Основы роста кристаллов

ОСНОВЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ [c.283]

За последние десятилетия в физике твердого тела получило широкое распространение представление о несовершенствах кристаллической решетки, называемых дислокациями. Этим несовершенствам приписывается основная роль при объяснении ряда особенностей поведения реальных кристаллов. Механизм пластической деформации, ползучести, разрушения, рассеяния энергии при циклическом деформировании связываются большинством современных авторов с перемещением дислокаций внутри кристалла. Дислокационные представления используются также для объяснения механизма роста кристалла. Возможные дефекты кристаллической решетки не ограничиваются, конечно, одними дислокациями этим термином называются дефекты особого рода, обладающие совершенно определенными свойствами. Однако дислокационные представления, как оказалось, имеют настолько общий характер, что на их основе можно построить очень большое количество разного рода моделей, объясняющих те или иные свойства реального кристалла, и выбрать из этих моделей те, которые наилучшим образом отвечают опытным данным. [c.453]

Вообще скольжение двух тел может наблюдаться только тогда, когда имеются плоскости как бы наименьшего сопротивления, в которых взаимодействие соприкасающихся тел или частей одного и того же тела ослаблено. Такое ослабление наблюдается и в случае однородных, тел, наиболее ясно — в максимально однородных телах, какими и являются монокристаллы, в основе строения которых лежит правильное расположение атомов по узлам так называемой кристаллической решетки, узлы которой в свою очередь расположены параллельными слоями. Несмотря на правильность расположения атомов, во всех реальных монокристаллах имеются участки, ослабленные по тем или иным причинам, связанным с условиями образования и роста кристаллов. Эти слабые места (дислокации) часто расположены вблизи поверхности они предопределяют образование плоскостей скольжения, вдоль которых происходит скольжение двух частей кристалла. Такое скольжение близко совпадает с описанным [c.151]

В основе мартенситного превращения лежит кооперативное и закономерное перемещение атомов, когда они сохраняют своих соседей и смещаются только по отношению друг к другу на расстояния меньше, чем межатомные. Новая фаза когерентно связана с исходной фазой, и при нарушении когерентности рост кристаллов новой фазы прекращается. В этом случае полиморфное превращение развивается за счет образования и роста новых кристаллов, когерентно связанных с исходной фазой. Рост кристаллов новой фазы протекает с очень большой скоростью ( 10 м/с). [c.28]

Процесс состоит из зарождения центров кристаллизации (зародышей) аустенита и постепенного роста кристаллов аустенита вокруг этих центров. Центры кристаллизации (зародыши) аустенита прежде всего образуются на поверхности раздела феррита и пластинок или зернышек цементита. Поэтому первые участки аустенита (темные точки на фиг. 109, а) появляются на границах зернышек цементита в феррите, в дальнейшем участки аустенита увеличиваются (фиг. 109, б и в). Это объясняется тем, что в пограничных областях между частицами цементита и ферритной основы сосредоточивается большое количество дислокаций, вакансий, промежуточных атомов, атомов примесей и других несовершенств строения решетки, а также имеется избыток свободной поверхностной энергии. Все это наряду с близостью цементита создает здесь благоприятные условия для диффузии углерода и образования аустенита. Образующийся при этом аустенит имеет около 0,8% углерода. [c.180]

Основы теории кристаллизации разработаны основоположником металловедения Д. К. Черновым, который установил, что кристаллизация состоит из двух процессов зарождения мельчайших частиц кристаллов (зародышей, или центров, кристаллизации) (рис. 3, а) и роста кристаллов из этих центров (рис. 3,6). [c.14]

Образование более крупных кристаллов (пластинок) цементита на ферритной основе коагуляцией выделившихся высокодисперсных частиц — это процесс роста кристаллов цементита, протекающий в течение определенного времени. [c.150]

Наибольшая сила сцепления осадка с основой возникает в том случае, когда кристаллы осажденного металла как бы продолжают рост кристаллов основного металла. [c.93]

