Плотность элементарных веществ

В этих условиях прежде всего необходимо выяснить, какие из понятий, связанных с кристаллом, сохраняют смысл и в применении к неупорядоченным системам. Одно из таких понятий, одинаково пригодное для кристаллических и некристаллических веществ, — это плотность состояний N(E). Оно вводится еще в элементарной теории идеального газа и, как мы видели, широко используется в физике твердого тела. Величина jV( ) d представляет собой число состояний в единичном объеме, допустимых для электрона с заданным спином и с энергией в интервале от Е до E-j-dE. В аморфных веществах состояния могут быть заняты или свободны и произведение E)f E)dE есть число занятых состояний в единичном объеме. Здесь f E) — функция Ферми — Дирака [c.356]

Известно, что квантовая теория поглощения света исходит из того, что явление возникает тогда, когда энергия квантов света, падающего на вещество, имеет величину, равную разности уровней энергии данного вещества к = Еп — Е1, где Е и Еп — энергии нижнего невозбужденного и верхнего возбужденного уровней соответственно. Здесь в каждом акте взаимодействия света и вещества поглощается один фотон и поэтому процесс является однофотонным. При облучении вещества очень мощными световыми потоками от лазеров, дающих большую плотность излучения, может иметь место поглощение нескольких фотонов в одном элементарном акте таким образом, чтобы выполнить условие Л Ат= п — ь В этом случае происходит многофотонное поглощение (рис. 36.6, а). Величина энергии каждого фотона здесь в N раз меньше энергии фотона, который поглощается в однофотонном акте. Многофотонные процессы поглощения могут происходить не только при наличии фотонов одного сорта, но и в том случае, если имеются фотоны различных энергий (рис. 36.6, б). Например, может происходить двухфотонное поглощение, удовлетворяющее уравнению hvl+hv2=En—El. [c.311]

Изменение внутренней энергии зависит от изменения температуры в узловой точке во времени, от теплоемкости элементарного объема, который она представляет, и плотности вещества. Такой подход к вычислению температуры носит название метода приближенной численной итерации. [c.108]

Точное определение параметров элементарной ячейки имеет большое практическое значение при изучении состава, структуры и физико-химических свойств многих кристаллических материалов, особенно металлов и сплавов. Так, непрерывная регистрация изменений параметров решетки по мере изменения температуры позволяет определить коэффициент теплового расширения. Зависимость параметров элементарной ячейки от наличия примесей в исследуемом веществе дает возможность определить состав твердых растворов и фазовые границы на диаграммах равновесия. С помощью точно измеренных размеров элементарной ячейки можно определить плотность, а также молекулярные веса кристаллов. Даже весьма незначительные изменения параметров решетки позволяют выявить причины появления внут- [c.46]

Объем элементарной ячейки для известных кристаллических веществ определяется по справочным данным об их параметрах и сингонии. Для расчета плотности веществ с неизвестными параметрами элементарной ячейки необходимо снять рентгенограмму вещества и рассчитать эти параметры (лабораторная работа 2.1). [c.188]

Энтропийный критерий длительной прочности формулируется Следующим образом. Разрушение элементарного объема материала происходит в тот момент времени, к которому в нем накопится некоторое предельное значение плотности энтропии s . Еще М. Борн обратил внимание на подобие процессов плавления и разрушения.. Энтропия, которую необходимо подвести к единице массы (или объема) вещества, находящегося при абсолютном нуле, для того чтобы расплавить его, может рассматриваться как константа материала, равная s . В действительности нам приходится иметь дело с материалами, которые к моменту их силового или теплового нагружения находятся при некоторой температуре Т>0 (по абсолютной шкале). При этом в единице массы (или объема) рас- сматриваемого материала уже содержится некоторая начальная энтропия So- Заметим, что эта начальная энтропия зависит не только от температуры, но и от накопившихся к моменту начала нагружения внутри материала дефектов структуры (дислокаций и т. п.). Тогда, в соответствии с приведенной выше формулировкой критерия, накопленная в процессе силового и теплового нагружения внутри единицы объема материала энтропия As в момент разрушения должна удовлетворять соотношению [c.208]

Известно, что под влиянием активной смазки при трении происходит пластифицирование поверхностного слоя металла. Наблюдаемое облегчение пластической деформации является результатом снижения потенциального барьера, который преодолевается дислокациями при выходе на поверхность твердого тела [79]. Снижение свободной поверхностной энергии а при адсорбции поверхностно-активных молекул соответствует уменьшению элементарной работы выхода дислокаций (Ь а). С этой точки зрения. становится понятным эффект снижения плотности дислокаций в тонких поверхностных слоях при трении в условиях избирательного переноса. Продукты деструкции глицерина действуют как поверхностно-активные вещества адсорбируясь, они понижают свободную поверхностную энергию металла, способствуя выходу дислокаций в зоне контакта на поверхность. В результате плотность дислокаций в тончайшем поверхностном слое резко падает. [c.111]

Соотношение (2.2) можно пояснить следующим образом. Каждый движущийся элементарный заряд вещества д вносит в ток свой вклад, равный произведению заряда на его скорость V. Если в единице объема содержится N таких зарядов (движущихся с одинаковой скоростью), то они создают плотность тока = Nq. Но =(1г/(1/, поэтому ] = (1(Л Г)/(1/ = (1Р/(1/. [c.74]

Второе положение вытекает из факта взаимодействия потенциальных эффективных центров между собой, ведущего к обрыву цепей. Эффективные центры легко реагируют с молекулами исходного вещества. Но еще легче они вступают в реакцию друг с другом. Акад. Н. Н. Семенов указывает, что эффект взаимодействия активных центров между собой должен учитываться ...как основное свойство всякой цепной реакции [461. Каждое отрицательное взаимодействие потенциальных эффективных центров влечет за собой обрыв цепей и является элементарным бимолекулярным процессом. Поэтому можно считать, что скорость изменения относительной плотности уменьшается пропорционально квадрату плотности эффективных центров в данный момент времени. [c.237]

Такое различие возникает потому, что образование растворов обусловлено взаимодействием между элементарными частицами растворителя и растворенного вещества в газах это взаимодействие между элементарными частицами будет очень слабо выражено, ввиду малой плотности вещества, и в большинстве случаев им можно пренебречь (кроме состояний, близких к критическому). [c.223]

Существенное влияние на химическую стойкость материалов оказывает их структура. Известно, что неорганические материалы кристаллической структуры более химически устойчивы, чем аморфные вещества того же химического состава. Это объясняется упорядоченным расположением элементарных частиц и высокой плотностью вещества, затрудняющей проникание агрессивных жидкостей и газов внутрь кристалла. [c.11]

Metal — Металл. (1) Непрозрачное блестящее элементарное вещество, которое является хорошим проводником тепла и электричества и, когда отполировано, характеризуется хорошим светоотражением. Большинство металлов ковки и пластичны и отличаются большей плотностью, чем другие элементарные вещества. (2) По своей структуре металлы отличаются от неметаллов их межатомной связью и электронным потенциалом. Металлические атомы имеют тенденцию к потере электронов с орбит. Положительные ионы, сформированные таким образом, скрепляются электронным газом. Способность этих свободных электронов к переносу электрических зарядов и тот факт, что эти способности уменьшаются с увеличением температуры, устанавливают главные различия металлических твердых тел. (3) С химической точки зрения, элементарное вещество, чей гидроксид является щелочным. (4) Alloy — Сплав. [c.1000]

В курсах экспериментальной физики показывается, что divB является плотностью магнитного вещества в данной точке. Но так как положительный и отрицательный магнетизмы в действительности физически неразделимы и все магнитное вещество может рассматриваться составленным из элементарных MarHHtOB, то очевидно, что справедливо не только (1.074), но и [c.14]

Проиндицировать эти линии. Определить, является ли эта решетка примитивной, гранецентрированной или объемноцентри-рованной, и вычислить длину ребра ячейки. Плотность этого вещества равна 8,31 г-см , молекулярный вес равен 312. Найти число молекул в одной кубической элементарной ячейке. Единицу атомной массы можно принять за 1,660 -10 г. [c.10]

Если атомы компонентов соединения идентичны (элементарные вещества), то С2 = О и связь — чистая ковалентная . В этом случае обменное электронное облако полностью симметрично относительно центра между атомами, а взаимодействующие атомы нейтральны. Если атомы компонентов соединения различны, но С2 < . С , то связь будет преимущественно ковалентной, а атомы компонентов соединения заряжены антиионно и электронная плотность смещена в сторону компонента А. С ростом ионной составляющей связи С2 антиионный заряд будет уменьшаться благодаря смещению электронного облака в сторону более электроотрицательного атома компонента В. Таким образом, при смешанной кова-лентно-ионной связи электронное облако является подвижным и асимметричным. Это свойство полупроводниковых соединений составляет их важнейшую особенность. При сохранении кристаллической структуры с Zk = 4 подвижное электронное облако с увеличением разности электроотрицательностей компонентов соединения может смещаться к более электроотрицательному элементу, в результате чего могут не только полностью исчезать антиионные заряды, но и создаваться эффективные заряды, соответствующие ионным, и тем не менее соединение будет оставаться полупроводником. [c.63]

Е5ыделение асфальто-смолистых веществ из остатков нефтей и фракционирование смол проводились адсорбционным разделением на силикагеле [15]. Выделенные фракции смолистых веществ были охарактеризованы по плотности, молекулярному весу, кислотному числу (определенному потенциометрическим методом) и элементарному составу. Для некоторых фракций были сняты и исследованы инфракрасные спектры. [c.19]

Рентгенографические методы анализа широко используются для изучения структуры, состава и свойств различных материалов. Широкому распространению рентгенофафического анализа способствовали его объективность, универсальность, быстрота многих его методов, точность и возможность решения разнообразных задач, часто недоступных другим методам исследований. Вследствие высокой проникающей способности рентгеновских лучей для осуществления анализа не требуется создание вакуума. С помощью рентгенографического анализа исследуют качественный и количественный состав материалов (рентгенофазовый анализ), тонкую структуру кристаллических веществ - форму, размер и тип элементарной ячейки, симметрию кристалла, координаты атомов в пространстве, степень совершенства кристаллов и наличие в них микронапряжений, наличие и величину остаточных макронапряжений в материале, размер мозаичных блоков, тип твердых растворов, текстуру веп ес1в, плотность, коэффициент термического расширения, толидину покрытий и т.д. [c.158]

ФАКТОР <есть причина, движущая сила какого-либо процесса, явления, определяющая его характер или отдельные его черты магнитного расщепления — множитель в формуле для расщепления уровней энергии, определяющий величину расщепления, выраженный в единицах магнетона Бора размагничивающий— коэффициент пропорциональности между напряженностью размагничивающего магнитного поля образца и его намагниченностью структурный—величина, характеризующая способность элементарной ячейки кристалла к когерентному рассеянию рентгеновского излучения, гамма-излучения и нейтронов в зависимости от внутреннего строения ячейки) ФЕРРИМАГНЕТИЗМ—состояние кристаллического вещества, при котором магнитные моменты ионов, входящих в его состав, образуют две или большее число подсистем (магнитных подрещеток) ФЕРРОМАГНЕТИЗМ—состояние кристаллического вещества, при котором магнитные моменты атомов или ионов самопроизвольно ориентированы параллельно друг другу ФИЛЬТРАЦИЯ—движение жидкости или газа через пористую среду ФЛУКТУАЦИЯ <есть случайное отклонение значения физической величины от ее среднего значения, обусловленное прерывностью материи и тепловым движением частиц абсолютная — величина, равная корню квадратному из квадратичной флуктуации квадратичная 01ли дисперсия) равна среднему значению квадрата отклонения величины от ее среднего значения относительная равна отношению абсолютной флуктуации к среднему значению физической величины) ФЛУОРЕСЦЕНЦИЯ — люминесценция, быстро затухающая после прекращения действия возбудителя свечения ФОРМУЛА (барометрическая — соотношение, определяющее зависимость давления или плотности газа от высоты в ноле силы тяжести Больнмаиа показывает связь между энтропией системы и термодинамической вероятностью ее состояния Вина устанавливает зависимость испускательной способности абсолютно черного тела от его частоты в третьей степени и неизвестной функции отношения частоты к температуре) [c.292]

