Дефект кристаллический тепловой

Энергия деформации - энергия, вносимая в тело при его деформировании. При упругом характере деформации носит потенциальный характер и создает поле напряжений. В случае пластической деформации частично диссипирует в энергию дефектов кристаллической решетки и в конечном итоге рассеивается в виде тепловой энергии. [c.157]

Управление усталостным разрушением металла может быть осуществлено только в том случае, если известна вся последовательность процессов, описывающих эволюцию состояния материала во времени, и известны параметры, с помощью которых могут быть даны оценки этапа эволюции, состояния системы на выявленном этапе и периода времени дальнейшей эксплуатации. Применительно к образцам, испытания которых осуществляют в контролируемых условиях опыта, оценка состояния металла может быть осуществлена различными датчиками с помощью средств неразрушающего контроля. Накапливаемая энергия может быть зарегистрирована по сигналам акустической эмиссии, которые генерируют движущиеся дефекты кристаллической решетки под нагрузкой. Происходит выделение тепловой энергии, которая также может быть зарегистрирована. Меняется электропроводность материала в зоне возникновения трещины, а рост трещины сопровождают электромагнитные волны. Все указанные параметры могут быть использованы в той или иной мере для анализа процесса усталостного разрушения. Однако в эксплуатации наиболее достоверно может быть проведена оценка именно факта существования и распространения трещины. [c.20]

Наиболее полное объяснение механизму упрочнения дает теория дислокаций. Все процессы, происходящие в металлах и сплавах, как и их свойства, неразрывно связаны с характером и плотностью дефектов кристаллической решетки. Под дефектами кристаллического строения понимают нарушения в периодичности расположения атомов в пространстве, не связанные с тепловыми колебаниями атомов и упругими деформациями. В зависимости от протяженности различают три вида дефектов точечные, к которым относятся вакансии и межузельные атомы одномерные (линейчатые), к которым относятся дислокации, и двухмерные (пространственные), к которым относятся границы блоков, двойников, зерен. [c.96]

Дефекты кристаллической решетки в керамическом материале и возникшие в связи с этим изменения свойств могут быть значительно уменьшены, свойства восстановлены путем термообработки (обжига) керамики. В результате возросшего теплового колебания структурных элементов кристаллическая решетка приобретает первоначальное состояние, а свойства керамики почти полностью восстанавливаются. [c.33]

Помимо концентрации примесных носителей электрического тока большое влияние на проводимость оказывает их подвижность. Для германия подвижность электронов и дырок при 20 °С соответственно равна 0,38 и 0,18м /(В с). Дефекты кристаллической решетки, примеси и тепловые колебания атомов вызывают рассеяние носителей, снижая [c.588]

К, Р == 0.1 МПа удельный объем вещества V всегда больше Уск из-за теплового объемного расширения и дефектов кристаллической структуры. Нормальный удельный объем вещества V,, как правило, превосходит удельный объем 7о на 1—2 %. [c.43]

Процесс медленного статического нагружения является аналогом изотермического нагружения, когда испытываемый образец успевает достичь теплового равновесия с окружающей средой. Помимо теплового расширения, вклад в величину измеряемой деформации вносят обратимые процессы смещения дефектов кристаллической решетки — примесных атомов, вакансий, дислокаций. Поэтому в литературе к модулям упругости, определенным статическими методами, часто применяют термин релаксированный модуль упругости . [c.257]

Ускорение диффузии при ионном азотировании, так же, как и при ионном легировании кремния [91 ], видимо, связано с действием указанных ниже основных факторов, возникающих в результате ионной бомбардировки насыщаемой поверхности. Происходит локальный перегрев очень тонкого поверхностного слоя, в результате чего возникает температурный градиент. Если энергию, получаемую за счет ионной бомбардировки, преобразовать в тепловую, то она будет соответствовать крайне высокой температуре. В первые минуты насыщения в результате внедрения ионов азота в насыщаемую поверхность возникает высокий градиент концентрации. Это подтверждается сравнительным спектральным исследованием поверхности образцов технического железа [16]. На бомбардируемой поверхности образуется большое количество дефектов кристаллической решетки и градиент их в направлении [c.123]

Диффузионная теория спекания основана на представлении о дефектах кристаллической решетки. Основными типами дефектов являются незанятые узлы кристаллической решетки, так называемые вакансии , атомы (или ионы), внедряющиеся между уже занятыми узлами,— включения . Источниками дефектов являются тепловые флуктуации в кристалле, примеси и посторонние атомы, механические искажения решетки, наличие ионов переменной валентности и т. д. [c.376]

