Условная элементарная ячейка

УСЛОВНАЯ ЭЛЕМЕНТАРНАЯ ЯЧЕЙКА [c.84]

Условная элементарная ячейка I 84, 85 [c.448]

Элементарная ячейка см. Примитивная ячейка Условная элементарная ячейка Энергетическая зона 1147. См. также Запрещенная зона Плотность уровней Ширина зоны [c.455]

Элементарная ячейка см. Примитивная ячейка Условная элементарная ячейка Энергетическая зона I 147. См. также Запрещенная зона Плотность уровней Ширина зоны Энергетическая щель (в нормальных материалах) см. Запрещенная зона Энергетическая щель (в сверхпроводящих материалах) II 341 и затухание звука II 350, 351 измеренные значения II 359 и магнитные примеси II 341 (с) и поглощение электромагнитной энергии [c.416]

И объем элементарной ячейки АУп. Тогда мера надежности использования условной модели [c.29]

Вычислительные программы наряду с потоками нейтронов позволяют рассчитать распределение полного энерговыделения, нормированного на условно заданную мощность реактора. Перераспределение этой энергии между твэлами и другими материалами, входящими в элементарную ячейку ядерного реактора (замедлителем, теплоносителем, конструкционными материалами), слабо изменяет тепловыделение в топливе. Важно правильно произвести пересчет с условно заданной в расчете мощности на реальную. В настоящее время тепловая мощность реактора экспериментально может быть определена с погрешностью не менее 3 %. [c.186]

Замена атомов точечными образованиями условна, так как атомы с их электронными оболочками заполняют практически всю кристаллическую ячейку условна вследствие этого и замена сил взаимодействия между атомами сосредоточенными силами, приложенными в узлах кристаллической решетки. В не меньшей мере законно считать силу взаимодействия равномерно распределенной по всей грани элементарной ячейки, относящейся к атому тп. Поэтому для характеристики силы, действующей на атом тп с координатами х, у, z (речь идет только о дополнительных силах, возникающих при наличии внешнего воздей- [c.23]

Рис. 9.2. Условное разбиение элементарной ячейки а - при определении нижней границы модулей упругости б - при определении верхней границы модулей

Рис. 9.8. К моделированию анизотропных структур а - элементарная ячейка модели с вытянутыми включениями б - условное разбиение элементарной ячейки иа участки

На рис. 6 элементарные ячейки изображены условно с незаполненным пространством между атомами. [c.14]

Рис. 5-7. К выбору модели волокнистого материала с учетом переходных сопротивлений на контактах волокон а — схематическое изображение структуры реального материала б — введение условных плоскостей разрыва в — модель структуры с взаимопроникающими компонентами, отражающая наличие контактных сопротивлений г — элементарная ячейка модели

Учет тепловых сопротивлений между контактирующими волокнами. Рассмотрим один из возможных способов учета переходных контактных сопротивлений для волокнистого материала. Расстояние между контактными сопротивлениями в точках касания волокон в реальном материале может существенно изменяться, однако для простоты предположим, что касание волокон происходит только на условных плоскостях, среднее расстояние между которыми /н в направлении потока тепла меньше общей толщины слоя I (см. рис. 5-7, а, б). В промежутках между условными плоскостями касания волокна неразрывны, и по-прежнему эту часть слоя можно представить в виде модели упорядоченной структуры с взаимопроникающими компонентами (см. рис. 5,7, е). Схематическое изображение элементарной ячейки слоя на границе условной плоскости разрыва или на границе слоя (см. рис. 5-7,г), примыкающего к ограничивающей пластине, аналогично приведенному на рис. 1-19, а. Для упрощения будем считать, что передача тепла между контактирующими волокнами происходит только через площадь фактического пятна контакта 5ф 4ок . Оставшуюся часть поперечного сечения волокна будем считать адиабатной. Тогда поток тепла будет пере- [c.149]

Кристаллическая решетка гранецентрированный куб имеет вид, условно показанный на фиг. 6, а. В элементарной ячейке такой решетки (фиг. 6, б) 14 атомов (восемь—в углах и шесть—на гранях). Но в среднем на одну ячейку кристаллической решетки приходится четыре атома. (Каждый угловой атом входит в восемь ячеек каждый атом, находящийся в центре грани, входит в две соседние ячейки, в центре ячейки атома нет. Следовательно, на одну ячейку приходится 8 X -1-6 X /2 = 4 атома). [c.14]

Условие (66,6) следует рассматривать как уравнение, определяющее значение, скажем, квазиимпульса кз, по заданным значениям к и к . При этом надо брать значения к и к внутри некоторой выбранной одной элементарной ячейки обратной решетки (заключающей в себе все физически различные значения квазиимпульса) и следить за тем чтобы и кз тоже оказалось в этой ячейке. Последнее условие определяет необходимое значение Ь в (66,6), причем однозначным образом. Действительно, если при заданных к1, к , Ь вектор кз лежит в выбранной ячейке, то любое изменение Ь заведомо вывело бы кд из этой ячейки. Процессы (в данном случае—распад фонона), при которых закон сохранения квазиимпульса содержит отличный от нуля вектор Ь, называются процессами с перебросом ), в отличие от нормальных процессов с Ь = 0. Надо сказать, что различие между этими двумя категориями процессов в известном смысле условно каждый конкретный процесс может оказаться нормальным или с перебросом в зависимости от выбора основной ячейки. Существенно, однако, что никаким выбором нельзя обратить Ь в нуль одновременно для всех возможных процессов. Целесообразно выбирать основную ячейку обратной решетки так, чтобы точка к = 0 (бесконечная длина волны) находилась в ее центре это будет подразумеваться везде ниже. При таком выборе всем низкочастотным фононам отвечают малые значения квазиимпульса —постоянная решетки), а все процес- [c.344]

Открытая ферми-поверхность при любом выборе элементарной ячейки в р-пространстве (обратной решетке) пересекает границы ячейки. Ясно, что в этом случае всегда возможны процессы переброса с испусканием или поглощением фонона со сколь угодно малой энергией уже малое изменение квазиимпульса электрона вблизи границы ячейки может перебросить его в соседнюю ячейку. В течении своей диффузии по ферми-поверхности все электроны в конце концов достигают границ ячейки и, таким образом, могут участвовать в процессах переброса. Следовательно, и в этом случае вероятность процессов переброса не обладает какой-либо дополнительной (по сравнению с нормальными процессами) малостью. Само разделение процессов на нормальные и с перебросом зависит от способа выбора ячейки обратной решетки и в этом смысле условно. При открытой ферми-поверхности указанное выше свойство (отсутствие особой малости частоты процессов переброса) остается при любом выборе ячейки. В этом случае целесообразно вообще отказаться от разделения актов рассеяния на два типа, рассматривая их все как нормальные (т. е. идущие с сохранением квазиимпульса), но допуская значения квазиимпульса электронов во всей обратной решетке. Для фононов же элементарная ячейка выбирается так, чтобы точка к = 0 находилась в ее центре тогда все длинноволновые фононы (которые только и надо рассматривать при Г 0) находятся в малой части объема одной ячейки в окрестности ее центра. Исключение же паразитного решения (81,1) достигается при таком рассмотрении путем наложения на функцию распределения электронов условия периодичности в обратной решетке [c.409]

Условно разобьем рассматриваемое твердое тело плоскостями, параллельными координатным плоскостям, на элементарные объемы и каждый элементарный объем заменим электрической ячейкой яз сопротивлений г, емкостей Са и индуктивностей /оэ. К границам модели присоединим граничные сопротивления Rn (рис. 8-3). [c.315]

