Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Влияние анизотропии кристалла

В кристаллах возможно существование нескольких типов поверхностных волн, для к-рых в большинстве случаев аналитич. решения получить невозможно и требуются численные расчёты на ЭВМ. Однако ряд общих закономерностей, характерных для объёмных волн в кристаллах, остаётся справедливым и для поверхностных волн, напр, влияние анизотропии кристалла на направление потока энергии.  [c.296]

Влияние анизотропии кристалла и формы образца  [c.319]


Влияние анизотропии кристалла  [c.321]

Влияние анизотропии восприимчивости некубических кристаллов в большинстве случаев можно сделать малым либо путем тщательной ориентации монокристалла, либо применяя порошкообразный образец, хотя несферическая форма зерен порошка может вызвать нескомпенсированный магнитный момент и остаточную анизотропию. Осуществить тепловой контакт с образцом из порошка проще, чем е монокристаллом, поэтому в магнитной термометрии применяется удобная форма образца независимо от кристаллической симметрии соли.  [c.125]

Рис. 12.8. Влияние анизотропии межфазной энергии кристаллов на смачивание Рис. 12.8. Влияние анизотропии межфазной <a href="/info/189234">энергии кристаллов</a> на смачивание
В случае высокой анизотропии кристалла вектор поляризации в сегнетоэлектрике уже не будет вращаться внутри стенки, а просто несколько уменьшится его абсолютная величина без изменения направления по одну сторону стенки вектор пройдет через нулевое значение и будет иметь противоположную ориентацию по другую сторону стенки (рис. 23). В этом случае энергия анизотропии но дает вклада в энергию стенки, хотя и оказывает определяющее влияние на ее структуру. В случае низкой анизотропии кристалла (в высоко-симметричных кристаллах) можно допустить, что вектор поляризации будет поворачиваться внутри стенки.  [c.56]

Плоская зона сплавов А1—Si или Ag—Si выбранного состава перемещалась в кристалле перпендикулярно плоскости [111]. Это исключало влияние анизотропии растворимости монокристаллов кремния в расплаве на характер движения зоны. Опыты проводились в вакуумных градиентных печах специальной конструкции с графитовыми или молибденовыми нагревателями. Предварительные опыты позволили выбрать конфигурацию нагревательных элементов, обеспечивающую в образце однородное поле температурного  [c.323]

Для сплава одного и того же состава или однородного чистого металла влияние сил междуатомного сцепления должно быть постоянным, и, следовательно, главным фактором, влияющим на изменение твердости, будет наличие плоскостей легкого скольжения— анизотропии кристаллов.  [c.445]

Анизотропия упругих и пьезоэлектрических свойств кристалла, характеризуемых тензорами сие, определяет сложный характер зависимостей у,(п) и U(n). Одпако в кристаллах существуют так называемые особые направления распространения акустоэлектрических волн, в которых влияние анизотропии уменьшается. Для таких направлений определитель (3.5) распадается на произведение двух (или трех) сомножителей. В особых направлениях могут распространяться чисто продольные и чисто поперечные волны. К числу особых направлений, связанных с симметрией кристалла, относятся оси симметрии, все направления, лежащие в плоскости симметрии, а также перпендикулярные оси или плоскости симметрии. Рассмотрим этот вопрос подробнее.  [c.26]


Рассмотрим теперь противоположный предельный случай, когда анизотропией кристалла можно пренебречь, и обсудим влияние только формы образца для простоты будем говорить только об образцах, имеющих форму эллипсоида. Если кристаллическая ани-  [c.323]

Идеальные кристаллы характеризуются свойствами однородности и анизотропии. Однородность определяет неизменность свойств при перемещении точки измерения на расстояние, кратное периодам решетки. Анизотропия — зависимость свойств от направлений. Она зависит от группы симметрии. Принимая среду однородной, пренебрегают влиянием дефектов решетки блоков, дислокаций и т. п. В сравнительно сложных соединениях от точки к точке в той или иной степени изменяется стехиометрия (т. е. локальный химический состав кристалла). Например, в кристалле ниобата лития соотношение между оксидами лития и ниобия может изменяться иногда даже от 0,9 до 1,1. От дефектов и состава зависят также свойства кристаллов, но так как эта зависимость сравнительна слабая, приведенные свойства приписываются однородному кристаллу с идеализированным составом.  [c.34]