В последние 10— 15 лет теория термической обработки развивалась очень быстрыми темпами. Для ее развития наиболее характерно все большее использование научных представлений и экспериментальных методов физики металлов, в особенности учения о дефектах кристаллической решетки, с целью более глубокого понимания природы, механизма и кинетики структурных изменений и закономерностей изменения свойств металлов и сплавов при тепловом воздействии. В результате весьма подробно изучены процессы термообработки давно используемых и новых металлических материалов. [c.5]

Электроны в твердом теле движутся не беспрепятственно, они рассеиваются. Рассеивание будет происходить в том случае, если расстояние между рассеивающими центрами по величине соизмеримо с длиной волны электронов. Электроны рассеиваются на тепловых колебаниях и дефектах кристаллической решетки. [c.229]

Затухание спиновых волн происходит каК в результате взаимодействий волн между собой, так и с дефектами и тепловыми колебаниями кристаллической решетки. Многочисленные механизмы затухания могут быть учтены феноменологически. Для этого в уравнение для намагниченности (2.1) нужно добавить аддитивный релаксационный член / , который, в частности, можно задать в форме [11 [c.373]

Дефекты кристаллического строения любого происхождения должны влиять на тепловое расширение веш,еств. Наиболее изучено влияние вакансий. Дополнительное увеличение объема, обусловленное их появлением, [c.32]

Связь АЭ с дефектами кристаллической решетки [5]. В идеальной решетке атомы расположены в узлах и совершают тепловые колебания, создающие бе- [c.171]

Точечные дефекты кристаллической решетки — атомы внедрения и вакансии (лишний атом или отсутствие атома в узле решетки). Они могут возникнуть под действием тепловых колебаний. С ними связана дополнительная потенциальна энергия. Искажения перемещаются по решетке. Если атом внедрения встречается с вакансией, дефект решетки аннигилирует, выделяя энергию порядка Дж в виде упругого импульса. Сигналы такого уровня обычно не регистрируются. [c.172]

При повышении температуры возрастает число дефектов в кристаллической решетке из-за тепловых колебаний ионов,— это при- [c.152]

Рассмотрим две кристаллические решетки одну реальную, содержащую дефекты различного типа, и другую — идеальную, не содержащую никаких дефектов. Предположим, что в реальной решетке имеются только искажения, вызванные упругими деформациями, тепловыми колебаниями атомов и т. п. В этом случае, несмотря на некоторые нарушения структуры, можно безошибочно указать, к каким узлам решетки идеального кристалла относятся соответствующие атомы в реальном кристалле. Взаимно однозначное соответствие между атомами реального и идеального кристаллов можно установить и при наличии в реальном кристалле точечных дефектов. При этом в ряде мест реальной решетки атомы могут отсутствовать, в каких-то местах могут появиться лишние атомы, но в остальном она будет совпадать с идеальной. Любую область реального кристалла, где можно установить взаимно однозначное соответствие с идеальным кристаллом, называют областью хорошего кристалла. Участки, где такое соответствие установить нельзя, называют областью плохого кристалла. [c.98]

В узлах кристаллической решетки атомы колеблются с частотой 10 3 (,-1 Благодаря колебательному движению, происходящему при любой температуре, атомы взаимодействуют, обмениваясь кинетической энергией. Средняя кинетическая энергия тепловых колебаний атомов равна 3/2 кТ. При комнатной температуре 3/2 кТ 0,03 эВ, что значительно меньше энергии, необходимой для образования точечных дефектов (1—4 эВ). Однако за счет флуктуации кинетической энергии (отклонения кинетической энергии от ее среднего значения) возможно преодоление атомом окружающих потенциальных барьеров. Вероятность такого акта увеличивается с повышением температуры по экспоненциальному закону. Если при этом происходит выход атома из узла кристаллической решетки в междоузлие, то образуются вакансия и межузельный атом ( парный дефект Френкеля ). [c.27]

