Частотная зависимость диэлектрической проницаемости

ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ [c.294]

Таким образом, изучая частотные зависимости диэлектрической проницаемости и электрической проводимости ПИНС в объеме в сопоставлении с другими данными, можно составить довольно полное представление об их структуре. [c.215]

Рис. 3.8. Частотные зависимости диэлектрической проницаемости (я), плотности поглощенной энергии (б), коэффициента потерь (в) н тангенса угла потерь (г) диэлектрика, в котором преобладают тепловые механизмы поляризации

Рис. 3.11. Частотная зависимость диэлектрической проницаемости однодоменного монокристалла титаната бария при 300 К (в тетрагональной фазе)

Пусть в плазме при низком давлении концентрация свободных электронов равна п. Показать, что частотная зависимость диэлектрической проницаемости плазмы описывается формулой [c.46]

Материальная среда в классической теории описывается совокупностью гармонических осцилляторов, характеризуемых собственной частотой /о, силой осциллятора р и затуханием 7. Используя уравнения Максвелла для электромагнитного излучения и уравнения классической механики для описания движения зарядов осцилляторов, можно получить соотношения для частотной зависимости диэлектрической проницаемости [c.8]

Частотная зависимость диэлектрической проницаемости кабельной бумаги после ее вакуумной сушки и последующих различных выдержках на воздухе с относительной влажностью 7Ь% аналогична установленной для картона. [c.256]

В связи с процессом дипольной поляризации температурная и частотная зависимости диэлектрической проницаемости у полярных диэлектриков отличаются от характера этих же зависимостей у нейтральных диэлектриков. [c.24]

ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ [c.98]

Рис. 3.32. Частотная зависимость диэлектрической проницаемости

Если тензор эффективной массы электронов и дырок отрицателен (критическая точка типа Мд, см. 42), то кулоновское взаимодействие между электроном и дыркой можно рассматривать как отталкивающее взаимодействие для частицы с положительной массой. В этом случае связанные состояния не возникают, однако такое дополнительное взаимодействие сказывается на частотной зависимости диэлектрической проницаемости кристалла вблизи края собственного поглощения [214]. [c.316]

Первый способ заключается в изучении частотных зависимостей диэлектрических параметров при постоянной температуре. Такой способ оценки диэлектрических потерь г" и диэлектрической проницаемости е дает возможность легко рассчитать спектры времен релаксации. Однако практически он почти никогда не реализуется ввиду того, что возможность одной экспериментальной установки, как правило, не может перекрыть диапазон частот, превышаюш,ий 2—3 порядка. Поэтому для того чтобы получить более или менее полную информацию о релаксационных процессах в полимере, требуется перекрыть диапазон частот, соответствующий 10—12 порядкам. Этого можно достичь, проводя измерения на нескольких экспериментальных установках на образцах разных размеров и различной формы. Все это делает весьма затруднительным сопоставление таких экспериментальных данных. [c.240]

Рис. 16. Частотные зависимости эквивалентной электропроводности и диэлектрической проницаемости растворов сильных электролитов а, б — зависимости эквивалентной электропроводности растворов от частоты в, г — зависимости диэлектрической проницаемости растворов от частоты

Фиг. 34. Зависимость диэлектрической проницаемости и = е з/во, кр и частотной постоянной стержня Л 1 от температуры для стабилизированной керамики PZT-4.

Емкостный метод, разработанный в МЭИ В. А. Головиным, основан на измерении изменений емкости поверхностного конденсатора при наличии на его электродах пленки. В этом случае образуется некоторое распределение плотностей силовых линий напряженности электрического поля между пленкой и паровой фазой. Большая плотность соответствует среде с большей диэлектрической проницаемостью (пленке). При росте толщины пленки все большее число силовых линий входит в пленку, увеличивая плотность поля, поэтому емкость датчика возрастает с увеличением толщины пленки. Расчет изменения емкости датчика в зависимости от толщины пленки довольно сложен, однако такую зависимость легко получить моделированием. В МЭИ применялись две основные схемы измерения емкостным методом. Электронная аппаратура (рис. 2.28,а), состоящая из высокочастотного измерительного генератора с частотой 12 МГц, с поверхностным емкостным датчиком и частотного детектора, позволила измерять толщины непрерывных пленок воды при 20 °С в диапазоне О—1,5 мм с точностью до 0,01 мм, причем линейный участок находился в диапазоне О—0,5 мм. [c.62]