При обработке в магнитном поле ферромагнитная фаза выделяется в виде кристаллов, направленных вдоль направления 1100]. Анизотропия распада была обнаружена путем, измерения электросопротивления вдоль и поперек направления (100). Таким образом, под влиянием магнитного поля распад происходит анизотропно.  [c.224]

Если сплав со столбчатой структурой подвергнуть обработке в магнитном поле, т. е. получить анизотропию частиц выделения, то можно еще повысить магнитную энергию. Рекордная магнитная энергия получена на монокристалле и равна 48-10 дж/м (12,0-10 гс. э), В сплавах системы Fe—Ni—А1—Со коэрцитивная сила повышается при легировании этих сплавов титаном. Влияние титана на повышение коэрцитивной силы связано с измельчением зерна. В сплавах, содержащих титан, затруднено получение столбчатой структуры, следовательно, магнитная энергия их не высока. Однако специальным легированием сплавов, содержащих титан, можно добиться получения столбчатых кристаллов при кристаллизации. У таких сплавов наряду с высокой коэрцитивной силой достигается большая магнитная энергия.  [c.225]

Получаемая в результате ТМО предпочтительная ориентация кристаллов мартенсита также оказывает определенное влияние, проявляющееся в анизотропии механических свойств [111, 112, 121]. Так, испытания образцов стали 4340, упрочненных с помощью НТМО и вырезанных в продольном и поперечном направлениях, показали, что ориентация образцов, не оказывая заметного влияния на прочностные свойства (аь и з ) существенно влияет на характеристики пластичности относи-  [c.76]

Исследования структуры сплавов с различным содержанием алюминия показали, что основное влияние на анизотропию характеристик разрушения в сплавах, легированных более чем 6 % А1, оказывает вытянутость кристаллов -фазы и наличие ориентированных высокодисперсных выделений Ог-фазы.  [c.130]

В последнее время в облученных до больших доз металлах выявлено правильное распределение пор и дислокационных петель в объеме кристаллов [17—191. Установлено, что сверхструктуры из пор имеют ту же решетку и кристаллографические оси, что и матричные кристаллы. Они устойчивы при нагреве и облучении, что обусловлено анизотропией упругого взаимодействия. Однако влияние сверхструктур из пор и дислокационных петель на подвижность скользящих дислокаций и механические свойства еще не изучено.  [c.63]

В ячейке Поккельса используется изменение оптической анизотропии в кристаллах под влиянием внешнего электрического поля. Луч, распространяющийся вдоль оптической оси кристалла, не испытывает двойного лучепреломления. При приложении электрического поля вдоль оси излучения на выходе кри-  [c.30]

Влияние анизотропии формы на Не велико для всех ферромагнетиков, и оно более сильное, чем влияние остальных видов анизотропии. Анизотропия формы вызывает появление размагничивающего поля Яр, так как магнитная система не замкнута (рис. 16.14). Такое противоположно направленное поле Яр уменьшает намагничивающее поле и тем самым увеличивает Не- Величина Яр анизотропна, а поэтому для однодоменного неравноосного кристалла значение Не зависит от отношения продольной 1 к поперечной I2 оси кристалла (рис. 16.15).  [c.551]


Автономное плавление сплавов происходит при нагреве их до температуры, равной их температуре солидуса или выше ее. ТемЬература солидуса макрооднородных металлов и сплавов при нагреве их отдельных или контактирующих частиц не является постоянной величиной, но изменяется иногда в пределах, меньших 1° С, в зависимости от анизотропии кристаллов на поверхности, где обычно начинается автономное плавление (по границам зерен,) степени дисперсности контактирующих частиц, когда поверхностные явления оказывают заметное влияние на их температуру плавления.  [c.7]

В заключение отметим, что собственное атомное разупорядо-чение существенным образом влияет на магнитные свойства ферритов и это обстоятельство надо учитывать, когда надо получить материал со строго повторяющимися параметрами. В качестве технологического приема, стабилизирующего магнитную индукцию и квадратность термостабильной петли гистерезиса, иногда рекомендуют дополнительные к основной термообработке отжиги при температурах 700—800°С в течение времени, достаточном для равновесного перераспределения ионов по подрешеткам (продолжительность отжига зависит от природы феррита 2]). Примером значительного влияния собственно атомного разупорядочения на магнитные свойства является поведение феррита никеля, резко закаленного с высоких температур и обладающего определенной концентрацией ионов Ni + в Л-узлах решетки (при 1300°С в формуле Fe " [Ni Fe2ij ]04 JT = 0,9955). Как показали измерения [142], появление Ni + в тетраэдрических узлах шпинельной структуры приводит к изменению анизотропии кристалла и ширины линии ферромагнитного резонанса.  [c.116]

Другим обш им свойством кристаллических и аморфных тел является упругость. Относительно малая, но легко измеримая часть обш ей деформации твердых тел, находяш ихся под нагрузкой, является по своей природе упругой. Примерами, иллюстрирующими это основное свойство в его чистом виде, могут служить деформации кристаллов твердых минералов (кварц, алмаз) под равномерно распределенными силами они деформируются на очень малые величины, зависящие только от мгновенных значений нагрузки. По снятии нагрузки эти малые деформации полностью исчезают. Изменения формы зависят от угла между направлением нагрузки и осями кристаллов, а также от свойств симметрии кристаллов. Кроме того, эти изменения пропорциональны приложенным силам. В кристаллофизике такие искажения формы называются упругими анизотропными деформациями. В поликристалличе-ских телах влияние анизотропии отдельных кристаллов взаимно уничтожается в связи с беспорядочностью ориентации осей кристаллов во множестве отдельных кристаллитов, составляющем массу образца. Здесь мы имеем тот же случай, что и в аморфных телах, где отдельные частицы предполагаются субмикроскопически малыми. В отношении малых обратимых искажений формы обычные твердые тела обладают изотропной упругостью.  [c.23]

Для кристаллов с т]<1 (например, для КС1 т1=0,375) наиболее медленной объемной волной в плоскости (001) является волна Ti с вектором смещения, перпендикулярным этой плоскости. Такая волна, очевидно, не удовлетворяет граничным условиям и поэтому поверхностная волна всюду существует, не вырождаясь в объемную. Псевдоповерхностная волна в этом случае отсутствует, и в направлениях [100] и [ПО] распространяются волны рэлеевского типа. Если говорить о влиянии анизотропии на характеристики поверхностных волн вне указанных осей, то оно выражено более слабо, чем в случае т]>1.  [c.231]

Достаточно надежное представление об анизотропии т к) в благородных металлах было получено с применением лишь трехчетырех членов с. в фурье-разложении вида (5.7). При этом использовалось всего шесть значений х для тех орбит, на которых F как функция угла имеет экстремумы. Это обеспечивало минимальное влияние мозаичности кристалла на результаты. Было установлено, что учет значений л , измеренных при других ориентациях, изменяет значения г(Аг) не более чем на несколько процентов, если ввести соответствующую коррекцию, учитывающую возрастание х, связанное с мозаичностью (см. разд. 8.5). Однако использование большего числа членов в разложении приводит к более значительным изменениям так, использование не трех, а семи членов приводит к изменениям т к) примерно на 10% и даже достигает 50% в направлении < 100). Для К (это пока единственный щелочной металл, изученный в рассматриваемом аспекте) с малой примесью КЬ или Ыа хорошая аппроксимация экспериментальных данных достигается всего с тремя членами из разложения по кубическим гармоникам, аналогичным (5.2), и согласие с экспериментом не улучшается сколько-нибудь существенно при учете большего числа гармоник [269].  [c.452]

Четкой закономерности поэтому, можно ожидать сначала только при простых структурад Дишь с одним видом и. одной формой кристаллов при минимально возможном количестве загрязнений. При этом речь не обязательно должна идти.о.чистых металлах. Сплавы с истинными твердыми растворами, не являются исключением. В таких случаях наблюдается легко выявляемое влияние анизотропии и размеров зерна. Например, если сравнить два образца из алюминиевого и латунного литья с одинаковой величиной зерна, то зату.хание в латуни, будет много сильнее, чем в > алюминии. Если далее взять две пробы одного и. того же вещества с различной величиной зерна, то окажется . что у латуни изменение затухания в зависим 0ети от величины зерна будет выражено много сильнее, чем у. алюминия. Последнее сопоставление можно, провести не при большей величине зерна, а при меньшел- длине волны. Таким образом,...большее отношение диаметра зерна к длине волны -дает темп. более сильное затухание, чем сильнее выражена анизотропия.  [c.135]

В расчетах Акулова и Кондорского учитывалась энергетическая анизотропия кристалла влиянием внутренних упругих напряжений они пренебрегали. Беккер и Доринг [2] провели расчет с учетом внутренних напряжений и получили формулы такого же вида, как (71) и (72), но с несколько отличающимися числовыми коэффициентами.  [c.167]


Деформирование жидкого кристалла приводит, вообще говоря, к его дижлектрической поляризации и соответственно к возникновению электрического поля (см. VIII, 17) этот эффект обычно слаб, и мы не будем рассматривать его влияние на механические свойства среды. Мы не будем также рассматривать влияние, которое оказывает на свойства жидких кристаллов внешнее магнитное поле ввиду анизотропии магнитной (фактически диамагнитной) восприимчивости нематика магнитное поле оказывает на него ориентирующее действие.  [c.191]

Подобная ориентация нередко наблюдается в веществе под действием междумолекулярных сил (кристаллы) иногда же она может возникать под влиянием внешних воздействий (искусственная анизотропия). Конечно, возможно также сохранение изотропных свойств и у кристаллических тел, т. е. при некотором регулярном расположении атомных групп. Так, например, кристаллы каменной соли или сильвина, представляющие собой,Гкак уже упоминалось) кубическую решетку, построенную из ионов Ка (или К ) и СК, являются в первом приближении оптически изотропной средой ). Причина состоит в том, что иокы, из которых построена решетка, сами по себе обладают изотропными свойствами, а благодаря их симметричному расположению в узлах кубической решетки воздействие окружающих частиц также оказывается не зависящим от направления. Если деформировать кристалл каменной соли или сильвина, например сжимая его в одном направлении, то нарушается симметрия в расположении ионов и кристаллы становятся двоякопреломляющикш.  [c.496]

Отвлекаясь от трудностей при самых низких температурах, следует отметить, что церий-магниевый нитрат обладает рядом интересных свойств. С теоретической точки зрения он представляет единственное пзвестное в настоящее время вещество, магнитные свойства которого полностью, или почти полностью, определяются магнитным дииольным взаимодействием, поэтому подробные исследования его свойств при более низких температурах должны представлять значительный интерес. (В предварительных экспериментах, проведенных в Лейдене, было обнаружено отсутствие остаточного магнитного момента.) С экспериментальной точки зрения существенно, что очень низкие температуры могут быть получены при не очень больших значениях поля, а также что вплоть до весьма низ) их температур Т равно Т. Кроме того, благодаря значительной анизотропии после размагничивания можно включить поле в направлении тригональной оси без большого влияния на температуру. Однако церий-магниевый нитрат практически пеири-годен для исследований, в которых необходимо применять порошкообразные образцы или спрессованные блоки (например, если должен быть осуществлен хороший тепловой контакт с другими исследуемыми материалами). В этом случае между отдельными кристаллами возникают значительные разности температур, которые при самых низких температурах не успевают выравниваться в течение практически приемлемого иромен утка времени (см. п. 19).  [c.508]

Измерения на Ми были выиолнены в Оксфорде [366]. Использовался кристалл ejMg-3 (N0g)i2-24H20, в котором небольшая часть ионов магния была замещена марганцем. Оказалось, что при Т = 0,01 анизотропия обнаруживает максимум (анизотропия в максимуме была равна 28%). Ниже этой температуры анизотропия убывает и при 7 = 0,003° составляет 21%. Этот эффект был приписан влиянию магнитного поля, в месте расположения марганца, вызываемого ионами церия. По этой причине было приложено внешнее магнитное поле напряженностью 1000 эрстед в направлении малого значения g для ионов церия (см. п. 48). Этим путем при самых низких температурах была достигнута анизотропия 90%. Исследовалась также линейная поляризация у-лучей [367].  [c.601]

В металлических материалах по структурному признаку различают Гомогенную и гетерогенную анизотропию [86, 87]. Гомогенная анизо-тррпия определяется типом кристаллической решетки и соответственно различием свойств кристаллов в разных направлениях. При появлении в результате деформации предпочтительной ориентировки кристаллов в поликристаллическом металле свойственное монокристаллам различие свойств проявляется во всем объеме текстурированного металла. Гетерогенная анизотропия связана с закономерно ориентированным распределением в структуре металлических и неметаллических включений, участков, отл1 чающихся по химическому или фазовому составу, а также дефектов, образовавшихся вследствие течения металла при деформации. Основное отличие титановых сплавов от других конструкционных металлов связано с гомогенной анизотропией, влияние которой на характеристики разрушения рассмотрено ниже.  [c.128]

Характерной особенностью дефектной структуры облученных кристаллов являются хаотичность в расположении точечных и объемных барьеров и неоднородность создаваемых ими полей напряжений. Но нельзя считать распределение дефектов в кристаллах изотропным. На начальной стадии облучения кристаллов наблюдается сильная анизотропия в распределении радиационных дефектов и анизотропия влияния радиации на механические свойства в )азличных кристаллографических направлениях. О. А. Троицкий 151 на монокристаллах цинка обнаружил в плоскостях базиса более высокую скорость накопления радиационных дефектов и большее влияние радиации на сопротивление движению дислокаций в базисных плоскостях по сравнению с другими кристаллографическими плоскостями. В. К. Крицкая с сотрудниками [16] по изменению интегральных интенсивностей рентгеновских рефлексов обнаружила ориентационную зависимость в распределении радиационных дефектов в облученных электронами монокристаллах молибдена и как следствие — анизотропию величины эффекта повышения сопротивления деформированию в различных кристаллографических направлениях монокристаллов молибдена.  [c.63]

Следует сказать об анизотропии магнитных свойств ферритов, так как большинство из них обладает существенной зависимостью свойств от направлений. Чем ниже симметрия кристалла, тем выше анизотропия его свойств. Одноосные кристаллы ферритов имеют огромные поля анизотропии, исчисляемые десятками тысяч эрстед, в то время как поля анизотропии кубических ферритов не превышают обычно тысячи эрстед. Магнитная кристаллографическая анизотррпия оказывает существенное влияние на поведение ферритов й полях сверхвысоких частот. Численные величины констант анизотропии гексагонального (кобальтового) и кубического (никелевого и марганцевого ферритов) имеют соответственно -ЬЗ-10 и —62-10 — 28 10 эрг/см .  [c.38]

В общем случав на тип М. д. с. существенное влияние оказывают особенности магн. анизотропии (число осей лёгкого намагничивания) ориентация ограничивающих кристалл поверхностей относительно кристаллографич. осей форма и размеры образца, а также всевозможные дефекты — магн. и немагн. включения, дефекты упаковки, границы двойников (см. Двойникование), дислокации и др.  [c.653]

Другой механизм влияния электрич. поля на оптич. свойства вещества связан с определ. ориентацией в поле молекул, обладающих постоянным дипольным моментом или анизотропией поляризуемости. В результате у первоначально изотропного ансамбля молекул появляются свойства одноосного кристалла. Характерное время ориентационных процессов колеблется от 10 —10 с для газов и чистых жидкостей до 10 с и больше для коллоидных растворов, молекул, аэрозолей и т. п. Особенно сильно выражен ориентационный эффект в жидких к р и с т а л л а X (время релаксации 10" с), в них наблюдается целый ряд электрооптич. эффектов. В твёрдых телах при наложении электрич, поля наблюдается появление оптической анизотропии, обусловлен, установлением различий в ср. расстояниях между частицами решётки вдоль и поперёк поля (стрикционный эффект). Как ориентационный, так и стрикционный эффекты не только дают существ, вклад в эффект Керра, но и приводят к изменению интенсивности и деполяризации рассеянного света под влиянием электрич, поля (т. н. дитин дализм).  [c.589]


К причинам уширения линии ФМР (как и в описанных ЯМР и ЭПР) относят спин-спино-вый и спин-решеточный механизмы релаксации. Наиболее узкая линия ФМР в совершенных монокристаллах (А// = 42,2 А/м) зарегистрирована в соединении УзРе50[2 (иттрие-вый феррит со структурой граната). Кроме влияния дефектов, в этом кристалле ширина линии ФМР определяется дипольным (магнитостатическим) взаимодействием и магнито-стрикцией. При введении редкоземельных примесей наблюдается максимум на кривой температурной зависимости ширины линии и анизотропия спектра ФМР изменение ширины линии в зависимости от ориентации оси легкого намагничивания кристалла.  [c.182]


Смотреть страницы где упоминается термин Влияние анизотропии кристалла : [c.346]    [c.278]    [c.353]    [c.230]    [c.320]    [c.323]    [c.320]    [c.219]    [c.384]    [c.244]    [c.336]    [c.509]    [c.654]    [c.182]   
Смотреть главы в:

Магнитные осцилляции в металлах  -> Влияние анизотропии кристалла



ПОИСК



Анизотропия

Анизотропия кристаллов

Влияние анизотропии кристалла и формы образца



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте