Дефект атомной решетки линейный

Напряжения III рода уравновешиваются в еще меньших объемах (группа атомов) и связаны с дефектами атомной решетки в окрестности дислокаций, как линейных, так и винтовых, и другими дефектами. Напряжения I, II и III родов исследуются рентгеновским методом ). [c.261]

Дефекты атомной решетки. Несовершенства решетки кристаллов делятся на три основных вида [14] 1) точечные несовершенства, к которым относятся вакансии и внедренные атомы 2) линейные несовершенства или дислокации, охватывающие ряд последовательных атомных плоскостей 3) поверхностные несовершенства, представляющие собой границы зерен, блоков, поверхности между фазами и свободные поверхности. [c.537]

Дислокации представляют собой линейный дефект кристаллической решетки, нарушающий правильное чередование атомных плоскостей. [c.44]

Размеры блоков и углы их разориентации определяют блочную структуру кристаллического вещества. На границах блоков (малоугловых границах) возникают нарушения в правильности расположения атомов, обладающие сечением порядка атомного и одним протяженным размером, т.е. образуются линейные дефекты кристаллической решетки, называемые системой дислокаций. [c.33]

Точечный дефект представляет собой в высшей степени локальный дефект, влияние которого простирается лишь на один или несколько атомных диаметров от его центра. К точечным дефектам относятся вакансии (не занятые атомами узлы), межузельные атомы, растворенные атомы и свободные атомы в упорядоченной решетке. Линейный дефект представляет собой дислокацию. Этот тип дефектов будет подробно рассмотрен ниже. Поверхностный дефект представляет собой плоскость или криволинейную поверхность, образованную множеством дефектов в кристалле. К ним относятся границы зерен, границы субзерен, границы двойников и скопления дефектов в атомных плоскостях внутри кристаллов. Объемные дефекты — это трехмерные дефекты, такие, как пустоты, пузырьковые включения, частицы, ориентированные отлично от окружающей матрицы, или скопления точечных дефектов в упорядоченной матрице. [c.48]

В) Неверно. Винтовая дислокация представляет собой линейный дефект кристаллической решетки, при котором кристалл фактически состоит из единственной атомной плоскости, изогнутой по винтовой поверхности. [c.28]

Подобный незавершенный сдвиг и называется дислокацией. В отличие от точечных дефектов, нарушающих лишь ближний порядок в кристалле, дислокации являются линейными дефектами кристаллической решетки, нарушающими правильное чередование атомных плоскостей, что приводит к искажению всей структуры кристалла и смещению всех его атомов. [c.82]

Определение дислокации, контур и вектор Бюргерса. Дислокация — это специфический линейный дефект кристаллической решетки, нарушающий правильное чередование атомных плоскостей [13]. Идеальный кристалл можно изобразить схематически в виде семейства параллельных атомных плоскостей (рис. 13.4, а). Если одна из плоскостей обрывается (рис. 13.4, б), ее край образует линейный дефект, называемый краевой дислокацией. [c.419]

Дефекты кристаллической решетки разделяют на точечные, линейные и поверхностные. Точечные дефекты (рис. 16) появляются в результате образования вакансий (атомных дырок) 1, внедрения инертных атомов 3 и перемещения атома 2 в междоузлие. [c.61]

В полярных кристаллах дефекты по Шоттки возникают после ухода анионов и катионов лишь на поверхности внутренних трещин или иа поверхности кристалла. Согласно Ф. Зейтцу и другим исследователям внутренним источником (а также ловушками ) вакансий могут являться также более сложные дефекты — дислокации, которые в отличие от дефектов по Френкелю и ло Шоттки являются не точечными , а линейными дефектами кристаллической решетки, которые нарушают правильность чередования атомных плоскостей решетки. [c.42]

Дислокации — линейные дефекты кристаллической решетки типа обрыва или сдвига атомных плоскостей, нарушающие правильность их чередования. Энергия образования дислокаций существенно выше энергии образования точечных дефектов, поэтому они не могут существовать в измеримых концентрациях как термодинамически устойчивые дефекты. Они легко образуются при выращивании монокристаллов или эпитаксиальных пленок, сопровождающемся термическими, механическими и концентрационными напряжениями, приводящими к пластической деформации кристалла. Часть дислокаций может сохраняться в кристалле даже после самого тщательного отжига. Более подробно вопрос о причинах возникновения дислокаций будет рассмотрен при обсуждении методов выращивания монокристаллов и эпитаксиальных пленок (см. гл. 6 [c.95]