Настоящий параграф посвящен исследованию генерации средних течений в изотермической жидкой зоне при высокочастотных осевых вибрациях одного из торцов. Воздействие вибраций было предложено в ряде работ в качестве одного из методов управления течениями и теплопереносом при выращивании кристаллов по методу плавающей зоны [10—16]. Как показали эксперименты [10, 11], вибрации могут служить средством подавления термокапиллярного течения в реальном процессе роста кристаллов. Однако разработка методов вибрационного управления может быть осуществлена лишь на основе анализа результатов исследования воздействия фундаментальных закономерностей влияния вибраций на жидкую зону. Теоретическому исследованию некоторых аспектов такого влияния посвящены работы [12-16]. В [12, 13] изучался нелинейный отклик жидкой зоны на низкочастотные осевые вибрации. В [14] построена одномерная нелинейная вязкая модель для изучения генерации средних течений в длинных жидких зонах. В настоящем параграфе численно исследуются средние течения в жидкой зоне, возникающие при высокочастотных вибрациях одного из торцов, в условиях невесомости. Изложение основано на работах [15, 16. [c.204]

По результатам исследований, выполненных в МЭИ [5.13], свободный рост кристаллов магнетита происходит в результате длительного воздействия воды высокой температуры на поверхности фер-ритной составляющей стали. При перекрытии перлитной составляющей на поверхности металла образуется сплошной слой магнетитовой пленки. Рост пленки происходит за счет диффузии ионов железа в верхние слои и ионов кислорода к основе. Окисляющее действие кислорода проявляется за счет прямого воздействия его на кристаллы пленки (окисление магнетита до гематита) и окисления металла кислородом, проникшим между кристаллами. Защитные действия самопроизвольной магнетитовой пленки недостаточно высоки, особенно при термических качках . [c.224]

При 5=7 1 чугун затвердевает в два этапа. Вначале происходит кристаллизация одной фазы — в жидкости растут кристаллы первичного аустенита (если 5<1, т. е. чугун имеет доэвтектический состав) или первичного графита (если 5>1, т. е. чугун имеет заэвтектический состав). Завершается затвердевание кристаллизацией двух фаз, в ходе которой наблюдается одновременный рост кристаллов аустенита и графита. Этот процесс, заключающийся в диффузионном распаде жидкости на две кристаллические фазы, составляет основу первичного структурообразования в чугуне эвтектического состава, т. е. при 5 = 1. [c.22]

Прежде всего необходимо остановиться на стадии, предшествующей встраиванию атома в кристаллическую решетку металла-основы, которой может являться либо другой металл, либо осаждающийся металл. Перенос иона на подложку может осуществляться двумя путями прямой перенос в вакантное место на поверхности подложки, где ион в результате переноса электрона закрепляется, и перенос на поверхность с последующей поверхностной диффузией к месту роста кристалла или образования зародыша. Во втором случае перенос электрона может произойти при первом контакте иона с поверхностью и тогда он превращается в адсорбированный атом (адатом), или при поверхностной диффузии будет происходить уменьшение координационной сферы иона с одновременным увеличением числа связей с атомами металла подложки и, следовательно, с постепенным переносом заряда. Окончательный перенос заряда произойдет в месте встраивания в кристаллическую решетку. [c.28]

Кристаллизация без образования зародышей протекает на металлах-основах, имеющих дефекты кристаллической решетки. Основная роль при росте кристалла в этом случае отводится винтовым дислокациям, число которых на поверхности поликристаллического электрода может быть весьма значительным (Ю — 10 на [c.29]

Рост микрокристаллов вначале происходит раздельно в пределах зоны, в которой образовался зародыш, и между кристаллами имеются дворики , где осаждение металла не происходит. Поэтому первичные слои осажденного металла являются довольно пористыми. Затем кристаллы сливаются, образуя границы зерен, на которых могут концентрироваться примеси из электролита, а также молекулы и ионы, содержащиеся в растворе. Обычно при осаждении металла на чужеродную основу образовавшиеся кристаллы ориентированы хаотично и их рост в вертикальном и горизонтальном направлениях идет с различными скоростями. Однако, в связи с тем, что сами кристаллы растут неравномерно, причем большие из них по размерам растут с большей скоростью, в момент слияния кристаллы малых размеров (не достигшие определенного критического размера) прекращают свой рост. В результате при увеличении толщины осадка число растущих зерен уменьшается и возрастает их размер. [c.34]

