Электрическое влияние на спектр

Фиг. 33. Влияние электрического поля на спектр комбинационного рассеяния первого порядка в алмазе Светлые кружки — без поля темные — в поле д=1,33- 0 В/см, параллельном оси [001]. Использована геометрия рассеяния назад. Уширение может свидетельствовать об эффектах нарушения

Существенную помощь в идентификации линий в спектре может оказать изучение влияния на спектр разного рода внешних воздействий (электрического и магнитного полей, деформации и других). [c.49]

Отсюда видно, что ПЭ зависит от электрического поля так же, как ТЭ зависит от температуры ln(j/S2) = = f(l/ ё) (рис. 25.47). При высоких температурах плотность тока ПЭ возрастает с Т, особенно сильно в области малых (но уже вызывающих ПЭ) электрических полей. Распределение по энергиям электронов, эмитируемых из металла, при ПЭ при низких температурах эмиттера начинается от энергии, соответствующей уровню Ферми в металле (принимаемому за нуль), и простирается в область отрицательных энергий. Ширина распределения на половине высоты составляет около 0,5 эБ (рис. 25.48). При возрастании температуры энергетический спектр эмитируемых электронов расширяется в сторону положительных энергий. ПЭ полупроводников обладает рядом особенностей, связанных с распределением электронов по энергиям в них, с проникновением внешнего электрического поля в полупроводник и с сильной термо- и фоточувствительностью полупроводников, оказывающей влияние на ток ПЭ (рис. 25.49) [28, 29]. Токи ПЭ с большой плотностью удается получать с эмиттеров, имеющих форму острия. Предельная плотность тока, еще не разрушающего острие, /кр возрастает с увеличением угла при вершине эмитирующего конуса, так как с увеличением этого угла улучшается отвод теплоты от острия (табл. 25.27, рис. 25.50). В очень сильных электрических полях, когда плотность тока ПЭ достигает 10 —10 А/см локальные участки катода, из которых происходит эмиссия, (острия) в результате сильного разогрева взрываются, образуя плотную плазму, расширяющуюся со скоростью t = 10 см/с. Этот процесс сопровождается возникновением интенсивной эмиссии (взрывная электронная эмиссия, рис. 25.51) [30]. Ток /, А, взрывной электронной эмиссии при взрыве одиночного острия [c.588]

Полигармоническую вибрацию также характеризуют вибросмещением, виброскоростью и виброускорением, но в этом случае уже небезразлично, по какой характеристике и какому параметру будет оцениваться вибрационное состояние машины. Оценка последнего по вибросмещению целесообразна, очевидно, в тех случаях, когда необходимо ограничить перемещение объекта измерения определенными пределами. Вибросмещение, однако, не дает представления об инерционных силах, вызываемых вибрирующим телом. Поэтому в случаях, когда интересуются этими силами, вибрационное состояние целесообразно оценивать по виброускорениям. При оценке вибрационного состояния по вибросмещению или по виброускорению получается тем большая разница, чем больше высокочастотных составляющих имеется в спектре вибрации. В отношении влияния на оценку вибрационного состояния высокочастотных составляющих вибрации виброскорость находится между вибросмещением и виброускорением. В настоящее время для характеристики вибрационного состояния электрических машин принимается в основном вибросмещение. Лишь в некоторых специальных случаях применяется виброускорение. [c.50]

Актуальной проблемой является развитие последовательной квантовомеханической теории оптического спектра обменно-связанных пар [36] и групп примесных ионов в кристаллах. Эта проблема интересна с точки зрения возможности изучения обменного взаимодействия средствами оптической спектроскопии. Требуют развития вопросы теории влияния внешних полей (электрического и магнитного), а также деформаций и дефектов на спектры примесных ионов в кристаллах, изучение которых несет дополнительную информацию об энергетических спектрах, состояниях этих ионов и их локальном окружении в кристаллах [c.20]

При проектировании и анализе линейных электрических цепей один из методов состоял в исследовании выходного сигнала, полученного способом, описанным выше, для случая формирования оптического изображения, т.е. путем свертки входного сигнала (представленного последовательностью импульсов с изменяющейся амплитудой) с единичным импульсным откликом системы. Однако интегрирование, необходимое для исследования влияния различных фильтров, при этом становилось очень сложным. Еще более трудным было обращение свертки, применяемое при проектировании фильтров с условием создания определенных выходных сигналов по заданным входным. Именно применение теоремы свертки обеспечило во многих случаях столь необходимые упрощения. Из этой теоремы следует, что спектр временных частот на выходе линейной электрической системы является просто произведением входного частотного спектра и частотного спектра единичного импульсного отклика системы (ее передаточной функции). Интегрирование во временной области заменяется более простой операцией перемножения в частотной области. Более того, полная частотная характеристика нескольких последовательно включенных фильтров является просто произведением их собственных передаточных функций. Поэтому неудивительны замечания о том, что если бы теория цепей была ограничена временным подходом, то она никогда не получила бы такого развития. [c.87]