Линейные несовершенства кристаллической решетки имеют размеры, близкие к атомным в двух измерениях и значительную протяженность в третьем. К этому виду дефектов относятся дислокации, простейшими из которых являются краевые, винтовые и смешанные. [c.30]

Линейные дефекты строения кристаллической решетки называются дислокациями. Они бывают нескольких типов линейные, винтовые, криволинейные и частичные. Наиболее простой их тип — линейная дислокация. Она может простираться в длину на многие тысячи параметров решетки и быть прямой или выгибаться в ту или иную сторону. Линейная дислокация схематически показана на рис. 1-6,а. Верхняя часть кристалла содержит атомную плоскость АВ, которая не имеет продолжения ниже точки В. Неполная плоскость АВ получается как бы лишней. Она называется экстраплоскостью. Край [c.13]

Линейные дефекты решетки имеют малые размеры в двух измерениях и большую протяженность в третьем измерении. Они могут быть сформированы рядом вакансий или межузельными атомами. К таким дефектам относят также краевые и винтовые дислокации. Первые представляют собой края оборванных (лишних) атомных плоскостей, а вторые связаны с закручиванием атомных плоскостей в виде винтовой лестницы. [c.85]

Поверхностные дефекты малы только в одном измерении. Чаще всего это граница раздела двух различно ориентированных участков кристаллической решетки. На этой границе нарушается правильное расположение атомов. Помимо этого, на границах скапливаются линейные и точечные дефекты, концентрируются примеси. Граница представляет собой переходную зону шириной в несколько атомных расстояний. [c.15]

Линейные дефекты строения кристаллической решетки называются дислокациями. Они бывают нескольких типов краевые, винтовые, смешанного типа, частичные и т. д. Наиболее простой тип — краевая дислокация показана схематически на рис. 9, а. Верхняя часть кристалла содержит атомную плоскость АВ, которая не имеет продолжения ниже точки В, т. е. эта плоскость как бы лишняя. Она называется экстраплоскостью. Край этой плоскости, перпендикулярный к плоскости рисунка и прости- [c.16]

В пределах каждого зерна металла отдельные области его — субзерна — повернуты друг относительно друга на угол от нескольких минут до нескольких градусов. При переходе от одного субзерна к другому каждая плоскость, по которой располагаются узлы кристаллической решетки, претерпевает перелом. Таким образом, у соседних субзерен кристаллические решетки упруго сопряжены. При переходе же от одного зерна к другому наблюдается полная независимость расположения атомных плоскостей. Границы субзерен так же, как и границы зерен, являются местом скопления линейных и точечных дефектов кристаллических решеток. Границы представляют собой поверхностные дефекты. [c.18]

ДЕФ ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕ-ШЕТКИ — нарушения правильного строе-ния решетки реального кристалла по сравнению с идеальным. Основными Д. к. р. являются вакансии (атомные дырки), т. е. незанятые места в узлах кристаллической решетки, дислоцированные (межузельные) атомы и дислокации. Первые две категории относятся к точечным дефектам. Дислокации представляют собой линейные Д. к. р., нарушающие правильное чередование атомных плоскостей,т. е. характеризующие сдвиг атомов (размеры дислокаций определяют в основном их протяженностью). [c.40]

Реальный технический металл имеет дефекты строения, в частности точечные дефекты (например, вакансии и внедренные атомы), и линейные дефекты — дислокации. Такого рода дефекты могут перемещаться под действием циклических напряжений. На рис. 1.10, о показана кристаллическая решетка с одной незавершенной атомной плоскостью — с краевой дислокацией. Под действием циклических напряжений дислокация переместилась на один параметр кристаллической решетки (рис. 1.10, б), а после длительного деформирования вышла на поверхность, образовав на ней ступеньку сдвига (рис. 1.10, в). Таким образом, и здесь происходит смещение путем сдвига, но это смещение является чрезвычайно локализованным, так что измеримых остаточных деформаций тело не обнаруживает. Далее протекает длительный процесс движения, слияния и накопления подвижных дефектов у барьеров — более прочных зон зерна. Этот [c.46]

