Поле ближайшее

Ближе к выходному отверстию начинает проявляться подсасывающий эффект, как и в обычных условиях, т. е. при равномерном поле скоростей в рабочей камере. В результате в сечениях, ближайших к выходу, поток от стенки, противоположной выходу, начинает перетекать к стенке с выходным отверстием. В случае противоположного направления входа и выхода перетекание происходит [c.149]

Положение поля допуска относительно номинального размера или нулевой линии определяется одним из двух отклонений — верхним или нижним, которое называется основным отклонением. В системе допусков и посадок СЭВ за основное отклонение принято меньшее из двух отклонений по абсолютному значению , т. е. ближайшее к нулевой линии. Для схемы, показанной на рис. 4.4, а, основными отклонениями являются для поля допуска отверстия — нижнее отклонение / Д.ЛЯ поля допуска вала — верхнее отклонение es. [c.43]

Решение. По известным предельным отклонениям необходимо определить квалитеты, основные отклонения и условные обозначения полей допусков. По формуле (5.6) находим допуски в мкм первого вала Тд. = — 25 — (— 50) = -= 25 второго вала ТЦ = 34 — 9 = 25 По табл. 5 2 в интервале свыше 30 до 50 мм находим, что для обоих валов назначены допуски по седьмому квалитету. Находим основные отклонения. Так как ими всегда являются ближайшие отклонения — меньшие по абсолютным значениям, то для первого вала основное отклонение ев = — 25, а для второго е1 = 9 мкм. Затем по табл. 5.3 в интервале свыше 30 до 50 мм находим, что в первом случае принято отклонение / во втором отклонение ш. Таким образом, для валов назначены поля допусков /7 и ш7. [c.63]

Затем подбирают ближайшую стандартную посадку с таким расчетом, чтобы при крайних значениях ф, определяемых поле.м допусков, максимальное значение 2 с учетом износа в эксплуатации составляло й 0,4, причем не выходило за пределы 0,1 -ь 0,5. [c.354]

Посадки. Методика построения посадок. Для сопрягаемых детален установлено лить значение основного отклонения, т. е. расстояние от ближайшей границы поля допуска до нулевой линии. Верхнее (если поле допуска расположено выше нулевой линии) или нижнее (если поле допуска расположено ниже нулевой линии) отклонения определяют по основному отклонению и допуску выбранного квалитета. [c.209]

Однако положение не безнадежно, так как мы знаем, что значение любой силы, действующей между двумя телами, должно довольно быстро уменьшаться по мере увеличения расстояния между этими телами. Если бы силы не уменьшались достаточно быстро с увеличением расстояний между взаимодействующими телами, то мы никогда не смогли бы изолировать взаимодействие двух тел от взаимодействий их со всеми другими телами во Вселенной. Значение всех известных сил, действующих между частицами, убывает по крайней мере не менее быстро, чем по закону обратных квадратов. Мы, как и всякое другое тело на Земле, испытываем притяжение главным образом к центру Земли и только в ничтожной степени — к ка-какой-либо удаленной части Вселенной. Если бы мы не опирались о пол, то получили бы ускорение 980 см/с по направлению к центру Земли. Менее сильно нас притягивает Солнце согласно уравнению (7) мы движемся с направленным к нему ускорением 0,6 см/с . Если разумно оценивать возможное ускорение, то следует ожидать, что на тело, значительно удаленное от всех других тел, вероятно, не будут действовать силы, и поэтому оно не будет иметь ускорения. Типичная звезда удалена от ближайших соседних небесных тел на расстояние не менее 10 см ), и поэтому следует ожидать, что она имеет лишь маленькое ускорение. Таким образом, мы пришли к утверждению, что с хорошей степенью приближения можно определить связанную с неподвижными звездами систему координат как удобную систему, не имеющую ускорения. [c.80]

Поле лигандов — поле атомов или молекул, которые находятся в ближайшем окружении рассматриваемого центра, как правило, атома или иона металла в кристалле или комплексном соединении. [c.272]

Изменение кристаллического поля решетки введенными ионами активатора распространяется только на небольшой объем кристалла около самих ионов активатора и на ближайшие к ним ионы решетки. Поэтому энергетические уровни кристалла имеют лишь местное значение и называются локальными уровнями. Эти уровни, расположенные ниже дна зоны проводимости, способны на некоторое время захватывать и удерживать находящиеся в ней [c.184]

