Элементарные области. Типы элементарных областей

Элементарные области . Типы элементарных областей [c.330]

J ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ОБЛАСТИ . ТИПЫ ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ОБЛАСТЕЙ 331 [c.331]

Возможность получения широкого спектра высокоэнергетических вторичных пучков является существенным преимуществом ускорителя типа Серпуховского по сравнению с энергетически эквивалентным ему ускорителем на встречных пучках. Ускорители же на встречных пучках позволяют продвинуться в область очень высоких энергий, но из-за отсутствия высокоэнергетических вторичных пучков не могут обеспечить широкого фронта работ в области физики элементарных частиц. [c.481]

Для областей типа прямоугольника, треугольника или некоторых более сложных, но конкретных конфигураций можно составить частные подпрограммы, реализующие заполнение массивов координат узлов и индексной матрицы на основе данных о размерах области и шагах по осям х, у. Например, можно покрыть область прямоугольной сеткой, а затем построить треугольники путем разбиения элементарных прямоугольников диагоналями, как это сделано на рис. 4.11. Программирование таких процедур сводится к организации нескольких циклов с переменными пределами. [c.148]

После этих предварительных общих замечаний перейдем к подробному доказательству основной теоремы. Отметим прежде всего, что топологическая тождественность разбиения на траектории соответствующих друг другу по схеме канонических окрестностей доказана в теореме 72, а топологическая тождественность областей типа Наш и Sa , оо и после элементарного проведения вспомогательных дуг (в случае областей Еаю этими дугами являются дуги траекторий, соединяющие циклы без контакта, а в случае Zoo эти дуги являются дугами без контакта, соединяющими граничные замкнутые кривые, существующие в силу леммы 7 19) сводится к лемме 8 18 (о топологической тождественности разбиений элементарных четырехугольников). [c.490]

Имеется целый ряд типов элементарных возбуждений, играющих в твердом теле существенную роль. Все они кратко описаны в гл. I. Однако лишь три из них подвергнуты серьезному изучению в последующих главах книги. Такая манера изложения принята умышленно автор полагал, что лучше подробно обсудить лишь некоторые вопросы, чем дать широкий, но неизбежно менее детальный обзор всей рассматриваемой области физики. Кроме того, общие методы и идеи, развитые в книге применительно к рассмотренным элементарным возбуждениям, легко могут быть перенесены и на другие типы возбуждений автор надеется еще вернуться к этому вопросу в дальнейшем. А пока сделана попытка снабдить читателя списком последних работ, которые касаются элементарных возбуждений, детально не рассмотренных в книге. К этому списку следует еще добавить книгу [4], во многом дополняющую и развивающую содержание настоящего тома данной серии. [c.11]

После рассмотрения различных типов элементарных ячеек в грубых системах возникает вопрос о законах совместного существования элементарных ячеек различных типов. Мы не будем здесь касаться этого еще не решенного полностью вопроса. Поясним только одно понятие, которое имеет к этому вопросу некоторое отношение. Именно, иногда бывает удобно пользоваться понятием области устойчивости в большом данного элемента притяжения под такой областью устойчивости в большом понимается тогда совокупность всех элементарных ячеек, имеющих рассматриваемый особый элемент своим элементом притяжения. Этим замечанием мы заканчиваем рассмотрение грубых систем ). [c.464]

Задание на расчет задачи в пакете ПОТОК кроме указания цепочки элементарных задач включает информацию о типах г])а-ниц расчетной области и значениях параметров для конкретного [c.223]

В таком случае приложение нагрузки т (меньшей предела текучести) к металлу, имеющему несовершенства кристаллического строения, вызовет неоднородное распределение внутренних напряжений в очагах локального плавления приложенное напряжение преобразуется в гидростатическое давление (фазовое состояние близко к жидкому, дальний порядок отсутствует) а в остальной части кристалла напряжение в элементарных объемах подчиняется законам упругости твердого тела. Таким образом, в местах дефектов структуры типа дислокаций возможно равенство т = Р. Например, в работе [16] при вычислении свободной энергии вакансий постулируется справедливость этого соотношения для некоторых областей материалов . [c.28]

