Диффузия электронов

Характерной особенностью процесса является то, что по условию квазинейтральности скорости диффузии электронов и ионов должны быть одинаковы. Поскольку электроны обладают большой подвижностью, они опережают ионы, создавая благодаря этому опережению электрическое поле, которое сильно тормозит их и слегка ускоряет тяжелые ионы. В результате происходит выравнивание скоростей и весь процесс идет со скоростью, близкой к той, которая в отсутствие электрического поля соответствовала бы диффузионному движению ионов. [c.57]

Такая область создается введением примеси в процессе выращивания кристалла или введением атомов примеси в готовый кристалл. Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок (рис. 158, а). [c.157]

В -области концентрация электронов больше, а дырок-меньше, чем в /7-области, а концентрация дырок больше в /7-области. Поэтому после создания перехода электроны диффундируют из -области в р-область, а дырки-в обратном направлении, в результате чего в -области образуется положительный заряд, а в /7-области - отрицательный (рис. 118). Возникающие в результате этого разность потенциалов и электрическое поле стремятся замедлить диффузию электронов и дырок. При некоторой разности потенциалов наступает равновесное состояние. Поскольку заряд электронов отрицателен, увеличение потенциала приводит к уменьшению потенциальной энергии электронов и увеличению потенциальной энергии дырок. Поэтому [c.356]

Если ударная волна распространяется в плазме, то следует учитывать высокую теплопроводность электронной компоненты благодаря различию масс электронов и ионов. Это обстоятельство определяет структуру ударной волны в плазме. Электронная температура не испытывает скачка на фронте ударной волны. За счет диффузии электронов образуется двойной электрический слой. [c.49]

Плотность тока, обусловленного диффузией электронов, пропорциональна градиенту их концентрации [c.65]

Диффузия электронов и дырок. Как уже отмечалось, в р-п-пере-ходе наблюдается два встречных потока носителей зарядов. Так, например, ъ п-область диффундируют дырки плотность диффузионного тока выражается следующим образом [c.177]

Аналогичные параметры L и характеризуют процесс диффузии электронов в р-область. [c.178]

ДИФФУЗИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — перемещение носителей заряда (электронов проводимости и дырок) в полупроводниках, обусловленное неоднородностью их концентраций. Количественной мерой Д. н. а. в п. являются коэф. диффузии электронов и дырок D , — коэф. пропорциональности между градиентом концентрации и диффузионным потоком соответствующих носителей (обычно >э>1)д). Плотность тока проводимости, создаваемого U полупроводнике носителями каждого типа, складывается из плотпости дрейфового и диффу-а 1L о н н о г о токов [c.690]

Говоря о диффузии заряженных частиц в газовом разряде, необходимо заметить, что написанные на основе классической кинетики выражения для коэффициентов диффузии электронов и ионов [c.82]

Превышение температуры электронов над температурой газа определяется по уравнению баланса энергии для электронов, которое в пренебрежении процессами диффузии, электронной теплопроводности и излучения имеет вид [c.526]

Наибольших значений средняя глубина выхода фотоэлектронов достигает в фотоэмиттерах с отрицательным электронным сродством. Здесь Н соответствует длине диффузии электронов проводимости, т. е. характерному расстоянию, которое проходит электрон до того, как произойдет его рекомбинация с дыркой. В таких фотоэмиттерах Я превышает микрометр (Ялг (1- 5) м). [c.172]

Ферми (в термодинамическом равновесии положение уровня Ферми в р-области совпадает с его положением в п-области), 1 — дно зоны проводимости, 2 — вершина валентной зоны. Основными носителями заряда в р-области являются дырки их концентрация много больше концентрации электронов проводимости. В п-области наблюдается обратная картина там основными носителями являются электрощ>1 проводимости. Диффузии электронов проводимости из области с высокой их концентрацией (п-области) в область с низкой концентрацией (в / -область) препятствует потен- [c.180]

Соотношения (20.3), (20.4) позволяют определить коэффициент диффузии электронов на основании данных по электропроводности слабоионизованной плазмы. [c.430]