Высокую магнитную твердость можно получить, создав столь тонкую структуру материала, что каждая частичка будет представлять собой отдельный домен такие частицы способны изменять намагниченность путем поворота вектора спонтанной намагниченности от направления легкого намагничивания, ближайшего к внешнему полю, к направлению этого намагничивающего поля. [c.65]

Таким образом, результат получился неудовлетворительный, но так как равенство радиусов Га и Гз может быть приблизительным, то числа зубьев и можно округлить до ближайших целых чисел. Принимаем = 103 и 2з = 78, после чего полу- [c.117]

Эти методы применялись и к сплавам внедрения. Для случая атомов углерода, внедренных в а-железо [76], оказалось, что стабильной конфигурацией атома углерода является такая, когда он находится в центре октаэдрического междоузлия ОЦК решетки. При диффузионном перемещении атома углерода он двия ется вдоль прямых линий, проходя последовательно от октаэдрического в тетраэдрическое и в следующее октаэдрическое междоузлие. Находясь в октаэдрическом междоузлии, атом углерода раздвигает два ближайших атома железа, по четыре более удаленных атома слегка смещаются к атому С. Появляющееся поле деформации п вызывает деформационное упорядочение атомов углерода (см. 15). [c.91]

Таким образом, при постепенном увеличении энергии возбуждающих электронов не наблюдается свечения, пока энергия электронов не достигнет значения eVj., достаточного для перевода атома из нормального в ближайшее состояние с большей энергией. Тогда начинает испускаться одна единственная линия с длиной волны, определяемой соотношением (4). Эту линию и соответствующий ей потенциал ускоряющего поля принято называть резонансными. При дальнейшем увеличении энергии электронов появляются все линии спектра, одна за другой. [c.17]

Дифракционное поле эллиптических цилиндров представляет собой совокупность дифракционных полей первого и второго типов. В зависимости от Q может превалировать дифракция того или иного типа. На рис. 1.27 показаны зависимости отношения амплитуд первых двух принятых сигналов, первый из которых является в зависимости от Q отраженным либо дифрагированным на ближайшем к преобразователю краю, второй — дифрагированным по первому или второму типу дифракции. Штриховыми линиями показано среднее квадратическое отклонение значений. Из анализа этого рисунка следует, что для объемных дефектов (Q = 0,5. .. 0,15) амплитуда дифрагированного импульса на 15. .. 20 дБ меньше амплитуды отраженного. Для плоскостных дефектов (Q < 0,07) амплитуды обоих дифрагированных импульсов имеют тенденции к выравниванию [22]. [c.44]

В Институте атомной энергии имени И. В. Курчатова созданы образцы сверхпроводящих магнитных катушек с индукцией магнитного поля в 250 Т. Есть основания считать, что сверхпроводящий магнит нужных размеров для установки Тока-мак будет создан в ближайшее время. [c.195]

Таким образом, оказывается, что будущее нашей энергетики в большой степени зависит от создания мощных сверхпроводящих магнитных систем. К счастью, перспективы тут весьма благоприятны. Непрерывно понижается стоимость пока еще весьма дорогих сверхпроводящих материалов, накапливается опыт работы с низкотемпературным оборудованием и непосредственно с крупными сверхпроводящими магнитными системами. Можно с уверенностью утверждать, что уже в ближайшие годы вполне реальна постройка сверхпроводящих магнитных систем с полем в несколько Тесла, создаваемым в рабочем объеме порядка кубических метров. [c.158]

Основное отклонение — одно из двух отклонений (верхнее или нижнее), используемое для определения положения поля допуска относительно нулевой линии. Обычно таким отклонением является отклонение, ближайшее к нулевой линии. [c.39]

Вычисление можно выполнить по аналогии с чисто классическим рассмотрением, как в ч. I, причем мы также и здесь ограничимся изотропными средами. Если вычислять зависимость d. [ .] на основании модели одной молекулы в вакууме и напряженности поля Е., заданной внешними источниками, то учет влияния поля ближайших соседних молекул можно осуществить путем замены поля Е. на эффективное действующее поле Е у, при заданном распределении молекул оно может быть вычислено по заданному полю Е.. Метод, описанный в ч. I, мы изменим только в том, что примем во внимание влияние (по отношению к однофотонным процессам) нерезонансного молекулярного окружения, характеризуемого компонентой поляризации как на резонансную компоненту линейной поляризации так и на нелинейную поляризацию (Само собой разумеется, что подразделение линейной поляризации на резонансную и нерезонансную компоненты должно соответственно относиться к определенной области частот внешних полей. Если внешнее поле имеет частоту оа, то, согласно уравнению (2.33-7), в восприимчивости Ы< >(оа) можно выделить резонансную часть, к которой принадлежат члены с оадр — оа( с< 1/тар, и нерезонйнсную часть.) Исходным пунктом служит соотношение Лоренца [c.247]

Приведенная ранее оценка числа членов в электронной сумме скорее всего завышает фактическое число уровней. На срезание высших возбужденных уровней в атомах и ионах суш ественное влияние оказывает и непосредственное воздействие электростатического поля ближайшей соседней заряженной частицы — штарк-эффект. [c.173]

Те, кто высказываются в пользу системы третьей четверти, часто ссылаются на то, что при работе на чертежной доске полнее используется нижняяЗее половина (ближайшая к выполняющему чертеж), причем главный вид располагается в левой нижней части доски, где удобнее работать (черт. 44). Однако при надлежащем оборудовании рабочего места конструктора это обстоятельство теряет свое значение. Кроме того, как правило, чертить приходится во всех частях листа, так как на нем помещают и другие изображения, а чертежник стремится к наибольшему использованию поля чертежа. [c.35]

Соответствуюший опыт для исследования действия света на фотографическую эмульсию был выполнен Винером (1890 г.). Идею Винера легко понять, вообразив следующий опыт. Представим себе слой фотографической эмульсии, налитой на зеркальную металлическую поверхность. Падающий нормально на зеркало сквозь эмульсию монохроматический (приблизительно) свет отражается от металлического зеркала и дает систему стоячих волн, причем ближайший к зеркалу (первый) узел электрического вектора расположится на поверхности зеркала, ибо в случае отражения от металла меняет фазу именно электрический вектор первый узел магнитного вектора расположится на расстоянии в четверть световой волны от нее. В толще фотографической эмульсии поле световой волны будет представлено системой узлов и пучностей напряженностей электрического и магнитного полей с соответствующими переходами от узлов к пучностям. [c.116]

При малых Uo траекториями тела служат эллипсы, близкие к параболе, что вполне соответствует ранее изученному параболическому движению в однородном поле тяжести, которое является, таким образом, первым приближением к действительному движению в поле тяготения. Наиболее удаленный фокус этих эллипсов находится в центре Земли, ближайший — близ поверхности Земли, При возрастании начальной скорости vq эксцентриситет уменьшается, что соответствует удалению ближайшего фокуса от поверхности Земли вглубь. Если начальный угол бросания X выбрать равны нулю, то е при Uq = V gR станет равным нулю и траеКтор11я превратится в окружность [c.59]

Предлагается качественнш модель формирования ППС ближ-ней зоны . Лазерное излучение испаряет материал покрытия, формируя факел паров, распространяющийся в ближайшей окрестности пятна фокусировки со сверхзвуковой скоростью. 1 1а фронте ударной волны реализуются условия для плазмообразования в поле лозерного [c.96]

Выражение (16.3) имеет, однако, ограниченную область применения. Дело в том, что нельзя считать поле, действующее на отдельную молекулу диэлектрика, равным среднему нолю Е. Диэлектрик можно считать непрерывной средой только при макроскопическом рассмотрении. Каждая молекула в диэлектрике находится п]зежде всего под действием поля, создаваемого окружающими ее молекулами. Это поле зависит от внешнего наложенного поля, под действием которого молекулы поляризуются и в свою очередь воздействуют на окружающие молекулы. Электрическое поле, действующее на отдельную молекулу, складывается из среднего макроскопического поля Е зарядов на обкладках конденсатора II зарядов па границах диэлектрика, а также поля, обусловленного действием ближайших окружающих молекул. [c.5]

Двигаться по винтовой линии, вращаясь вокруг магнитных силовых линн]1 и одновременно перемещаясь вдоль приложенного электрического ноля. Благодаря этому электрон, который испытал последнее соударение на расстоянии большем, чем 2Д от поверхности проводника, имеет малую вероятность в ближайший момент столкнуться с поверхностью. Таким образом, по мере своего увеличения магнитное поле вызывает сначала падение сопротивления образца и приближает его к значению сопротивления массивного проводника после этого сопротивление следует обычному закону, т. о. возрастает с магнитным полем. Пользуясь этой грубой моделью, лгожно вывести для приближенной оценки цроводимостн а тонкой проволоки или тонкой пластинки в магнитном поле (фиг. 39) следующую формулу [c.207]

Зонная теория твердого тела удовлетворительно объясняет специфические особенности полупроводникав. Эта теория является следствием применения квантовой механики к проблеме твердого тела, но зонная модель распространяется и на апериодическое поле, свойственное некристаллическим веществам. Наличие жидких и аморфных полупроводников свидетельствует о том, что полупроводниковые свойства в первую очередь определяются природой химической связи данного атома с его ближайшим окружением, т. е. ближний порядок является определяющим. Разумно под термином химическое строение понимать совокупность энергетических, геометрических и квантовохимических характеристик вещества (порядок, длина и энергия связи, рашределение и пространственная направленность электронных облаков, эффективные заряды и т. д.). Но главным в учении о химическом строении является природа химической связи всех атомов, входящих в состав данного вещества. [c.94]

ВЕРОЯТН. VER = значение вероятное ги обнаружения источника полезного излучения (VER не больше 1) KOTV = ближайшее целое число от отношения значения поля зрения ОЭП к мгновенному значению поля зрения. Если это отношение больше 999, то в формуляр заносится целое число 9999. [c.181]

По табл.П2.]3 выбирают ближайшее стандартное значение длины шпильки. Если при этом величина к пол ится равной или меньше высоты фаски шпильки, шайбу заглубляют, а если больше 4Р, го увеличивают толщину шайбы или детали. [c.34]

Для уяснения сущности метода конечных разностей рассмотрим расчет стационарного температурного поля в двухмерной области, показанной на рис. 15.1, при заданных начальных и граничных условиях. Разобъем эту область прямоугольной сеткой на элементы с размерами (шагом сетки) Ах и Ку (элементарные ячейки). Полагаем, что теплоемкость каждого элемента с условной толщиной, равной единице, срАхАг/ 1 сосредоточена в центре элемента — его узловой точке. Все узловые точки элемента можно разделить на внутренние, окруженные со всех сторон другими узловыми точками, и граничные, принадлежащие элементам, соприкасающимся с границей области Г, которую приближенно заменяют другой границей Г, проходящей через ближайшие к границе Г узлы сзтки. " - [c.188]

Приведем некоторые результаты, полученные такими методами для отдельных точечных дефектов. В случае вакансии машинные расчеты подтвердили основные полученные в рамках атомной модели и изложенные выше выводы. Так, например, в [70] для ОЦК решетки с потенциалом межатомного взаимодействия, моделирующим а- келезо, было найдено, что ближайшие к вакансии соседи релакснруют по направлению к ней на расстояние, составляющее около 6% от равновесного расстояния мен ду близкайшими атомами. Атомы те второй координационной сферы имеют небольшие смещения в обратном направлении. Для вакансии в ГЦК решетке меди в [55] были получены аналогичные результаты. Величина смещений атомов оказалась существенно зависящей от выбора потенциала, причем смещения ближайших соседей к вакансии в зависимости от этого выбора изменялись в пределах от 1,5 до 3,2% от равновесного расстояния между ближайшими атомами. Следующие соседи, как и в ОЦК решетке, релаксировали слегка парузку. Анизотропия поля смещений найдена и для более удаленных атомов. [c.90]

В бумажной изоляции силового кабеля слабыми местами — очагами развития пробоя — являются зазоры между отдельными лентами бумаги в каждом повиве. В кабелях с вязкой пропиткой (например, масляно-канифольным компаундом, стр. 133) в эксплуатации после многократных последовательных нагревов и охлаждений кабеля часть зазоров, ближайших к жиле, оказывается не заполненной пропиточным компаундом. В этих зазорах возникает ионизация, разрушающая как компаунд, так и бумагу и способствующая псстепенному прорастанию ветвистого разряда от жилы к свинцовой оболочке кабеля. Старение кабельной изоляции заставляет принимать для кабелей с вязкой пропиткой невысокую рабочую (длительную) напряженность электрического поля, равную 3—4 МВ/м. Кабели такого типа используют лишь при сравнительно не<5ольших рабочих напряжениях, не превышающих 35 кВ При более высоких напряжениях применяют масло- и газонаполненные кабели, в которых рабочая напряженность поля доходит до 10— 12 МВ/ы. [c.142]

