Цинковой обманки структура

Церий 18, 238, 337 Цинковой обманки структура 263 Цинк 283 [c.328]

Обычно говорят, что структура алмаза идентична структуре цинковой обманки, если в ней и атомы Zn и атомы S заменить на атомы углерода. Н. В. Белов предложил описание структуры алмаза в рамках плотнейшей упаковки. Для этого было сделано предположение, что структура составлена из двух сортов атомов углерода 0 + и С - радиусы которых равны 0,015 и около 0,15 нм соответственно. Крупные анионы С" - образуют плотнейшую упаковку. Такая структура вследствие обменного взаимодействия электронами, существующего между атомами углерода (в алмазе имеет место ковалентный тип связи), непрерывно осциллирует в том смысле, что фиксированные как положительные атомы С + в следующий момент становятся отрицательными атомами С и наоборот. Такая осцилляция приводит к исключительной устойчивости структуры и высокой твердости алмаза. [c.32]

Полупроводники со структурой алмаза, вюрцита, цинковой обманки и близких к ним являются относительно рыхлыми. Они содержат большие межатомные пустоты, в которых могут легко раз-меш,аться междоузельные атомы. Междоузлия в структуре алмаза имеют тетраэдрическое окружение. Их расположение иллюстрируется рис. 3.4. [c.87]

III группы — алюминия, галлия, индия с элементами V группы — фосфором, мышьяком и сурьмой. Все эти соединения обладают кристаллической структурой цинковой обманки ZnS, подобной структуре алмаза. Несмотря на сходство с германием в области кристаллического строения, имеется существенное отличие в химической связи. Для образования четырех парных связей атома индия с другими атомами не- [c.193]

Например, для гомополярных полупроводников IV группы X = О, для гетерополярных III—V, П—VI-полупроводниковых фаз (структура цинковой обманки) X = 1 и 2, соответственно. [c.68]

Таблица 8.1. Электрооптические свойства и фазовые задержки в кристаллах с симметрией класса 43т (структура цинковой обманки) для трех направлений приложенного поля [2]

Промежуточная фаза AsB была получена при взаимной диффузии элементов [1]. Эго соединение имеет г. ц. к. структуру типа цинковой обманки с периодом 4,777 А. В присутствии паров As эта фаза устойчива до температуры 920° С, выше которой она претерпевает необратимый переход в продукт с ромбической элементарной ячейкой состав этого продукта не определен. [c.92]

Структура алмаза однотипна со структурой сфалерита (цинковой обманки). [c.155]

Н 5е (и сх од и а я структура цинковой обманки) [c.38]

Последнее важное замечание касается неправильности обратного утверждения. Иначе говоря, если кристалл не имеет центра инверсии, то это, вообще говоря, не означает, что обертоны колебаний активны в инфракрасном поглощении. В качестве примера обратимся к сопоставлению пространственных групп алмаза и цинковой обманки. Оказывается, что некоторые определенные типы фононов кристалла со структурой цинковой обманки можно сопоставить некоторым исходным типам фононов кристалла со структурой алмаза, рассматривая изменение симметрии при исключении операции инверсии. Однако обертоны могут быть запрещены для обеих структур. Цель этого замечания — предостеречь от ощибок. Для интерпретации двухфононных спектров доказанное выще правило является полезным и точным, однако его не следует распространять за границы его применимости без специального обоснования для каждого отдельного случая. Кроме того, это правило может нарущаться вследствие резонансных эффектов ( 6, ж) [25, 26]. [c.41]

Таблицы для структуры типа цинковой обманки [c.295]

Окись бериллия кристаллизуется в гексагональной системе и обладает структурой цинковой обманки (ZnO) со спайностью по плоскости 10 10. Кристаллы окиси бериллия имеют ионную структуру с плотиоупакованной решеткой, состоящ,ей из атомов кислорода н расположенных между ними также плотноупакованных атомов бериллия. [c.58]

Макс Лауэ первым сделал шаг на этом пути. Он пытался расшифровать кристаллическую структуру цинковой обманки ZnS. Но, хотя в принципе дифрак-ционные эксперименты он объяснил правильно, установить атомное строение конкретного вещества ему не удалось. Не исключено, что в этом проявились и некоторые личные пристрастия Лауэ, Через много лет другой классик современной науки, также Нобе-левский лауреат, Макс Борн спросил у него, почему сам Лауэ серьезно не занялся исследованием кристаллических структур. Его ответ был таков Я интересовался только фундаментальными принципами и детальные исследования предоставлял другим ... [c.74]

Кроме того, непосредственный анализ дифракционных картин с поверхности исследуемых кристаллов, полученных методом ДМЭ, показал [381 384], что атомы в поверхностных слоях из-за отсутствия сил межатомной связи с одной стороны существенно смещены от своих нормальных положений в кристаллической решетке. При этом на поверхности кристалла образуются сложные двухмерные структуры с иной симметрией решетки, а также с другой плотностью, длиной и типом атомных связей [381—384, 410—412] (рис. 71). Например, Ханеман [410] получил данные об искажении тетраэдрической симметрии, измеряя дифракцию электронов на чистых поверхностях полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки. Интерпретация дифракционных картин показала, что в этом случае верхний слой атомов плоскости (111) имеет постоянную решетки в два ра- [c.127]

Gnu шйзшвяются тетраэдрическими В связж с тем, что их окружают четыре атома кубической гранецентрированной решетки. Положение тетраэдрических пустот хорошо иллюстрируется на примере структуры GaFg (см. фиг. 1, в), хотя в данном случае более крупные ионы фтора занимают тетраэдрические пустоты в кубической гранецентрированной решетке, образованной более мелкими ионами кальция. В структуре цинковой обманки заняты только четыре из имеющихся восьми тетраэдрических пустот, в результате чего расположение атомов оказывается таким же, как у алмаза (см. фиг. 6, г). Если предположить, что кубическая гранецентрирован- [c.29]

В гексагональной плотноупакованной структуре также имеется два типа пустот, которые показаны на фиг. 5, в и г. Эти пустоты расположены в центрах правильных октаэдров или тетраэдров, т. е. таким же образом, как и в случае кубической гранецентриро-ванной решетки. Положение октаэдрических пустот хорошо иллюстрируется на примере структуры арсенида никеля, в которой атомы мышьяка образуют гексагональную плотноупакованную реше ] ку, а атомы никеля занимают октаэдрические пустоты, образуя простую гексагональную решетку, высота которой равна половине высоты элементарной ячейки. В структуре вюрцита занята лишь часть тетраэдрических пустот, в результате чего образуется структура, сходная со структурой цинковой обманки, о которой упоминалось выше. Диаметры жестких сфер, которые можно поместить в указанные выше пустоты гексагональной структуры, оказываются такими же, как и в случае кубической гранецентрированной решетки, т. е. равны 0,41 г для октаэдрических пустот и 0,225г для тетраэдрических. [c.33]

Фиг. 28. Сравнение тетрагональной структуры dSnAs2 со структурой цинковой обманки.

В книге помещены переводы статей, опубликованных в зарубежной периодической печати в последние годы. В I части книги рассматривается атомная структура различных дефектов в кристаллах полупроводников с решеткой алмаза и цинковой обманки (сфалерита) полные и частичные дислокации, дефекты упаковки, дислокации несоответствия, а также наклонные границы, в том числе двойниковые границы высокого порядка. Во II чаети описаны структура и происхождение некоторых типов дефектов, встречающихся главным образом в эпитаксиальных пленках дефекты упаковки, микродвойниковые ламели и более сложные дефекты типа трипирамид , воэникновение которых обусловливается многократным двойникованием. [c.335]

Измерениями температуры материала, расплавленного в графитовых ампулах, с помощью оптического пирометра в работе [1] показано, что температура плавления соединения AlAs составляет —1700° С. Приводятся [2] значения периода г. ц. к. решетки соединения AlAs, имеющего структуру типа цинковой обманки, а = 5,656 0,002 А. [c.46]

В системе В—N наиболее твердо установлено соединение BN BN существует в двух модификациях гексагональной (а = 2,51 А, с = 6,69 А [1, 2] а = = 2,504 А, с = 6,661 А [3] и а — 2,504 А, с = 6,674 А [4]) и г. и. к. типа ZnS (цинковой обманки) с периодом 3,615 0,001 А 5]. Сообщается [5, 6] о различных методах приготовления BN с г. ц. к. структурой. Ь становлено [7], что кубическая модификация BN начинает переходить в гексагональную при температуре 1650°С. [c.149]

С помощью метода травления можно также выявить особые полярные свойства кристаллов, которые наблюдаются у многих полупровод-/п никовых соединений типа и ЛшВу и ЛцВу1 (структура цинковой обманки и вюр-цита). Эти кристаллы не имеют центра симметрии и обладают полярными осями I в направлении с. Поэтому, 7 . .если расщепить кристалли-2 ческую пластинку парал-д лельно плоскостям (0001), [c.402]

Обнаружен гидрид предположительного состава NiH [4]. Соединение было получено при комнатной температуре взаимодействием Ni и Н в катодном разряде, в результате которого образовалась гидридная пленка толщиной —10 мк. Рентгеновским исследованием установлено, что соединение имеет г. ц. к. структуру типа Na l или цинковой обманки, а= 3,721 0,001А, при 16—22° С. [c.75]

Температура плавления Hg—Те при внешнем давлении составляет 600° С II] или 667° С [2]. Для температуры плавления HgTe приводится также значение 670° С [3], однако при этом ничего не говорится об условиях эксперимента. В работе [1] определен период решетки HgTe, равный 6,460 А, и подтверждено, что соединение имеет структуру цинковой обманки (см. М. Хансен и К. Андерко, т. И [2]). [c.112]

Многие данные указывают на полиморфизм InaTeg [4—8]. Все авторы согласны, что высокотемпературная модификация имеет г. ц. к. решетку типа цинковой обманки, а — 6,158 А [5], 6,16 А [7]. Нет единого мнения о структуре низкотемпературной фазы и температуре или температурном интервале превращения. По одним данным, оно происходит в интервале 520—620° С [6], по другим — при 617 5° С [8]. Авторы работ [6, 7] приняли кубическую структуру (а = 18,50 А), что хорошо согласуется с данными М. Хансена и К- Андерко (см. т. 11 [9]]). Как показал расчет интенсивности, в структуре упорядочиваются катионные вакансии. Результаты исследования монокристаллов InjTea [81 показывают, что низкотемпературная модификация соединения имеет либо тетрагональную, либо ромбическую структуру. Этот вывод поддерживается в работе [5], авторы которой считают, что соединение имеет о. ц. тетрагональную решетку с симметрией 14тт. Работа проведена на порошках. [c.128]

У S jTeg г. ц. K. решетка типа у -А О., с периодом 5,817 0,005 А [1]. Согласно [2], структура этого соединения относится к типу ZjiS (цинковой обманки) с недостатком S . [c.404]

П. наиболее распространенный из сернистых металлич. минералов. Встречается в кристаллах, вросших в породу поодиночке или соединенных в правильные, округленные группы, или в виде друзов, дендритов, конкреций, или еще чаще в виде сплошных масс различной структуры (шаровидной, почковидной, гроздевидной). Эти образования имеют внутри лучистое, тонкозернистое или плотное сложение. В пластовых и жильных месторождениях П. встречается в сопровождении медного колчедана, цинковой обманки, свинцового блеска, мышьякового колчедана, серебряной руды, магнитного железняка, железного блеска, оловянного камня, шпатового железняка, а также особенно часто с кварцем в различных месторождениях. Кроме того П. встречается в древнейших изверженных горных породах (гранит, сиенит, диорит), в новейших (трахит, андезит), в кристаллич. сланцах, известняках, глинистых сланцах, в каменных и бурых углях, а также в других продуктах органич. происхождения (янтарь) В палеозойских формациях и кристаллич. сланцах П. образует значительные массы в сопровождении медного колчедана (хорошая медная руда), свинцового блеска и цинковой обманки, а также и золота (в кварцевых золотоносных рудах). [c.208]

При малом разнообразии П. у. и ограниченном числе анионов структурные типы определяются способами размещения катионов по пустотам. Так, напр., структура N301 —это кубич. П. у. из анионов С1, в которой все (крупные) октаэдрич. пустоты заселены N3, а все тетраэдрические — пустуют (рис. 6, а). В цинковой обманке 2п8 в кубич. [c.46]

Напомним, что в 5, в рассмотрено влияние макроскопического электрического поля на расщепление вырожденных оптических колебаний в кубических кристаллах с центром инверсии этот длинноволновый (для конечных волновых векторов) эффект вызывает также изменения в спектрах инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния. Проведенное в 5, в рассмотрение полностью применимо к кристаллам типа каменной соли. Поперечное оптическое (ТО) колебание (компонента расщепленного оптического колебания) активно в инфракрасном поглощении [см. (5.56)], тогда как продольное оптическое (L0) колебание неактивно. В комбинационном рассеянии оба колебания запрещены. Хотя мы не будем обсуждать в явном виде эти свойства, связанные с макроскопическим полем, и соответствующий анализ спектров, результаты, приводимые в 22—26, на самом деле получены с учетом эффектов макроскопического поля при определении энергетического расщепления TO — LO в фононном спектре. Наиболее яркие эффекты, например аномальная угловая зависимость комбинационного рассеяния, обсуждавщаяся в 5 [формулы (5.57) — (5.67)], появляются только в кубических кристаллах без центра инверсии (например, со структурой цинковой обманки) и не имеют места в рещетках каменной соли и алмаза. Однако эффекты нарущения симметрии, подобные рассмотренным в 6, ж могут приводить при наличии резонанса к весьма существенному изменению правил отбора и к анизотропному рассеянию даже в кристаллах кубической симметрии Он- [c.149]

Таблицы для структуры типа цинковой обманки РАЪт-, т [c.293]

Смотреть страницы где упоминается термин Цинковой обманки структура : [c.32] [c.261] [c.232] [c.257] [c.30] [c.263] [c.264] [c.266] [c.267] [c.268] [c.326] [c.190] [c.403] [c.440] [c.100] [c.359] [c.37] [c.49] [c.176] [c.38] [c.130] [c.293]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...