Наибольшее распространение получил метод, основанный на интерпретации спектральных сдвигов в электрическом поле межмолекулярных сил, т.е. под влиянием растворителя [52, 134]. Формулы для вычисления изменений дипольных моментов по наблюдаемым изменениям спектров поглощения в разных растворителях приведены, например, в [52, 134]. Они связывают измеренные спектральные сдвиги с изменениями [c.84]

В качестве простого примера влияния вращения молекулы на ее спектр можно рассмотреть молекулу метана. Она имеет тетраэдрическую равновесную геометрию в основном электронном состоянии, и для классификации колебательных состояний применяется точечная группа Та. Проводя рассмотрение на основе точечной группы симметрии, можно показать, что молекула метана не имеет электрического дипольного момента и разрешенного в электрическом дипольном приближении вращательного спектра. Однако центробежное искажение вращающейся молекулы может привести к появлению отличного от пуля электрического дипольного момента, поэтому молекула метана будет иметь вращательный спектр ). Группа молекулярной симметрии метана позволяет понять, какие ровибронные состояния могут взаимодействовать в результате центробежного искажения молекулы, и определить, какие вращательные переходы могут появляться в спектре. [c.13]

Наблюдается также связь влияющего действия магнитного поля на электрическую эрозию и интенсивность спектра излучения с величиной промежутка между электродами с увеличением межэлектродного промежутка это влияние возрастает. [c.152]

Однако существенным недостатком указанных работ, по нашему мнению, является тот факт, что при этом не обращается внимание на низкотемпературный источник образования данного типа дефектов. Хотя разрушение, как уже упоминалось, очень часто происходит именно при низкотемпературной обработке или после ее проведешя (скрайбирование, резка, шлифовка, полировка, термокомпрессия контактов и др.), все авторы, как правило, считают причиной его именно высокотемпературные процессы — режим выращивания, отжиги и пр. Не отрицая важную роль этих процессов в природе появления данных дефектов, однако необходимо учитывать тот факт, что именно силовые низкотемпературные воздействия (особенно циклические - резка, шлифовка, полировка) могут, во-первых, в существенной мере трансформировать спектр ростовых и высокотемпературных кластеров (увеличивать, например, в размерах один тип дефектов и уменьшать другой) и, во-вторых, создавать дополнительно свой чисто деформационный спектр, который в ряде случаев в зависимости от технологических режимов низкотемпературной обработки может даже существенно превосходить по своему отрицательному влиянию на механические и электрические свойства материала спектр исходных дефектов в материале. Таким образом, для решения указанной проблемы необходимо учитывать не только высокотемпературный канал возникновения данных дефектов, но и низкотемпературный, на который, к сожалению, в настоящее время не обращается серьезного внимания. Именно с учетом этого фактора необходимо выбирать оптимальные режимы низкотемпературной обработки полупроводниковых материалов и особенно связанные с циклическим силовым воздействием [368- 371]. [c.246]

Основной сферой Применения многолучевых интерферометров Фабри-Перо является спектроскопия высокой разрешающей силы [61, 117, НО]. Свойство Интерферометра разрешать очень близко расположенные друг к другу линии источника позволяет успешно исследовать сверхтонкую структуру спектральных линий, обусловленную наличием у атомного ядра механического и магнитного моментов, свойства атомного ядра по изотопическому сдвигу спектральньгх линий, вызванному движенйем ядра и электрона вокруг общего центра тяжести, влияние внешних электрических полей на тонкую структуру линии и т. д. Наряду с этим интерференционные спектроскопы Фабри-Перо широко применяются для определения температуры в плазме, пламенах, газах, для измерения скорости течений по допплеровскому уширению, для изучения спектров поглощения и т. д. [c.5]

Типичными представителями лазеров, работающих по четырехуровневой схеме, являются лазеры на трехвалентных ионах группы лантанидов (N(1, Рг, Тт, Ос1, Но, Ег, УЬ) и актинидов (Мр, Ри, Ат и Ст). Большая роль в систематических исследованиях спектроскопических свойств лантанидов и актинидов принадлежит П. П. Феофилову. У этих элементов застраивающиеся оболочки 4/ и 5/ защищены от внешних полей двумя полностью заполненными оболочками 55 Ър или б5 6/ соответственно, благодаря чему влияние электрического поля решетки намного слабее сказывается на спектре люминесценции, чем в случае ионов группы переходных металлов. Наблюдаемые спектры люминесценции интерпретируются как переходы внутри незаполненной /-оболочки. Обычно имеют место переходы с одного из возбужденных термов /-оболочки на компоненты расщепления основногомультиплета. Благодаря указанной экранировке силы осцилляторов для переходов / — / в поглощении очень малы, порядка 10" — 10 , и соответственно время жизни спонтанной люминесценции порядка [c.79]