Дисперсия диэлектрической проницаемости. Зависимость диэлектрич. проницаемости от частоты перем. поля е((й) наз. частотной или временной дисперсией диэлектрич. проницаемости. [c.696]

Величины диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь зависят от состава, строения и структуры диэлектриков, а также от условий внешней среды (например, температуры, частоты электрического поля). Так, при повышении температуры диэлектрическая проницаемость уменьшается. Частотные зависимости этих величин используются для выбора оптимальных рабочих частот в различных устройствах электронной и радиотехнической аппаратуры. [c.150]

Частотные зависимости е, е" и tg б представлены на рис. 17.5. С ростом частоты в монотонно снижается от статического значения 6 (со 0) до высокочастотного Воо (со со)., принимая при частоте релаксации сОр среднеарифметическое значение (в . + е х,)/2. Мнимая составляющая комплексной диэлектрической проницаемости максимальна ири частоте релаксации, где в" = (е — Воэ)/2. Максимум tg б лежит при несколько большей частоте [c.135]

В тех случаях, когда диполи в диэлектрике одинаковы, но имеют разное окружение, приводящее к различию т, времена релаксации могут иметь непрерывное распределение вокруг среднего значения. Частотная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости вместо (17.19) в этом случае описывается соотношением [c.136]

Рис. 17.5. Частотные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при релаксационной дебаевской дисперсии (масштаб б увеличен)

Для идентификации механизма диэлектрических потерь используют главным образом два метода снятие частотной зависимости в изотермических условиях и определение температурной зависимости tg б при постоянной частоте поля. Максимумы на кривых частотной зависимости tg 6 совпадают с точками перегиба на кривых дисперсии электропроводности и диэлектрической проницаемости. [c.137]

Рис. 22. Частотная зависимость составляющих комплексной диэлектрической проницаемости.

Рис. 50. Частотные и температурные зависимости составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь льда.

Частотная зависимость относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь титаната бария в слабых полях представлена на рис. 117. Из этого рисунка видно, что диэлектрические потери у титаната бария весьма велики — особенно на высоких частотах, что ограничивает его применение. Электрическая прочность титаната бария также невысока (см. рис. 69) и снижается при более низких температурах, чем у других керамических материалов. [c.221]

Между поведением резин в механическом поле с гармоническим импульсом нагружения и в электрическом поле переменного тока имеется аналогия, отмеченная в серии работ [24, 74, 133, 154, 178— 181, 377, 427, 428]. У ненаполненных вулканизатов частотные (со — частота переменного тока) и температурные зависимости составляющих е и е" комплексной диэлектрической проницаемости е = = в — ie" описываются [428] уравнениями Дебая, формально аналогичными зависимостям (1.3.11) для динамических свойств линейных вязкоупругих систем [c.170]

Если определить частотную зависимость относительной диэлектрической проницаемости Ег и коэффициента потерь в г у обычного диэлектрика, то получится характеристика, показанная на рис. 2-5-1. С повышением частоты начинают последовательно исчезать миграционная, 98 [c.98]

Задача 2-32. Изобразите графически частотную зависимость комплексной относительной диэлектрической проницаемости, выведенную из теории многослойного конденсатора Максвелла, и сравните с данными, полученными по теории Дебая. [c.108]

Мнимая часть диэлектрической проницаемости (50.35) характеризует частотную зависимость истинного поглощения света кристаллом ). Первое слагаемое в (50.35) соответствует узкополосному резонансному поглощению фотонов с частотой сор и волновым вектором ( в результате образования в кристалле экситонов с частотой сор и квазиимпульсом НЦ. Второе слагаемое в (50.35) характеризует широкополосное поглощение в области частот [c.398]

До сих пор шла речь об исследовании эффектов пространственной дисперсии в кристаллах по прохождению через них света. Как уже указывалось ранее, в таких экспериментах существенное значение играет сильное поглощение новых волн. В этой связи представляют интерес эксперименты по отражению света от поверхности кристалла dS при 1,6 — 4,2° К. проведенные в работе [22а]. В этой работе наиболее полно представлены результаты исследования частотной зависимости коэффициента отражения света в окрестности экситонной линии (0) гк 2,5528 эв ( Л -экситонной линии в обозначениях работы [99] ). Поскольку рассматриваемые Л -экситоны возбуждаются светом в дипольном приближении, тензор диэлектрической проницаемости в соответствующей им области частот может быть представлен в следующем виде [c.292]