Основными характеристиками движения электронов в газе под действием электрического поля являются коэффициент поперечной диффузии D х и дрейфовая скорость электронов We. Однако поскольку коэффициент поперечной диффузии электронов в газе является функцией плотности частиц газа, в качестве справочных обычно используют значения и характеристической энергии электронов е, определяемой как отношение D к подвижности электронов Ке. Оба эти параметра являются однозначными функциями отношения напряженности электрического поля Е к плотности частиц газа Na. В табл. 20.1 приведены измеренные значения Se и We для некоторых газов при различных значениях отношения E/Na. В табл. 20.2 представлены значения коэффициента диффузии ионов Di при атмосферном давлении и нулевом электрическом поле. [c.432]

Солнечные батареи. Действие солнечной батареи основано на возбуждении электронов валентной зоны кристаллических тел при освещении тела солнечным светом. В солнечных батареях используются полупроводниковые материалы (рис. 8.53). При столкновении фотона с электроном, происходящем в тонком слое полупроводника р-типа, освобожденный электрон диффундирует в глубь кристалла, где находится полупроводник п-типа, а образовавшаяся в р-полупроводнике дырка перемещается в противоположном направлении. Если толщина слоя полупроводника р-тип2 меньше длнны диффузии электронов (равной примерно 10" см), то во внешней цепи возникает электрический ток, значение которого тем больше, чем больше площадь освещаемой поверхности. Наиболее часто в солнечных батареях используют кремний, легированный в микроскопических количествах бором, с тем чтобы обеспечить проводимость для положительно заряженных дырок, и фосфором (для проводимости электронов). [c.575]

Образовавшийся объемный положительный заряд нескомпенсированных ионов донорной примеси будет препятствовать дальнейшей диффузии дырок из р-области в п-область. Отрицательный объемный заряд ионов акцепторной примеси препятствует диффузии электронов в р-область, нескомпенсированные ионы примеси создают на гранште раздела для основных носителей заряда потенциальный барьер, преодолеть который могут только те основные носители, которые обладают достаточной кинетической энергией (рис. 3.17, в). [c.68]

В стационарном состоянии в каждой точке проводника диффузионный поток носителей уравновешивается дрейфовым потоком, вызванным разностью потенциалов и направленным от горячего конца к холодному. Для п-полупроводннка диффузионный поток электронов равен — (dnidx), где D — коэффициент диффузии электронов dn/dx — градиент их концентрации -дрейфовый поток равен Уд = — nun , где Уд — дрейфовая скорость м — подвижность электронов ё — напряженность поля, возникшего в полупроводнике. В стационарных условиях [c.259]

В полностью ионизованной плазме классич. поперечная диффузия электронов и ионов в днухкомпонентно11 плазме определяется их трепием между гобой, что автоматически обеспечивает равенство потоков (т. е. [c.65]

ДИФФУЗИОННАЯ ЕМКОСТЬ. Если к р — п-переходу приложено ВЧ-нанряжение, то инерционность процессов диффузии. электронов и дырок приводит к запаздыванию напряжения на р — -переходе относительно тока, Это иквивалентно появлениго в электрнч. схеме р — п,-псрехода т. н. Д- ё., включённой параллельно барьерной емкост.и. [c.686]

Из-за диффузии электронов и ионов, образованных на пути частицы, их дрейфа в электрич. поло, утсгирения сгустков ионизации в процессе усиления (или следа в трековом К. д.), а также вследствие дискретной структуры К. д. (рис, 2, а) измеренная координата х к.-л. точки траектории частицы отличается на величину Дя- от её истинного значения. Среднеквадратичное отклонение значений Да (рис. 2, 6) определяет координатное разрешение а детектора. Как правило, 0 1 мм (табл.). [c.458]

Мезоскопич. аффекты следует учитывать в экспериментах и в практич. применениях, если сравнимо с размерами образца Ь. Впервые условие порядка веек, мкм было осуществлено в металлах при низких гемп-рах. Благодаря когерентный эффектам при Ь с где Л — коэф. диффузии электронов, [c.94]