Напомним, что в 5, в рассмотрено влияние макроскопического электрического поля на расщепление вырожденных оптических колебаний в кубических кристаллах с центром инверсии этот длинноволновый (для конечных волновых векторов) эффект вызывает также изменения в спектрах инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния. Проведенное в 5, в рассмотрение полностью применимо к кристаллам типа каменной соли. Поперечное оптическое (ТО) колебание (компонента расщепленного оптического колебания) активно в инфракрасном поглощении [см. (5.56)], тогда как продольное оптическое (L0) колебание неактивно. В комбинационном рассеянии оба колебания запрещены. Хотя мы не будем обсуждать в явном виде эти свойства, связанные с макроскопическим полем, и соответствующий анализ спектров, результаты, приводимые в 22—26, на самом деле получены с учетом эффектов макроскопического поля при определении энергетического расщепления TO — LO в фононном спектре. Наиболее яркие эффекты, например аномальная угловая зависимость комбинационного рассеяния, обсуждавщаяся в 5 [формулы (5.57) — (5.67)], появляются только в кубических кристаллах без центра инверсии (например, со структурой цинковой обманки) и не имеют места в рещетках каменной соли и алмаза. Однако эффекты нарущения симметрии, подобные рассмотренным в 6, ж могут приводить при наличии резонанса к весьма существенному изменению правил отбора и к анизотропному рассеянию даже в кристаллах кубической симметрии Он- [c.149]

В сильных и неоднородных электрических полях системы острие—образец необходимо учитывать поляризацию (а иногда и ионизацию) адсорбированных атомов, возникновение резонансных локализованных состояний и изменения энергетического спектра обеих компонент барьера. Все эти факторы оказывают существенное влияние на изображение СТМ и его корректировка требует модельных предположений (Панов, Снегирев). [c.127]

Физическую картину, лежащую в основе такого подхода, впервые предложенную Бломбергеном, Парселлом и Паундом [11, легче всего понять на примере влияния флуктуирующего электрического градиента на квадрупольный момент ядра. Спектр Фурье зависящих от времени составляющих этого градиента Тложет содержать не равную нулю [c.251]

Открытие фотографии и ее успехи сыграли решающую роль в исследовании ультрафиолетовых лучей, ибо фотографическая пластинка оказывается к ним весьма чувствительной. Исследование ультрафиолетового излучения удобно также производить по его сп Усоб-ности возбуждать свечение многих тел (флуоресценция и фосфоресценция) и вызывать фотоэлектрический эффект. Фотографировать можно также и инфракрасное излучение, применяя особым способом обработанные фотопластинки (сенсибилизация, см. гл. XXXV). Таким путем удается, однако, дойти лишь до 1= 1,2—1,3 мкм. Значительно дальше простирается чувствительность к инфракрасным лучам у современных фотоэлементов и фотосопротивлений, с помощью которых можно регистрировать инфракрасное излучение примерно до 100 мкм. Используя влияние инфракрасных лучей на яркость фосфоресценции (см. гл. XXXVIII), удалось исследовать область спектра до 1,7 мкм. Однако тепловой метод, применимый для любой длины волны, является и доныне весьма распространенным при работе с инфракрасным излучением, особенно для длин волн больше 2 мкм. Конечно, при этом применяются весьма чувствительные термометры, особенно электрические (сверхпроводящие и обычные болометры и термопары), позволяющие констатировать подъем температуры на миллионную долю градуса (10 К). [c.401]

Фотоэлемент с магниевым катодом, используемый в приборе, обладает высокой чувствительностью к излучению в бактерицидной области спектра. Он способен под влиянием падающей на него лучистой энергии изменять свое сопротивление, усиливая или уменьшая проходящий через его электричеокий ток от присоединенного к нему источника. Таким источникам может быть (рис. 29) или батарея 9 или внешняя электрическая сеть 6 через селеновый выпрямитель 7. Ток от батареи, проходящий через фотоэлемент /, имеет весьма малую силу порядка 10 —10 а. Поэтому.для измерения его может применяться накопление зарядов на конденсаторе 2 с передачей разряда конденсатора на неоновую лампу 3 и телефонную трубку 4. [c.58]

