Возбуждение прямое

Магнитный поток возбуждения прямо пропорционален магнитной проводимости [г, которая зависит от величины зазора между якорем и полюсными выступами. Данный зазор изменяется при износе подшипников ротора л = fi И ) — [а (О Поэтому параметр также будет функцией времени [c.393]

В случае ионных линий, как уже указывалось в 78, возможны два типа возбуждения — прямое, когда в единичном акте столкновения электрона с нейтральным атомом возникает возбужденный ион, и ступенчатое, когда ион сперва возникает в нормальном состоянии, а затем возбуждается. В экспери- [c.453]

Таким образом, из-за неравномерности потока в абсолютном движении во время колебаний возникает переменная аэродинамическая сила, повернутая на 90° по отношению к вектору реакции опоры в сторону вращения. Это и есть та сила, которая прибавляется к поперечной силе в подшипниках и которая способствует возбуждению прямой прецессии вала. [c.251]

По приведенной выше формуле строим график тормозных характеристик. Тормозная характеристика для номинального возбуждения (прямая 1 на рис. 10, а) определяет величину максимального тормозного момента, поскольку при снижении напряжения возбуждения тормозной момент может только уменьшаться. Для расширения области нагружения необходимо уменьшить нагру- [c.20]

Вынужденные поперечные колебания балки, вызванные движением опор (рис. 6.2.1). Здесь внешние силы неизвестны, задано кинематическое возбуждение прямая линия, соединяющая опоры Л и Д в неподвижной системе координат хОу движется по закону д y- (t)(x - а), [c.339]

В простейшем случае, кроме фотона и электрона, в процессе-взаимодействия не принимают участия никакие другие элементарные возбуждения (прямые переходы). [c.261]

Сварка сжатой дугой осуществляется переменным или постоянным током прямой полярности. Возбуждают дугу с помощью осциллятора. Для облегчения возбуждения дуги прямого [c.84]

Второе уравнение (15.37) существенно отличается от первого. В нем, прежде всего, нет первой части, и в этом смысле оно может рассматриваться как уравнение собственных колебаний, но с переменным коэффициентом жесткости. Основываясь на виде уравнения, можно сказать, что воздействие силы на систему является не прямым, а косвенным. Внешнее воздействие сводится к периодическому изменению параметров уравнения. Отсюда и происходит название параметрические колебания . Полученное уравнение является простейшим уравнением параметрических колебаний, а механическая система, показанная на рис. 557, б, является колебательной системой с параметрическим возбуждением. [c.497]

Расход W-электрода при сварке может значительно увеличиться при слишком большом токе или подключении его на обратную полярность, а также при недостаточной защите его инертным газом или возбуждении дуги касанием. Допускаемые плотности тока для W-электродов выше на постоянном токе прямой полярности (20...30 A/мм ), примерно в 2 раза ниже на переменном токе и еще ниже (в 3...8 раз) — при сварке на обратной полярности. [c.102]

Поскольку явление люминесценции обусловлено переходами системы из возбужденных состояний в основное, то очевидно, что возникновение и протекание люминесценции должно находиться в прямой связи со структурой вещества — газа, жидкости и твердого тела, состоящих из атомов и молекул. [c.356]

Интенсивность высвечивания в данном случае есть величина, прямо пропорциональная убыли числа возбужденных частиц в единицу времени [c.370]

Если бы внутренняя конверсия имела двухступенчатый характер, то испускание электронов конверсии всегда сопровождалось бы испусканием у-фотонов соответствующей энергии, так как фотоэффект может вызвать только незначительная часть у-фотонов, испускаемых ядром. Однако известны случаи испускания конверсионных электронов при отсутствии у-квантов с энергией, соответствующей энергии конверсионных электронов. Интенсивность однородных групп конверсионных электронов примерно в 100 раз больше интенсивности тех же электронов, освобождаемых при прочих равных условиях в процессе фотоэффекта. Это дает указания на то, что электроны конверсии возникают в процессе прямой передачи энергии от возбужденного ядра к электронам оболочки. При этом само ядро без излучения у-кванта возвращается в нормальное состояние. [c.259]

