Плавление кристаллов

Для температур, близких к температуре плавления кристалла, / может уменьшаться до 6—10 межатомных расстояний. При очень низких температурах / достигает величины порядка 0,1 см. Характер изменения длины свободного пробега фонона в зависимости от температуры во многом накладывает отпечаток на температурную зависимость теплопроводности. Величина средней длины свободного пробега фонона I определяется главным образом двумя процессами — рассеянием на статических несовершенствах решетки (например, дефекты) и рассеянием фононов на фононах. Если силы взаимодействия между атомами в решетке являются чисто гармоническими, то никакого механизма фонон-фононных [c.43]

Метастабильные состояния встречаются и при фазовом переходе от жидкой или газообразной фазы к кристаллической фазе, т. е. могут быть у всех трех фаз. При фазовом переходе от кристаллической фазы к жидкой, т. е. при плавлении кристаллов, метастабильных состояний не возникает. Плавление кристаллов происходит при строго определенной температуре, и последняя никаким способом не может быть увеличена по сравнению с характерной для данного кристалла температурой. В аморфных твердых телах в отличие от кристаллов возможно возникновение при плавлении метастабильных состояний. [c.128]

В табл. 2.3 представлены рассчитанные по указанным формулам и экспериментальные данные для о, уд.п а В, а также Тал-Приведенные данные показывают, что для сравнительно тяжелых атомов экспериментальные и теоретические значения Ro, f/удл и В различаются очень мало. Различие между расчетом и экспериментом растет с уменьшением атомного номера элементов и объясняется пренебрежением кинетической энергией нулевых колебаний, вклад которой относительно больше для атомов малой массы. Другой важный вывод низкие значения энергии связи (удельные полные энергии кристаллов) объясняют низкие температуры плавления кристаллов инертных газов. [c.24]

BOM переходе от кристаллической фазы к жидкой, т. е. при плавлении кристаллов, метастабильных состояний в обычных условиях не возникает, и плавление кристаллов происходит при строго определенной температуре. В аморфных твердых телах в отличие от кристаллов при плавлении возможно возникновение метастабильных состояний. [c.209]

Пересечение кривой фазового равновесия кристалл-плазма в точке N оси ординат Ор обусловлено квантовыми эффектами и связано с тем, что при давлении, достигающем астрофизических величин, частицы вещества будут как бы вдавлены на наинизшие энергетические уровни, отвечающие Т = 0. Вблизи точки N возможно своеобразное холодное плавление кристалла, связанное с тем, что нулевая энергия вещества может оказаться больше энергии связи кристалла. [c.220]

ПЛАВЛЕНИЕ КРИСТАЛЛА И КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ЖИДКОСТИ [c.389]

Жидкая фаза обычно полностью смачивает поверхность кристаллической фазы того же вещества. Поэтому для образования жидкого слоя на поверхности плавящегося кристалла нет необходимости затрачивать работу. Плавление кристалла происходит без перегрева, если только поверхность кристалла открыта. Процесс плавления состоит в беспрепятственном образовании слоя жидкой фазы на поверхности плавящегося кристалла. Таким образом, при плавлении кристалла стадия образования зародышей жидкой фазы отсутствует. Наоборот, кристаллизация жидкости сопровождается переохлаждением, причем размер зародыша кристаллической фазы на основании формулы (5.13). [c.391]

Твердые металлы имеют кристаллическое строение. Для кристаллов характерно наличие дальнего порядка в расположении атомов, т.е, в кристаллах существует строго определенное геометрически правильное расположение атомов, которое наблюдается на любом расстояние от произвольно выбранного атома. При плавлении кристаллов дальний порядок нарушается и образуется ближний порядок в расположении атомов, т е. в расплаве со.хра-няется некоторая упорядоченность лишь вблизи произвольно выбранного атома, по. мере удаления от данного атома степень упорядоченности быстро [c.14]

Неорганические стекла обладают во многих случаях полупроводниковыми свойствами. Теория аморфных полупроводников указывает, что при плавлении кристаллов нарушается только- дальний порядок симметрии, ближний же порядок сохраняется. Энергетический спектр стеклообразного полупроводника состоит также из зон, как и у кристаллического, но из-за разупорядоченного строения происходит расширение валентной и свободной зон и сужение запрещенной зоны. В отличие от обычных стекол с преобладанием ионной проводимости стеклообразные полупроводники обладают чисто электронной проводимостью. [c.192]

