принимается постоянной.  [c.122]

Показатели преломления являются осн. оптич. константами кристаллов и часто служат их диагностич. признаком. О методах измерения п см. в ст. Рефрактометрия, Рефрактометр, Ыммерсиоимый метод. Особую роль в К. играют исследования кристаллов в поляризац. микроскопе с помощью универсального вращающегося столика Фёдорова, к-рый позволяет наблюдать кристаллич. препарат в любом направлении и вращать его вокруг любой проходяш ей через него оси. Разработанная Фёдоровым методика позволяет, наблюдая погасания кристаллов при поворотах, определять ориентацию осей индикатрисы кристал.тгов относительно его граней, плоскостей спайности, двойниковых плоскостей, находить законы двойникования, из.мерять углы оптических осей, показатели преломления кристаллов (определяя смещение изображения при наклоннол прохождении света через кристаллич. пластинку известной толщины).  [c.513]

Если оптич. свойства поверхностей имеют селек-THBHbiii характер, т. е. зависят от длины волны излучения, ур-ния (3) разрешаются относительно моно-хроматич. (спектральных) потоков излучения для разл. спектральных интервалов, носле чего соответствующие интегральные характеристики получают интегрированием по спектру. Наиб, трудности вызывает учёт отступлений от закона Ламберта для излучат, и отражат. свойств поверхностей. При наличии в системе плоских поверхностей с зеркальными свойствами вводят т. в. разрешающие (пли зеркальные) угл. коаф., характеризующие перенос излучения в системе с учётом зеркальных отражений. В общем случае произвольных индикатрис для степени черноты II отражат. способности поверхностей учитывают перенос излучения в системе по всевозможным направлениям методом статистич. испытаний (метод Монте-Карло).  [c.619]

На фиг. 2 показаны относительные температурные распределения в плоском слое. Данные для расчетов выбраны такими, чтобы кондунтивная и радиационная составляющие были одного порядка. Во всех представленных здесь случаях теплопроводность составляла б вт/ы,град, температура Т = IQ36 К, коэффициент поглощения изменился по спектру от 10 до 35 альбедо рассеяния - от О до 0,5. Варьировались коэффициенты отражения границ и вид индикатрисы рассеяния. Для сравнения показаны случаи с нулевым альбедо (чистое поглощение, кривые 3 и 6) и прямая 7, демонстрирующая ход температуры без учета излучения, поглощения и рассеяния. Видно, что в зависимости от отражательных свойств границ рассеяние по разному влияет на температурный профиль при малых R (кривые 1-3) рассеяние увеличивает перепад температур на слое, при больших R (кривые 4-6) наблюдается обратная картина,  [c.17]


Описываемая формулой (2-21) индикатриса рассейния известна как рэ-леевская. Она является симметричной как относительно плоскости распространения излучения, так и относительно нормальной к ней плоскости.  [c.55]

Чу, Кларк и Черчилль [36] вычислили по теории Ми коэффициенты Aj в формуле (2.55) для непоглощающих (т. е. диэлектрических) сидерических частиц в интервале значений параметра. к от 1 до 18 для действительных показателей преломления п от 0,9 до 2,0 и для п = оо. Численные значения этих коэффициентов для ограниченного числа случаев представлены в табл. 2.1 в виде функции параметра х п действительного показателя преломления п сферической частицы относительно окружающей среды. Индикатриса рассеяния для электропроводной сферы, имеющей комплексный показатель преломления т — п — in, незначительно отличается от индикатрисы рассеяния для диэлектрической сферической частицы п/ = 0), если значение л очень мало. Поэтому таблицы, составленные Чу и др. [36] для  [c.95]

Если m — минимальное число значений (3.6), по которым полностью определяется вид оператора (3.3), то процессы (3.5), называются пробными, а величины (3.6) — индикатрисой опера тора (3.3), а число т — порядком этой индикатрисы. Порядок индикатрисы зависит от структуры оператора f, в частности от группы симметрии преобразований в R3, относительно которой оператор (3.3) является инвариантным. В случае линейного оператора f числа пит равны единице, а индикатриса U( ,t) является тензором четвертого ранга. В самом деле, каждой компоненте подобного процесса а в некоторой системе координат пространства R3 соответствуют шесть компонент тензора индикатрисы Если индикатриса имеет конечный порядок, то построенный оператор f определяет модель МЛТТ.  [c.23]