Как уже отмечалось, свойства активатора и матрицы взаимосвязаны, поэтому, когда данный ион вводится в конкретную матрицу, его свойства несколько изменяются. Это объясняется прежде всего тем, что ионы активатора находятся в матрице в электрическом (кристаллическом) поле, создаваемом ее ионами и расщепляющим его энергетические уровни (эффект Штарка). Чтобы все ионы активатора находились в одинаковых кристаллографических положениях, т. е. их расщепление и, следовательно, энергии уровней совпадали, они должны изоморфно замещать вполне конкретные ионы матрицы. Следует заметить, что и в этом случае всегда имеется некоторый разброс кристаллического поля как вследствие тепловых колебаний решетки матрицы, так и наличия в ней дефектов структуры. Все это вызывает уширение энергетических уровней и в результате уширение спектральных полос, соответствующих переходам между этими уровнями. [c.66]

Поверхностно-градиентные покрытия представляют собой жидкие кристаллы. Это органические соединения, одновременно обладающие свойствами жидкости (текучесть) и твердого кристаллического тела (анизотропия, двойное лучепреломление). Термоиндикаторами служат обычно холестерические жидкие кристаллы. При изменении температуры жидкого кристалла отраженный от него свет резко изменяет свой спектр. Для них характерна большая оптическая активность. Жидкие кристаллы эффективно используют при исследовании температур в электронных схемах для обнаружения дефектов типа нарушения сплошностей в различных объектах методом регистрации разрывов непрерывности теплового потока. [c.129]

Отклонения от идеальной структуры, вызванные тепловыми колебаниями, приводят к образованию точечных кристаллических дефектов (вакансий и включений). Эти дефекты имеются во всех кристаллах, как бы тщательно они ни выращивались. Под действием тепловых флуктуаций вакансии постоянно зарождаются и исчезают. [c.31]

Измерения теплопроводности чистых металлов при низких температурах показали, что иногда соотношение Видемана—Франца не удовлетворяется. В конце 20-х и начале 30-х годов в нескольких лабораториях были проведены такие измерения вплоть до температур жидкого водорода. Особенно важные данные получены в Лейденской лаборатории и группой Грюнейзена. Вследствие того, что обычно теплопроводность имеет максимум при температуре 10—20°К, а при более низкой температуре она определяется дефектами кристаллической структуры, упомянутые измерения дали почти столько же сведений о тепловом сопротивлении металлов, сколько и последующие измерения, продолженные до более низких температур. [c.224]

В лейденских измерениях [28—30], выполненных при температурах жидкого водорода, такой экспоненциальной зависимости найдено не было, ибо в изучавшихся веществах тепловое сопротивление, вызванное процессами переброса, перекрывалось тепловым сонротивленпем, обусловленным дефектами кристаллической структуры. Прн гелиевых температурах теплопроводность падала с уменьшением температуры и оказалась зависящей от размера образца вследствие рассеяния фононов его внешней поверхностью. [c.225]

У полупро1водников наиболее важными являются следующие механизмы рассеяния носителей заряда 1) на тепловых колебаниях узлов кристаллической решетки 2) на примесях, атомы которых могут находиться либо в ионизированном, либо в нейтральном состоянии 3) на всевозможных дефектах кристаллической решетки (например, дислокации). [c.132]

Следует отметить, что участки поверхности реальрых пор вследствие дефектов кристаллической решетки неравноценны и в энергетическом отношении. В связи с этим на поверхности пор имеет место перемещение молекул газа, сто ткнувшихся со стенкой поры, о перемещение молекулы продолжается до тех пор, пока не обеспечивается наиболее устойчивое положение молекулы при данном энергетическом уровне процесса или пока не осуществляется десорбг.ия этой молекулы. Десорбция молекулы происходит вследствие флуктуаций теплового движения. Период времени, необходимый для получения дополнительной энергии, в случае идеальной кристаллической структуры, согласно Френкелю [43], составляет [c.258]

Факторы, влияющие на значение удельного сопротивления. Как уже отмечалось выше, удельное сопротивление металлов связано в основном с рассеянием энергии свободных электронов на дефектах кристаллической решетки, к которым относятся примесные атомы, вакансии, дислокации, и тепловых к олебаниях собственных атомов. Поэтому удельное сопротивление р можно представить как [c.115]

Представим себе кристалл, не oдepяiaщий точечных дефектов при температуре абсолютного нуля. В таком кристалле точечные дефекты кристаллической решетки могут возникнуть при нагревании в результате теплового возбуждения. В течение достаточно долгой выдержки кристалла при постоянной температуре и давлении система приближается к состоянию равновесия, в котором устанавливается определенная концентрация дефектов, равновесная при данных условиях. Такими точечными дефектами являются появившиеся в результате теплового возбуждения вакансии и межузельные атомы металла, а такн е атомы в чужих подрешетках упорядоченного сплава стехиометрического состава. Равновесная концентрация таких дефектов при абсолютном нуле равна нулю. [c.34]

Отметим, что вакансии и межузельные атомы могут возникать двумя путями. Первый из них заключается в том, что какай-либо атом из узла решетки внутри кристалла, может, например, в результате теплового возбуждения перейти в соседнее межузельное положение. После этого возможна или рекомбинация, т. е. возвращение атома в свободный узел, пли переход его в более удаленное от вакансии межузельное положение. В последнем случае возникает пара точечных дефектов кристаллической решетки (в литературе часто называемая парой Френкеля) — вакансия и межузельный (или дислоцированный) атом ). Настоящая вакансия образуется лишь после того, как внедренный атом отойдет от нее с соседнего на более удаленное межузельное положение или вакансия заменится другим атомом, занимающим соседний с ней узел, в результате чего она удалится от внедренного атома. В дальнейшем внедренный атом может перемещаться мегкду узлами и вакансия может перемещаться по узлам, если ее будут замещать соседние атомы, находящиеся на узлах решетки. Этот процесс будет продолжаться до тех пор, пока либо вакансия не встретится с внедренным атомом и не произойдет их рекомби- [c.36]

Представление об атомных дефектах кристаллической решетки впервые высказал советский физик Я. Френкель в статье О тепловом движении в твердых и жидких телах . Атом, получивший вследствие тепловых флуктуаций достаточно большую кинетическую энергию, покидает свой узел и переходит в междоузлие. При этом образуются вакансия и междо-узельный атом. Их часто называют парой Френкеля . [c.32]

Даже после того, как были даны пояснения по поводу многих внешних источников демпфирования, все еще остается очень большое число механизмов, с помощью которых энергия при колебаниях может поглощаться внутри некоторого малого элемента материала при его циклическом демпфировании. Мы не станем пытаться объяснить все эти механизмы, а остановимся на некоторых из них, представляющихся наиболее существенными. Эти механизмы приведены в табл. 2.1 [2.14] для тех диапазонов частот и температур, в которых они, как правило, наиболее эффективны. Все рассмотренные здесь маханизмы связаны с внутренними перестройками микро- или макроструктур, охватывающими диапазон от кристаллических решеток до эффектов молекулярного уровня. Сюда входят магнитные эффекты магнитоупругий и магнитомеханический гистерезис), температурные эффекты (термоупругие явления, теплопроводность, температурная диффузия, тепловые потоки) и перестройка атомарной структуры (дислокации, локальные дефекты кристаллических решеток, фотоэлектрические эффекты, релаксация напряжений на границах зерен, фазовые процессы, учитываемые в механике твердого деформируемого тела, блоки в по-ликристаллических материалах и т. п.) [2.15—2.18]. [c.77]

Ионная тепловая поляризация.. Механизм этой поляризации детально описан в монографии Сканави [1]. Ионная тепловая поляризация воз.можна только в твердых диэлектриках и преобладает в веществах с выраженной нерегулярностью структуры в стеклах, ситаллах и диэлектрической керамике. Концентрация дефектов кристаллической структуры в этих диэлектриках чрезвычайно велика в керамике и ситаллах—на границах кристаллов, в стеклах же вообще нарушается дальний порядок в расположении атомов. Однако тепловая ионная поляризация возможна и в монокристаллах — в окрестности структурных дефектов. [c.72]

При температуре, равной абсолютному нулю по шкале Кельвина, все катионы находятся в узлах кpи тaJЗЛичe кoй решетки. Такое состояние соответствует идеальному кристаллу, не имеющему дефектов (рис. 4.8). При повышении температуры кристалла из-за возникающих тепловых колебаний решеток часть катионов выбрасывается из узлов и попадает в межузлия, создавая дефекты кристаллической решетки (рис. 4.9). [c.81]

Для теплового движения характерна неравномерность в распределении энергии между атомами. Наиболее легко диффуэля протекает по поверхности и граяицам зерен, где сосредоточены дефекты кристаллического строения (вакансии, дислокации, и т. д.). Поэтому энергия активации по границам зерен (блоков) примерно вдвое меньше, чем в объеме, т. е. при объемной диффузии, [c.33]

V Основной механизм, который дает вклад в испытываемое электроном проводимости сопротивление движению, — это рассеяние на отклонениях действующего на него поля в металле от идеальной пространственной периодичности. Эти отклонения обусловлены дефектами кристаллической структуры (примеси, вакансии. днслокации, границы зерен) и тепловыми колебаниями ионов. Все эти факторы существенны не только при осциллирующем движении электрона в поле световой волны, но и при движении в постоянном электрическом поле, где они обеспечивают постоянную скорость упорядоченного движения (дрейфа) электронов в направлении поля, накладывающегося на хаотическое тепловое движение. [c.98]

Другие калориметры теплового потока. Гордон [102] описал изопериболический калориметр, предназначенный для работы в интервале температур 160-220 °С. Пластически деформированный образец меди, предварительно нагретый до температуры измерения, помещали в калориметр. Этот образец соединяли с термостатированной оболочкой батареей из 20 термопар медь — константан. Процесс восстановления дефектов кристаллической рещетки деформированной меди вызывал нагревание образца, что возбуждало затухающий тепловой поток в направлении оболочки калориметра. Поскольку поперечное сечение теплопроводящих термопар очень мало, прибор нельзя считать строго калориметром теплового потока. Точнее его можно рассматривать как калориметр, в котором изменение температуры образца относительно термостатированной оболочки измеряется как функция времени. [c.134]

Электронная тепловая поляризация свойственна твердым диэлектрикам, имеющим определенного рода дефекты. Она играет существенную роль в таких технически важных диэлектриках, как рутил TiOi, перовскит aTiOs, подобных им сложных оксидах титана, циркония, ниобия, тантала, свинца, церия, висмута. Для этих поликристаллических веществ характерна высокая концентрация дефектов кристаллической структуры. Так, в стехиометрическом рутиле атомы титана имеют валентность, равную 4. При нестехиометрии, т. е. в данном случае при наличии вакансий кислорода, возникают слабосвязанные электроны и часть атомов титана становится трехвалентной. В результате теплового движения такие электроны хаотически перехо- [c.261]

В работе [7] было высказано предположение, что для построения теории ползучести важно учесть роль вакансий, характер их распределения и перераспределения, скорость их образования, а также и то, что вакансии могут служить местами с повышенной концентрацией напряжений, вызывающими локальные сдвиги при деформировании. В связи с этим можно рассмотреть явление ползучести, исходя из кинетики дыркообразования при совместном действии напряжений и теплового движения, обусловливающих исчезновение и возникновение дырок (дефектов) кристаллической структуры. [c.28]

Таким образом, на основапии проведенного исследования можно утверждать, что влияние дефектов кристаллического строения типа вакансий, проявляемое при тепловом расширении, электросопротивлении, диффузии и т. д., имеет существенное значение также в явлениях ползучести и разрушения мегаллов. [c.34]

Удельное сопротивление нормального металла уменьшается с понижением температуры, и результаты говорят о том, что сопротивление можно рассматривать как сумму обычного сопротивления, обусловливаемого тепловыми колебаниями атомов, и остаточного сопротивления, обусловленного примесными атомами и дефектами кристаллической структуры, дислокациями и т. д. В первом приближении остаточное сопротивление не зависит от температуры и кривые температура— сопротивление для различных образцов данного металла могут быть совмещены простым переносом параллельно оси, на которой откладывается сопротивление. Это соотношение выполняется для многих разбавленных твердых растворов различных металлов в данном растворителе (правило Маттисена). На рис. 78 приведены кривые зависимости удельного электросопротивления разбавленных растворов серебра в золоте от температуры в интервале от О до —253° С. Остаточное сопротивление этих сплавов, обусловленное структурными дефектами, также не зависит от температуры. [c.122]

Трудно выделить непосредственное влияние ультразвука на процессы, происходящие в металлах, находящихся в твердом состоянии, и его косвенное влияние—нагоевание. Обычно поглощение энергии происходит на границах зерен, включениях и дефектах кристаллической решетки. В макроскопическом масштабе повышение температуры металлов вследствие поглощения ультразвуковой энергии невелико, но оно локально и может значительно влиять на протекание процесса. Тепловое действие ультразвука, т. е. повышение температуры, можно вычислить, но более точно его определяют экспериментально. Во многих исследованиях отмечено повышение температуры в обрабатываемых образцах. Так, например, у полуволновых обазцов [c.84]