Собственное поглощение. Оно связано с переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Выше уже отмечалось, что в идеальном полупроводнике при 7 = 0К валентная зона заполнена электронами полностью, так что переходы электронов под действием возбуждения в состояние с большей энергией в этой же зоне невозможны. Единственно возможным процессом здесь является поглощение фотона с энергией, достаточной для переброса электронов через запрещенную зону. В результате этого в зоне проводимости появляется свободный электрон, а в валентной зоне—дырка. Если к кристаллу приложить электрическое поле, то образовавшиеся в результате поглощения света свободные носители заряда приходят в движение, т. е. возникает фотопроводимость. Таким образом, для фотонов с энергией hvдлин волн (т. е. больших hv) имеет место сплошной спектр интенсивного поглощения, ограниченный более или менее крутым краем поглощения при hvинфракрасной области спектра. В зависимости от структуры энергетических зон межзонное поглощение может быть связано с прямыми или непрямыми оптическими переходами. [c.307]

Зеркальная симметрия интенсивностей поглощения и флуоресценции вытекает из зеркальной симметрии спектров. Интенсивности поглощения или флуоресценции с определенными частотами, соответствующими переходам между энергетическими уровнями нормального и возбужденного состояний, зависят от распределения молекул по этим уровням (от степени заселенности уровней обеих систем) и величины вероятностей переходов между уровнями этих систем. Поэтому симметрия интенсивностей требует вполне однозначных соотношений между распределением молекул по колебательным уровням нормального и возбужденного состояний и определенных соотношений вероятностей прямых и обратных электронных переходов. [c.253]

Используемая Гюйгенсом механическая модель эфира объясняла не только большую скорость распространения света, но и независимость распространения взаимно пересекающихся световых пучков. Последнее легко продемонстрировать на следующем опыте. Надо расположить шары на горизонтальной плоскости так, как это показано на рис. 1.2, б. Пусть шар А катится по направлению к шару В (вдоль прямой ВС), а шар D — по направлению к Е (вдоль прямой EF). В результате соударения шары Л и D остановятся вплотную у шаров В н Е соответственно, а шары С и F отскочат. В этом опыте два импульса возбуждения распространяются под прямым углом друг к другу и, пересекаясь в центре изображенной на рис. 1.2, б фигуры, не оказывают один на другого какого-либо влияния. [c.24]

В процессе своего перемещения по кристаллу электрон проводимости может быть захвачен на уровень , (переход 6 на рис. 8.2). На этом уровне он может находиться достаточно долго, а затем может возвратиться (за счет, например, теплового возбуждения) обратно в зону проводимости — переход 7. Наличие в кристаллофосфоре подобных ловушек электронов, естественно, существенно увеличивает длительность люминесцентного свечения. Заметим, что длительность люминесценции связана не только с ловушками , но и с рядом других факторов. Например, она связана с временем жизни экситонов. Напомним, что непрямой экситон живет значительно дольше, чем прямой (см. 6.4). [c.190]

Таким образом, матричный элемент (12.3.7) прямого возбуждения электрона может быть представлен в виде [c.285]

Электрон, возбужденный фотоном, получает энергию few=AE, но конечное его энергетическое состояние ниже точки а (см. рис. 53) на величину ДЕ4 = ДЕ —ДЕ". Эта избыточная энергия отдается фонону так же, как и избыточный импульс Рф. Таким образом, непрямой переход электрона можно рассматривать как прямой переход и опускание электрона в зоне проводимости из точки а в точку б с излучением фонона. [c.159]

Правило зеркальной симметрии спектров поглощения и люминесценции Левшина. Это правило было установлено В. Л. Левши-ным для многих веществ, обладающих молекулярным свечением. Оно также касается взаимного расположения и формы спектров поглощения и люминесценции и может быть сформулировано следующим образом нормированные спектры поглош ения а(т) и люминесценции I v)/v, изображенные в функции частот зеркально-симметричны относительно прямой, проходящей перпендикулярно к оси частот через точку пересечения кривых обоих спектров, где а и I — показатели поглощения и интенсивности люминесценции в частоте V (рис. 68). Выполнение этого правила тесно связано со строением колебательных уровней возбужденного и невозбужденного состояний молекулы и вероятностями поглощательных и излучательных переходов между ними (подробнее см. в задаче 11). [c.177]

Существенное значение имеет частота линий зеркальной симметрии vo. Из рис. 75 видно, что частоте vo соответствуют поглощательные и излучательные переходы, происходящие между самыми нижними колебательными уровнями невозбужденного и возбужденного электронных состояний исследуемых молекул (переход 0"->0 в поглощении и переход О - О" в излучении). Значения частот этих прямых и обратных переходов одинаковы и равны частоте vo. Следовательно, представляет собой частоту чисто электронного перехода, определяющую расстояние между самыми нижними колебательными уровнями невозбужденного и возбужденного состояний молекулы. Таким образом, при строгом выполнении правила зеркальной симметрии спектров поглощения и люминесценции частота чисто электронного перехода определяется автоматически, по частоте линии симметрии (точки пересечения) обоих спектров. Однако существенно, в каких координатах следует строить исследуемые спектры поглощения и люминесценции. [c.201]

Ядерные реакции, происходящие при столкновении нейтронов с ядрами, характеризуются большим разнообразием и зависят от индивидуальных особенностей сталкивающихся частиц и энергии их относительного движения. Всю совокупность ядерных реакций условно можно разделить на две группы реакции с образованием составного ядра и прямые ядерные реакции. Система, образующаяся из поглощенного нейтрона и ядра мишени и находящаяся в сильно возбужденном состоянии, называется составным ядром. Время жизни составного ядра составляет около 10 с, а энергия возбуждения равна сумме кинетической энергии и энергии связи поглощенного нейтрона. Энергия возбуждения составного ядра распределяется среди большого числа степеней свободы. [c.1102]

Рекомбинация. Электроны в зоне проводимости полупроводника находятся в возбужденном состоянии и, следовательно, имеют конечное время жизни. При встрече они аннигилируют с дырками. Однако вероятность такой рекомбинации очень мала, потому что и электроны, и дырки движутся с большими скоростями и вероятность их нахождения в одном и том же месте пространства в один и тот же момент времени ничтожна. Поэтому главный путь рекомбинации осуществляется посредством захвата электронов (или дырок) примесными атомами. Захваченный электрон (или дырка) удерживается около примесного атома до тех пор, пока не аннигилирует с пролетающей мимо дыркой (или электроном). Этот механизм значительно более эффективен, чем прямая рекомбинация. Тем не менее вероятность рекомбинации посредством захвата также не очень велика и обычно обеспечивает сравнительно большую продолжительность жизни соответствующих носителей. В германии и кремнии продолжительность жизни носителей до рекомбинации имеет порядок 10" с. [c.355]

Возбуждение источника каскадного излучения пар фотонов. Перевод атомов кальция на верхний возбужденный уровень (см. рис. 152) осуществлялся прямым двухфотонным возбуждением посредством двух лазеров криптонового лазера с А, = = 406 нм и перестраиваемого лазера с А, = 581 нм, настроенного на резонанс для двухфотонного процесса. Излучение лазеров имеет параллельную поляризацию и фокусируется на пучок атомов кальция. Мощность каждого лазера составляла несколько десятков милливатт, а их излучение фокусировалось на площадь менее 0,01 мм атомного пучка с концентрацией примерно 10 ° атомов/см . При этих условиях частота каскадных переходов, при которых излучаются пары фотонов, превосходит 10 каскадов/с. Была обеспечена также высокая стабильность частоты каскадных переходов (лучше чем 1% в течение нескольких часов). [c.423]

Как отмечалось в 4.1, в консервативной нелинейной системе установление стационарной амплитуды характеризуется уменьшением до нуля величины вкладываемой энергии и реализуется за счет изменения средних значений нелинейных реактивных параметров (емкости или индуктивности). В диссипативной же системе достижение энергетического баланса и соответственно установление стационарной амплитуды происходит при отличных от нуля вложениях энергии и может осуществляться не только за счет эффективной расстройки системы, связанной с изменением среднего значения одного из реактивных параметров системы, но при наличии в возбуждаемой системе нелинейного затухания и путем изменения величины потерь. Если в возбуждаемой системе значения L и С не зависят от величин тока и напряжения, а эффективные потери растут с увеличением амплитуд колебаний быстрее, чем квадрат последней, что соответствует возрастанию величины R или нагрузки с увеличением тока (это весьма легко реализовать, например, за счет термических эффектов), то можно ввести в рассмотрение медленно меняющееся затухание и представить дело так, как будто с ростом амплитуды возбужденных колебаний увеличивается наклон прямой, проходящей через вершины областей неустойчивости, и области неустойчивости поднимаются вверх (см. рис. 4.3, б). Это будет происходить до тех пор, пока изображающая точка, ранее находившаяся внутри одной из областей неустойчивости, не окажется на ее границе, что будет свидетельствовать о наступлении энергетического баланса. [c.161]

Случай 7<0. Качественно он не отличается от ситуации, когда ео = (), т. е. соответствует мягкому режиму возбуждения. Тогда кривая второго порядка (к) проходит очень близко от прямой, описывающей решение для кубической аппроксимации (ед = 0) (рис. 5.27). [c.209]

При излучении резонансной линии в газоразрядной плазме низкого давления при небольших плотностях электрического тока можно пренебречь всеми процессами, кроме прямых возбуждений и спонтанных переходов. Тогда [c.436]

По формуле (6) при прямых возбуждениях интенсивность резонансной линии пропорциональна концентрации электронов и зависит от электронной температуры Т . В газоразрядной плазме в положительном столбе при возрастании плотности разрядного тока i обычно происходит возрастание Л/ и спад Т . При этом концентрация электронов растет либо линейно с разрядным током, либо несколько быстрее. Спад же электронной температуры происходит медленно, так что в определенном интервале плотностей разрядного тока можно приближенно считать ее постоянной. Тогда интенсивность линии должна расти линейно с концентрацией электронов [c.441]

Роль ступенчатых процессов наблюдается и при свечении ионных линий. Возбуждение иона может происходить прямым путем, т. е. в результате соударения электрона с нормальным атомом при этом атом одновременно ионизируется н возбуждается. Кроме того, возбуждение иона может происходить ступенчатым способом сперва образуется ион в нормальном состоянии, а затем он возбуждается. [c.443]

Согласно формуле (50) усиление колебаний на переходных участках за счет вторичного возбуждения прямо пропорционально величине коэффициента резания, синусу угла запаздывания и обратно пропорционально частоте колебаний и крутизне характеристики демпфирования. По сравнению с тем, что уже было получено выше для установившихся движёний, новым здесь является зависимость от угла запаздывания (сдвига по фазе). Если сот = я, то механизм вторичного возбуждения усиливает колебания, если т = О, то он не оказывает никакого влияния и амплитуда колебаний будет такой же, как при резании по чистому . Это минимальное значение амплитуды уже не может быть уменьшено никаким подбором величины запаздывания т. Таким образом, для того чтобы можно было управлять вторичным возбуждением, нужно, чтобы этот процесс был неустановившимся. Управлять вторичным возбуждением в этом случае можно с помощью изменения фазы ф или путем изменения частоты вращения инструмента или заготовки. [c.114]

Прямые преобразователи предназначены для возбуждения продольных волн, наклонные в основном сдвиговых (поперечных) и поверхностных волн, а также продольных волн, вводимых под углом к поверхности контролируемого изделия. С рабочей стороны прямых преобразователей (рис, 4,7, а) на пьезопластине 3 имеется защитное донышко 4 (протектор), предохраняющее пьезопластину от механических повреждений. С [c.195]

Полный вывод гидродинамических уравнений для смесей — см, книгу Халатикова И. М. Теория сверхтекучести. — М. Наука, 1971, гл. XIII. Эти уравнения становятся неприменимыми при очень низких температурах, когда возникает квантовое вырождение элементарных возбуждений, связанных с атомами прямее . [c.719]

Изучение реакций прямого взаимодействия очень важно с точки зрения ядеряой спектроскопии, так как прямой переход от начального состояния ядра к конечному (без <образования промежуточного ядра) упрощает задачу определения параметров одного из них по известным характеристикам другого (нет необходимости учитывать характеристики возбужденного промежуточного ядра). [c.457]

Сделанные замечания относились к междузонным переходам, связанным с возбуждением электрона, т. е. с рождением электронно-дырочной пары при этом фотон поглощался. Обратные процессы (рекомбинация электронно-дырочной пары) также могут идти как через прямые, так и через непрямые переходы. [c.151]

Роль других механизмов проанализируем на примере реакции (р, р ). На рис. 4.14 изображен энергетический спектр протонов, вылетающих под углом = 35° в реакции 2вРе (р, р ). Энергия налетающих протонов равняется 62 МэВ. Высокоэнергичная часть спектра ( = 50—60 МэВ) возникает от прямой ядер-ной реакции (см. 10). Налетающий протон тратит часть своей энергии ( 10 МэВ) на прямое возбуждение простых степеней свободы ядра. Высокий максимум при энергии Е = 5—7 МэВ соответствует испарительным протонам. Область спектра от 10—12 МэВ до 50 МэВ не описывается ни статистической теорией ядерных реакций, ни рассматриваемыми ниже в 10 прямыми реакциями. Существование такой области спектра характерно для реакции (р, р ) не только на Fe , но и на других ядрах. На рис. 4.15 приведены [c.148]

Прямые преобразователи предназначены для возбуждения продольных волн. В контактных наклонных совмещенных преобразователях (рис. 23, б) для ввода ультразвуковых колебаний иод углом к поверхности контролируемого изделия применяют призму 8. Эти колебания предназначены для возбуждения в с сновном сдвиговых, поверхностных и нормальных волн. [c.204]

В работе [23] была развита теория диффузии внедренных атомов, основанная на модели многократных перескоков . Согласно этой модели внедренный атом в результате теплового возбуждения может совершить перескок не только в блин1айшее, но и в более удаленные междоузлия, осуществляя сразу переход на несколько элементарных расстояний, равных расстоянию между ближайшими междоузлиями. Это видоизменяет выражение для коэффициента диффузии, который в результате учета многократных переходов умножается на фактор, определяемый средним числом элементарных скачков, совершаемых диффундирующим атомом между двумя равновесными положениями с колебательным состоянием движения. Применение модели многократных перескоков к случаю диффузии внедренных атомов как в металлах, так и в упорядочивающихся сплавах [24] привело к ряду новых результатов. Среди них можно отметить получающиеся отклонеиия от прямой Аррениуса, обусловленные особенностями принятой модели диффузии. В анизотропных упорядоченных сплавах процесс диффузии ведренных атомов усложняется еще тем, что в разных направлениях внедренный атом совершает многократные переходы разной средней длины. [c.320]

Условия, при которых формула (14) применима, могут быть с достаточной степенью приближения осуш,ествлены. Они реализуются в положительном столбе тлеюш,его разряда в одноатомном газе при малом давлении и малой плотности разрядного тока. Как видно, в этих условиях интенсивность линии определяется суммой двух членов, из которых первый, зависящий от эффективного сечения Qqa учитывает роль прямых возбуждений электронными ударами, а второй — роль каскадных переходов. Последние, в свою очередь, определяются эффективными сечениями Qq 1 = , xd). [c.433]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...