Таким образом, нелокальность связи между Е и D приводит к тому, что диэлектрическая проницаемость плазмы оказывается функцией не только от частоты, но и от волнового вектора об этой последней зависимости говорят как о пространственной дисперсии, подобно тому, как зависимость от частоты называют временной (или частотной) дисперсией. [c.150]

При решении ряда задач неразрушающего контроля в нефтехимии необходимо знать диэлектрические свойства эмульсий тина вода в нефти . Имеющиеся экспериментальные данные [1, 2] посвящены главным образом частотной зависимости диэлектрической проницаемости е и тангенса угла диэлектрических потерь tg S и не позволяют учесть влияние основных возмущающих факторов — температуры и химического состава воды при построении структурных схем сверхвы-сокочаетотных (СВЧ) иЗ)Мерителей уровня, влажности, плотности и т. д. [c.128]

В эмульсии вода в масле , поляризуемой внешним электрическим или электромагнитным полем, электростатические заряды накапливаются внутри мицелл, повышая их электрокине-тический потенциал. Вследствие возникновения относительно небольших зарядов проводимости в масляной фазе часть накопленных зарядов может разрядиться на электродах. В случае эмульсии масло в воде благодаря высокой электрической проводимости водной среды заряды свободно разряжаются па электродах, и только незначительная часть их накапливается внутри обратных мицелл и на их наружных поверхностях. При исследовании концентратов ПИНС (эмульсий вода в масле ) с помощью дериватографов фиксируются температуры и энергии фазовых переходов, соответствующие перестройке коллоидных структур ПИНС. Аналогично при определении частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и электрической [c.210]

Степень монодоменизации кристалла оказывает влияние на частотную зависимость диэлектрической проницаемости 8. На рис. 5.8 показана зависимость 8 (v), из которой видно, что дисперсия диэлектрической проницаемости для полидоменного кристалла носит релаксационный характер, а для монодоменного — резонансный, обусловленный пьезоэффектом в кристалле. На низкой частоте [c.183]

Поскольку колебания решетки в какой-то мере ангармоничны (а следовательно, затухают), величина е имеет также мнимую составляющую. Это приводит к уширению резонансной линии, соответствующей остаточным лучам. Типичные кривые частотной зависимости диэлектрических проницаемостей ионных кристаллов, найденные по их оптическим свойствам, представлены на фиг. 27.7. Диэлектрические характеристики щелочно-галоидных кристаллов приведены в табл. 27.2. [c.176]

Из рис. 6.18 видно, что в сегнетоэлектрической фазе рассчитанные величины Fx/a ниже экспериментальных. Возможно, это является следствием зависимости диэлектрической проницаемости несте-хиометрических кристаллов от приложенного поля. Диэлектрическая проницаемость таких кристаллов релак-сирует с частотой переменного поля, используемого для определения V /2, ЧТО приводит к увеличению измеряемых величин полуволнового напряжения. Дополнительные эксперименты действительно показали, что нестехиометрические кристаллы имеют частотную зависимость полуволнового напряжения при частотах меньше 100 Гц. [c.255]

Высокое значение диэлектрической проницаемости и угла диэлектрических потерь, характерные для многих поликристаллических ферритов, находят удовлетворительное объяснение в рамках теории Вагнера—Купса [152]. В соответствии с этой теорией, ферриты состоят из участков с большой электронной проводимостью — кристаллит, окруженные участками с малой проводимостью — межкристаллитная прослойка. Теория неоднородности позволяет объяснить высокую диэлектрическую проницаемость ферритов, падающую с частотой, наличием максимумов в частотных и температурных зависимостях tg6, а также влиянием условий спекания на свойства ферритов, как результат изменения их кера Мической структуры. [c.25]

Хэл + Хион + Хдс статическая е при со 0 в, - = Хд . Уравнение (17.19) — это формула Дебая, описывающая частотную зависимость комплексной диэлектрической проницаемости при релаксации. [c.135]

Таким образом, оптические свойства среды характеризуются диэлектрической проницаемостью е(а ) и тензорами третьего и четвертого рангов y ki(ti>) и aikim (ю). В однородной среде они не зависят от пространственных координат, а об их зависимости от частоты монохроматического поля говорят как о частотной (или временной) дисперсии. [c.112]

