Электрона удельный

Из формулы (3.48) можно получить выражение для электронной удельной теплоемкости, используя равенство Се = <ЗЕ/аТ. [c.125]

Изменение энтропии при переходе из сверхпроводящего состояния в нормальное непосредственно связано с электронной удельной теплоемкостью у (Ss —S )t o=— Т. [c.11]

Коэффициент электронной удельной теплоемкости у, по-ви-димому, не зависит от концентрации внедренного кислорода. [c.122]

Электронная удельная теплоемкость [c.270]

Рассмотрим теперь электронный вклад в удельную теплоемкость металлов, от случай совсем не так прост, как предыдущий, поскольку мы должны одновременно вычислять сдвиг энергии Ферми, требуя сохранения полного числа электронов. Тем не менее мы можем сразу заметить, что в металлах электронная удельная теплоемкость должна быть заметно больше, чем мы получили для полупроводников. Так как теперь нет энергетической щели, экспонента, которая появлялась раньше, в случае металлов отсутствует. [c.272]

Естественно, что при расчетах электронной удельной теплоемкости и среднеквадратичной скорости Друде воспользовался законами классического идеального газа. Поэтому он фактически положил теплоемкость с равной а величину — равной где — постоянная Больцмана, кв = [c.38]

СРАВНЕНИЕ РЕШЕТОЧНОЙ И ЭЛЕКТРОННОЙ УДЕЛЬНЫХ ТЕПЛОЕМКОСТЕЙ [c.91]

Таблица 5.1. Циклотронные массы и электронные удельные теплоемкости щелочных металлов

Примечание для сферических поверхностей постоянной энергии должно выполняться соотношение т/т = у/у ь где уТ — величина электронной удельной теплоемкости, измеренная калориметрическим методом, 7 Г — ее значение для газа свободных электронов той же плотности (7, = 1360 эрг - к для атомного объема V). Точность определения величин т/т и у/у составляет обычно около 0,02, за исключением указанных случаев. Данные по циклотронному резонансу приведены для поликристаллов. [c.240]

Таблица 5.3. Сравнение электронной удельной теплоемкости благородных металлов, полученной из данных экспериментов по эффекту дГ в А. и калориметрическим методом

Заряд электрона удельный е/Ше=1,7588047 10 1 Кл/кг. [c.555]

Для практической термометрии интерес представляют переходные металлы, имеющие частично заполненные -уровни, а также з-уровни (символы з и соответствуют значениям орбитального квантового числа О и 2 см. [6]). Поскольку -электроны более локализованы, чем з-электроны, проводимость обусловлена главным образом последними. Однако вероятность рассеяния 3-электронов в -зону велика, поскольку плотность -состояний вблизи уровня Ферми высока (рис. 5.5), поэтому удельное сопротивление переходных металлов выще, чем у непереходных. Наличие -зоны влияет также на характер температурной зависимости. При высоких температурах величина кТ может быть уже не пренебрежимо мала по сравнению с расстоянием от уровня Ферми до верхней или нижней границы -зоны. Предположение, что поверхность Ферми четко разделяет занятые и незанятые состояния, перестает быть верным, и для параболической -зоны в формулу удельного сопротивления вводится поправочный коэффициент (1—5Р), где В — постоянная. Однако плотность состояний в -зоне вовсе не является гладкой функцией энергии (рис. 5.5), поэтому эффект будет осложнен изменением плотности состояний в пределах кТ от уровня Ферми. Отклонение температурной зависимости от линейной может быть как положительным, так и отрицательным. [c.194]