Заметим, что приведенные здесь соображения относительно движения особой точки в поле изобар, имеюгцих форму кривых второго порядка, могут иметь значение и в обгцем случае, если принять во внимание, что в достаточно малой окрестности особой точки изобары всегда имеют форму эллипса, пары сопряженных гипербол или пары параллельных прямых, как это вытекает из свойств индикатрисы кривизны Дюпена, построенной для поверхности р = р х, y,t) в данный момент. С такой точки зрения к вопросу о возникновении барических центров подходит Дедебан.  [c.200]

Если размер рассеивающих неоднородностей много меньше длины волны в веществе Л/гг, рассеяние называется рэлеевским. При этом индикатриса рассеяния симметрична относительно вектора электрического поля падающей волны. Рассеяние на частицал с размерами, сравнимыми с Л/п, называется рассеянием Ми. В этом случае индикатриса является вытянутой (свет рассеивается преимущественно вперед  [c.49]

Для описания образа дефекта анализируют какие-то информативные признаки, производные от индикатрисы рассеяния. Целесообразно выбрать совокупность таких информативных признаков, чтобы она сохраняла все информативные характеристики образа, допускала использование простых алгоритмов и обеспечивала высокую надежность распознавания при использовании относительно простых технических средств. Очевидно, что в целях упрощения технологии, желательно сокращение числа признаков. В то же время такое сокращейие не должно приводить к ошибкам распознавания дефекта.  [c.73]

Индикатрисы яркости характеризуются угла.мн и у,д,, т. е, угловыми размерами, для которых относительная яркость Во н составляет 0,5 и 0,37 от максимальной яркости, измеренной при угле 1а-блю.1ення, равном нулю. Значения %,,5 це как видно из рис. 4.39, у вос совых экраноз значительно  [c.213]

Наклон диффузора относительно оси, параллельной направлению полос, на угол i приводит к уменьшению эффективного расстояния бЬэф = 6L osi (рис. 3.11), и картина медленно деформируется, — полосы расширяются в соответствии с (3.2), сохраняя практически неизменным свой ход. По завершению опыта с двойным диффузором, в лазерный пучок последовательно вводят тройной диффузор и диффузоры более высокой кратности экспозиции (iV > 3) и демонстрируют основные закономерности перехода от двухлучевой ко многолучевой интерференции от N синфазных и равноудаленных в пространстве в направлении перпендикулярном к освещающему пучку точечных источников равной интенсивности, пространственное распределение излучения каждого из которых задается индикатрисой рассеяния. Демонстрация подтверждает, что при увеличении N положение главных максимумов сохраняется, т. е. расстояние между соседними главными максимумами как и при N = 2 определяется формулой (3.2), но они сужаются, причём ширина главных максимумов изменяется пропорционально 1 /N, а в областях между соседними главными максимумами появляется слабые вторичные максимумы, число которых — N — 2.  [c.102]

Рассмотренные закономерности рассеяния света не выполняются, если размеры рассеивающих частиц сравнимы с длиной волны. Зависимость интенсивности от длины волны становится менее заметной. Рассеянный в поперечном направлении свет будет поляризован лишь частично, причем степень его поляризации зависит от размеров и формы частиц. Рассеяние вперед становится преобладающим, и индикатриса сохраняет симметрию лишь относительно направлення первичного пучка.  [c.119]

Надо заметить, что индикатриса Рэлея симметрична относительно рассеяния вперед и назад. При увеличении 3 растет вытя-нутость индикатрисы вперед. Это объясняется тем, что при рассеянии излучения с длиной волны, большей размера частицы, происходит дифракция на ее поверхности, что и приводит к увеличению доли излучения, идущего в направлении падсьющего.  [c.27]


Смотреть страницы где упоминается термин Индикатриса относительная : [c.44]    [c.307]    [c.243]    [c.40]    [c.326]    [c.270]    [c.347]    [c.46]    [c.256]    [c.513]    [c.93]    [c.463]    [c.77]    [c.189]   
Динамика системы твёрдых тел Т.1 (1983) -- [ c.427 , c.429 ]



ПОИСК



Относительная индикатриса. Мгновенная ось вращения



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте