Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Заряд, распределение плотности

Заряд, распределение плотности 307, 392,  [c.738]

В 1963 г. были получены результаты для q до 125 ферма , из которых следовало, что форм-факторы при больших q не выходят на плато, а продолжают плавно стремиться к нулю по закону 1/ 2. Это означает, что в нуклоне керна нет, т. е. что плотность заряда и тока (магнитного момента) в нуклоне также изменяются плавно. Распределение плотности заряда и магнитного момента в протоне и магнитного момента в нейтроне носит экспоненциальный характер со среднеквадратичным радиусом 0,8 ферма. Результаты, относящиеся к распределению заряда в нейтроне, менее однозначны. Таким образом, от старых результатов сохранились только значения среднеквадратичных радиусов, но зато были получены новые, очень интересные результаты.  [c.273]


Уравнения (60) связывают плотность тока проводимости j с пространственными производными от напряженности магнитного поля Н. Если к уравнениям (60) добавить уравнение (17), связывающее вектор электростатической индукции В с распределением плотности свободных зарядов в объеме р о  [c.194]

Рис. 5.8. Распределение плотности зарядов в молекуле водорода (а) и в двух отталкивающихся атомах (б) Рис. 5.8. Распределение плотности зарядов в <a href="/info/378821">молекуле водорода</a> (а) и в двух отталкивающихся атомах (б)
Рис. 2.13. Распределение плотности заряда в атомных ядрах. Плотность нормирована на J р (/ ) ir = 1. Рис. 2.13. Распределение плотности заряда в <a href="/info/12435">атомных ядрах</a>. Плотность нормирована на J р (/ ) ir = 1.
Отмеченные выше общие особенности распределения ядерного заряда — постоянство плотности, толщины поверхностного слоя и плавная зависимость радиуса половинной плотности от Л—оказываются справедливыми лишь в среднем. Более детальное исследование обнаруживает ряд отклонений от общей картины. Укажем некоторые из них  [c.58]

Поскольку в D-состоянии распределение плотности заряда не является сферически симметричным, то при нецентральных силах дейтрон должен обладать ненулевым квадрупольным электрическим моментом. Как мы уже знаем из 1, квадрупольный момент дейтрона действительно не нуль, хотя и не очень велик. По величине квадрупольного момента можно оценить вклад D-состояния в дейтроне. Расчеты показывают, что доля D-состояния в дейтроне составляет примерно 4%, т. е. дейтрон в среднем 4 минуты из 100 находится в D-состоянии.  [c.176]

При малых г плотность заряда и плотность магнитного момента примерно пропорциональны г. Распределение заряда в нейтроне оказывается всюду близким к нулю, хотя, казалось бы, за счет виртуальных распадов на протон и отрицательный пион в центре нейтрона должны преобладать положительные заряды, а на периферии — отрицательные. Плотность магнитного момента в нейтроне имеет такую же форму, как и в протоне. В 1977 г. группой советских и американских физиков был измерен среднеквадратичный радиус распределения электрического заряда в отрицательном пионе. Оказалось, что  [c.388]


С квантовомеханической точки зрения, и представляют собой средние плотности электрических зарядов, соответствующих состояниям, описываемым функциями f(l) и (2). Поэтому интеграл (5) представляет собой энергию кулоновского взаимодействия 1-го и 2-го электронов, усредненную в соответствии с распределением плотностей вероятностей обнаружения 1-го и 2-го электронов во всем пространстве. Эта часть энергии носит название  [c.159]

На рис. 93, где приведено распределение плотности заряда в ионе Rb+ ло Хартри, пунктирными линиями нанесены средние плотности зарядов, соответствующие отдельным электронам Is, 2s, 2р, Зр и 3d. Как видно, максимумы суммарной кривой обусловлены наличием групп электронов с одинаковыми главными квантовыми числами — это отвечает предположению  [c.205]

Рис. 92. Радиальное распределение плотности заряда в атоме аргона, полученное по методам Хартри и Фока. Рис. 92. Радиальное распределение плотности заряда в атоме аргона, полученное по <a href="/info/18903">методам Хартри</a> и Фока.
Рис. 94. Радиальное распределение плотности заряда в атоме ртути. Рис. 94. Радиальное распределение плотности заряда в атоме ртути.
Если представить себе атомное ядро в виде сложной системы с распределением плотности электрического заряда в пределах ядра по некоторому закону ер г), то потенциал V, вызванный ядром, равен  [c.551]