Линейные дефекты являются другим важнейшим видом несовершенства кристаллической решетки, когда в результате сдвига на одно межатомное расстояние одной части решетки относительно другой вдоль какой-либо плоскости число рядов атомов в верхней части решетки на один больше, чем в нижней. В данном случае в верхней части решетки появилась как бы лишняя атомная плоскость ( экстра-плоскость). Край экстра-плоскости, перпендикулярный направлению сдвига, называется [c.6]

Линейные дефекты называют дислокациями и различают два их основных типа. Один из них —краевая дислокация, это дополнительная неполная атомная плоскость, расположенная в решетке так, как это показано на рис. 30. Плоскости в кристалле выше и ниже некото- [c.62]

Иа рисунке 1.13 представлен линейный дефект кристаллической решетки - дислокации, возникающий в том случае, ес ш одна из атомных ПJЮ кo тeй при кристаллизации не заполняется полностью, а лишь частично. Эта плоскость на рисунке 1.13 обозначена HMBOJmM J , означающим краевую дислокацию, так как в данном случае дефект связан с краем этой неполной плоскости. [c.49]

Dislo ation — Дислокация. Линейный дефект в кристаллической атомной решетке. Два основных типа [c.939]

Опыты показали, что без серьезной модификации простейших вариантов теории течения невозможно объяснить поведение ряда материалов при циклическом нагружении. Отсюда представляет интерес теоретический анализ пластических деформаций в сторону более точного учета поведения статически неопределимой системы зерен, образующей в совокупности поликристаллическое тело. В течение последних двадцати лет многие авторы как у нас, так и за рубежом занимались этим вопросом. Неравномерность пластической деформации, обусловливающаяся как зернистостью поликристалла, так и неравномерностью распределения дефектов в атомных решетках кристаллитов, приближенно учитывалась путем представления тензора пластической деформации в виде суммы (или, в пределе, интеграла) элементарных пластических деформаций, каждой из которых соответствует своя поверхность текучести (т.е. свой критерий текучести) и своя система микроупругих сил. Указанный подход основьшается на предположении, что статистика анизотропных кристаллитов может быть подменена статистикой изотропных частиц, обладающих различными пределами текучести. В рассуждениях [5] существенную роль играла гипотеза Кренера, согласно которой локальные отклонения напряжений от их средних значений линейно связаны с аналогичными отклонениями пластических деформаций. [c.75]

КРИСТАЛЛЫ валентные (атомные) содержат в узлах кристаллической решетки нейтральные атомы (С, Ge, Те и др.), между которыми осуществляется гомеополярная связь, обусловленная квантово-механическим взаимодействием глобулярные представляют собой частный случай молекулярных кристаллов и имеют вид клубка полимеров жидкие обладают свойствами как жидкости (текучестью), так и твердого кристалла (анизотропией свойств) внутри малых объемов идеальные не имеют дефектов структуры иопные обладают гетерополярной связью между правильно чередующимися в узлах кристаллической решетки положительными и отрицательными ионами квантовые характеризуются большой амплитудой нулевых колебаний атомов, сравнимой с межатомным расстоянием металлические образуются благодаря специфической химической связи, возникающей между ионами кристаллической решетки и электронным газом (Си, А1 и др.) молекулярные (Лг, СН , парафин и др.) формируются силами Ван-дер-Вальса, главным образом дисперсионными нитевидные вытянуты в одном направлении во много раз больше, чем в остальных оптические [активные поворачивают плоскость поляризации света вокруг падающего линейно поляризованного луча анизотропные обладают двойным лучепреломлением, состоящим в том, что луч света, падающий на поверхность кристалла, раздваивается в нем на два преломленных луча двуосные имеют две оптические оси, вдоль которых свет не испытывает двойного лучепреломления одноосные (имеющие одну оптическую ось отрицательные, в которых скорость обыкновенного светового луча меньше, чем скорость распространения необыкновенного луча положительные, в которых скорость распространения обьпсновенного светового луча больше, чем скорость распространения необыкновенного луча))] КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ— образование кристаллов из паров, растворов, расплавов веществ, находящихся в твердом состоянии в процессе электролиза и при химических реакциях [c.244]

Линейные дефекты имеют малые размеры в двух измерениях и большую протяженность в третьем. Эти дефекты называют дислокацияни. Краевая дислокация (рис. 1.3) представляет собой искажение кристаллической решетки, вызванное наличием лишней атомной полуплоскости (экстраплоскости). Край экстроплоскости, перпендикулярный направлению сдвига, и является краевой дислокацией. Линия дислокации перпендикулярна плоскости рисунка 1.3. [c.13]

Известно, что реальные кристаллы металлов обладают рядом структурных дефектов. Эти дефекты разделтотся на точечные, линейные и поверхностные. К точечным дефектам относятся вакансии, т. е. свободные узлы в атомно-кристал-яической решетке, промежуточныеатомы,смещенныевмежузлия, и атомы примесей. [c.167]

В совершенном кристалле должно быть правильное периодическое расположение атомов, простирающееся до бесконечности. Но в действительности таких кристаллов не существует. В реальных кристаллах правильное строение всегда имеет определенные нарушения — дефекты. Все дефекты в кристаллах разделяют на четыре группы точечные, линейные, поверхностные (плоские), объемные. Точечные дефекты бесконечно малы в трех измерениях, к ним относятся вакансии — узлы кристаллической решетки, не занятые атомами, дислоцированные атомы, расположенные в междуузлиях, атомы примесей и т. п. Линейные дефекты малы в двух измерениях, а в третьем имеют значительную протяженность. К ним относятся дислокации. Дефекты упаковки — нарушения в чередовании плотноупа-кованных атомных плоскостей, границы двойников и т. д. — от- [c.278]

Сосредоточение деформации металла иа границах зерен при прохождении через высокотемпературный участок термического сварочного цикла, особенно ту его часть, где уже прекратилась миграция границ и достройка зерен, должно привести к большой искаженности кристаллической решетки в приграничных зонах. Такой сдвиг должен сопровождаться существенным ростом плотности дислокаций и вакансий иа границах. Особенно велик он должен быть на границах, расположенных нормально к направлению растяжения. При особо высокой степени локального сосредоточения деформации на таких участках границ могут образоваться микронесплошности типа трещин. Следовательно, меж-зеренный сдвиг в высокотемпературной области должен значительно расширить зону разрыхления границ, увеличить ее свободную энергию и склонность к адсорбции атомов инородных элементов. Ширина зоны разрыхления определяет реальную ширину границ, наблюдаемую на шлифах после травления металла. Такие реальные границы значительно шире (до 10 — 10- см) границ, предполагаемых теоретически (до 10 см). Расчеты показывают, что высокотемпературная зернограничная деформация может пройти только в том случае, когда ширина границ незначительно больше теоретической. Экспериментальным и расчетным путем М. А. Криштал и Ю. И. Давыдов получили, что соответствующая ширина эффективной границы зерен при 700°С в железе со средним размером зерен около 50 мкм равна 10 см. Экспериментально было также установлено, что зона адсорбции углерода на границе зерен в а—Fe равна 0,2 мкм [10]. Столь значительное увеличение ширины реальных границ зерен происходит в результате стока и накопления точечных и линейных дефектов, образующих благодаря лесу дислокаций и пор типа объединенных поливакансий широкую зону нарушенной структуры. Плотность нарушений возрастает вследствие локализации сдвига по границам. Скопление дислокаций у границы видно на микроструктуре (рис. 69), выявленной при электронной микроскопии на просвет околошовной зоны сварного шва фольги из коррозионно-стойкой стали. Аналогичный результат отмечен и при травлении декорированных дислокаций на шлифах сварных соединений листов большей толщины. Ширина зоны травимости -самой дислокации всего лишь немного больше 10 см (около 30 атомных диаметров) [40]. Но, по-видимому, при плотном скоплении дислокаций на границах образуется фронт травимости, равный всей площади их скопления размером до 10 см. А. Хейденрейх [62] считал, что при циклическом нагружении дислокации могут концентрироваться у границ в слое толщиной около 0,2 мм. [c.111]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...