Термометрия ближнего поля

Поэтому проводить измерение температуры приходится на очень низких уровнях мощности зондирующего излучения. Таким образом, пространственная разрешающая способность и время накопления сигнала являются в термометрии ближнего поля взаимно дополнительными характеристиками. [c.104]

Термометрия ближнего поля. Метод оптической термометрии ближнего поля, позволяющий достичь пространственного разрешения порядка 30-ь100 нм (т. е. существенно лучшего, чем Л/2) при зондировании поверхности через отверстие примерно такого же диаметра светом видимого диапазона, разработан для измерения температуры в элементах микросхем при прохождении токовых импульсов [4.28]. Схема оптического зонда показана на рис. 4.7. Сужающийся конец оптического волокна с помощью пьезоэлектрического устройства подводится к поверхности на расстояние, сравнимое с диаметром выходного отверстия ( 50 нм). По световоду распространяется зондирующее излучение. Свет, прошедший сквозь отверстие, отражается от поверхности. Часть отраженного света рассеивается и регистрируется фотоприемником. Излучение, отраженное обратно в волокно, зарегистрировать труднее, так как в волокне имеется намного более интенсивное излучение, отраженное от конца световода. В случае, когда образец прозрачен для зондирующего излучения, можно регистрировать проходящий свет. [c.103]

Методы лазерной термометрии поверхности можно применять в широком диапазоне температур, практически совпадаюш,ем с диапазоном суш,ествования твердой фазы. Методы, основанные на отражении света, активно используются для термометрии поверхности металлов и полупроводников. По отражению света проводится микротермография элементов интегральных схем (транзисторов, металлических соединений) с пространственным разрешением порядка длины волны зондируюш,его света и временным разрешением порядка наносекунды. Метод отражательной термометрии ближнего поля позволяет улучшить пространственное разрешение примерно на порядок. Для получения надежных результатов необходимо перед проведением измерений температуры выполнить дополнительные исследования по построению калибровочных кривых, т. е. температурных зависимостей регистрируемого сигнала. [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...