Пленки аморфно-кристаллические

Полиэтилен — полимер аморфно-кристаллического строения, состоящий из цепных и разветвленных макромолекул. Выпускается в виде гранул или тонкодисперсных порошков (неокрашенных или окрашенных в разные цвета), а также в виде пленок (тонкие пленки прозрачны), листов, блоков, труб, фасонных деталей и т. п. Различают полиэтилены высокого (ПВД), среднего (ПСД) и низкого (ПНД) давления. ПНД, обладающий более высокой плотностью, называют полиэтиленом высокой плотности (ПВП), а ПВД, имеющий меньшую плотность, — полиэтиленом низкой плотности (ПНП). [c.88]

При формировании слоя грунта из аморфных полимеров, к числу которых относятся частицы поливинилбутираля, внутренние напряжения зависят от температуры формирования этих пленок. Для пленки поливинилбутираля при температуре около 58 °С внутренние напряжения снижаются практически до нуля. Однако после охлаждения таких пленок внутренние напряжения могут увеличиваться. Поэтому в качестве грунтов иногда рекомендуют применять аморфные полимеры. Применение подобных грунтов для пленок из кристаллических полимеров позволяет сохранить нри температурных изменениях исходную структуру прилипшего слоя грунта и его адгезионную прочность. [c.310]

Для ускорения получения пленок аморфного типа предложено [128] добавлять к цинкфосфатному раствору нитраты лития, бери-лия, магния, кальция, стронция, кадмия или бария. Пленка образуется за 3—5 мин она не имеет видимой кристаллической структуры при увеличении в 100 раз (размер кристаллов не превышает 5 мкм) и состоит из смеси фосфатов цинка и добавляемого элемента, [c.159]

А) и даже более 5000 А и быть видимыми. Установлено, что большинство пленок имеет, кристаллическую структуру, однако очень тонкие защитные пленки, образованные при сравнительно низких температурах, могут быть и аморфными. [c.11]

Полиэтилен является полимером аморфно-кристаллического строе- 1ия. Молекулярная масса полиэтилена колеблется в различных пределах в зависимости от технологии получения. Он устойчив против воздействия кислот, щелочей, спиртов. Из полиэтилена изготовляют листы, электротехнические и радиотехнические детали, выдувные емкости, изоляцию кабеля, трубы, шланги, пленку для упаковки и т. д. [c.322]

По своему строению пленка аморфна. Переход пленки под влиянием внешних причин из аморфного состояния в кристаллическое (образование центров кристаллизации) вызывает ее разрушение. Центры кристаллизации, названные В. А. Кистяковским очагами ржавления , были впоследствии искусственно воспроизведены И. В. Кротовым. [c.84]

Образование аморфных или кристаллических первичных окисных пленок зависит не только от физико-химической природы окисляемого металла, но и от условий ее образования. На одном и том же металле в зависимости от температуры могут образовываться как аморфные, так и кристаллические первичные пленки. Аморфность или кристалличность пленок определяются энергетическими условиями на поверхности и внутри окисных [c.25]

Аморфные твердые тела с тетраэдрическими связями, такие, как кремний, германий, соединения А В . Эти полупроводники в аморфном состоянии нельзя получить путем охлаждения расплава. Их получают, обычно, в виде тонких пленок с помощью различных методов осаждения (термическое испарение в вакууме, катодное напыление и т. д.). Их свойства в значительной степени подобны свойствам кристаллических аналогов. [c.360]

Аморфные диэлектрики в виде тонких пленок находят широкое применение в микроэлектронике. Во многих таких диэлектриках,, так же как и в аморфных полупроводниках, проводимость (весьма незначительная ) осуществляется путем перескоков из одного локализованного состояния в другое. Энергия активации этого процесса значительно ниже, чем энергия активации примесной проводимости в кристаллических диэлектриках. [c.371]

Стандартный потенциал алюминия равен —1,66 В. На его поверхности при доступе воздуха образуется довольно плотная окисная пленка толщиной порядка 0,1 мкм с хорошими защитными свойствами. Она состоит в основном из окиси алюминия в аморфном или кристаллическом состоянии и из гидроокиси алюминия. Поскольку окисные пленки, образующиеся на алюминиевых сплавах, включают еще и окиси легирующих элементов, они менее плотные, чем на чистом алюминии. Однако в некоторых случаях (напрпмер, А1 — Mg-сплавы в морской воде) это приводит к повышению коррозионной устойчивости. [c.132]

Процессы плавления и течения пленки расплава у кристаллических и аморфных веществ имеют определенные различия. Кристаллические вещества плавятся при постоянной температуре Гр, при этом вязкость жидкой фазы оказывается столь малой, что вся расплавленная масса практически мгновенно сносится с поверхности материала под действием аэродинамических сил (рис. 8-1). В итоге темпе- 187 [c.187]

Иными словами, в отличие от кристаллических тел нагрев в газовом потоке аморфных веществ характеризуется наличием двух фазовых превращений, каждое из которых не имеет фиксированной точки перехода (точно определенной температуры). Поэтому здесь используется понятие температуры размягчения , или такой температурной границы, выше которой данное стеклообразное вещество может переходить в пластическое состояние и образовывать пленку расплава. Величина этой температуры достаточно условна, но можно принять ее равной механической температуре стеклования. Последняя определяется как температура, при которой вязкость, измеренная под напряжением 2-10 Н/м2, равна 10 пуаз, или 10 Н-с/м . С учетом указанных отличительных [c.188]

Относительно последнего граничного условия в системе соотношений (8-4) необходимо сделать несколько замечаний. Это условие принципиально отличает аморфные материалы от кристаллических, имеющих определенную температуру плавления. Для последних на внутренней границе пленки расплава приходится ставить условие стыковки температуры и теплового потока в пленке и в твердом материале. У стеклообразных или в общем случае у аморфных материалов положение нижней границы пленки неопределенно, поэтому уравнение сохранения 190 энергии в пленке непрерывно переходит в уравнение теплопроводности [c.190]

Кроме рентгеноструктурного анализа (РСА) важную информацию о форме и размере зерен дают электронно-микроскопические исследования [5]. Высокое разрещение ПЭМ выявляет типичную полосчатую структуру (так называемый муаровый узор из атомных плоскостей), характерную для кристаллического состояния, хотя отдельные участки с размытым изображением и нарушением полосчатости можно отнести к аморфным областям (см. рис. 2.1, а). Учитывая малый размер зерен в этих пленках (несколько нанометров) и принимая во внимание данные рис. 2.3, а, можно полагать, что доля поверхностей раздела, где атомы находятся в разупорядоченном состоянии (близком к аморфному), может быть значительной, и наличие аморфных составляющих вполне закономерно. Зерна размером менее 1 — 2 нм, по всей вероятности, должны изолированно располагаться в аморфной матрице. В кристаллите размером 1 нм, если параметр решетки, как, например, в случае [c.19]

Для получения аморфных металлов (металлические стекла) нужны скорости охлаждения порядка миллионов градусов в секунду. Такие скорости о.хлаждения достигаются при разбрызгивании мелких капель жидкого металла на хорошо отполированную поверхность быстро вращающегося холодного медного диска. Толщина пленки аморфного металла достигает нескольких микрометров (до 60 мкм) и ширины 200 мм или проволоки диаметром 0,5-20 мкм. Другой вариант - прокатка тонкой струи расплава между двумя массивными медными валиками, расплющиваюшими капли жидкого металла. При нагреве аморфный металл может реализовать свое стремление к кристаллизации и при достаточной подвижности атомов образуется кристаллическое строение. [c.44]

Как показал рентгеноструктурный анализ, в случае силицид-ного покрытия в составе пленки имеется кристобалит, а в составе боросилицидных покрытий он отсутствует. Очевидно, повышение жаростойкости боросилицидных покрытий связано с уменьшением склонности перехода аморфной стекловидной пленки в кристаллическую. [c.45]

Получаемые с использованием различных синтетических методов продукты содержат, как правило, различные кристаллические и неупорядоченные углеродые фазы и углерод-азотные соединения с отношением К/С существенно меньшим расчетного, см. обзор [11]. К наиболее перспективным методам синтеза нитрида углерода относят пленочные технологии, химическое осаждение из парогазовой фазы. Большинство получаемых пленок аморфны, наблюдалось образование углерод-азотных кристаллитов, погруженных в стеклообразную субстанцию. Существующие затруднения в получении идеального СзК4 относят [11] за счет недостаточности сведений о тонких условиях синтеза и возможности протекания в различных реакционных средах большого числа конкурирующих процессов. Оптимизм по поводу возможного получения кристаллического СзН4 (или фаз иной стехиометрии — С К ) связан также с идентификацией устойчивых углерод-азотных кластеров малого размера [29, 30, 41, 42]. [c.69]

В 1972 г. при изучении сравнительно толстых (с толщиной порядка 50 мкм) пленок аморфного германия, напыленного на стеклянную или металлическую пластину, было обнаружено [7] следующее интересное явление. Если царапнуть пленку в каком-либо месте иглой или локально нагреть пленку микрогорелкой, или воздействовать на нее локально еще каким-либо образом, то от места воздействия начинает распространяться фронт круговой формы, в котором германий переходит в кристаллическое состояние. При переходе выделяется довольно много тепла, так что температура за фронтом (при начальной комнатной) достигает 500 К. [c.125]

Высокая стойкость против коррозии обусловлена образованием на поверхности пассивирзто-щих пленок, обладающих высокими защитными свойствами, высокой степенью однородности и быстротой образования. Помимо хрома повышению коррозионной стойкости способствует введение фосфора. В пленке высокохромистых кристаллических сталей всегда присутствуют микро-поры, которые со временем преобразуются в очаги коррозии. На аморфных сплавах, содержащих определенное количество хрома и фосфора, пассивирующая пленка высокой степени однородности может образоваться даже в 1 н. НС1. Образование однородной пассивирующей пленки обеспечивается химической и структурной однородностью аморфной фазы, лишенной кристаллических дефектов, таких как выделения избыточной фазы, сегрегационные образования и границы зерен. [c.865]

С пленка аморфна, т.е. невозможно установить ее кристаллическое строение вследствие чрезмерно малого разкера отдельных кристаллических частиц, которые, возможно, имеют размеры молекул. Выше этой температуры размеры кристаллитов увеличиваются до 0,5 мкм при 500°С, при дальнейшем повышении температуры окисел снов становится аморфным и, наконец, вновь кристаллическим при температуре / 700°С. Закон роста пленки при 400°С является параболическим, причем, как видно из фиг. 20, общее увеличение веса сравнительно мало [38] и механизм окисления скорее связан с напряженностью поля по толщине пленки, чем с диффузией по Вагнеру [39]. При более высоких температурах закон окисления может быть паралинейным, затем асимптотическим, однако объяснения этих переходов пока нет. Поведение металла при окислении,, происходящем при температурах, меньших и больших температуры [c.49]

При более высоких температурах образуются аморфно-кристаллические пленки с низкими электрическими характеристиками. Сплошность термических пленок на металлах сохраняется лишь до определенной толш,ины, при превышении которой возникающие в пленке напряжения вызывают ее растрескивание. Чиело веществ, на которых образуются сплошные (когерентные, однородные) пленки, весьма ограничено. Прежде всего следует назвать тантал, ниобий, алюминий и кремний. Наиболее широкое применение получили термические пленки на кремнии. Они образуются в атмосфере сухого кислорода при Г= 1300 н-1600 К при окислении во влажном кислороде или парах воды температура может быть понижена до 800 К. Во всех случаях получаются аморфные пленки, имеющие структуру ближнего порядка, сходную со структурой кварцевого стекла. Химическая или топографическая неоднородность кремниевой подложки может вызвать появление в аморфном оксиде кристаллической фазы, имеющей структуру а-кристобали-та, присутствие которой ухудшает электрические свойства пленки и может вызвать нарушение ее сплошности. [c.257]

Растворы щелочных фосфатов, содержащие эмульгаторы, могут быть использованы также и для предварительной обработки деталей перед их фосфатированием в цинк- или марганцовофосфатных растворах. Растворы щелочных фосфатов не действуют на кристаллические цинкфосфатные пленки. Аморфные железофосфатные пленки могут быть получены погружением изделий в соответствующие растворы и нанесением этих растворов на поверхность изделий — автоматическим распыливанием при 60 °С и под давлением 1,4 ат. Продолжительность фосфатирования составляет 1,5 мин при pH = = 4—4,8. Для фосфатирования методом погружения применяют нагретые до 70—80 °С растворы при T gp = 3—10 мин. При увеличении Тобр аморфные пленки, в отличие от кристаллических, не утолщаются, а становятся рыхлыми и легко стирающимися. Вследствие очень малой бпл аморфные пленки повторяют микрогеометрию поверхности покрываемого металла и дефекты ее остаются видимыми. Следует также учесть, что не все сорта стали поддаются щелочному фосфатированию и получить на них тонкие железофосфатные пленки не всегда удается. [c.157]

Вопрос о влиянии отжига в вакууме рассматривался Смельт-цером [537], по наблюдениям которого скорость окисления металлографически полированного алюминия при 500° С изменялась в зависимости от продолжительности и температуры отжига. Повышение температуры отжига от 500 до 600° С или увеличение его 1продолж,ительности снижало скорость окисления. По предположениям Смельтцерг, этот эффект мог быть обусловлен либо превращением первоначальной аморфной окисной пленки в кристаллическую, либо же изменением концентрации дефектов решетки и дислокаций. [c.211]

Дальнейший ход кривых (участок Б) соответствует области вынужденно-эластической деформации материала в случае аморфных полимеров (кривая 1) и области рекристаллизации в случае кристаллических (кривая 2). На этом участке вследствие механической активации повышается сегментная подвижность макромолекул и происходит перестройка структуры материала, сопровождаемая выделением теплоты. Отрезок на участке Б может быть практически горизонтальным, если скорость релаксации материала оказывается соизмеримой со скоростью деформации образца. При переходе от участка А к участку Б наблюдается максимум на кривых о = / (е), который отвечает условию do/de = = 0. Напряжение пленок аморфных полимеров в этой точке называется пределом вынужденно-эластической деформации Овын ЭЛ. кристаллических — напряжением рекристаллизации Ор р. Участок В — участок ориентации и удлинения ориентированного образца. При ориентации прочность материала существенно увеличивается, достигая нередко 2 — 5-кратной прочности [c.69]

Адгезионная прочность зависит от фазового и физического состояния материала пленки. Аморфные пленкообразователи образуют более адгезионнопрочные покрытия, чем кристаллические. В ряду кристаллических полимеров адгезионная прочность падает с уменьшением критического поверхностного натяжения она 86 [c.86]

Установлено, что большинство пленок имеет кристаллическую структуру, но более тонкие пленки, полученные при сравнительно низких температурах, могут иметь и бесструктурное аморфное сгроение. Анализ микрофотографий, полученных на электронном микроскопе, показал, что у многих даже тонких и, следовательно, более защитных пленок имеются мельчайшие поры. [c.37]

Из реверсивных носителей наиболее широкое распространение получили носители из материалов на основе недоокиси теллура (ТеОж), ванадия (УОг) с ярко выраженными фазовыми переходами и др. Материалы на основе композиции недоокиси теллура с селеном, сурьмой, оловом, германием и другими материалами обладают свойствами изменять свое фазовое состояние (аморфное —кристаллическое) в узком диапазоне температур и сохранять его после быстрого охлаждения. Переход из одного фазового состояния в другое зависит от режима разогрева и охлаждения материала. Отражающая способность аморфной и кристаллической структур пленки различна, и на этом контрасте основан процесс воспроизведения. Принцип записи с предварительным стиранием сигнала на таком реверсивном носителе иллюстрируется рис. 11.3. На рис. П.3,а показаны дорожки с записанной информацией в виде зон с различным фазовым состоянием пленки халькогенида. Для стирания и записи используют сфокусированные пятна лазера различной протяженности и интенсивности (см. нижнюю дорожку рис. 11.3,а), с тем чтобы обеспечить различные режимы нагрева и охлаждения материала на дорожке (рис. 11.3,6). Шаг дорожек обычно составляет 1,6 мкм, интервал бита 0,6. ..0,8 мкм, излучаемая 126 [c.126]

Установлено, что б0vтьшин твo пленок имеет кристаллическую структуру, но более тонкие пленки, полученные при сравнительно низких температурах, могут быть и аморфными. Микрофотографии, полученные на электронном микроскопе, показали, что даже в сравнительно тонких пленках (защитного характера) имеются мельчайшие поры. У более тонких защитных пленок пористость значительно меньше. Возможно, что тончайшие пленки с высокими защитными свойствами, например пленки, вызывающие пассивное состояние, являются уже беспористыми. [c.40]

Специалисты полагают, что удешевление фотоэлементов за счет перехода к аморфному кремнию вместо монокристалличе-ского сделает метод прямого преобразования солнечной энергии в электрическую конкурентноспособным по сравнению с другими методами получения энергии. Подробное описание солнечных батарей на аморфном кремнии дано в i[68]. В настоящее время наиболее перспективным материалом считается определенным образом приготовленный аморфный сплав кремния с водородом, фотогаль-ванический эффект в котором был открыт в 1974 г. К 1978 г. КПД солнечных батарей на этом материале достиг 6%. Эта величина в 3—4 раза меньше достигнутой на кристаллических Si и GaAs, однако в последних максимальные значения КПД были получены через 20 лет после открытия соответствующего эффекта. Это подтверждает несомненную перспективность аморфных материалов для использования в солнечных батареях. Для успешной реализации этих батарей необходимо выполнение ряда условий, таких, как большой коэффициент оптического поглощения (в широкой области спектра), эффективный сбор носителей электричества на обеих сторонах полупроводникового материала (пленки), достаточно большой внутренний потенциал, определяющий ЭДС элемента. Эти условия определяются оптическими и электрическими свойствами аморфных полупроводников и в конечном счете энергетическим спектром электронов. Поэтому далее мы перечислим некоторые характерные свойства этих материалов, достаточно тесно связанные с картиной распределения состояний электронов по энергетическим зонам. [c.284]

Аморфные полупроводники изготовляют в виде тонких пленок напылением или осаждением на подложку. Если температура подложки невысока, попадающие на нее атомы не имеют достаточной энергии для перемещения (миграции) и не могут выстроиться в кристаллическую рещетку. В результате образуются пленки с некристаллической структурой, характерной особенностью которых по сравнению со стеклами является отсутствие эфф< кта размягчения. В процессе нагрева такой материал при некоторой температуре переходит из твердого некристаллического состояния в кристаллическое. [c.13]

Зависимость фотопроводимости Оф пленок а-31 Н от энергии фотонов Еф излучения (кривая /) показана на рис. 9. Определяли фотопроводимость как разность между электропроводностями пленки а-51 Н при воздействии излучения с данной длиной волны и в темноте. На рис. 9 показана также зависимость интенсивности солнечного излучения / от энергии фотонов (кривая 2). Как видно из этого рисунка, кривые / и 2 хорошо согласуются друг с другом максимум фоточувствительности соответствует области длин волн, в которой наблюдается максимальная интенсивность солнечного излучения. Это послужило одной из основных причин широкого использования гидрогенизированного аморфного кремния в фотоэлектрических преобразователях (ФЭП) солнечной энергии — солнечных батареях. Другой причиной является низкая стоимость гидрогенизированного аморфного кремния по сравнению со стоимостью моно-кристаллических полупроводников, традиционно используемых в этой области. [c.19]

Промышленное производство магнитов, в свою очередь, стимулировало разработку новых РЗМ. В 1978 г. получены лабораторные образцы моно-кристаллических магнитов из ЗтзСО], в форме овоидов размером 3—4 мм с удельной энергией до 159 кДж/м . В 1979 г. методом ионно-плазменного напыления аморфных пленок (с их последующей кристаллизацией в результате термообработки) получены магниты из Згпг (Со, Ре)1, в виде осажденных слоев до 1,5 мм толщиной, намагниченных по нормали к их поверхности. Удельная энергия этих магнитов составляет 60 кДж/м . [c.82]

Основной вклад в удельное сопротивление пленок двух- и многокомпонентных сплавов дают диэлектрические прослойки, возникающие в процессе формирования пленки при взаимодействии одного из компонентов сплава либо с остаточным кислородом в камере, либо с атмосферой во время термообработки, либо с окислами на поверхности подложки. Прослойки могут быть как кристаллические, так и аморфные. Проникновение электронов через прослойки осуществляется туннелированием, прыжковой проводимостью либо с помощью надбарьерной (шоттковской) эмиссией электронов. [c.443]

Замена хрома или моноокиси кремния позволяет улучшить характеристики керметных пленок. Пленки Аи— 8Ю представляют собой аморфную моноокись кремния, в массе которой в виде отдельных скоплений рассеяно золото. В противоположность пленкам системы Сг—5Ю и очень тонким пленкам чистых металлов размер частиц кристаллического золота в этих системах уменьшается с увеличением температуры подложки. Они обладают стабильной величиной поверхностного сопротивления при нанесении на подложку при температуре последней выше 250 °С. [c.444]

Авторы [148, 149], воздействуя на хром плазмой, полученной дуговым разрядом в аргоне низкого давления, нанесли на медную подложку хромовую пленку со средним размером кристаллитов примерно 20 нм пленка толщиной менее 500 нм имела аморфную структуру, а при большей толщине находилась в кристаллическом состоянии. Высокая твердость (до 20 ГПа) пленки была обусловлена образованием сверхпересыщенных твердых растворов примесей внедрения (С, N) в хроме. [c.52]

Упомянутая гетероструктура Si/Si02 явилась предметом большого числа теоретических [159—166] и экспериментальных работ [167—171], 1де обсуждались электронные состояния контактирующих как аморфных, так и кристаллических Si и Si02. При анализе результатов основное внимание уделялось собственно интерфейсным электронными уровням, моделировались также структурные и химические состояния межфазной зоны ( эффекты слоевых релаксаций, образование промежуточных субоксидных слоев, наличие точечных дефектов в области интерфейса), известны попытки МД-моделирования кинетики и механизма роста оксидных пленок на Si. [c.171]

То, что металлы могут существовать в аморфном состоянии — факт далеко не новый. Уже в 40-х годах было известно, что полученные лр и вакуумном низкотем-пературно м напылении пленки не имеют кристаллического строе- [c.25]

Анализ координат пиков g(r) показывает, что аморфное состояние существенно отличается от жидкого состояния даже вблизи точки плавления, не говоря уже о классических г. ц. к. и о. ц. к. кристаллах. На рис. 3.8 показано сравнение функций g(r) для аморфных железных и никелевых пленок, полученных напылением, с g(r) для различных кристаллических структур 9]. В табл. 3.2 приведены значения координат всех пиков g(r), начиная со второго, в отношении к координате первого пика гп1г ( — порядковый номер пика). Видно, что для аморфных структур характерно отношение r lrx = 1,6ч-1.7. [c.63]

Ферромагнетизм наблюдается в Зй -переходных металлах (железе, кобальте, никеле), в гадолинии и некоторых других редкоземельных металлах а также в сплавах на их основе и интер-металлидах. Ферримагнетики — это сложные оксиды, содержащие ферромагнитные элементы. Так как все перечисленные вещества являются кристаллическими, можно было бы предположить, что для параллельного упорядочения магнитных моментов необходимо наличие регулярного расположения атомов. Однако в 1947 г. Бреннер [1] наблюдал явление ферромагнетизма в полученной электролитическим осаждением аморфной пленке Со — Р. Позже Губанов [2] теоретически показал, что для упорядоченности магнитных моментов регулярность и симметрия атомных конфигураций необяза- [c.122]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...