Отношение а концентрации п отрицат. ионов к концентрации электронов (а = п /п ,) является очень важной для П. э, г. величиной, определяющей мн. её свойства. Эта величина и её изменение в пространстве определяют структуру разряда в электроотрицат. газах. С ростом а уменьшается самосогласов. поле, и при а > 10 величина поля обусловлена в основном нон-ионным взаимодействием. Коэф. амбиполярной диффузии заряж. частиц в П. э. г. также зависит от а. С увеличением а коэф. диффузии электронов в плазме возрастает и при а > 10 -40 достигает насыщения, т.е. становится равным коэффициенту свободной диффузии электронов. Незначит. изменение тока или давления газа в П. э. г. может привести к возрастанию или уменьшению этого отношения, что сопровождается изменением радиального диффузионного потока заряж. частиц. Так, при а > 10 диффузионный поток электронов настолько увеличивается, что в разряде концентрация электронов практически становится неизменной на участке от оси до стенки трубки. [c.605]

Улучшение координатного разрешения можно достичь в С. к. высокого давления, т. к. размеры лавины с увеличением р уменьшаются. Диффузия электронов до подачи импульса, определяющая разброс центров стримеров от трека, также уменьшается с увеличением давления <л Г р. В миниатюрных С. к. высокого давления размером 40 X 40 Х a мм , работающей на смеси Ne (90%) + Не (10%) при р = 20 атм, получейы стримеры диам. 50 мм, при о я 15 мкм, ширине трека 100 мкм, и = 2—4/мм [3]. Напряжённость элек-трич. поля в таких С, к. достигает 330 кВ/см. Регистрация треков обычно ведется с помощью электронно-оптических преобразователей, световой сигнал с к-рого через волоконный световод попадает на фотоплёнку. Благодаря малым размерам камеры и небольшому изображению на фотоплёнке достигается повышенная разрешающая способность. [c.703]

Аналогичные явления имеют место ка аноде Т. р. Электроны, выходящие из плазмы ПС, ускоряются на скачке потенциала АС и также, как и вблизи катода, производят ионизацию газа. Однако здесь ионизация не столь сильна, но она необходима, т. к. эмиссия ионов с холодного анода отсутствует,- В стационарном Т. р. закон нормальной плотности тока проявляется в покоящс.мся газе, при отсутствии потока газа. Гидродинамич, модель плоского анодного слоя, учитывающая кинетич. эффекты, объясняет законы подобия зависят только от рода газа. Неустойчивость плоского АС имеет теоретич, объяснение в рамках тидродинамич. ур-ний, в этом приближении структура стационарного анодного пятна определяется диффузией электронов. [c.117]

К Ф. э., связанным с пространственным разделением носителей, относятся I) Дембера эффект—возникает при неоднородном освещении образца из-за различия коэф. диффузии электронов и дырок. Он может возникать и при однородном освещений вследствие различия скоростей поверхностной рекомбинации на противоположных гранях образца (см. Поверхностные состояния). [c.342]

Новое направление в области диффузионной металлизации связано с процессом диффузии электронов, ионов, нейтронов в повфхностный слой металла. Бомбардировка электронами с помощью электронной пушки-ускорителя создает сильно нагретый поверхностный слой металла. При остывании получается гладкая оплавленная поверхность с высокопрочными свойствами. В поверхностный слой детали можно направить с большой скоростью ионы более прочного металла и создать на его поверхности улучшенный слой металла, который путем диффундирования проникает на большую глубину. При обычной металлизации это не удается, так как образовавшаяся при нагреве деталей оксидная пленка, или окалина, мешает проникновению атомов вводимого металла. При бомбардировке ионы легко в него проникают. Таким образом, можно обычную углеродистую сталь штамповать требуемого размера и с малой шероховатостью поверхности, а затем облучением создать на ее поверхности слой из другого, более прочного металла. [c.149]

Смотреть страницы где упоминается термин Диффузия электронов : [c.273] [c.157] [c.607] [c.65] [c.68] [c.176] [c.65] [c.65] [c.416] [c.690] [c.640] [c.650] [c.569] [c.156] [c.423] [c.550] [c.702] [c.103] [c.177] [c.511] [c.511] [c.213] [c.82] [c.234] [c.149]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...