Совр. этап в развитии К, характеризуется интенсивным исслелованием проблемы начала космологич. расширения, когда плотности материи и энергии частиц были огромными. Руководящими идеями здесь являются новые теоретич. открытия в физике взаимодействия элементарных частиц при очень больших энергиях (см. Великое объединение). Др. важная проблема К,— объяснение возникновения крупномасштабной структуры Вселенной — скоплений галактик, самих галактик и т. д. из первоначально почти однородного расширяющегося вещества. [c.476]

Астрофизич. наблюдения определённо показывают, что помимо светящегося вещества во Вселенной имеется большое кол-во трудно наблюдаемой несветящейся материи. Её наз. скрытой массой. Проявляется она только своим тяготением. Скрытая масса, сосредоточенная в скоплениях галактик, оказывается часто в десятки раз больше массы светящегося вещества звёзд этих скоплений. Оценки усреднённой плотности скрытой массы дают значение S .sd0,2—0,7. Возможно, есть скрытая масса и между скоплениями галактик. Тогда не исключено, что полная плотность скрытой массы Вселенной Йс. м. близка к единице. Т. о., пока нельзя сказать с уверенностью, является ли наша Вселенная открытой (Й<1) или замкнутой (Е2>1). Физ. природа скрытой массы неясна. Частично эта масса может быть обусловлена слабосветящимися звёздами или др. трудно наблюдаемыми небесными телами. Однако вероятнее, что скрытая масса является совокупностью большого числа элементарных частиц, обладающих массой покоя и слабо взаимодействующих с обычным веществом. [c.478]

ЛОКАЛЬНОЕ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ РАВНОВЕСИЕ — одно из осн. понятий термодинамики неравновесных процессов и механики сплошных сред, равновесие в очень малых (элементарных) объёмах среды, содержащих всё же столь большое число частиц (молекул, атомов, ионов и др.), что состояние среды в этих физически бесконечно малых объёмах можно характеризовать темп-poii Т х), хим. потенциалами [Xf (x) и др. термоди-намич. параметрами, но не постоянными, как при пол-ном равновесии, а зависящими от пространств, координат X и времени. Ещё один параметр Л. т. р.— гидро-дипамич. скорость и(х) — характеризует скорость движения центра масс элемента среды. При Л. т. р. элементов среды состояние среды в целом неравновесно. Если малые элементы среды рассматривать приближённо как термодинамически равновесные подсистемы и учитывать обмен энергией, импульсом и веществом между ними на основе ур-ний баланса, то задачи термодинамики неравновесных процессов решаются методами термодинамики и механики. В состоянии Л. т. р. плотность энтропии на единицу массы является [c.606]

Неоднородное распределение дислокаций в объеме выращиваемого монокристалла вызывает появление разницы концентраций присутствующих СТД между областями с различной плотностью стоков. Если при этом подвижность СТД достаточно высока, то непосредственно в процессе выращивания происходит перераспределение дефектов между областями с различной плотностью стоков (дислокаций). В монокристаллах полупроводниковых соединений такое перераспределение приводит к формированию макронеоднородности по составу в пределах области гомогенности соединения, а в монокристаллах элементарных полупроводников - макронеоднородности по плотности вещества. Величина возникающей неоднородности зависит не только от величины разницы в различных участках кристалла, но и от абсолютных значений Перераспределение СТД между областями кристалла с разной является основной причиной возникновения в нем характерной макронеоднородности в распределении электрофизических свойств, хорошо коррелирующей с характером распределения дислокаций. Особенно четко это проявляется в нелегированных полуизолирующих монокристаллах GaAs. [c.60]