Для решения задачи оптимизации трибосистем, реализующих явление избирательного переноса, в [64] предложено использовать аппарат и принципы неравновесной термодинамики. Зону элементарного контакта разбивают на области, внутри которых, согласно Гленодорфу-Пригожину, предполагается существование локального равновесия, т е. отсутствие градиентов термодинамических величин типа химического потенциала и температуры, напряжения сдвига. Записывают уравнение Гиббса в локальной форме для каждой области и, считая, что полная энергия сохраняется, получают суммарный дифференциал энтропии в виде [c.110]

В настоящей работе описан алгоритм, позволяющий автоматически строить трех-мерные разностные сетки для ограниченных областей звездного типа. При этом за мкнутую трехмерную одно связную область будем называть областью звездного типа, если в ней существует точка (называемая центральной) такая, что луч, проведенный из этой точки в любом направлении, пересекает границу области в единственной точке. В основе алгоритма—идея растяжения основного шестигранника с регулярной сеткой, внутри которого лежит центральная точка, до основной области D с соответствующим выбором коэффициентов растяжения в различных направлениях. При этом основные выпуклые элементарные шестигранники, образующие регулярную сетку в основном опорном шестиграннике, после растяжения переходят в несамопересекающиеся двена-дцатигранники. [c.499]

Замкнутую область типа Г, т. е. замкнутую односвязную область, ограниченную двумя непе-ресекающимися дугами без контакта АВ и АВ и двумя дугами траекторий АА и ВВ, которая удовлетворяет утверждению леммы 10, мы будем называть элементарным топологическим четырехугольником или просто — элементарным четырехугольником (рис. 40). [c.86]

Возможные типы ячеек. Односвязные и двусвязные ячейки. Естественно возникает вопрос о возможных типах элементарных ячеек. Именно, так же, как о топологотеской структуре разбиения области С (или замкнутой области О) на траектории системы (А), можно говорить о топологической структуре ячеек [c.55]

В настоящем параграфе мы исследуем механизм возбуждения плазмонов и посмотрим, какую информацию о нем можно получить из опытов по измерению характеристических потерь энергии. Такой выбор темы связан с тем, что по причинам, выше уже обсуждавшимся, плазмоны с энергией порядка йсор представляют собой весьма общий тип элементарных возбуждений в твердых телах. Действительно, в большинстве твердых тел спектр характеристических потерь энергии при малых передачах импульса определяется в основном возбуждением плазмонов. Легко убедиться, например, что в области применимости выражений (4.38) и (4.39) правило /-сумм с точностью до членов порядка содержит только [c.240]

Вторая типичная задача —это расчет методом характеристик течения в области DA E (рис. 8.1—8.3). Левой границей области является характеристика одного из семейств, на которой заданы все газодинамические параметры. Границы AD и СЕ могут быть жесткой стенкой, линией тока, свободной границей или ударной волной. В пакет включены две элементарные задачи. Одна из них реализует расчет течения между ударной волной и боковой поверхностью тела (рис. 8.3, б). Вторая элементарная задача включает остальные типы границ AD и СЕ. На рис. 8.3, а приведена схема течения в кольцевом сопле на нерасчетном режиме, здесь AD — граница струи. [c.220]

Перечень принципиально различных типов источников невелик. Исторически первыми источниками были естественно-радиоактивные ядра, испускающие а-частииы, электроны и у-кванты с энергиями до нескольких МзВ. Позднее в реакторах и циклотронах стали создавать большое количество искусственных радиоактивных препаратов, что дало возможность в промышленном масштабе производить радиоактивные источники с различными временами жизни и различными энергиями вылетающих частиц. Однако область энергий вылетающих частиц во всех этих источниках ограничена теми же несколькими МэВ, что заметно ниже порогов большинства ядерных реакций, не говоря уже о реакциях с элементарными частицами. Поэтому радиоактивные источники за редчайшими исключениями (например, эффект Мёссбауэра, см. гл. VI, 6, п. 6) и сейчас применяются не для осуществления ядерных реакций, а для исследования самого явления радиоактивности и для прикладных целей. [c.466]

Устройство двух элементарных ячеек Ф ЭП, выполненных на основе гидрогенизированного аморфного кремния, показано на рис. 10, а, б. Основной рабочей областью этих ячеек является либо контакт гидрогенизированного аморфного кремния с металлом (a-Si H-Pt — рис. 10, а), где слой a-Si Н С Р > служит для создания омического контакта к подложке, либо контакты областей a-Si Н, имеьощие различные типы электропроводности (рис. Ю, б). Для повышения эс ективности ФЭП несколько элементарных ячеек соединяют последовательно, получая многослойные (рис. 10, в) или интегральные (рис. 10, я) конструкции. [c.20]

Цикл 5-координатной битангенциальной обработки сопряжений. Цикл предназначен для обработки поверхности детали в области сопряжения двух частей поверхности поверхности, направляющей инструмент, и поверхности, к которой инструмент располагается по касательной (рис. 1.67). Цикл состоит из последовательности элементарных движений, определяемых парой патчей поверхностей в зависимости от их типа (патч/патч, граница/патч, патч/вершина). Изменение типа одного из элементов приводит к изменению движения инструмента. Направляющая инструмент поверхность должна быть линейчатой, т.е. один из изопараметров должен быть вектором, определяющим ориентацию инструмента. [c.102]

Перенос излучения в условиях немгновенностн элементарного акта рассеяния. Изложенный выше раздел теории П, и. относится к области X а, где X — длина водны излучения, а — характерный масштаб макро-скопич. флуктуаций в среде, на к-рых происходит рассеяние. В этом случае элементарный акт рассеяния света единичным объёмом среды описывается в ур-нии (1) сечением рассеяния <т, соответствующим данному типу флуктуаций. Тано11 подход применим также и к нерезонансному рассеянию света на микроскопич. флуктуациях распределения частиц по координатам и импульсам. При этом о уже соответствует сечению рассеяния света отдельной частицей (когерентному, щ = е), или некогерентному комбинационному рассеянию света атомом или молекулой, комптоновскому рассеянию свободным электроном и др.). Общность формализма описания П. и. в указанных случаях базируется на мгновенности процесса рассеяния фотона средой (макроскопич. ансамблем или отдельной частицей), что и позволяет свести описание П. и. к замкнутому ур-нию (1) Для интенсивности. [c.567]

Симметрия кристалла И его атомная упаковка определяют кол-во и распределение систем скольжения, возможные варианты расщепления дислокаций, строение их ядра, величину вектора Бюргерса и др. параметры, от к-рых зависит П. к. Кристаллы кубич. сингонии наиб, пластичны. Переход к средним и низшим категориям симметрии, равно как и усложнение элементарной ячейки, увеличение в её базисе числа и типов атомов, появление сверхструктур коррелируют со снижением показателей П. к. В том же направлении действует уменьшение плотности упаковки. Напр., переход от гранецентрированной к объёмноцентриров, модификации кубич. кристаллов сопровождается радикальным изменением их пластичности в низкотемпературной области. Для металлов с гранецентрированной кубич. (ГЦК) решёткой типична слабая температурная зависимость П. к. (рис. 2). В интервале гомология, темп-р 0,01 й 0 = й 0,5 предельная деформация до [c.632]