Политермические исследования электропроводности (рис. 15), а также вязкости и диэлектрической проницаемости жидких систем оказываются более информативными, чем изотермические, так как лучше позволяют изучить стехиометрию процессов образования продуктов присоединения. Отметим, что теория более сложных, чем двойные, жидких систем пока разработана недостаточно. Одной из немногих экспериментально исследованных тройных жидких смесей является система Н2504—Н3РО4— Н2О. Во всех двойных подсистемах этой тройной системы протекают взаимодействия (см. рис. 14, в, г). Характер частотных зависимостей, представленных на рис. 16, объясняется теорией Дебая—Фалькен-гагена, учитывающей конечную величину времени релаксации ионной атмосферы и эффект электрофоретического торможения. Влияние частоты электрического поля на электропроводность и диэлектрическую проницаемость ра- [c.135]

Пространственно-временные корреляции флуктуаций. При рассмотрении вопросов, связанных со спектром рассеянного света, необходимо учитывать не только пространственную, но и временную зависимость флуктуаций Ае диэлектрической проницаемости. Измерение углового распределения интенсивности рассеянного света дает, согласно (186), информацию о пространственных фурье-компо-нептах флуктуаций. Экспериментальное определение частотной зависимости интенсивности рассеянного света дает фурье-образ флуктуаций по времени. Снова пренебрегая флуктуациями температуры, получаем выражение, представляющее собой обобщение выражения (186) на случай, когда функция R зависит от частоты [c.105]

В последние годы в электродинамике и оптике сплошных сред (в частности, в кристаллооптике) привлекает к себе все большее внимание учет пространственной дисперсии — зависимости тензора диэлектрической проницаемости от волнового вектора (т. е. от длины волны) — при фиксированной частоте. В отличие от частотной дисперсии—зависимости проницаемости от частоты, — пространственная дисперсия в оптике (кроме металлооптики) является слабой. Дело в том, что пространственная дисперсия в конденсированной неметаллической среде характеризуется отношением некоторой длины атомных масштабов (параметра решетки и т. п.) к длине электромагнитной волны в среде это отношение в оптической области является малым параметром. В результате, пространственная дисперсия в оптике представляет интерес преимущественно лишь тогда, когда она приводит к качественно новым явлениям. Одно такое явление давно и хорошо известно— мы имеем в виду естественную оптическую активность (гиротропию). Имеются, однако, и другие интересные эффекты пространственной дисперсии здесь в первую очередь можно указать на давно предсказанную, но обнаруженную лишь в 1960 г. оптическую анизотропию негиротропных кубических кристаллов. [c.6]

Оптическая анизотропия кубических кристаллов. Дипольные переходы. Во введении уже указывалось, что оптическая анизотропия кубических кристаллов ), рассмотренная теоретически в работах [10, 11], а также [5, 34], наблюдалась на опыте [12] (исследовался кристалл СнзО при низкой температуре в области квадрупольного перехода Х = 6125А). Оптическая анизотропия в кубических кристаллах может проявляться не только в области квадрупольных переходов, но также и в области дипольных переходов и вообще вдали от всяких переходов. При этом под диполь-ным переходом мы, как обычно, понимаем такой переход, на частоте которого диэлектрическая проницаемость без учета поглощения и пространственной дисперсии (для кубического кристалла речь идет о скаляре вц(и))) обращается в бесконечность. Из этого определения следует, что дипольным переходам всегда соответствуют отличные от нуля силы осциллятора (см., например, выражение (6.13)). Что же касается квадрупольных переходов, то на частоте этих переходов тензор диэлектрической проницаемости обращается в бесконечность только при учете пространственной дисперсии. В п. 4.2 уже было подчеркнуто, что разложения тензоров (ш, к) и ег. (ш, к) в ряд по к., вообще говоря, не являются разложениями по мультиполям. Поэтому при исследовании таких разложений характер перехода сказывается в первую очередь на частотной зависимости коэффициентов. Вдали от перехо- [c.194]

Напомним некоторые важные соотношения между физическими параметрами, характеризующими электрические свойства сред. Как известно, связь между индукцией и напряженностью электрического поля может быть записана двояко. Относительная диэлектрическая проницаемость е показывает, во сколько раз изменяется поле при попадании в среду В =БобЕ. С другой стороны, поляризация среды описывает аддитивную добавку к внешнему полю В = ЕдЕ + Р. В приближении линейной теории поляризация пропорциональна напряженности поля Р = еоХЕ, где X диэлектрическая восприимчивость. Отсюда находим, что диэлектрическая проницаемость и восприимчивость связаны соотношением е = 1 + %. В свою очередь, диэлектрическая проницаемость определяет показатель преломления среды п = . Таким образом, определив частотную зависимость х легко найти также зависимости е (со) и п (со), то есть закон дисперсии. [c.220]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...