Какова же тогда истинная причина наблюдаемого молекулярного рассеяния света Она состоит по существу в том, что однородность среды вследствие теплового движения нарушается, т. е. количество молекул в элементарных объемчиках по. случайным причинам со временем меняется. Возникают так называемые флуктуации плотности, на которых и происходит рассеяние света. Эти флуктуации плотности в чистых веществах играют примерно ту же роль, что и посторонние включения и примеси в неоднородных средах. [c.708]

Величина (AF) = dV для данного строения вещества может быть принята за макродифференциал, и теперь остается оценить его линейные размеры и то, насколько этот элемент является элементарным, т. е. может ли он быть в каком-то приближении принят за геометрическую точку. При этом распределение плотности вещества по пространству станет возможным считать непрерывной и дифференцируемой функцией, поскольку разность результатов вычисления плотности в соседних точках в близкие моменты времени может быть сделана как угодно малой, если макродифференциал dV рассматривается как точка пространства. [c.12]

Топлива реактивных двигателей Т-1 и ТС-1 представляют собой лигроинокеросиновые фракции, получаемые прямой перегонкой пефти [534]. Топливо Т-1 отличается от топлива ТС-1 большей плотностью и вязкостью, более тяжелым составом и меньшим содержанием серы. В топливах типа Т-1, ТС-1 и Т-2 содержание ароматических углеводородов составляет от 15 до 20%, парафиновых 30— 60%, нафтеновых 20—45%). В них присутствуют также непредельные углеводороды. В ТС и Т-2 содержится сера в виде дисульфидов, сульфидов и других соединений. Основными коррозионно-активными веществами топлив являются сернистые и кислородные соединения. Однако и углеводородный состав топлива оказывает определенное влияние на коррозионную агрессивность сернистых и кислородных соединений. Среди сернистых соединений коррозионно-активными являются сероводород, элементарная сера и меркаптаны. Из кислородных соединении топлив наиболее коррозионно-активны органические кислоты, которых содержится 0,5—3% [538]. Процессы, происходящие с окислами металлов после длительного воздействия дифенила прп высоких температурах, изучались путем исследования структуры порошков [535]. Испытания проводили в интервале температур от 320 до 450° С, продолжительность выдержки составляла 240 ч при 450° С и 500 ч при 370 и 410° С. Испытание порошков было обусловлено стремлением быстрее получить необходимые результаты, так как развитая поверхность порошкообразных образцов способствовала этому. Однако это не соответствовало реальным условиям применения керамических материалов в виде монолитных изделий. Были исследованы изменения структуры окислов циркония, вольфрама, молибдена, алюминия, титана и др. [c.213]

Развивается геометрич. подход, оспованный на идее плотной упаковки молекул с помощью табличных значений межмолекулярных радиусов строятся модели молекул с определенной внешней формой и предполагается, что коэффициент плотности упаковки (отношение объема молекул в элементарной ячейке к ее полно.му объему) в общем случае должен быть максимальным (значения коэффициента плотности от 0,60 до 0,80 для веществ о низким значением коэффициента плотности характерно образование двух или большего числа полиморфных модификаций). Такой подход позволяет сделать ряд выводов в отношении симметрии М. к. Наиболее строго выполняется правило молекулы с центром симметрии должны давать цонтросиммотричные кристаллы (кристаллы без центра симметрии построены из нецентросимметричных молекул). Теория плотной упаковки применима лишь к кристаллам, где отсутствуют специфич. межмоле-кулярные взаимодействия. [c.287]

Смотреть страницы где упоминается термин Плотность элементарных веществ : [c.315] [c.88] [c.633] [c.108] [c.519] [c.633] [c.281] [c.281] [c.343] [c.637] [c.240] [c.340] [c.220] [c.134] [c.486] [c.65] [c.301] [c.144] [c.184] [c.108] [c.298] [c.183] [c.377] [c.138] [c.241]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...