В случае сферически-симметричного расположения электронов в оболочке атома постоянная 5 = 0. В общем случае значение ее определяется только теми электронами, распределение плотности заряда которых не обладает сферической симметрией.  [c.552]

Ленточный диполь (рис. 1, б). Магнитный заряд распределен по элементу поверхности dS грани с поверхностной плотностью а(т])  [c.84]

Пространственная объемная) плотность электрического заряда. Иногда заряд распределен в некотором объеме (приэлектродные области при электролизе и в газовом разряде, у границы между двумя полупроводниками с разным характером проводимости и т.п.). В этих случаях распределение заряда характеризуется пространственной (объемной) плотностью, которая при равномерном распределении заряда равна заряду, приходящемуся на единицу объема  [c.241]

Поверхностная плотность электрического заряда. Поверхностная плотность заряда есть отношение заряда к площади поверхности, на которой он распределен. Согласно формуле  [c.242]

Линейная плотность электрического заряда. Распределение заряда на протяженном проводнике характеризуется линейной плотностью заряда, которая при равномерном распределении равна заряду, приходящемуся на единицу длины проводника  [c.242]

Поля М. и. (9) заданных интенсивности, типа (элект-рич. или магн.) и мультипольного характера 1т) могут генерироваться источниками, заключёнными внутри сферы произвольного, сколь угодно малого радиуса. Для любого распределения плотности заряда-тока  [c.221]

Упругое и квазиупругое (с расщеплением дейтрона) рассеяние электронов на дейтроне позволяет найти распределение плотности электрич. заряда и магн. момента Н. формфактор Н.). Согласно эксперименту, распределение плотности магн. момента Н. с точностью порядка веек, процентов совпадает с распределением плотности электрич. заряда протона и имеет среднеквадратичный радиус см (0,8 Ф). Магн. форм-  [c.268]

Уравнения (4.7) —(4,8) показывают, что причинами изменения концентрации носителей могут быть неодинаковость числа носителей, втекающих (и вытекающих) в элементарный объем полупроводника (тогда dlvJ O), и нарушение равновесия между процессами генерации и рекомбинации носителей. Уравнения (4.9) и (4.10), называемые уравнениями плотности тока, характеризуют причины протекания электрического тока в полупроводнике электрический дрейф под воздействием электрического поля (grad tp= 0) и диффузию носителей при наличии градиента концентрации. Уравнение Пуассона характеризует зависимость изменений в пространстве напряженности электрического поля Е=—gгadф от распределения плотности электрических зарядов pi  [c.156]


С учетом распределения плотности твердых частиц это приводит к различию между отношениями масс и расходов твердой фазы и газа [7451. На фиг. 4.24 показаны экспериментальные данные и резу.льтаты расчетов на основе интегральной измеренной плотности и профилей потока массы [745]. Отношения, полученные этими двумя способами, были бы идентичны, если при движении по трубе взвесь была подобна газообразной среде. Результаты показывают, что отношение потоков массы заметно меньше, чем отношение масс. Если сравнить кривые для двух скоростей 42,7 п 18,9 м1сек), то можно видеть, что при сходных значениях отношения заряда к массе при ма.лых скоростях потока электростатический эффект ощущается заметнее. Это подтверждает концепцию минил1альной скорости переноса частиц [8041.  [c.192]

Данные, приведенные на фиг. 4.28, служат иллюстрацией того, что распределение плотности и скорости дискретной фазы зависит от отношения заряда к массе частиц и коэффициента диффузии частиц. Если построить зависимость параметров, характеризующих распределения скорости и плотности [в соответствии с формулами (4.86) и (4.87)] от турбулентного числа электровязкости Еу, величины (Нро — Мрш)/иро и т будут стремиться к единице, т. е. пределу, отвечающему вязкому движению частиц дискретной фазы (разд. 5.5). Профиль плотности, однако, в очень сильной степени зависит от Еу. При больших значениях Еу невозможно поддержать стационарное течение взвеси, поскольку  [c.195]