Тонкие магнитные пленки и цилиндрические домены. Особенностью тонких магнитных пленок является то, что при малой толщине их (много меньшей линейных размеров й, 6) направление легкого намагничивания оказывается расположенным в плоскости пленки. Образуются плоские домены, показанные на рис. 9-12, а. Для очень тонких пленок характерна однодоменная структура, для пленок толщиной свыше 10 —10" мм (у различных веществ)—многодоменная, состоящая из длинных узких доменов (шириной от долей микрометров до нескольких микрометров), намагниченных в противоположных направлениях. Под воздействием внешнего поля вся система полос может перемещаться и поворачиваться, и ее используют как управляемую дифракционную решетку для света и ближайшего диапазона волн электромагнитного спектра. [c.274]

Основные отклонения в ЕСДП СЭВ — это отклонения, ближайшие к нулевой линии и определяющие положение поля допуска. [c.216]

Из числа наиболее перспективных электротехнологических методов, которые со временем завоюют себе огромное поле применения, можно назвать использование мощных нестационарных электрических процессов, т. е. дугового и искрового электрических разрядов, протекающих при громадных значениях плотностей тока, давлениях и температурах. В ближайшие годы эти виды электротехнологии будут использованы для синтеза и распада веществ, для их крекинга и полимеризации. [c.127]

MjN часть пуассоновских точек причисляется к одному материалу, а 1 — — к другому. Наконец, чтобы решить, к какому материалу можно причислить все остальные точки, принимается, что материал в произвольной точке — тот же, что и в ближайшей пуассоно вской точке. Всю процедуру можно выполнить на ЭВМ, построив таким образом случайное поле е (х), по которому можно определить все функции [c.259]

Конфигурация силового поля вокруг вакансии обеспечивает быстрое затухание искажений решетки с удалением от ее центра, и поэтому ускоренное растворение ближайших атомов в окрестности вакансии приведет к образованию субмикропиттинга , [c.114]

Конфигурация силового поля вокруг вакансии обеспечивает быстрое затухание искажений решетки с удалением от ее центра, и поэтому ускоренное растворение ближайших атомов в окрестности вакансии приведет к образованию субмикропиттинга , т. е. новой поверхности, без заметного вклада в материальный баланс общего анодного растворения металла [c.115]

В заключение можно назвать основные направления развития пластометрических исследований на ближайшие годы 1) создание новых универсальных многоцелевых пластометров блочного типа, максимально близко моделирующих условия деформации различных процессов ОМД по температурно-скорост-ным условиям, законам развития деформации во времени и схемам напряженного состояния 2) разработка реологических моделей управления качеством металлопродукции для различных процессов ОМД на основе физических моделей течения металла в результате пластометрических исследований 3) соединение пластометрии с металлографией для анализа и контроля изменения структуры металла в процессе горячей деформации 4) проведение пластометрических исследований в особых условиях (вакуум, ультразвуковые, электрические поля и т. д.) 5) автоматизация пластометрических исследований при обработке опытных данных и управлении экспериментом создание автоматизированных комплексов типа пластометр — ЭВМ — графопостроитель или пластометр — УВМ — полупромышленное оборудование (прокатный стан, пресс, молот) 6) накопление, систематизация и формализация результатов пластометрических исследований с целью разработки подпрограмм Реология металлов в система- АСУ ТП и комплексных математических моделях различных процессов ОМД. [c.68]

Но, вероятно, в ближайшем будущем физики научатся получать антивещество и сохранять его значительное время. Если удастся, например, изготовить антижелезо, то его можно будет подвесить в постоянном магнитном поле — в абсолютном вакууме, так чтобы оно не соприкасалось со стенками контейнера. Этот контейнер и будет одним из баков с горючим нашей межзвездной ракеты. Из этого бака можно будет порциями выстреливать антижелезо в аннигиляционную камеру, где будет проходить реакция соединения антижелеза и обычного вещества с последующей аннигиляцией и выделением колоссальных количеств лучистой энергии. Невообразимых количеств энергии [c.193]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...