Кристаллизация. Некоторые резины на основе каучуков НК, СКИ-3, наирит и других в области низких температур способны кристаллизоваться. Кристаллизация полимеров связана с перемещением и установлением взаимного порядка цепных молекул и зависит от комплекса релаксационных явлений. Температурная область кристаллизации лежит выше области стеклования. Кристаллическая фаза в каучуке может возникать как в недеформирован-ном состоянии, так и при деформации, когда резко возрастает скорость кристаллизации [66]. Степень кристаллизации существенно зависит от продолжительности воздействия низкой температуры. Скорость образования кристаллической фазы определяется скоростями образования центров кристаллизации и их роста. Вследствие этого имеется область температур, в которой скорость образования кристаллической фазы максимальна, так как при более высоких температурах число центров кристаллизации мало, а при более низких — мала скорость роста кристаллов вследствие уменьшения подвижности цепей. Нагревание закристаллизованной резины приводит к восстановлению ее аморфного состояния. [c.32]

Дефекты положения узлов, линий, а также плоскостей носят общее название дефектов решетки. Исследования дефектов решетки начались с целью выяснения причин появления очень низких значений механической прочности и упругости металлов. Затем такие исследования стали развиваться в связи с потребностью объяснения структурно-чувствительных свойств кристаллов, обусловливающих такие явления, как цветовая окраска кристаллов, люминесценция, светочувствительность в фотографии, электропроводность полупроводников, магнитная проницаемость твердого тела, диффузия электронов в твердом теле, рост кристаллов и т. п. Современное интенсивное развитие полупроводников на основе германия и кремния служит стимулом усовершенствования техники исследования и регулирования дефектов решетки. [c.40]

При соприкосновении жидкой стали с холодными стенками изложницы создается местное переохлаждение и в многочисленных центрах на основе комплексов ближнего порядка создаются кристаллические зародыши, растут кристаллы. Благодаря интенсивному охлаждению, быстрому росту кристаллов создается тонкий поверхностный слой мелких равноосных кристаллов,толщиной 5—15 мм. Этот слой представляет первую зону (рис. 135). [c.371]

Теория непрерывной кристаллизации разработана Г. Тамманом на основе исследований кристаллизации органических веществ при различных температурах. Г. Тамман установил, что при переохлаждении жидкого расплава в нем самопроизвольно зарождаются центры кристаллизации и начинается рост кристаллов. В связи с этим скорость кристаллизации определяется как числом центров (ч. ц.) кристаллизации, зарождающихся в единицу времени, так и линейной скоростью роста кристаллов (с. к.) в единицу времени. Соотношение этих величин определяет размер образующихся кристаллов. [c.267]

Настоящая глава посвящена главным образом интерпретации пластических свойств кристаллических твердых тел на основе представлений теории дислокаций. Пластические свойства— текучесть и скольжение — связаны с необратимой (пластической) деформацией, а упругие свойства — с обратимой (упругой) деформацией. Ниже мы увидим, что дислокации играют определенную роль в процессах роста кристаллов. [c.691]

При охлаждении сплавов цветных металлов (Т1, А1 и др.) со скоростью Ю °С/с и Ре, N1, Со со скоростью 10 °С/с образуется аморфная структура с отсутствием дальнего порядка в расположении атомов, а также структура со сверхмелким зерном (10 м). Это обусловлено сильным переохлаждением (большие значения АТ) и торможением диффузионных процессов, лежащих в основе роста кристаллов. Аморфные сплавы имеют ряд преимуществ по сравнению с кристаллическими [c.308]

В теории затвердевания изложенный меха,низм в своей основе остался без изменений. Считается, что образование рассеяной пористости является неизбежным. Можно лишь при дендритном росте кристаллов добиться уменьшения размера пор, увеличивая дис1персность микростроения кристалла (например, уменьшением расстояния между вторичными осями дендритов при ускорении затвердевания отливки). Для герметичности отливок и их механических свойств рассеяная усадочная пористость большой угрозы не представляет. [c.167]

Исследование мехаиич., оптич., электрич. и магн. свойств кристаллов является предметом кристаллофизики, к-рая смыкает К, с физикой твёрдого тела. Возникший на основе исследования роста кристаллов пром. синтез алмаза, рубина, Ge, Si и др. см. Синтетические кристаллы) — основа квантовой и полупроводниковой электроники, оптики, акустики и др. [c.511]