Для расчета одного режима вулканизации подготавливается исходная информация в соответствии со следующими идентификаторами программы Н — толщина эквивалентной пластины, м КТ — температурный коэффициент вулканизации Кт , ТЭ — температура эквивалентного изотермического режима вулканизации Тэ, °С N — общее число элементарных слоев, выделяемых в эквивалентной пластине N — номер границы между элементарными слоями (номер узловой координаты), для которой при сокращенном объеме выводимой на печать информации печатаются значения температуры и эквивалентного времени вулканизации наряду с такими же величинами для поверхностей эквивалентной пластины TAY — шаг интегрирования по времени Ат, с, задаваемый постоянным либо условным выражением в зависимости от времени, обозначаемого идентификатором TAY ВП — время процесса вулканизации, анализируемое с помощью программы Тв, с Г1, Г2 — тип граничного условия, принимающий значения 1, 2 или 3 соответственно для двух противоположных поверхностей эквивалентной пластины ТО — начальное значение температуры пластины Tq, °С, задаваемое в том случае, если начальная температура эквивалентной пластины не принимается переменной ТН1, ТН2 — начальные температуры соответствующей поверхности эквивалентной пластины, задаваемые в том случае, если формулируется для соответствующей поверхности граничное условие первого рода, °С Т1, Т2 — приращения температуры границ пластины за шаг по времени АГь АГг, °С, при граничном условии первого рода или температуры теплоносителей, контактирующих с соответствующими сторонами пластины, при граничных условиях третьего рода (при граничных условиях второго рода данные параметры пе задаются) AL1, AL2 — коэффициенты теплоотдачи к соответствующим поверхностям пластины ai и а2 при граничных условиях третьего рода, Вт/(м-К), или плотность теплового потока через соответствующую поверхность пластины q[ или q2, Вт/(м -К), при граничных условиях второго рода (при граничных условиях первого рода данные параметры не задаются) ПП — признак вида печати результатов (при ПП = 0 печатается в цикле по времени массив узловых значений температуры и массив значений эквивалентного времени вулканизации, при ПП= 1 печатаются лишь элементы указанных массивов, имеющие индексы 1, N , N - - 1) ЧЦ — число шагов по времени в циклах интегрирования, через которое планируется печатание текущих результатов ПХ, ПТ — признаки задания массивами соответственно линейных координат по толщине пластины, выделяющих элементарные слои, и узловых значений температуры в тех же точках для начального температурного профиля пластины (указанные величины формируются в виде массивов при ПХ=1 и ПТ=1) СИГМА—весовой коэффициент смежного слоя ко второй производной в уравнении теплопроводности, принимающий значения от нуля до единицы в зависимости от выбираемой сеточной схемы интегрирования (возможно задание этого коэффициента в зависимости от критерия Фурье для малой ячейки сетки, значение которого в программе присваивается идентификатору R4) А(Т, К)—коэффициент температуропроводности, для которого задается выражение в зависимости от температуры материала и линейных координат Х[К] и Х[К + 1], ограничивающих элементарный слой эквивалентной пластины L(T, К)—коэффициент теплопроводности для эквивалентной пластины, для которого задается выражение в зависимости от тех же параметров, что и для коэффициента температуропроводности X[N - - 1] — массив линейных координат Xi пластины, i=l, 2, 3,. .., -h 1, который при ПХ = 0 является рабочим [c.234]

В любом теле силы сцепления обусловлены чередованием областей с положительными и отрицательными зарядами. Воспользуемся в качестве простейшей модели условной кристаллической решеткой с кубическими ячейками, в которых чередуются положительные и отрицательные ионы, несущие один элементарный заряд е = 4,8-10- ° единиц СГС. Мысленно проведем плоскость так, чтобы она разделяла наиболее близко расположенные разноименно заряженные ионы. Пусть, например, это наименьшее расстояние (параметр решетки) Ь = 3,2 10 см, тогда на площади 1 см располагаю ся П) = 1/6 = 10 ионов и соответственно 1 см выделенной плоскости пронизывают 10 связей. Для упрощения учтем только силы притяжения между ближайшими соседями и пренебрежем силами отталкивания и притяжения, обусловленными более удаленными ионами (такое пренебрежение в данном случае не вносит принципиальной ошибки, но позволяет получить правильные по порядку величины результаты). [c.231]

Кристаллическая решетка центрированный куб имеет вид, условно показанный на фиг. 5,а. В элементарной (т. е. отдельно взятой) ячейке такой решетки (фиг. 5, б) девять атомов (восемь —в углах куба и один — в центре). Но это не значит, что если кристаллик состоит, например, из 1 (ХЮ ООО таких кристаллических ячеек, то в нем 9000000 атомов. Каждый угловой атом входит в восемь ячеек, следовательно, на одну ячейку приходится от угловых атомов 8 атома, и только внутренний атом целиком принадлежит данной ячейке. Таким образом, на одну ячейку кристаллической решетки приходится 8 X /8 - - 1 = 2 атома и, следовательно, в кристаллике металла, состоящем из 1 ООО ООО таких ячеек, находится несколько больше 2 ООО ООО атомов (крайние атомы не со всех сторон окружены соседними ячейками). [c.14]

Все пространство можно заполнить непримитивными элементарными ячейками (их называют условными элементарными ячейками). Элементарная ячейка представляет собой такую область, которая заполняет все пространство без перекрытия, если ее подвергнуть транс.ияциям, принадлежащим некоторому [c.84]

Эффекты пространственного заряда в термоэлектронной эмиссии 1363, 364 Ядерный магнитный резонанс II281, 282 и антиферромагнетизм П 313, 314 и парамагнетизм Паули II281, 282 Ячеечная волновая функция, сравнение с атомной 1200, 201 Ячейка см. Условная элементарная ячейка Примитивная ячейка Ячейка Вигнера — Зейтца I 85, 86 алгоритм построения I 86 [c.457]

Напомним, что под ялементарной ячейкой всюду понимается примитивная элементарная ячейка (см. гл. 4). Если же в действительности речь идет о непримитивной ячейке, это обязательно оговорено особо (например, условная элементарная ячейка ).— Прим. перев. [c.62]

Эффекты Джозефсона II 3(15—367 Эффекты пространственного заряда в термоэлектронной эмиссии I 363, 364 Ядерный магнитный резонанс II 281, 282 и антиферромагнетизм II 313, 314 и парамагнетизм Паули II 281, 282 Ячеичная волновая функция, сравнение о атомной I 200, 201 Ячейка см. Условная элементарная ячейка Примитивная ячейка Ячейка Вигнера — Зейтца 1 85, 86 алгоритм построения I 86 в обратном пространстве см. Зона Бриллюэна первая для г. ц. к, и о. ц. к. решеток Бравэ I 86, 94 [c.417]

С. Г. Телетов в результате получает системы уравнений, которые учитывают силы взаимного сопротивления компонентов и фазовый переход одного компонента в другой. Однако в [Л. 123] отмечается, что временное осреднение не позволяет получить строгие уравнения дисперсоида. При этом показано, что и способ осреднения Франкля нуждается в улучшениях. Метод последовательного осреднения физических величин, предложенный в [Л. 123], заключается в том, что в каждый момент величины осредняются по объемам компонентов, а затем используется временное осреднение по промежуткам времени, соизмеримым с периодом характерных турбулентных пульсаций. В [Л. 113] осреднение фактически выполняется по объемам компонентов, составляющих объем элементарной ячейки потока AVn AVt = = РлАУп ДКт= (1—Рл)А п. При этом справедливо отмечается, что идея условного континуума лишь тогда может иметь физический смысл, если при этом хотя бы приближенно [Л. 113] отражаются особенности дисперсных лотоков (наличие подвижных внутренних границ, рассредоточенность по элементарным ячейкам сил межкомпонентного взаимодействия). Особый интерес представляет предложение Б. А. Фидмана дополнить пространственно-временное осреднение Франкля вероятностным осреднением основных величин дисперсных потоков [c.31]

