Триоды основные

В настоящее время известно несколько видов полупроводниковых триодов, основными из которых являются плоскостные триоды ( — р — п или р — п — р). [c.305]

Помимо рассмотренных параметров, характеризующих усилительные свойства триодов, есть еще ряд параметров, которые определяют эксплуатационные качества триодов. Основными из них являются следующие. [c.717]

Основным элементом дроссельного привода, определяющим его статические и динамические характеристики, является золотник. Анализируя работу золотника, его часто сравнивают с мощным триодом. [c.362]

Принцип действия электронных усилителей основан на явлении электронной эмиссии - испускании электронов твердыми телами при внешнем энергетическом воздействии. Основными частями ламповых усилителей являются триоды, тетроды и пентоды. [c.105]

Фотоэлемент в течение всего времени, когда на него падает инфракрасный поток излучения, создает фототок в большом нагрузочном сопротивлении, напряжение с концов которого подается на лампу-триод. Эта лампа управляет работой реле, включенного в цепь усилительной лампы. Всякое прерывание пучка вызывает включение реле, вследствие чего приводятся в действие звуковой и световой сигналы, затвор фотографического аппарата с инфракрасной пленкой и т. п. На тот случай, если нарушитель попытается парализовать действие автоматики, засветив фотоэлемент посторонним источником света, например карманным фонариком, пучок света от основной лампы модулируется. Фотореле чрезвычайно чувствительно к модулируемому излучению благодаря наличию трансформатора между триодом и конечным реле. Ослепление фотоэлемента карманным фонариком становится невозможным. Модуляция облегчает, кроме того, проблему усиления. [c.364]

Трехэлектродная электронная лампа—триод — отличается от диода наличием третьего электрода—сетки. Сетка в электронной лампе обеспечивает широкие возможности управления электронным потоком, идущим от катода к аноду. Триоды, так же как и диоды, обладают свойством односторонней проводимости и могут быть использованы для выпрямления переменного тока. Однако для этой цели их применять нецелесообразно, так как диоды проще по конструкции и дешевле. Основное назначение лампы — усиление электрических сигналов. [c.40]

Таблица 19. Основные технические данные мощных генераторных триодов

Возможны три основных варианта включения полупроводникового триода в схему усилительного каскада с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. [c.62]

Германий и кремний в настоящее время являются основными полупроводниковыми материалами для производства кристаллических диодов и триодов. Свойства этих полупроводников приведены в табл. 74. [c.302]

В настоящее время различают два основных вида германиевых триодов а — триод с точечными контактами и б—триод слоистого типа п—р—п . Триод с точечными контактами (фиг. 185) представляет собой кристалл германия 2, плотно укрепленный на металлическом основании 1. В поверхность кристалла на расстоянии около 0,05 мм упираются две вольфрамовые проволочки <3, одна из которых присоединена к выводу j цепи усиливаемого сигнала 5 (эмиттер), а другая идет к сопротивлению нагрузки 8 (коллектор). В цепь сигнала включена батарея, дающая напряжение порядка долей вольта так, что на вольфрамовой проволочке создан положительный потенциал по сравнению с металлическим основанием. Батарея в цепи нагрузки (несколько десятков вольт) включена в противоположном направлении. [c.330]

На рис. 8-8 показана принципиальная схема триода р — п — р. В полупроводник -типа, например германий, вплавлен с двух сторон металл, например индий (с низшей валентностью, чем основной полупроводник), создавший области с электропроводностью / -типа и контактные электроды. [c.337]

Основной недостаток триодов — большая емкость сетка — анод, ограничивающая рабочий диапазон частот при включении по схеме [c.221]

Для контрольных устройств применимы основные принципы составления электросхем, обеспечивающие эксплуатационную надежность и экономичность. В случае электроконтактных датчиков особенно важно обеспечить минимальную разрывную мощность на контактах, что способствует их точной, надежной и долговечной работе. Для усиления сигналов датчика используются усилительные схемы на электронных лампах или полупроводниковых триодах. [c.276]

На коллекторе триода 2Т появляется положительный сигнал, подаваемый через вторую ограничивающую цепочку ЗВ—ПС на базу триода 1Т. Положительная обратная связь действует до тех пор, пока емкости 12С и ПС зарядятся, после чего схема приходит в исходное положение и ждет следующего запускающего импульса. Ширина импульса в основном определяется величинами переходных емкостей 12С, ПС, а амплитуда импульсов — кремниевыми стабилитронами 4В и ЗВ. Сигнал с ждущего мультивибратора подается на эмиттерный повторитель ЗТ. Диод 5В отрезает отрицательный всплеск заднего фронта прямоугольного импульса, возникающего при переходных процессах в ждущем мультивибраторе. В цепь эмиттера триода ЗТ включена одна из обмоток поляризованного реле 5Р, зашунтированная емкостью 14С, сглаживающей пульсацию напряжения на обмотке реле. [c.177]