В случае полиморфного превращения при переохлаждении высокотемпературной фазы до низких температур происходит без-диффузионное превращение высокотемпературной модификации (Р) в низкотемпературную (а). При этом изменение состава фаз не происходит. Превращение протекает сдвиговым путем, в основе которого лежит кооперативное и закономерное перемещение атомов, когда они сохраняют своих соседей и смещаются по отношению друп к другу на расстояния, меньшие межатомных. Новая фаза когерентно связана с исходной фазой. При нарушении когерентности рост кристаллов прекращается, так как диффузионный переход из одной фазы в другую при низких температурах невозможен. Превращение развивается за счет образования новых кристаллов, когерентно связанных с исходной фазой. Рост кристаллов новой фазы протекает с большой скоростью ( 10 м/с). [c.48]

Мартенситные превращения связаны с перестройкой кристаллической решетки и совершаются путем кооперативного движения атомов. Теоретические исследования у—а мартенситных превращений проводятся с использованием кристаллогеометрического, термодинамического и волнового подходов. Однако только волновой подход способен описать динамику у—а мартенситных превращений. Это направление связано с работами Кащенко [395], развившим волновую модель роста мартенсита при у—а-превращении в сплавах на основе железа. Модель базируется на экспериментальных данных, показывающих, что скорость торцевого роста кристаллов инвариантна к температуре, близка по порядку величины к скорости звука и, возможно, превышает скорость распространения продольных упругих волн. Это указывает на нелинейный характер волнового процесса и его адиабатичность. Сочетание этих факторов с переохлаждением (ЛТ = 200К ниже температуры Tq равновесия фаз), значительными тепловым и объемным эффектами превращения приводят к большим градиентам температуры и химического потенциала электронов в меж-фазной области. Это показывает, что у—а мартенситные превращения — сильно неравновесные процессы с характерными признаками самоорганизации структур. [c.248]

Основы теории кристаллизации были разработаны более 100 лет назад основоположником науки о металлах — металловедения — Д.К. Черновым, который установил, что кристаллизация состоит из двух процессов зарождения мельчайших частиц твердого вещества, нгзыъг.шых зародышами, или центрами кристаллизации, и роста кристаллов из этих центров. При охлаждении металла ниже в различных участках жидкого металла образуются устойчивые, способные к росту кристаллические зародыши. С понижением температуры расплава количество зародышей возрастает. В реальных условиях центры кристаллизации образуются на тугоплавких неметаллических включениях. [c.11]

Химический состав и особенно вид металла-основы и его структура в значительной мере определяют качество нанесенного покрытия. Если потенциал металла-основы отрицательнее потенциала осаждаемого металла, то может начаться реакция контактного осаждения (цементация), в результате чего покрытие не обнаружит достаточно хорошего сцепления сосновой. Кристаллическая структура металла-основы оказывает значительное влияние на первом этапе роста кристаллов покрытия. В некоторых случаях структура осажденного металла как бы повторяет структуру металла-основы, являясь в какой-то степени ее продолже-илем. С ростом толщины осаждаемого покрытия влияние кристаллической структуры основы постепенно уменьшается, но тенденция к воспроизводству геометрической структуры основы остается. Поры, царапины, язвы, имеющиеся на поверхности металла-основы, чаще всего остаются видимыми и после нанесения покрытия. [c.216]

Выявление и описание дефектов в поверхностных композициях может преследовать разные цели. Одна из них связана со стремлением повысить качество получаемых композиций, другая — со стремлением получить представление о механизме совместного роста больших совокупностей кристаллов. Необходимо отметить, что с этой точки зрения достигнуты существенные успехи для тонких пленок (толщиной от нескольких микрон и менее). Для поверхностных композиций толщиной от десяти микрон и более изучение природы дефектообразования фактически началось не более чем 5—10 лет назад. В них в большей мере, чем в тонких пленках, усилено дефектообразование, обусловленное совместным ростом большого количества кристаллов. Природа дефектообразования не могла быть определена без развития представлений о закономерностях совместного роста больших совокупностей кристаллов. На основе этих, а также общих представлений о механизме роста кристаллов созданы первые понятия о механизме дефектообразования в поверхностных композициях. Первой обобщающей работой, посвященной определенному типу дефектов пленок и покрытий - порам, является работа [68]. Однако поры далеко не единственный тип дефектов, который наблюдается в поверхностных композициях. [c.4]

Анализ закономерностей роста совокупностей Kpn Taj oB с точки зрения представлений об отборе не может рассматриваться как нечто новое, заменяющее или отвергающее все развитые ранее представления теории физики кристаллов и процессов кристаллизации. Эти представления объективны и реализуются во всех процессах роста кристаллов. Полная аналогия наблюдается и в биологаи, где развитие органических форм изучается, с одной стороны, на молекулярном уровне, )а с другой — с точки зрения законов отбора. Оба подхода не противоречат, а дополняют друг друга. Исследование на молекулярном уровне позволяет углубиться в познание природы, а анализ на основе представлений Ъб отборе может быть использован для целей практики. В этом же плане следует рассматривать и представления об отборе при исследовании роста совокупностей кристаллов. [c.10]

Прн описании кинетики роста кристаллов было установлено, что атомы, ионы или молекулы, попадающие на поверхность кристалла, обладают высокой поверхностной подвижностью. Это справедливо в равной степени и при адсорбции примесных молекул, которые обычно не остаются на месте встречи, так как обладают большой двухмерной подвижностью. Имеется множество экспериментальных доказательств поверхностной диффузии адсорбированных частиц. Нанрнмер, основой метода декорирования путем напыления в высоком вакууме япля- [c.358]

Сравним теперь построенную прямую с классической вещественной прямой. Классическая прямая представляет собой статический, неизменный объект. В основе его определения лежит понятие о множестве всех подмножеств множества натуральных чисел. Выше принята динамическая концепция прямой. Для такой прямой натуральные, рациональные и алгебраические числа играют такую же роль, как и зародыши для роста кристалла. Известно, что кристалл на одних и тех же зародышах может расти в различных направлениях. Точно так же возможны и различные варианты становления прямой. Действительно, возьмем некоторое кофинитное число Р. Если Р рассматривается в качестве кандидата на принадлежность прямой вначале, (например, когда на прямой находятся только финитные числа), то может оказаться, что условия (9) для Р выполнятся. Но если на прямую уже помещены определенные совокупности кофинитных чисел, то может оказаться, что место Р уже занято другими кофинитными числами. (Причем ни одно из них с Р не совпадает.) [c.273]

Корундовая керамика. Для получения черепка корундового состава, так же, как и для масс корундо-муллитового состава, решающее значение имеет дисперсность глинозема. При использовании глинозема со средней величиной зерна 1 мкм (например, при мокром помоле) можно обжигом при 1550—1600 °С получить полностью спекшийся черепок с открытой пористостью менее 0,3 % муллитокорундового состава из массы, состоящей из глинозема с содержанием глины и плавней около 5%. Более тонкий мокрый помол (менее 0,1— 0,5 мкм) дает возможность изготовить спекшиеся корундовые изделия из одного технического глинозема при обжиге на 1720—1750 °С. Добавка 0,3—0,5% MgO улучшает спекание и способствует мелкой кристаллизации корунда, обеспечивающей высокую прочность черепка. Другие добавки (МпОг или ТЮг—0,5 %) снижают температуру спекания и усиливают рост кристаллов корунда. Процесс спекания в данном случае обусловлен перекристаллизацией корунда, ведущей к сращиванию кристаллов. Эффективность этого процесса повышается с увеличением тонкости помола. Помол глинозема ведут в вибромельницах с футеровкой, наваренной твердыми сплавами, или в шаровых мельницах, футерованных корундом. В первом случае глинозем следует обрабатывать для растворения намолотого железа соляной кислотой при кипячении или обработке острым паром, а затем промывать водой до полного удаления следов РеСЬ. Кислотная обработка улучшает формовочные свойства масс и их спекаемость. Массы на основе оксида алюминия тощие и без добавки пластификаторов могут быть отформованы только отливкой в гипсовые формы (например, отливка тиглей). [c.377]

Последняя форма ликвации, как уже отмечалось, образуется благодаря несвободному росту кристаллов, возникающих первоначально на корке затвердевающего слитка. Как известно, немедленно при отливке в холодную изложницу (например, чугунную) образуется сперва тонкая зона — корка мелкозернистого металла, которая является основой для дальнейщего формирования слитка. На этой корке растут далее длинные шестоватые (столбчатые) кристаллы, образуя зону транскристаллизации, и, наконец, получается центральная область слитка со свободно возникающими и растущими равноосными кристаллами. Жидкость (маточный раствор), остающаяся по мере образования и роста кристаллов, обогащается примесями и, естественно, наибольшее обогащение примесями должно получаться там, где она затвердевает в последнюю очередь, т. е. в центральной области слитка. При этом, очевидно, что расположение этой центральной ликвационной области должно быть в соответствии с внешними очертаниями слитка (формой изложницы) и зоной растущих от стенок корки шестоватых кристаллов. Последние, быстро смыкаясь между собою и разрастаясь в виде сплошной стенки, будут отгонять остающуюся жидкость в центральную часть слитка. [c.167]