Температурная зависимость удельного сопротивления полупроводника, в который добавлено небольшое количество примеси, показана на рис. 5.7 [12]. На практике в полупроводнике всегда присутствуют как донорные, так и акцепторные примеси, и разработчик полупроводниковых термометров сопротивления может лишь выбирать соотношение между теми и другими. Для описания процессов проводимости рассмотрим германий, содержащий донорные атомы мышьяка в концентрации N(1 и какие-либо акцепторные атомы в концентрации Л а-На рис. 5.7 можно выделить четыре температурных диапазона, в каждом из которых преобладает какой-либо один механизм проводимости". В высокотемпературном диапазоне [I] проводимость обусловлена главным образом электронами, термически возбужденными из валентной зоны в зону проводимости согласно уравнению (5.8), поскольку все примесные атомы давно уже ионизованы. Это область собственной проводимости для германия она начинается чуть выше 400 К. Этот диапазон не представляет особого интереса для германиевых термометров сопротивления. [c.198]

Концентрация энергии термических источников может оцениваться удельной мощностью в пятне нагрева. Наибольшую интенсивность энергии — до 10 Bт/мм и выше при пятне нагрева до 10" мм — могут иметь лазерный и электронный лучи (табл. 1.5). [c.27]

Расчет значений есв для разных методов сварки плавлением коррозионно-стойкой стали типа 18—10 (рис. 1.8) показал,что с увеличением толщины изделия удельная сварочная энергия резко растет при использовании многопроходной сварки. Например, аргонно-дуговая сварка вольфрамовым электродом обеспечивает получение стыкового сварного соединения для листов толщиной 15 мм при общих затратах энергии на все проходы до 1000 Дж/мм . Электронно-лучевая сварка благодаря кинжальному проплавлению за один проход позволяет соединить встык листы толщиной от 10 до 50 мм практически при одной и той же удельной энергии (см. рисунок). [c.28]

Электронная удельная теплоемкость, кал моль-град Модуль упругости, кг1мм [c.766]

Однако, помимо удельной теплоемкости, связанной с тепловыми колебаииями атомов, следует учитывать также составляющую теплоемкости, связанную с повышением энергии электронов при нагреве теля. Эта электронная удельная теплоемкость для железа достигает значительной величины в связи с особенностью строения электронных оболочек металлов переходных групп. Если сраавить электронные удельные теплоемкости для решеток а-Ре и Y-Pe, то окажется, что уже при температуре немного выше 300° электронна- удельная теплоемкость для а-Ре становится больше, чем для у-Ре. При сравнительно невысоких температурах нагрева главное значение имеет атомная удельная теплоемкость при до.стижении высоких температур следует учитывать электронную удельн>ю теплоемкость, которая, возрастая в а-Ре до больших значений, предопределяет при температурах выше 1392° переход у-Ре в а-Ре. [c.575]

Можно найти и электронную удельную теплоемкость, связанную с возбуждением квазичастиц. Мы обнаружим, что результат эквивалентен полученному для невзаимодействующих частиц, но с плотностью состояний, определяемой энергией Е (р, х По)-С другой стороны, если вычислить парамагнитную восприимчивость Паули, которая в отсутствие взаимодействия прямо пропорциональна плотности состояний при энергии Ферми, мы обнаружим, что соответствующая плотность состояний дается не квазичастичной плотностью состояний, а величиной, соответствующей невзаимодействующим частицам. [c.399]

И произвести усреднение по всем возможным направлениям скорости. Поскольку 1) (У ) = (4) (у1 = 1/зу2 И п<тат = (л /7) й% йт = йЕ1ат)1У = с где Сг — электронная удельная теплоемкость, имеем [c.38]

Таким образом, в чистом железе гранецентрированная кубическая структура устойчива приблизительно в температурном интервале 500 град, выше и ниже которого стабильной является только объемноцентрированная кубическая структура. Это двукратное изменение относительной устойчивости объемно-центрированой кубической и гранецентрированной кубической модификаций с повышением температуры, очевидно, обусловлено влиянием энергетического фактора, связанного с электронной удельной теплоемкостью каждой из структур. Если обозначить Д/ ре разницу между свободными энергиями у- и а-железа, то у-железо будет устойчивой модификацией железа, когда отрицательно. На рис. 56, который заимствован у Зи- [c.63]