Цементит - химическое соединение железа с углеродом РезС. В цементите содержится 6,67% С. Он имеет сложную орторомбическую решетку, в элементарной ячейке которой находятся 12 атомов железа и 4 атома углерода. По моменту образования в сплаве цементит условно подразделяется на первичный (1Д1) - кристаллизуется из жидкой фазы, вторичный (Цп) - выделяется из аустенита, третичный (Цш) выделяется из феррита. [c.156]

Для уяснения сущности метода конечных разностей рассмотрим расчет стационарного температурного поля в двухмерной области, показанной на рис. 15.1, при заданных начальных и граничных условиях. Разобъем эту область прямоугольной сеткой на элементы с размерами (шагом сетки) Ах и Ку (элементарные ячейки). Полагаем, что теплоемкость каждого элемента с условной толщиной, равной единице, срАхАг/ 1 сосредоточена в центре элемента — его узловой точке. Все узловые точки элемента можно разделить на внутренние, окруженные со всех сторон другими узловыми точками, и граничные, принадлежащие элементам, соприкасающимся с границей области Г, которую приближенно заменяют другой границей Г, проходящей через ближайшие к границе Г узлы сзтки. " - [c.188]

При составлении уравнения теплового баланса предполагается, что теплоемкость каждого элемента сосредоточена в соответствующей узловой точке, а передача теплоты между ними осуществляется через условные теплопередающне стержни. По каждому стержню должно проходить такое количество теплоты, которое в действительности проходит через элементарную ячейку. Для каждой граничной узловой точки можно записать (рис. 15.2) [c.190]

Представление о работе счетчика импульсов этого станка дает рис. 98, где показана схема элементарной ячейки счетчика. Ячейка образована одним реле Р— 1. В исходном состоянии реле Р —1 выключено. Конденсатор С заряжен напряжением +300 в через контакты датчика КУ. При получении импульса и замыкании контактов датчика конденсатор разряжается через реле реле, замыкаясь, ставится на самоиитание. Средние контакты Pi размыкаются, а левые и правые замыкаются. Конденсатор заряжается отрицательным напряжением. При следующем замыкании контактов конденсатор разряжается через обмотку реле, но создается ток обратного направления — противоток. Реле отпускает свой якорь. Схема приходит в исходное состояние. Таким образом, на два срабатывания контакта датчика реле сделает полный цикл. Включенное состояние реле условно принято за единицу, выключенное— за ноль. [c.173]

Для построения электрической модели разобьем условно все слои стенки на элементарные ячейки плоскостями, параллельными координатным плоскостям. Каждую элементарную ячейку теплопроводящего тела заменим электрическими ячейками, составленными из одной емкости Сэ и двух сопротивлений Гх и Гу. К границам такой электрической модели в направлении координатных осей присоединим дополнительные сопротивления Ят, Rs, Rk.t, через которые к модели подводятся напря-308. [c.308]

Рассмотрим идеализированную модель, по своим характеристикам приближенно имитирующую реальную макроструктуру клеевой прослойки из наполненного клея. Условно принимаем, что исследуемая модель пред-ставл 1ет собой систему с дальним порядком распределения монодисперсного наполнителя, частицы которого, имея сферическую форму, располагаются в узлах кубической решетки и изолированы друг от друга пленками связующего. Каждая реальная частица конкретного наполнителя, естественно, отличается от идеальной частицы. Однако в массе своей эти частицы проявляют такие же свойства, как свойства массы воображаемых частиц характерной формы. В основу модели (рис. 3-2) положим понятие о представительном элементе макродиспер-сной системы конечных размеров, который назовем элементарной ячейкой. Под последней понимается минимальный объем дисперсной системы в форме правильной геометрической фигуры, который составляется из набора отдельных долей частиц, попавших в плоскости сече- [c.79]