ДЕФЕКТЫ кристаллической решётки (от лат. (1е ес1из — недостаток, изъян), любое отклонение от её идеального периодич. ат. строения. Д. могут быть либо атомарного масштаба, либо макроскопич. размеров. Образуются в процессе кристаллизации, под влиянием тепловых, механич. и электрич. воздействий, а также при облучении нейтронами, эл-нами, рентг. лучами, УФ излучением (см. Радиационные дефекты), при введении примесей и т. п. Различают точечные Д., линейные Д., Д.,образующие в кристалле поверхности, и объёмные Д. Простейшим точечным Д. явл. вакансия — узел крист, решётки, в к-ром отсутствует атом. В кристаллах могут присутствовать чужеродные атомы или ионы, замещая осн. ч-цы, образующие кристалл (примесные), или внедряясь между ними (междоузлия). Точечными Д. явл. также собств. атомы или ионы, сместившиеся из норм, положений (междоузельные атомы), а также центры окраски — комбинации вакансий с электронами проводимости или с дырками и др. В ионных кристаллах точечные Д. возникают парами. Две вакансии противоположного знака образуют т. н. дефект Шотки. Пара, состоящая из междоузельного иона и оставленной им вакансии, наз. дефектом Френкеля. [c.152]

В связи с тем, что квазиимпульс меняется под действием непернсдической части иотенциального поля, при любых нарушениях идеальности (периодичности) поля кристаллической решетки происходит изменение квазиимпульса Р и, следовательно, на любых нарушениях идеальной структуры решетки должно осуществляться рассеяние электронных волн. Это и является физической причиной электрического сопротивления. В качестве нарущений периодичности потенциального поля и(г) могут выступать тепловые колебания узлов решетки и ее дефекты (примесные атомы, вакансии). [c.71]

Движения дислокации, при которых нарушается условие (14.9.1), называются неконсервативными. Эти движения принципиально возможны вследствие того, что в кристаллической решетке имеются дефекты — вакансии и внедренные атомы, которые перемещаются в результате неравномерного распределения между атомами энергии их тепловых колебаний. Можно представить себе, что дефект, находящийся вблизи дислокации, движется, это движение посит диффузионный характер, т. е. описывается математически с помощью уравнения диффузии, и дислокация следует за ним, выходя из своей плоскости скольжения. Подобные диффузионные движения дислокаций возможны, главным образом, при высоких тб мпературах, за их счет относят некоторые механизмы ползучести. [c.472]

В первом случае атом ве-Вакансия щества внедряется в меж-У У, доузлие и искажает кристаллическую решетку в некоторой окрестности внедренного атома. Во втором случае один из атомов вещества удален из кристаллической решетки, что тоже приводит к ее искажению. Так как атомы в кристаллических решетках не неподвижны, а постоянно совершают колебательное движение около некоторого равновесного состояния, то в этом движении они обладают некоторой энергией движения и импульсом. Распределение этих энергий и импульсов между атомами кристалла носит статистический (вероятностный) характер, поэтому на некоторые атомы приходится их достаточно большой уровень, который обеспечивает отрыв атома и образование вакансии. Это, в свою очередь, приводит к появлению в другом месте атома внедрения. В любом кристалле такого рода точечные дефекты постоянно зарождаются и исчезают в силу теплового движения (флуктуации) концентрация их определяется формулой Больцмана [c.132]

Второй возможный механизм образования вакансий вообще не связан с появлением внедренных атомов. Он заключается в том, что один из атомов, занимающих узел в поверхностном слое кристалла, в результате теплового возбуждения приобретает энергию не столь большую, которая необходима для испарения, а несколько меньшую, но достаточную для перемещения в узел нового наруншого слоя кристаллической решетки. Если теперь освободившийся узел будет заполнен атомом, лежащим в более глубоком атомном слое, то на его месте возникает вакансия, уже полностью окруженная занятыми узлами. Эта вакансия путем последовательного замощения ее соседними атомами может перемещаться внутри кристалла. Очевидно, и межузельные внедренные атомы могут возникать независимо от вакансий, если атом, занимающий поверхностный узел, перейдет в соседнее межузельное положение и затем будет перемещаться между узлами в глубь кристаллической решетки. При этом вакансии внутри кристалла не образуется, а возникает лишь неровность на его поверхности. Рассмотренные процессы образования вакансий и внедренных атомов теперь не связаны между собой, и число образующихся дефектов того и другого типа не обязательно должно быть одинаковым. [c.37]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...