Пламли [612] учел силы инерции, поле вязкого потока и распределение плотности заряда на поверхности взаимодействующих капель, а также внешнее электрическое поле. Его результаты представлены на фиг. 10.14 в виде зависимости эффективности столкновений между заряженными каплями от их заряда. Для заряда был выбран закон пропорциональности квадрату радиуса капли, предложенный в работе [296] [уравнение (10.6)].  [c.478]

Представляет интерес движение по трубе смеси газ — твердые частицы. Если труба — проводник или диэлектрик с равномерно распределенным зарядом, то, согласно закону Гаусса, электрического поля внутри трубы не будет. Если частицы равномерно заряжены и осесимметрично распределены по трубе, то частица, возможно, осядет на стенку, если поток нетурбулентен. Согласно уравнению (10.157), мелкие стеклянные шарики в атмосферном воздухе при концентрации 1 кг частицЫг воздуха на расстоянии 1 см от оси будут иметь в 10 раз большее ускорение, чем под действием силы тяжести даже при отношении заряда к массе, равном 0,002 к1кг. Радиальная составляющая интенсивности турбулентного движения частиц в соответствии с приближением oy [721] составляет 10 м сек для частиц диаметром 100 мк. Этот эффект может полностью компенсировать действие силы тяжести на смесь газ — твердые частицы в горизонтальной трубе и стать одной из возможных причин большой разницы между поперечной и продольной интенсивностями турбулентного движения частиц (разд. 2.8). Распределение плотности, данное oy [726], можно приписать дрейфовой скорости, обусловленной главным образом электрическим зарядом частиц.  [c.485]

В заключение следует заметить, что высокая точность современных опытов по исследованию рассеяния быстрых электронов па ядрах позволяет не только определить средние размеры области, занятой протонами, но Н оценить распределение плотности заряда по ядру. Оказалось, что экспериментальные результаты лучше всего согласуются не с равномерным распределением заряда в ядре, а с раапределением вида  [c.56]

Вопрос о смещениях атомов вокруг точечного дефекта рассматривался выше без учета электронной структуры металла. Учет электронной подсистемы кристалла приводит при исследовании этого вопроса к некоторым новым результатам. Для выяснения лишь их общей качественной стороны ограничимся простейшей моделью газа свободных электронов проводимости. Появление точечного дефекта сопроволедается изменением распределения зарядов в металле. В случае вакансии удаление положительного иона вызывает появление на его месте эффективного отрицательного заряда, отталкивающего электроны проводимости. При добавлении примесного атома его валентные электроны могут перейти в электронный газ и в результате появится соответствующий заряд в месте расположения иона примеси. Этот заряд, как и в случае вакансии, экранируется электронами проводимости. Таким образом, появление дефекта сопровонсдается измененпем пространственного распределения плотности электронов, соответствующим изменению их волновых функций.  [c.86]

В качестве примера остановимся подробнее на случае вакансии, считая потенциал попов равномерно распределенным в пространстве п рассматривая вакансию как полость в среде. Для простоты примем, что па границах полости имеются бесконечно высокие потенциальные стенки и, следовательно, электроны не могут находиться в этой полостп, т. е. волновые функции их там равны нулю. Сформулируем постановку задачи в одномерном случае, когда полость представляет собою пустой зазор между двумя плоскостями и где задача сводится к определению распределения плотности электронного заряда вблизи плоской поверхности среды, заполняющей полупространство [16]. Пусть эта поверхность является нлос-  [c.86]

Распределение плотности заряда р(г) и электрич. ноля J[c.695]

Материальная связь в простейшем случае имеет вид = X Это система М. у. для электростатики, в к-рой источниками служат заданные распределения плотности электрич. заряда р и сторонней поляризации Р .р. В однородной среде (е = onst) эл.-статич. потенциал ф определяется Пуассона уравнением  [c.38]