Олределим верхнюю границу для модулей упругости. В этом случае элементарную ячейку условно разобьем на две области следующим образом проведем перпендикулярно оси Охз касательные плоскости к шару (рис, 9.2,6). Для области, заключенной между касательными плоскостями, введем обозначения ае - объемный модуль, у - модуль сдвига. [c.183]

Таким образом, нижняя граница модулей упругости (верхняя граница КТР) определяется следующей схемой в выделенном направлении (вдопь оси Oxj ) представительный объем V (элементарная ячейка) условно разбивается на цилиндрические области вначале проводится усреднение свойств областей разбиения вдоль выделенного направления (ло координате xji), а после этого эффективные свойства усредняются по сечению S (х/ ), перпендикулярному оси Ох/ . [c.184]

В [51] были определены модули упругости К, ii и КТР а перколя-ционной модели, которая рассматривалась в гл. 2 (см. рис. 2.15). При определении К, и а элементарная ячейка перколяционной модели условно разбивалась на участки так же, как она разбивалась при определении эффективной проводимости. На основании формул (9.31), (9.32) и (9.33) определялись эффективные свойства участков разбиения, а затем при объединении участков были определены К, ц и а перколяционной модели в виде [c.203]

В остальном указанная выше модель является весьма условной, так как не учитывается ряд других факторов, влияние которых также может сказываться на характеристиках рассматриваемого элемента. Например, считается, что отсутствует движение частиц в направлении, перпендикулярном к оси канала, тогда как в действительности в самом канале происходит перемешивание частиц. Принято, что характеристики дросселей, в виде которых представлены элементарные ячейки приемного канала, линейны, тогда как в действительности для каналов рассматриваемого типа это не так, и лишь приближенно можно линеаризовать их, как это было сделано в работе [19]. Считается, что на входе в каждый из элементарных каналов, выделенных в сечении данного приемного канала, создается статическое давление, равное скоростному напору в соответствующей точке сечения струи, причем предполагается, что происходит изэнтро-пическое торможение потока в действительности частицы продолжают двигаться с определенной скоростью на входе в приемный канал. [c.87]

Г ексагональная решетка имеет вид, условно показанный на фиг. 7. В элементарной ячейке гексагональной решетки 17 атомов (12 угловых, по одному в центре верхнего и нижнего оснований и три — в среднем сечении). В среднем на одну ячейку приходится 12 х 2 х + [c.15]

Элементарная ячейка может быть и непримитивной ( условная ячейка — см. ниже). В отечественной литературе примитивную ячейку обычно называют просто элементарной. Поэтому при переводе термин примитивная ниже обычно не используется, и мы говорим об элементарных ячейках. В тех редких случаях, когда имеется в виду непримитивная элементарная ячейка, это оговорено особо. — Прим. перев. [c.83]

В твердых металлах атомы расположены в геометрически правильном порядке. Условные линии, проведенные через расположения атомов, изображают кристаллическую решетку, в узлах которой расположены атомы металла . Элементарные ячейки такой решетки являются отдельными кристаллами (рис. 2). Особенностью кристаллов является различие свойств в разных направлениях, например прочность кристалла меди в разных направлениях колеблется от 14 до 35 кг1мм . [c.13]

На рис. 7, а показано размещение атомов в одной из кристаллографических плоскостей. Воображаемые линии, проведенные через центры атомов, условно изображенных в виде кружков, образуют решетку. Многократное повторение подобных кристаллографических плоскостей, расположенных параллельно, дает представление о пространственной кристаллической решетке, узлы которой являются местами расположения атомов (рис. 7, б). Для суждения об атомнокристаллическом строении металла необходимо знать строение его элементарной кристаллической ячейки. [c.29]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...