Одновременно с Ф. атомного ядра началось быстрое развитие Ф. элементарных частиц. Первые большие успехи в этой области связаны с исследованием космич. лучей. Были открыты мюоны, пи-мезоны. К-мезоны, первые гипероны. После создания ускорителей на высокие энергии началось планомерное изучение элементарных частиц, их свойств и взаимодействий были экспериментально наблюдены (по их взаимодействию) 2 типа нейтрино и открыто большое число новых элементарных частиц, в том числе т. и. резонансов, ср. время жизни к-рых составляет всего 10" —10 с. Обнаруженная универсальная взаимопрев-ращаемость элементарных частиц указывала на то, что не все эти частицы элементарны в абс. смысле этого слова, а имеют сложную внутр. структуру. Теория элементарных частиц и их взаимодействий (сильных, эл.-магн. н слабых) составляет предмет квантовой теории поля—совр. интенсивно развивающейся теории. [c.314]

В 60-е годы Я. 3. Казавчинскйй и его ученики разработали уравнения состояния в форме (0.7) для большой группы технически важных веш.еств, в том числе и для фреонов R12 [3.14, 3.31] и R13 [3.13, 4.13, 4.31]. И. И. Перельштейн [4.14] применил более совершенную методику численно-графического выделения так называемых элементарных объемных функций ао, ai и р при построении уравнения (0.7) для фреона R13. Во всех упомянутых работах температурная функция криволинейной части уравнения имела вид г1)=1/т2. Представленное в [5.29] уравнение состояния фреона R14 существенно сложнее, так как в криволинейную часть уравнения включена сумма (Р(й-г1зт+7<й-фт) и поэтому, в принципе, оно применимо в более широкой области состояний, чем уравнение типа (0.7). [c.7]

Для производства некоторых видов керамики особое значение имеют их электрофизические свойства, в частности небольшое изменение удельного объемного сопротивления в области температур 1000—1500°С. Благодаря этому свойству представилась возможность применять карбид кремния как материал для производства электронагревательных сопротивлений. Электронагревательные сопротивления из карбида представляют собой так называемые термисторы, т. е. материалы, меняющие свое электрическое сопротивление под влиянием нагрева или охлаждения. Температурная зависимость различных видов карбида кремния и различных типов нагревателей из них представлена на рис. 60. Черный карбид кремния имеет высокое удельное объемное сопротивление при комнатной температуре и отрицательный температурный коэффициент сопротивления. Зеленый благодаря наличию в нем элементарного кремния имеет низкое начальное сопротивление и слабоотрицательный температурный коэффициент, переходящий в положительный при 500— 800°С. Для производства нагревателей используют обе разновидности. Карбидокремниевые нагреватели широко применяют в керамической промышленности для обжига изделий при температуре до 1450°С в окислительной среде. Отечественная промышленность выпускает карбидокремниевые нагреватели в соответствии с ГОСТ 16139—76. [c.227]

Выбор типа, формы элемента и числа его узловых точек зависит от характера рассматриваемой задачи и от той точности решения, которую требуется обеспечить. Например, при решении одномерных задач распространения тепла и в задачах строительной механики при расчете стержневых конструкций область разбивают на одномерные конечные элементы, взаимосвязанные между собой по концам. При решении плоских задач (плоское напряженное состояние, задача теплопроводности в пластине и т. д.) области аппроксимируются треугольными или четырехугольными плоскими конечными элементами (рис. 1.5.1). Если рассматривается трехмерная область, то обычно она идеализируется с помощью элементарных тетраэдров, прямоугольных параллелепипедов либо неправильных шестигранников (рис. 1.5.2). [c.55]

К двухкратному решению задачи Коши сводится вопрос и в случае, когда кривизна оболочки неположительна. Если кривизна равна нулю, то рассуждения становятся элементарными. Они проведены в 15.17—15.19 и показали, что для оболочки нулевой кривизны обсуждаемая здесь полная краевая задача безмоментной теории всегда имеет решение, конечно, если края неасимптотические. Если кривизна оболочки отрицательна, то обе упоминав-щиеся выше задачи Коши должны решаться для систем гиперболического типа. Это значит, что их решение будет существовать в двухсвязной области при любой, достаточно гладкой нагрузке. Исключение может иметь место только тогда, когда в области G будут содержаться некоторые особые точки срединной поверхности, например, точки, через которые проходят две асимптотические линии одного семейства. [c.268]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...