В табл. 87 приведены основные характеристики широко применяемых полупроводниковых материалов германия, кремния и селена. Эти данные относятся к очищенным материалам. Для полупроводниковых приборов (диоды, триоды и др.) выпускаются легированные (с введенными донорными или акцепторными примесями) германий и кремний с меньшими значениями удельного сопротивления по сравнению с чистыми полупроводниками. [c.261]

Полупроводниковые триоды (транзисторы). Если к диодной р—п-структуре добавить область с дырочной или электронной проводимостью, то образуется транзисторная р—п—р или п—р—п-структура с двумя переходами, обладающая усилительными свойствами. Основные элементы транзисторной структуры [c.12]

Полупроводниковые элементы. Основными бесконтактными элементами, применяемыми в системе управления и регулирования, являются диоды, стабилитроны, транзисторы (триоды), управляемые вентили (тиристоры) и магнитные усилители. [c.133]

Триод с коллекторной ловушкой содержит добавочный коллекторный р—п-переход (рис. 12). В этом случае коллекторная р-область не имеет вывода и прп 11д = О между ней и соседними ге-областями возникают потенциальные барьеры разной высоты, препятствующие переходу основных носителей (дырок) из /1-области в соседние и-области и электронов из л-области в / -область. При /д > О в базе возникает ток дырок, достигающих первого коллекторного п—/ -перехода. Как и в обычном II. т., они захватываются полем коллекторного запорного слоя и втягиваются в / -область коллектора, где они являются основными носителями. [c.126]

Полупроводниковый триод состоит из трех областей. Средняя область, образованная полупроводником с электронным или дырочным типом проводимости, называется базой. К базе с двух сторон примыкают области противоположного типа проводимости. Если базовая область изготовлена из электронного полупроводника, то триод будет р—п—я-типа, если из дырочного, то п—р— -типа. Область триода, основным назначением которой является инжекцпя в базу неосновных носителей, называется эмиттером, а соответствующий электронно-дырочный переход носит название эмиттерного. Область триода, основным назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей, называется коллектором, а соответствующий переход — коллекторным. [c.248]

Существенно влияет на работу полупроводниковых приборов также поверхностная рекомбинация. В точечных и маломощных плоскостных полупроводниковых диодах и триодах основная доля рекомбинации определяется участками поверхносш, непосредственно примыкающими к точечному контакту или к выходу р—п-нерехода на поверхность. Еще большую роль поверхностная рекомбинация играет в фотоэлементах, в частности в со.течных батаре.чх, где генерация носителей тока происходит практически у поверхности. [c.62]

По сеточным характеристикам очень удобно определять основные параметры электронных ламп, т. е. постоянные величины, характеризующие их свойства. Для триода основными параметрами являются три крутизна характеристики S, коэффициент усиления ц и внутреннее сопротивление Крутизна сеточной характеристики определяется отношением приращения анодного тока А/а к приращению сеточного напряжения Аис, вызвавшему указанное приращение тока при неизменном напряжении на аноде Ыа= onst [c.99]

Прочитаем подробно эту схему. В первую очередь ознакомимся с элементами электрической системы прибора. По условным обозначениям определяем, что электрическая часть прибора включает электродвигатель, трансформатор, прерыватель, реле, электромагнит, три триода, постоянные сопротивления и одно полупеременное, а также систему электропроводов, посредством которых и осуществлена связь между всеми этими элементами. Питание от сети подводится через предохранитель и выключатель. По спецификации можно, пользуясь условными буквенными обозначениями каждого элемента, узнать их полное название и основные характеристики. [c.312]

Электромагнитная установка для испытания на усталость плоских образцов с плавным изменением частоты нагружения в пределах от 2 до 80 Гц при различной асимметрии цикла разработана в Петрозавойском университете [181]. В процессе испытания возможна фиксация степени циклического упрочнения. Основной частью установки является мультивибратор, собранный на двойном триоде [c.183]

Основным элементом схемы, определяющим характер преобразования, является частотный детектор-дискриминатор. От настройки дискриминатора в значительной мере зависит точность измерений. Характеристика дискриминатора должна быть линейной на рабочем участке. Последнее достигается следующим образом. К сопротивлению 16 или / 17 подключают вольтметр постоянного тока. Затем настраивают контур L7 17 по максимуму показаний вольтметра. Напряжение промежуточной частоты, которое подается от сигнал-генератора на базу триода Т5 — дискриминатора, не должно превышать 150 мв. [c.330]