В полимерах наблюдается так называемое набухание, состоящее в проникновении в них газа или жидкости, находящихся в контакте с ними. В набухшем полимере возрастает объем, понижается прочность, но эластические и пластические деформации возрастают. При увеличении степени набухания происходит ослабление межмолекулярных связей и начинается растворение полимера в растворителе, ничем не ограниченное в случае, если полимер имеет аморфную структуру. Полимеры с высокой степенью кристалличности растворимостью обладают лишь при температуре, близкой к температуре плавления кристаллов. [c.339]

Температура плавления кристаллов в "С. ...........327 [c.32]

Температурный интервал переработки находится выше точки плавления кристаллов и ниже точки разложения полимера. Чем больше диапазон критических точек, тем больше возможностей для выбора параметров переработки. Оптимальной считается температура, близкая к температуре потери прочности. [c.62]

В машине непрерывного прессования с нагревом полимера трубы изготовляют при температуре, превышающей температуру плавления кристаллов при нормальном давлении. Этим новым способом непрерывного прессования (выдавливания) можно обеспечить большие скорости движения изготовляемого профиля. Дополнительного спекания отпрессованного профиля не требуется. Прессование выполняется в следующей последовательности. Порошок фторопласта-4 засыпается в цилиндр. Сопло закрывается, создается давление и производится нагрев порошка до температуры, близкой к температуре плавления полимера при данном давлении. После прогрева всего объема полимера до заданной температуры открывается сопло и производится выдавливание изделия. Через сопло (диаметром 1 мм и длиной 200 мм) при температуре 370° С и давлении [c.140]

Плавление кристалла не приводит к коренному изменению его структуры. Ближайшее окружение каждого иона в жидкости, т.е. ближний порядок, остается в основном таким же, как в твердом теле. Вместе с тем увеличение объема, связанное с плавлением, создает свободный объем, так что отдельные структурные образования получают возможность двигаться относительно друг друга. Правильное чередование частиц во всем объеме нарушается, при этом дальний порядок исчезает. [c.86]

В результате плавления кристаллов льда получаются пресная вода, направляемая потребителю, и жидкий бутан, возвращаемый в кристаллизатор. [c.122]

Температура плавления (кристаллов), 327 [c.43]

Температура плавления кристаллов (°С). ... Температура стеклования аморфной фазы [c.407]

В точке плавления кристалл теряет сдвиговую устойчивость, [отя дальнего порядка в системе нет, ближний порядок имеет ярко [c.9]

Тт — температура плавления кристалла [c.312]

Уравнение Клапейрона — Клаузиуса применимо ко всяким изменениям агрегатного состояния химически однородных неществ к плавлению и испарению твердых тел, превращению веществ из одного твердого состояния в другое, к образованию и плавлению кристаллов, к определению изменения удельного объема в процессе парообразования, к определению полной теплоты парообразюванля. [c.180]

Плавление кристаллов ковалентно-полярных соединений (например, ЗЮг, AI2O3, ТЮг и т. д.) тоже может привести к образованию ионных растворов, но при достаточно высоких температурах. Процесс диссоциации этих соединений на ионы можно выразить уравнениями [c.291]

Термограммы чистого ПТФЭ и композиционных материалов содержат пики трех эндотермических переходов. Низкотемпературный пик при 7 соответствует известному фазовому переходу первого рода -плавлению кристаллов ПТФЭ. Однако распадение кристаллов не приводит к переходу полимера в аморфную фазу в общепринятом представлении, поскольку при исследовании поверхностей трения этих материалов методом рентгеноструктурного анализа была обнаружена, как показано вьш]с, определенная упорядоченность структуры, характеризуемая послойным расгюложением молекулярных цепей. Можно пола- [c.102]

Метод растворов. Из растворов можно выращивать неустойчивые в точке плавления кристаллы. Кристалл растворяют в жидкости. В процессе охлаждения, вследствие эффекта обратной растворимости, образуется зародыш кристалла. Важным условием для роста зародыша является степень перенасыщения. Этим методом можно получить монокристаллы с высокой точкой плавления (GaAs, GaP, Si ), монокристаллы серого олова из ртутных [c.286]

В указанных теориях не учитывается влияние поверхности на плавление. По-видимому, одним из первых, кто рассматривал плавление как поверхностный процесс, был Тамман [15]. Он считал, что процесс плавления кристаллов осуществляется как их растворение в собственном расплаве. При температуре плавления поверхность кристалла самопроизвольно покрывается слоем расплава (предполагалось, что грани кристалла полностью смачиваются своим расплавом). Дальнейшее плавление представляет собой растворение кристалла в имеющейся фазе расплава. Эту точку зрения в дальнейшем развили Странский [12—14], а также Бартон, Кабрера и Франк [5—6], дополнив ее особенностями плавления разных кристаллографических граней кристалла. [c.45]

При трении образцов выделяется тепло, которое плохо отводится вследствие низкой теплопроводности фторопластовых материалов. В результате поверхностный слой фторопласта-4 нагревался до температуры плавления кристаллов (327° С), вследствие чего происходило значительное увеличение коэффициента трения. В условиях опыта поверхность трения предварительно при-рабатывалась в течение 3—5 ч (при v = 0,71 ж/се/с, Р = = 30 kFJ m ), после чего устанавливался стабильный режим работы. [c.76]

Следует отметить, что способность образцов фторопласта-4 менять свою форму под действием нагрузок при низких температурах часто вместо процесса псевдотечения совершенно неправильно называют хладотекучестью псевдотечение фторопласта-4 обусловливается его кристалличностью, и деформации, возникшие в результате холодного течения , являются обратимыми, так как образец фторопласта, деформированный под воздействием нагрузки, снова самопроизвольно восстанавливает свою форму при нагревании его до температуры плавления кристаллов, т. е. при +327°С. [c.16]

Например, сополимер тертафторэтилена с гексафторпропиле- ном (РЕР) обладает хорощей термостабильностью. При температурах выше температуры плавления кристаллов (252—282° С) его структура не нарушается. Критическая скорость сдвига при 390° С равна 200 сек К Основные параметры литья приведены в табл. 17. Температура расплава может подниматься до 390° С. [c.68]

Надежная отбортовка может быть в том случае, если конец патрубка нагревался до температуры, превосходящей точку плавления кристаллов. При более низкой температуре отбортовки возможно выползание ее из-под гладкого фланца, если температура эксплуатации выше 100° С. [c.103]

Д. —У. ф. при высоких темп рах можно оценивать по ф-ле W x (T/Tf, ) P kQi)), где — темп-ра плавления кристалла, а безразмерный параметр х определяет, какую долю от размера элементарной ячейки составляет ср. квадрат теплового сме1цеиия атомов в точке плавления для большинства твёрдых тел ж 0,2—0,25. [c.574]

Плавление кристалла сопровождается сужением спектральных линий ЯМР за счёт теплового движения, усредняющего магн. взаимодействия ядер, и их диффузионного перемешивания. Сужение спектральных линий заметно проявляется, когда частота перескоков парамагн. атома 10 ГU. Метод ЯМР применяется для исследования диффузионной подвижности атомов в супсрионных проводниках или твёрдых электролитах [5]. [c.677]

Процесс направленной кристаллизации позволяет выращивать монокристаллические отливки любой ориентировки. Как правило, монокриста ллические лопатки отливают с ориентировкой <001> вдоль оси лопасти, выше эта операция уже описана. Однако, если воспользоваться кристаллами-затравками, можно с помощью процесса, иллюстрированного на рис. 7.2, получить любую ориентировку. Кристалл-затравка должен быть изготовлен из сплава, который выбран для выращивания отливки, или из сплава с той же или более высокой температурой плавления. Кристалл располагают таким образом, чтобы его кристаллографическая ориентировка повторилась в изделии, которое заполнит пространство изложницы. Местом установки затравки служит холодильник, а температуру вершины затравки регулируют таким образом, чтобы затравка не расплавлялась полностью. Тем самым расплаву в изложнице обеспечена возможность затвердевать в кристаллографической ориентировке, которой обладает сристалл-затравка. [c.243]