В установках для электромно-лучевой сварки электроны эмит-тируются на катоде / электронной пушки формируются в пучок электродо.м 2, расположенным неносредственно за катодом ускоряются под действием разности потенциалов между катодом и анодом 3, составляющей 20—150 кВ и выше, затем фокусируются в виде луча и направляются специальной отклоняющей магнитной системой 5 па обрабатываемое изделие в. На формирующий электрод 2 подается отрицательный или нулевой по отношению к катоду потенциал. Фокусировкой достигается высокая удельная мощность (до 5-10 кВт/м и выше). Ток электронного луча невелик (от нескольких миллиампер до единиц ампер). [c.203]

В современных установках для сварки, сверления, резки пли фрезерования электронный луч фокусируется на площади диаметром менее 0,001 см, что позволяет получить большую удельную мощность. При использовании обычных сварочных источников теплоты (дуги, газового пламени) металл нагревают и плавят за счет распространения теплоты от поверхности в глубину, при этом форма зоны расплавления в сечении приблил<ается к полукругу Fn- При сварке электронным лучом теплота выделяется непосредственно в самом металле причем наиболее интенсивно на некоторой глубине под его поверхностью. Отношение глубины проплавления к ширине может достигать 20 1 такое проплавление называется кинжальным (рис. 5.16). [c.203]

Полное электросопротивление (ионное и мет ла° жТ под в здей" электронное) ОКИСНОЙ пленки с удельной станем газа электропроводностью % (Oм м ), площадью 5 (см ) и толщиной h (см), выполняющей роль как электролита, так и металлического проводника, определяется уравнением [c.61]

Простая модель электронного газа, созданная Друде в 1900 г., успещно предсказала законы Ома и Видемана — Франца. Однако она не объяснила зависимость электропроводности от температуры, а также магнитные свойства и малую величину электронной теплоемкости по сравнению с классическим значением 3/ . В настоящее время ясно, почему удельное сопротивление особо чистых металлов падает от типичного для комнатных температур значения 10 мкОм см до значения менее 10 з мкОм -см при температуре жидкого гелия в то время как удельное сопротивление концентрированного сплава падает всего в два раза в том же диапазоне температур. Поведение полупроводников также хорошо понято удельное сопротивление экспоненциально возрастает при уменьшении температуры, и при очень низких температурах чистые полупроводники становятся хорошими диэлектриками. Добавка в образец полупроводника небольшого количества примесей чаще всего существенно уменьшает удельное сопротивление (в противоположность чистым металлам, в которых наличие примесей ведет к увеличению удельного сопротивления). [c.187]

Прежде чем перейти к подробному обсуждению зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников от температуры, коснемся особенностей поведения концентрированных сплавов. Введение значительного количества примесных атомов в твердый раствор приводит к искажению кристаллической решетки. Вследствие этого появляется дополнительный вклад в рассеяние. Его величина почти не зависит от температуры и может во много раз превышать долю электрон-фонон-ного рассеяния в чистом металле. Изменение остаточного удельного сопротивления неупорядоченного сплава Си—Аи в зави- [c.191]

При низких температурах в переходных металлах проявляется эффект элек-трон-электронного рассеяния, приводящий к появлению квадратичного члена в зависимости удельного сопротивления от температуры. Этот тип электронного рассеяния на большой угол (см. [3], с. 250) может возникать в случае, когда поверхность Ферми несферическая или имеются вклады более чем из одной энергетической зоны. Для большинства переходных металлов этот квадратичный член становится определяющим ниже 10 К. Для ферромагнитных металлов возникает еще одна причина появления еще одного квадратичного члена, обусловленного рассеянием электронов проводимости на магнитных спиновых волнах. Кроме того, для всех ферромагнитных металлов наблюдаются аномалии зависимости удельного сопротивления от температуры вблизи точки Кюри. [c.195]

Существует класс полупроводниковых приборов, выполненных на основе смешанных окислов переходных металлов, которые известны под общим названием термисторов. Термин термистор происходит от слов термочувствительный резистор . Толчком к разработке термисторов послужила необходимость компенсировать изменение параметров электронных схем под влиянием колебаний температуры. Первые термисторы изготавливались на основе двуокиси урана ПОг, но затем в начале 30-х годов стали использовать шпинель MgTiOз. Оказалось, что удельное сопротивление MgTiOз и его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) легко варьируются путем контролируемого восстановления в водороде и путем изменений концентрации MgO по сравнению со стехиометрической. Использовалась также окись меди СиО. Современные термисторы [60, 61] почти всегда представляют собой нестехиометрические смеси окислов и изготавливаются путем спекания микронных частиц компонентов в контролируемой атмосфере. В зависимости от того, в какой атмосфере происходит спекание (окислительной или восстановительной), может получиться, например, полупроводник п-типа на поверхности зерна, переходящий в полупроводник р-типа в глубине зерна, со всеми вытекающими отсюда последствиями для процессов проводимости. Помимо характера проводимости в отдельном зерне, на проводимость материала оказывают существенное влияние также процессы на границах между спеченными зернами. Высокочастотная дисперсия у термисторов, например, возникает вследствие того, что они представляют собой сложную структуру, образованную зонами плохой проводимости на границах зерен и зонами относительно высокой проводимости внутри зерен. [c.243]

Поскольку удельная электронная электропроводность у полупроводниковых материалов значительно меньше, чем у металлов, подвижность носителей заряда их больше (т. е. электроны в плохопроводящих материалах могут двигаться более свободно, чем в металлах). Поэтому тепловыми, световыми, электрическими и механическими воздействиями можно управлять электропроводностью полупроводниковых структур. [c.387]

Се и 51 маркируют по буквенно-цифровой системе. Так Се электронный, легированный 5Ь, обозначают ГЭЛС Се дырочный, легированный Са, — ГДЛГ. Цифры означают удельное электросопротивление (ом-м) в числителе и диффузионную длину неосновного носителя заряда (мм) в знаменателе. Например, ГЭЛС 0,3/0,2. [c.391]

Известно, что в электрическом поле напряженностью Е сферическая диэлектрическая частица, как частица двуокиси циркония, будет поляризоваться, причем поверхностная плотность заряда равна Збо os 9, где 9 измеряется от направления поля [3781. Можно показать, что для частицы размером 9,1 мк вероятность поляризации с одним электроном составляет не более 10 д.ля по.ля напряженностью 109 в1м, тогда как в примере с частицалш двуокиси циркония размером 0,1 мк общий заряд равен 10 дырок на частицу (и.ли удельный заряд 0,32 к/кг), так что не приходится ожидать заметного влияния по.ляризации твердых частиц на тер-1мическую э.лектризацию. [c.468]

Титан имеет довольно высокую (1668 °С) температуру плавления и плотность 4,5 г/см . Благодаря высокой удельной прочности и превосходным противокоррозионным свойствам его широко применяют в авиационной технике. В настоящее время его используют также для изготовления оборудования химических производств. В ряду напряжений титан является активным металлом расчетный стандартный потенциал для реакции + + 2ё Ti составляет —1,63 В . В активном состоянии он может окисляться с переходом в раствор в виде ионов [1]. Металл легко пассивируется в аэрированных водных растворах, включая разбавленные кислоты и щелочи. В пассивном состоянии титан покрыт нестехиометрической оксидной пленкой усредненный состав пленки соответствует TiOj. Полупроводниковые свойства пассивирующей пленки обусловлены в основном наличием кислородных анионных вакансий и междоузельных ионов Ti , которые выполняют функцию доноров электронов и обеспечивают оксиду проводимость /г-типа. Потенциал титана в морской воде близок к потенциалу нержавеющих сталей. Фладе-потенциал имеет довольно отрицательное значение Ер = —0,05В) [2, 3], что указывает на устойчивую пассивность металла. Нарушение пассивности происходит только под действием крепких кислот и щелочей и сопровождается значительной коррозией. [c.372]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...