Основной трудностью при разработке схемы такого прибора явилась сложность согласоваппя отдельных каскадов между собой из-за весьма малых входных сопротивлений кристаллических триодов, особенно у мощного выхода триода ПЗ-А = 5 ом), что требует в ряде случаев введения специальных согласующих устройств. [c.264]

Триод (трёхэлектродная лампа) и его характеристики. Трёхэлектродная лампа, или триод (фиг. 73), представляет собой диод, между катодом и анодом которого помещена сетка. Сетка служит для управления анодным током лампы. Она образует в приборе помимо основного поля, создаваемого разностью потенциалов между главными электродами, ещё дополнительное поле между катодом и сеткой. Сетка, помещённая вблизи катода и заряжённая поло- [c.542]

Триггеры служат основным схемным элементом двоичных счетных устройств. Их применяют в электронных переключающих схемах, а также для отбора и формирования импульсов. Как правило, триггер собирается на двойных триодах (типа 6Н8, 6Н2П, 6ИЗП, 6Н15П). [c.255]

В практике создания фотоэлектрических контрольных и измерительных устройств широко используются высокоомные германиевые и кремниевые фотоэлементы (фотодиоды и фототриоды). Недостатком фотодиодов является их невысокая чувствительность. Большую чувствительность имеют светочувствительные плоскостные полупроводниковые триоды (фототранзисторы). Основные характеристики фотодиодов и фототриодов представлены в табл. 38 и 39. [c.348]

Устройства типа БРТ состоят из следующих основных частей силовая часть (реверсивный выпрямительный мост и два регулятора напряжения, построенных на базе трехфазных магнитных усилителей), задатчик временной программы, выполненный на базе двухкаскадного полупроводникового мультивибратора на триодах, цепи стабилизации, цепи включения и защиты устройства, измерительные приборы. Устройства этого типа могут работать в условиях агрессивной среды, т. е. их можно устанавливать непосредственно в гальваническом цехе. Высококонтактные устройства типа БРП на полупроводниковых триодах для [c.187]

Кроме логических электронных схем, одним из основных элементов счетной машины является триггер (trigger — защелка) или электронное реле. Триггерная схема может быть собрана, например, на полупроводниковых или кристаллических триодах или из двух электронных ламп — триодов (двух половин одного двойного триода). Схема триггера на полупроводниковых триодах в принципе работает так же, как и схема электронного реле с ламповыми триодами. [c.234]

Сформированное триггером импульсное напряжение управляет работой измерительного блока, в котором при закрытых триодах и Га емкость С заряжается от источника через триод до напряжения Е (/). Режим насыщения триода легко обеспечивается соответствующим выбором сопротивления что обусловливает малую величину постоянной времени зарядной цепи. Ток заряда протекает по сопротивлению нагрузки разряд емкости С происходит через сопротивление и триод Т , принудительно открытый импульсами измеряемой частоты. Смена диапазонов частотомера производится переключением емкости С. Конденсаторы и Сз предназначены для выделения средней составляющей напряжения на сопротивлении нагрузки и реохорда. Установка указателя потенциометра на нулевую и конечную отметки шкалы осуществляется с помощью сопротивлений R и 7 соответственно. Частотомер был выполнен на базе уравновешенного потенциометра ЭППВ-26 и его испытания показали, что основная приведенная погрешность измерения частоты не превышает паспортной погрешности потенциометра ( 0,5%), а дополнительные погрешности, вызванные изменением температуры окружающей среды от О до 70° С и напряжения питания от —15 до +10% номинального значения, не превышают 0,1%. [c.246]

В схеме (рис. 151) можно выделить три узла БУВ преобразователя напряжения Я, магнитного усилителя МУ к блокинг-генераторов БГ1 и БГ2. Основными элементами преобразователя Я являются два стабилитрона, блокинг генератор на германиевых триодах (транзисторах) и трансформатор с насыщающимся сердечником. Магнитный усилитель МУ обеспечивает сдвиг управляющих импульсов. Сигнал управления 1у из селективного узла является током управления МУ. Рабочая обмотка МУ питается от преобразователя напряжения Я. Напряжение на выходе магнитного усилителя 1У у зависит от тока управления у. Передний фронт напряжения, которым определяется момент подачи управляющего импульса на УВМ, перемещается в зависимости от величины у. [c.184]

Как упоминалось выше, время жизни неосновных носителей в поликристаллических полупроводниковых пленках чрезвычайно мало. Отсюда следует, что перспективны те микропленочные триоды, которые основаны на движении основных носителей заряда, т. е. пленочные полевые триоды [59]. [c.165]

Усилитель состоит из пяти каскадов на двух двойных триодах (6Н1П) и выходном тетроде (6П1П). Каскады усилителя охвачены глубокими отрицательными обратными связями, обеспечивающими хорошую линейность амплитудной характеристики и стабильность коэффициента усиления. Для получения прямолинейности амплитудной характеристики усилителя в начальной части при малых входных напряжениях используется двойной Т-образный фильтр, включенный между вторым и третьим каскадами. Фильтр настроен на частоту 3200 гц и подавляет напряжение второй гармоники от частоты питания измерительного моста, преимущественно представленной в напряжении разбаланса, кроме основной частоты. Максимальный коэффициент усиления по напряжению составляет около 3500. Нелинейность амплитудной характеристики и нестабильность коэффициента усиления (за 7 ч непрерывной работы) не превышают 1%. Выходное напряжение уси -лителя выпрямляется и подается на блоки контроля параметров поршневого пальца. [c.59]

ЭЛЕКТРОННАЯ ЛАМПА — электронный прибор с термоэлектронным капгодо.ч И управляемым током, предназначенный для различного рода преобразований электрических величин. Простейшая Э. л.— диод, т. е. двухэлектродная лампа, имеющая только катод и анод. Более сложное устройство имеет триод, в котором содержится, кроме катода и анода, еще один управляющий электрод. Лампы с одним электронным потоком, имеющие катод, анод и два или более управляющих электрода, называются многоэлектродными электронными лампами. Это тетрод (катод, анод и два управляющих электрода), пентод (катод, анод и три управляющих электрода), гексод (катод, анод и четыре управляющих электрода), гептод (катод, анод и пять управляющих электродов), октод (катод, анод и шесть управляющих электродов). Существуют также комбинированные Э. л., содержащие две или более системы электродов с независимыми электронными потоками. К ним относятся, например, двойные диоды, двойные триоды, двойные диоды-триоды и т. д. В зависимости от назначения различают Э. л. генераторные, усилительные, выпрямительные, измерительные и др. В зависимости от диапазона частот, для которых в основном предназначены Э. л., они делятся на низкочастотные, вы- [c.186]

По своим частотным свойствам и быстродействию Т. д. более совершенны, чем обычные полупроводниковые диоды и триоды. Это связано гл. обр. с тем, что при туннельном эффекте электрон, покидая зону проводимости и-полупроводника, попадает в валентную зону о-нолупроводника, т. е. становится дыркой (и наоборот). Т. о., ток через Т. д. связан с движением основных носителей и, следовательно, явления накопления и рассасывания неосновных носителей, ограничивающие частотные свойства обычных диодов и транзисторов, в Т. д. практически не имеют места вплоть до напряжения 11 . Частотные свойства Т. д. определяются только величиной барьерной (зарядовой) емкости р — -перехода С и сопротивлением потерь полупроводников и подводящих проводников. [c.208]

Зарубежные фирмы в последнее время начали выпуск конденсаторов с танталовыми анодами в качестве миниатюрных конденсаторов малой емкости низкого напряжения, в основном для схем с германиевыми диодами и триодами. Наряду с конденсаторами, имеющими анод из тонкой фольги, применяют конденсаторы с анодами, спеченными из порошка тантала и имеющими развитую поверхность (фиг. 22-22). В таких конденсаторах используют электролиг в виде раствора НгЗО или Ь1С1. Напряжение от 2—4 до 50—100 в, емкость от 1—-2 до 25—50 мкф (при малых иоаб)- [c.118]

Т. к. нанесение тонкого монокристаллич. -слоя затруднительно, то на практике для создания высокочастотных П. т. пользуются диффузионным методом, позволяющим сократить Tj p за счет создания внутреннего электрич. поля в базе, ускоряющего дырки. П]ш диффузии нримеси ее концентрация спадает почти экспоненциально создавая базовый слой П. т. диффузией примеси, можно получить низкоомный слой базы у эмиттера и высокоомный — у коллектора. Наличие градиента коицептрации электронов приводит к их диффузии слева направо и, следовательно, к появлению поля Е (рис. 10). Поле Е препятствует дальнейшей диффузии основных носителей (электропов) и ускоряет движение неосновных носителей (дырок), инжектированных эмиттером в базу. В результате этого значительно уменьшается Tjjp и возрастает /ц (теоретически в германиевом П. т. возрастает почти в десять раз). П. т. с внутр. полем в базе наз. дрейфовым в дрейфовом П. т. в значит. Mej)e сохраняются преимущества триода типа р—п— —р. [c.126]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...