В корпусе 1 пресса вращается шнек 2, сжимающий и перемещающий кристаллогидраты к выходному мундштуку 3 в корпусе имеется фильтр 4, через который выжимается рассол. Под прессом расположены три приемника в отсек 5 попадает наиболее концентрированный раосол в отсек 6 поступает менее концентрированный разбавленный дистиллятом рассол, получающийся от плавления части кристаллогидратов в отсек 7 сбрасываются отмытые кристаллогидраты, где они плавятся, чему способствует подача скомпремированного пропана, который охлаждается вследствие плавления кристаллов. При плавлении кристаллогидратов получается пресная вода и газ. [c.110]

Методы формования листовых и пленочных материалов. Суть метода формования состоит в том, что плоская заготовка из термопластичного листа или пленки тем или иным способом нафевается до температуры, соответствующей высокоэластическому состоянию (при переработке аморфных термопластов) или до температуры начала плавления кристаллов (для термопластов с различной степенью кристалличности) и формуется в изделие под действием разности давлений над свободной поверхностью подвижно или неподвижно закрепленной по контуру в зажимном устройстве заготовки и в полости, образованной заготовкой и оформляющей поверхностью формующего инструмента. При оформлении изделия происходит вытяжка термопласта. Чтобы зафиксировать конфигурацию отформованного изделия, его охлаждают, снижая температуру термопласта ниже точки стеклования или начала плавления кристаллов. [c.710]

Словом, квазигармоническое приближение вполне корректно предсказывает ожидаемую картину при умеренно высоких температурах. Вместе с тем вблизи точки плавления кристаллов наблюдается очень резкое ослабление интенсивности дифракционных линий, которое не может быть объяснено теорией идеальной решетки (тепловое расширение и ангармонические эффекты) или развитием в ней точечных дефектов из-за низкой концентрации последних ( 10 — 10 саГ ). с помощью эффекта ]У1ёссбауэра у поликристаллического массивного олова обнаружено отклонение функции 0оо Т) от предсказаний квазигармонической теории даже при умеренных температурах [577]. Согласно анализу [578], это отклонение не может быть обусловлено анагармоничностью колебаний решетки. [c.204]

Естественно предположить, что при плавлении кристалл разбивается на группы атомов, имеющих такую же или более плотную упаковку атомов. При этом необязательно, чтобы группы атомов в расплаве плотноупакованных металлов обладали той же самой структурой. Кластеры могут иметь икоса-, дека- или политетраэдрическое строение, дифракционная картина которого очень близка к таковой для родительского кристалла. Наблюдаемое в большинстве случаев уменьшение координационного числа при плавлении металла свидетельствует об образовании разрывов между свободно движущимися кластерами. Эти разрывы, очевидно, заполнены бесструктурными прослойками атомов. Если оценить по ширине А первого пика на рис. 93 размер D кластера, используя формулу Селякова—Шеррера [c.215]

По мере повышения температуры число и амплитуда колебаний кластеров одновременно увеличиваются, так что уже вблизи точки плавления кристалл оказывается раздробленным на мелкие структурно упорядоченные атомные группировки, окруженные бесструктурными прослойками атомов. Это и является причиной наблюдаемых аномалий предплавления. Точка плавления определяется переходом от колебательного к броуновскому движению кластеров, когда прослойки между ними увеличиваются настолько, что упругое взаимодействие кластеров становится невозможным. При этом области когерентного рассеяния электронов, нейтронов и рентгеновских лучей разрушаются, а дифракционная картина показывает широкие гало, обусловленные самостоятельно движущимися кластерами. [c.216]

Мезоморфная (жидкокристаллическая) фаза существует в определенном температурном интервале между кристаллической фазой и обычиой изотропной жидкостью. Для разных веществ температурный интервал существования ЖК-фазы может составлять от 0.01 до 100 К, и в этом промежутке происходят фазовые переходы, определяющие многие особенности ЖК. Первый переход — плавление кристалла с появлением одной из ЖК-фаз. Затем могут происходить фазовые переходы между различными мезоморфными фазами и в конце концов при повышении температуры упо рядочение анизометрических молекул исчезает и жидкий кристалл превращается в изотропную жидкость. В окрестности мезоморфных переходов изменяются практически все физические свойства вещества, в том числе электрические н оптические. При этом свойства ЖК ока- [c.33]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...