Важным этапом в развитии исследований закалки стали было изучение характера кривых охлаждения [1] и установление (в конце первого двадцатилетия) того факта, что-мартенситное превращение протекает при температурах значительно ниже эвтектоидной точки. Результаты рентгенографических исследований кристаллической структуры мартенсита [2, 31 утвердили в двадцатых годах представление о мартенсите, как о перс-сыщенном твердом растворе углерода в а-железе. Было показано, что процесс превращения аустенита в мартенсит происходит без распада твердого раствора и заключается лишь в изменении решетки твердого раствора [4]. В эти же годы была установлена большая роль напряжений в протекании превращения аустенита в мартенсит и обнаружена аналогия в характере образования кристаллов мартенсита и деформационных двойников [5—7]. Обнаружение и определение закономерной ориентировки решетки мартенсита по отношению к решетке исходного аустенита [8, 9] создали основу для развития кристаллографии закалки стали и предсгавлений о механизме перестройки атомов в процессе перехода аустенита в мартенсит. Микрокинематографическое исследование, проведенное в начале тридцатых годов [10, 11), подтвердило представление об аналогии между процессом образования кристаллов мартенсита и процессом образования двойников. Время образования крисгаллов мартенсита оказалось меньше сотых долей секунды, дальнейший рост кристаллов не наблюдался. [c.670]

В том случае, когда однофазное состояние сплава устойчиво только при высоких температурах, образующиеся в результате мартенситного превращения фазы метаста-бильны вследствие бездиффузионного характера мартенситного превращения. Они имеют решетки, отличные от решеток стабильных фаз (например, и в сплавах u-Al, и " в сплавах u-Sn, , ", а в сплавах u-Zn). Если сплав и при низкой температуре является однофазным (например, а-фаза легированного железа, а-фаза в сплавах на основе Ti, Zr, Со), то в этом случае, так же как и в чистых металлах, в результате мартенситного превоащения образуются кристаллы с решеткой фазы, стабильной при низких температурах. В таких случаях превращение высокотемпературной фазы в низкотемпературную может протекать в зависимости от условий охлаждения или как мартенситное превра-1иение, или как превращение с нормальной кинетикой [56]. Б последнем случае превращение изотермически идет до конца, и рост кристаллов подобен росту зерен при рекристаллизации. Возможность превращения обоих типов наиболее наглядно установлена на примере уа-превращения легированного железа. [c.680]

На рис. 10.9 указано (шестым по порядку) характерное свойство символьных систем, заключающееся в независимости процедуры управления от знаний, имеющихся по конкретной проблеме. При этом в символьных вычислениях понятие управления распространяется на любой процесс, явно или неявно влияющий на порядок выполнения процедур, осуществляемых с целью решения задачи [34]. Указанное важное свойство ярко проявляется в экспертных системах (обсуждаемых в разд. 10.5.3), где фактическая структура стратегии решения может быть рекурсивно изменена на основе поправок, внесенных в процессе совершенствования программы. В этом отношении ситуация сильно отличается от случая цифровых вычислений, где изменения и даже условные ветви в программе вводятся в систему заранее. Именно указанная независимость базы знаний от управляющих процедур позволяет экспертной системе shell быть достаточно мощным средством, чтобы применяться сразу в нескольких проблемных областях. Примером также служит тот факт, что хотя программа MY IN была вначале разработана в целях медицинской диагностики бактериальных инфекций, она тем не менее может быть использована для создания базы знаний в области кристаллографии, предназначенной для специалистов по росту кристаллов. Вместо хранения правил, отражающих симптомы болезней, бактерии и лекарственные средства, база знаний должна содержать правила, относящиеся к методикам измерения кристаллографических структур, и рекомендации по методикам роста кристаллов. В области цифровых методов нельзя, например, взять программу, предназначенную для разработки интегральных схем со сверхвысокой степенью интеграции, и приспособить ее для проектирования линз лишь за счет изменения входных данных. [c.291]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...