В 80-е годы получил распространение термолюминесцентный датчик с волоконно-оптической линией связи, в котором сигнал о температуре чувствительного элемента переносится к регистрируюш ему прибору световым потоком. Например, измеряется длительность послесвечения небольшого активного элемента из стекла с неодимом, возбуждаемого ИК излучением мош,ного светодиода [1.29]. В другом датчике измеряется отношение интенсивностей люминесценции двух участков спектра элемента из оксисульфида европия или лантана при его возбуждении ультрафиолетовым излучением [1.30]. В этих случаях влияние электрических помех полностью исключено, поскольку отсутствует гальваническая связь между чувствительным элементом и реги-стрируюш им прибором. С помош ью таких термометров были получены некоторые важные результаты, касаюш иеся термостабилизации подложек в плазмохимическом реакторе [1.31], теплопереноса на границе [c.14]

В работах Н. Г. Бахшиева на основании разработанной ранее в [ ] теории, описывающей влияние универсальных межмолекулярных взаимодействий на положение спектров молекул в жидких двухкомпонент-пых растворах, предложен общий спектроскопический метод определения постоянных ДИПОЛЬНЫХ моментов молекул в основном ( х ) и первом возбужденном ([X,) электронных состояниях, а также угла а между моментами и Метод основан на использовании соотношений, связывающих электрические и геометрические характеристики молекул с экспериментально определяемыми параметрами теории [ ] и Согласно [ ], указанные соотношения имеют следующий вид [c.18]

Вообще следует заметить, что вопрос об измерении контура узких линий поглощения далеко не простой. Измеренный контур может оказаться сильно искаженным как спектральным прибором и в некоторой мере фотопластинкой (ореолообразования и пр.), так и вследствие ошибок записи при электрической спектро-фотометрии. Последние связаны с шумами приемного устройства и несовершенством записывающего устройства ). Кроме того, ири работе с авторегистрирующимп спектрофотометрами должно быть принято во внимание влияние скорости сканирования (процесса развертки во времени снектра, дисиергированного монохроматором) на результаты измерений, Последний вопрос будет не [c.385]

Кроме искажающих влияний спектрального аппарата, следует иметь в виду искажающие влияния нриемно-регистрирующего устройства. При фотографическом методе регистрации на раснределение интенсивности в линии может сказываться рассеяние света в слое фотографической эмульсии при электрических методах автоматической регистрации может сказываться скорость сканирования спектров. [c.427]

Если Н Е, то вторые члены в числителе выпадают, после чего числитель и знаменатель сокрагцаются. Таким образом, получаем, что магнитное ноле, приложенное вдоль электрического, никак не сказывается. Это утверждение верно для сферических энергетических зон. В случае анизотропного электронного спектра магнитное поле в числителе и знаменателе не сократилось бы, что означало бы влияние магнитного поля на сопротивление (продольное магнетосонротивленпе). Таким образом, можно сделать вывод. [c.56]

Выше хемосорбированное состояние водорода на металлических адсорбентах выводилось из основных принципов квантовой механики и подтверждалось результатами экспериментов по-влиянию адсорбции на электрическое сопротивление и работу выхода адсорбента, а также инфракрасными спектрами хемосорбированного водорода. Хемосорбированное состояние описывается в этом параграфе статистико-термодинамически, и, таким образом, выводы, получаемые с его помощью, подвергаются экспериментальной проверке при рассмотрении равновесия адсорбированных атомов с газообразным водородом, дифференциальных теплот адсорбций и парциальной молярной энтропии адсорбированных атомов. Хемосорбированное состояние определяется ниже путем обобщения теоретических и экспериментальных выводов, сделанных в предыдущих разделах лежащую в основе этих выводов модель металлических адсорбентов мы назовем моделью кристаллической плоскости. [c.57]

Постепенно накопились сведения о присущих кости, как и другим биокомпозитам, вязко-упругих свойствах, о релаксации электрического сигнала и его зависимости от скорости деформации и т.п. Все эти данные мало что говорят о действительном релаксационном механизме, который может быть связан с явлениями на молекулярном уровне, с истинной вязкостью коллагена и со многими другими физическими факторами. Спектр измеренных времен механической релаксации довольно широк и среди влияющих на него факторов трудно выделить доминирующий, однако главным кандидатом на роль релаксационного механизма считается движение интерстициальной жидкости. Поэтому его вклад в механическое поведение кости изучался в специальных опытах, в которых рассматривались объемное распределение жидкости в костном веществе, влияние влагосодержания и развитости сосудистого русла на реологические и электромеханические свойства кости. [c.9]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...