Мультиполи наз. внешними, если их поля рассматриваются во внешней (по отношению к источникам) области, и внутренними — при рассмотрении их полей внутри системы, но в области, свободной от источников. В области, занятой источниками, такое простое представление невозможно, поскольку амплитуды полей (3), (4) зависит от координат и, кроме того, существенно наличие продольных мультипольных потенцпалов 4л/(й /с)рг 1, . Более того, величины (5) — (7) не дают полного описания распределения зарядов и токов в источнике и особенностей их взаимодействия с внеш. полем в общем случае необходимо ещё задание т. и, (2и + - - /)-степенных радиусов распределения плотности заряда и тока. Последние определяются интегралами вида  [c.220]


Совместное использование Н. с. и РСА позволяет найти распределение электронной плотности в атоме. Фурье-синтез электронной плотности в элементарной ячейке методом РСА восстанавливает распределение плотности электронов, размытое тепловым движением атома. Б. с. позволяет рассчитать электронную плотность сферически симметричной части атома, размытую тепловым движением. Разностный Фурье-синтез содержит информацию о несферич. части электронной оболочки атома, участвующей в хим. связях (рис. 4), что даёт возможность определить характер связи (одинарная, кратная, а- или я-связь), заряд иона или ионной группы и др.  [c.287]

С. на основе гомопереходов в прямозонных полупроводниках, легированных т. в. мелкими примесями (см. Примесные уровни), имеют существ, недостаток — сильное поглощение излучения внутри кристалла (коэф. поглощения а — 10 см Ч. Снижение потерь па межзонное поглощение достигается уменьшением энергии излучения за счёт Компенсации примесей в активной области (напр., в эпитаксиальной р — л-структуре GaAs, легированной Si). При сильном легировавии и компенсации хаотически расположенный в пространстве заряд примесей создаёт искривление границ зон, при к-ром локальная ширина запрещённой зоны остаётся постоянной (см. Сильнолегированный полупроводник). Это приводит к тому, что в распределении плотности состояний появляются участки при энергиях ниже зоны Проводимости и выше валентной зоны — т. н. хвосты плотности состояний, пространственно разделённые в обеих зонах. В С. с такой структурой в излучат, рекомбинации принимают участие глубокие и удалённые группы состояний, При этом излучаемые фотоны характери-  [c.466]

ТОМАСА — ФЕРМИ АТОМ — квазиклассич. статистич. модель атома, основанная на применении Томаса — Ферми теории к атому с большим числом электронов (Z l). Исходным является предположение о непрерывном сфери-чески-симметричном распределении плотности заряда р(г) в атоме. Энергия электрона записывается в виде  [c.122]

Реакции под действием пионов (л ), каонов (К ) и шти-протоиов (р). При взаимодействии этих частиц с кулонов-ским полем ядра атома происходят их захват и образование т, н. экзотических атомов (см. Адронные атомы), а затем поглощение ядром. Изучение рентг. спектров адронных атомов позволяет получить сведения как о распределении плотности заряда в ядре, так и о свойствах самих отрицательно заряженЕ ых частиц, заменивших электрон в атоме.  [c.669]

Кюри ниже комнатной эффект индуцированного изменения показателя преломления основывается на квадратичном электрооптическом эффекте. Линейный эффект отсутствует, так как при комнатной температуре керамика находится в центросимметричной фазе. На рис. 7.17 показан образец керамики, в котором записана решетка. Электрическое поле Ец приложено перпендикулярно полосам решетки. Фотовозбужденные электроны дрейфуют из освещенной области в неосвещенную и создают в освещенной области среднее поле пространственного заряда Е направленное противоположно приложенному полю Ео. Вдоль направления приложенного поля Ео синусоидальное распределение плотности света создает пространственную модуляцию Е(ж)  [c.328]


Смотреть страницы где упоминается термин Заряд, распределение плотности : [c.298]    [c.299]    [c.55]    [c.61]    [c.162]    [c.205]    [c.210]    [c.279]    [c.249]    [c.221]    [c.467]    [c.547]    [c.582]    [c.302]    [c.315]   
Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.307 , c.392 , c.394 , c.395 ]



ПОИСК



Заряд

Заряд, плотность

Плотность заряда распределения облака

Плотность распределения

Распределенный заряд

Щелочно-галоидные соединения распределение плотности заряда



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте