Стехиометрия

Для замкнутой однофазной системы dN в уравнении (8-68) не является независимой величиной, но связано со стехиометрией химической реакции. Например, если а молей компонента А реагирует с Ь молями компонента В с образованием г молей компонента и S молей компонента 5 в соответствии с реакцией [c.292]

Мольные доли в уравнении (10-33) не являются независимыми, но определяются стехиометрией реакции. Если определить переменную как количество одного компонента, вступающего в реакцию или образующегося в результате ее, то все мольные доли можно выразить через одну общую переменную, и уравнения (10-27) и (10-33) можно решить относительно этой неизвестной. Таким образом может быть определен равновесный состав реакционной смеси. [c.299]

V-твердый раствор на основе химического соединения Си и 5п (кристаллическая структура, стехиометрия которого пока не установлены) [c.296]

Набор компонентов, найденный таким способом, может оказаться недостаточным, если вначале не выделить из всех рассматриваемых составляющих такие, которые не вступают в химические реакции не из-за их стехиометрии, а по иным, например кинетическим, причинам. Такие вещества должны считаться компонентами вне зависимости от результатов анализа формульной матрицы системы (см. 1). С другой стороны, этот набор может быть и избыточным, так как формульная матрица не учитывает количеств составляющих, поэтому не-исключено, что они могут образовываться из меньшего числа веществ. Эти физические особенности выбора компонентного состава при решениях задачи на ЭВМ учитываются обычно программными средствами. Когда набор компонентов выяснен и их число оказывается меньше, чем число входящих в систему химических элементов (т. е. ранг llp,7llкомпоненты системы, так как это сокращает число переменных. Вместо реакции (21.1) в этом случ ае будет реакция [c.177]

Что означает отсутствие стехиометрии [c.161]

Химический анализ показывает, что кристаллы, окра-щенные путем нагревания в парах щелочного металла, содержат избыточное по сравнению со стехиометрией количество атомов щелочного металла (около 10 —10 см" ), причем наблюдается соответствие полного спектрального поглощения в F-полосе количеству избыточных атомов, определенных путем химического анализа. [c.166]

Идеальные кристаллы характеризуются свойствами однородности и анизотропии. Однородность определяет неизменность свойств при перемещении точки измерения на расстояние, кратное периодам решетки. Анизотропия — зависимость свойств от направлений. Она зависит от группы симметрии. Принимая среду однородной, пренебрегают влиянием дефектов решетки блоков, дислокаций и т. п. В сравнительно сложных соединениях от точки к точке в той или иной степени изменяется стехиометрия (т. е. локальный химический состав кристалла). Например, в кристалле ниобата лития соотношение между оксидами лития и ниобия может изменяться иногда даже от 0,9 до 1,1. От дефектов и состава зависят также свойства кристаллов, но так как эта зависимость сравнительна слабая, приведенные свойства приписываются однородному кристаллу с идеализированным составом. [c.34]

Найти выражение для конфигурационной теплоемкости сплава со стехиометрией АзВ и АВ в ГЦК решетке. [c.273]

Доказать, что в сплаве со стехиометрией АзВ и ГЦК решеткой фазовый переход является переходом I рода. [c.273]

По смыслу вывода величины dN в уравнении (11-12) представляют собой изменения количеств молей всех реагентов в виртуальном процессе (химической реакции), не нарушающем условий равновесия системы. Отсюда ясно, что dN не являются независимыми — они связаны условиями стехиометрии реакции (И-1). Следовательно, [c.224]

Бездефектные гомогенные образцы соединений, плотность которых близка к теоретической, не разрушаются в низкотемпературной области, проявляя лишь некоторое ускорение поверхностного окисления. Скорость разрушения, зависящая в основном от степени дефектности образца, может изменяться также в зависимости от чистоты и гомогенности материала, его стехиометрии и состава газовой атмосферы. Известный вклад в явление чумы могут давать такие эффекты, как межзерновое окисление и упрочнение границ зерен. Несомненно, отдельные аспекты явления чумы соединений разного типа могут быть различными. [c.294]

Другие соединения. Вопрос существования соединения в области составов 60 — 62,5 ат. % платинового металла, их стехиометрии и кристаллической структуры в системах с родием, палладием и платиной окончательно не решен. [c.189]

Для соблюдения на подложке стехиометрии испаряемого материала должно выполняться условие соответствия массы испаряемой частицы порошка количеству материала, необходимого для получения нескольких монослоев на подложке. Б-этом случае не имеет значения неодновременность попадания на подложку различных атомов. Скорость подачи испаряемого материала должна быть равна или меньше скорости испарения, в этом случае материал не скапливается на испарителе. Метод требует визуального контроля процесса испарения. [c.426]

Кизеловский уголь с =6,1 % сжигают в топке с кипящим слоем. Определить расход известняка, необходимый для связывания 80 % серы в виде aSOi, если известно, что для этого необходимо давать в топку в 2,5 раза больше Са, чем это следует из стехиометрии уравнения Са0 + 50г + 0,50г = aSO,. [c.146]

Наибольшие равновесные концентрации продуктов реакции всегда связаны со стехиометрией, т. е. компоненты, загружаемые в реактор, должны быть в том же соотошении, в котором они реагируют (см. пример 2). Присутствие инертного компонента или избытка одного реагирующего вещества всегда вызывает понижение равновесных концентраций продуктов в равновесной реакционной смеси. [c.303]

Так, например, соединение oAl может кристаллизоваться с избытком кобальта и алюминия по сравнению со стехиометри-ческим соотношением Со А1= 1 1 в последнем случае избыток алюминиевых атомов получился потому, что не все места в кристаллической решетке, где должны быть атомы кобальта, ими заняты. Получаются в кристаллической решетке дыры , пустоты . [c.105]

Чтобы учесть это, достаточно ввести в расчет дополнительное условие, выражающее стехиометрию такой реакции Пс,н, = сн4-В последнем примере использование дополнительного условия равнозначно выбору другого, более соответствующего реальности компонентного состава системы (сохранение количества ароматических групп в смеои). Однако условия могут быгь более разнообразными. Они могут, например, выражаться неравенствами типа [c.174]

Нестехиометрия - отклонение количественных соотношений между компонентами химических соединений от соотношений, определяемых правилами стехиометрии. Наиболее характерна для немолекулярных кристаллических соединений - оксидов, халькогенидов и др. Устойчивость кристаллических нестехиометрических соединений обусловлена их способностью сохранять свойственную им кристаллическую структуру в некотором концентрационном интервале избытка или недостатка одного из компонентов. [c.151]

Точечные дефекты могут появиться в твердых телах вследствие нагревания тепловые дефекты), облучения быстрыми часитами радиационные дефекты), отклонения состава химических соединений от стехиометрии стехиометрические дефекты), пластической деформации. [c.86]

Особенностью строения карбидов второй группы (фаз внедрения) является то, что они кристаллизуются со значительным недостатком углерода по сравнению со стехиометри-ческим составом. Например, в карбиде V содержится НС 50, а всего лишь 30 - 35% [c.75]

Некоторые соединения рассматриваемого типа характеризуются непрямой зонной структурой, как это имеет место, например, в SnS, SnSe (см. рис. 22.216), или обладают сложной зонной структурой (см. рис. 22.211 для SnTe). Тип проводимости рассматриваемых соединений часто определяется отклонением от стехиометрии. [c.517]

Определить величину окачка параметра дальнего порядка и энтропии при упорядочении сплавов со стехиометрией АзВ и ГЦК решеткой при температуре фазового перехода. [c.273]

Все расчеты процессов горения топлив ведутся на основе стехиометри-ческнх уравнений. [c.239]

Описаны природа и закономерности образования дефектов в эпитаксиальных слоях полупроводников. Обобщены и проанализированы данные о влиянии структурных несовершенств (различие периодов решетки, наличие градиента состава и наследование дефектов из подложки и др.) на морфологические особенности композиций на основе многокомпонентных твердых растворов соединений Рассмотрены. основные механизмы и источники образования дислокаций при эпитаксии. Впервые рассмотрены вопросы стехиометрии при жидко- и газофазной эпитаксии. Особое внимание уделено влиянию электрически активных дефектов на характеристики ин-жекционных лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов. [c.54]

С помощью комплекса рентгенографических, металлографических, микрорентгеноспектральных методов исследования прямых и параллельных шлифов спаев, изготовленных при 1200° С в течение 3—5 мин в атмосфере аргона, было показано [1], (рис. 1), что продукты взаимодействия титана марки ВТ-1-0 с бесщелоч-ным алюмоборосиликатным расплавом представлены силицидами и оксидом титана переменной стехиометрии. [c.225]

Третьим ограничением при получении данных о кинетике реакций является выбор температуры. С целью быстрого получения данных имеется тенденция использовать более высокие температуры. Это может привести, как и в других работах по диффузии, к ошибкам при экстраполяции на низкие температуры. Определены источники некоторых ошибок такого рода изменение с температурой стехиометрии продуктов реакции (Кляйн и др. [20]), застворение одного из продуктов реакции в другом (Шмитц и. еткалф [39]), прекращение одного из двух процессов, лимитирующих скорость реакции, вследствие растворения одного из продуктов (Шмитц и др. [40]). [c.102]

Изменения нестехиометричности диборида с температурой были использованы выше для объяснения уменьшения скорости реакции при 811 и 923 К. Можно ожидать, что легирование даст подобный же эффект. Повторный анализ [20] данных Руди [36] о составе диборидов показал, что дибориды титана, молибдена и гафния имеют недостаток бора по сравнению со стехиометриче-ским составом, тогда как область гомогенности диборидов ванадия, ниобия и тантала симметрична относительно стехиометриче-ского состава. Ограниченные данные о составе диборида циркония не дают возможности установить степень его нестехиометричности. Все указанные дибориды изоморфны, и поэтому легирование диборида с недостатком бора, например диборида титана, одним из диборидов с избытком бора будет сопровождаться уменьшением количества вакантных позиций бора вплоть до очень малых величин при переходе состава через стехиометрический. Можно предположить, что этим эффектом объясняется минимальное значение скорости реакции при содержании в матрице —30% V (рис. 16). В продукте реакции стехиометрического состава остаточные вакансии являются термическими, и поэтому уравнение, приведенное выше, в этом случае неприменимо. В рассмотренном анализе предполагалось дополнительно, что изменение состава диборида по мере приближения к стехиометрии происходит только путем уменьшения числа вакансий в позициях бора. [c.117]

Немалым достоинством этих отвердителей является то, что у них достаточно большое значение стехиометри-ческого коэффициента, т. е. соотношение между отвердителем и эпоксидной смолой может колебаться в пределах 1 2—1 1. За это свойство данные отвердители называют иногда некритичными. [c.58]

Существенным недостатком термического метода является сложность получения пленок строго стехиометрического состава из сплавов и сложных химических соединений, а также низкая адгезия, сильно зависящая от состояния поверхности подложки и методов се очистки, от условий нанесения пленки и т. д. Из широко используемых в микроэлектронике химических соединений лишь относительно немногие испаряются без диссоциации (например, ЗЮг, SnO, В2О3 и др.). При испарении же таких соединний, как А" — в газовую фазу поступают частицы диссоциировавших молекул. На подложке они вновь могут объединяться в молекулы, но пленка получается обычно нестехиометрического состава. Большое число соединений, например А —В , и многие сплавы состоят из компонентов, обладающих резко различной летучестью, вследствие чего при испарении в газовую фазу поступают преимущественно более летучие компоненты. Это приводит, как правило, к сильному нарушению стехиометрии состава выращенных пленок. Для преодоления этой трудности пользуются специальными методами испарения, такими как испарение из двух источников, методом вспышки, при котором испаряются малые навески составляющих элементов напыляемой пленки, и др. Для получения пленок окислов применяется так называемое реактивное напыление, при котором в камере поддерживается относительно высокое давление кислорода (от 10 до 1 Па), обеспечивающее полное окисление пленок на поверхности подложки. [c.62]

Кипящие водные реакторы. Реакции кислорода., Как отмечалось ранее, кипение увеличивает разложение воды при радиолизе из-за удаления кислорода и водорода в пар, выводимый из реактора. По мере продолжения процесса количество продуктов разложения, остающихся в воде, становится бесконечно малым в сравнении со всем удаляемым газом. Газы, таким образом, должны иметь состав воды и из-за низкой концентрации и низкой относительной летучести Н2О2 по сравнению с водородом и кислородом должны состоять из стехио-метрической смеси водорода и кислорода. Остаточные компоненты могут иметь любое соотношение независимо от стехиометрии воды. [c.91]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...