Момент перехода электронный

Часть этих уровней заполнена электронами в нормальном, невозбужденном состоянии атома, на других электроны могут находиться только тогда, когда атом подвергнется внешнему энергетическому воздействию, т. е. когда он возбужден. Стремясь прийти к устойчивому состоянию, атом излучает избыток энергии в момент перехода электронов с возбужденных уровней на уровни, при которых его энергия минимальна. Сказанное можно характеризовать энергетической диаграммой атома, приведенной на рис. 19. [c.34]

Часть этих уровней (рис. В-7) заполнена электронами в нормальном, невозбужденном состоянии атома, на других уровнях электроны могут находиться только после того, как атом испытает внешнее энергетическое воздействие при этом он возбуждается. Стремясь прийти к устойчивому состоянию, атом излучает избыток энергии в момент возвращения электронов на уровни, при которых энергия атома минимальна. При переходе газообразного вещества в жидкость, а затем при образовании кристаллической решетки твердого тела все имеющиеся у данного типа атомов электронные уровни (как заполненные электронами, так и незаполненные) несколько смещаются вследствие действия соседних атомов друг на друга. Таким образом, из отдельных энергетических уровней уединенных атомов в твердом теле образуется целая полоса —зона энергетических уровней. [c.13]

В процессе срабатывания реле Р2 его контакты 1Р2 и 2Р2 перебрасываются в положение 2 и обеспечивают автоматический ввод в электронную модель параметров [п , Qn )- При введенных параметрах на выходе модели получаем движение предельной системы. Ввод в модель дополнительных начальных условий в момент перехода к предельной системе в виде приращения скорости Av = Ау осуществляется следующим образом. При срабатывании реле Р2 замыкается контакт 5Р2 и в зависимости от фазы движения системы (7.68) в модель подается отрицательное или положительное приращение скорости. Фазочувствительным элементом по движению системы служит поляризованное реле РЗ, которое в момент перехода от начальной к предельной системе перебрасывает контакт 1РЗ в нужное положение. Контакт 4Р2 служит для защиты от перегрузки обмотки реле РЗ. Требуемые величины дополнительных начальных условий по скорости Ау устанавливаются с помощью потенциометров П1 и П2 по выражению (7.71). [c.309]

При фазовом переходе электронный спектр М. (в частности, поверхность Ферми) изменяется. Если это переход 1-го рода, то новая поверхность не связана со старой. Если же это переход 2-го рода, то обе поверхности Ферми в момент перехода совпадают и можно проследить, как трансформируется поверхность. На рис. 5, [c.116]

Эти правила, справедливые только в приближении Франка — Кондона, нарушаются, и многие из запрещённых переходов можно наблюдать. Гл. причина нарушения принципа Франка — Кондона —- электронно-колебат, взаимодействия, в результате к-рых приближение Борна — Оппенгеймера становится неприменимым. Кроме того, электронный дипольный момент перехода в этом случае зависит от нормальных координат. Эти обстоятельства приводят к тому, что правило отбора по типам симметрии вибронных уровней становится менее жёстким, а именно дипольный переход между вибронными состояниями типов симметрии [c.204]

Все атомы металла имеют равную возможность ионизации, и переход электронов от ионизированного атома к нейтральному может происходить без затраты энергии. В результате этого в металлической структуре непрерывно происходит обмен электронами. При этом появляется некоторое количество свободных электронов, не принадлежащих в данный момент каким-либо определенным атомам. [c.13]

Это опять-таки есть удвоенная величина орбитального магнитного момента связанного электрона. Величина магнитного момента (36) называется магнетоном Бора и обозначается буквой р. При наличии спинового магнитного момента энергия системы в магнитном поле будет наименьшей, когда эти магнитные моменты выстраиваются параллельно направлению магнитного поля. Этим эффектом обусловлен спиновый парамагнетизм электронов проводимости. Величина этого эффекта мала, так как, согласно статистике Ферми, только для электронов с энергиями, близкими к энергии Ферми, есть свободные уровни, на которые они могут переходить, когда их спины ориентируются вдоль магнитного [c.98]

Для электронно-колебательно-вращательных спектров матричные элементы электрических дипольных моментов переходов будут отличны от нуля для полярных ц неполярных молекул (в отличие от вращательных и колебательно-вращательных переходов) при следующих условиях [c.53]

ГИЯ любого электрона зависит от того, на какой орбите в данный момент он движется вокруг ядра. Каждой орбите соответствуют определенные значения энергии. Переход электрона с одной орбиты на другую сопровождается скачкообразным изменением энергии (квантами) электрона и атома. [c.626]

Фиксация момента баланса моста осуществляется с помощью электронной схемы 6, которая усиливает напряжение разбаланса и подает его на сетку фазированного детектора. В момент перехода моста через точку баланса фаза напряжения на его диагонали изменяется на 180°, в результате чего выходное напряжение фазированного детектора изменяет знак, и отрицательное напряжение подается на триггер. Триггер срабатывает, т. е. его анодный ток скачком возрастает до определенной величины и сохраняет свое значение неопределенно долгое время. [c.230]

Пусть работа выхода из металла будет больше, чем из пол провод-ника с электронной электропроводностью. Если привести в идеальное соприкосновение металл с полупроводником, то в первоначальный момент вследствие разности работ выхода электронов из металла и полупроводника электроны устремятся в металл. В результате этого на поверхности металла образуется отрицательный заряд, который будет препятствовать дальнейшему переходу электронов в металл из прилегающего слоя полупроводника. В равновесном состоянии между металлом и полупроводником устанавливается некоторая разность потенциалов, которая уравновешивает диффузионный поток электронов из полупроводника в металл, образовавшийся за счет разности работ выхода, и дрейфовый поток электронов из металла в полупроводник, возникший за счет электрического поля разности потенциалов на контакте. [c.71]

Энергия лампы-вспышки, ушедшая на уравнивание числа частиц на втором и на первом уровнях, не дает вклада в энергию излучения лазера. Поэтому более желательными для лазера оказались атомы с четырьмя уровнями энергетических переходов. Таковы редкоземельные элементы, например, европий, самарий, неодим. Рабочим переходом электронов служит переход их с третьего уровня на второй, который в первоначальный момент практически был пустым. [c.98]

Питание каждого элемента шины постоянным током обычно осуществляется самостоятельным источником питания. При переходе токосъемника с одного элемента шины на другой возникает опасность работы источника питания в режиме, близком к режиму короткого замыкания. Поэтому такой переход осуществляется либо при выключении соответствующих источников питания, либо с применением специального электронного устройства, служащего для выравнивания потенциала в момент перехода. [c.222]

Учитывались переходы электрона в состояния с различными орбитальными моментами (число которых обрезалось произвольным образом). Одним из наиболее важных результатов этой работы является зависимость вероятности фотоионизации из ридберговских состояний атома от интенсивности излучения, приведенная на рис. 10.8. [c.273]

П2. ВЫЧИСЛЕНИЕ И ОЦЕНКА ПЕРЕХОДНЫХ МОМЕНТОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ [c.494]

Считают, что водород растворяется в жидком металле в виде положительно заряженных ионов (протонов), образующихся при отрыве электрона от атома. Поэтому при сварке на постоянном токе избыток электронов вблизи катода и анода препятствует ионизации водорода, уменьшая тем самым растворение его как в капле на конце электрода, так и в сварочной ванне. При сварке переменным током в момент перехода тока через нулевое значение вблизи жидкого металла электронов скапливается меньше, в силу чего возрастает количество протонов водорода в приэлектродных областях и жидкий металл оказывается ничем не защищенным от растворения в нем водорода. [c.65]

Переходы между двумя вырожденными состояниями. Если выронеден-гидм является как верхнее, так и нижнее электронное состояние, то в случае некоторых точечных групп (например, з ) момент перехода может быть как параллелен, так и перпендикулярен оси симметрии (табл. 9). В общем случае при этом будут наблюдаться гибридные полосы. Для других точечных групп (например, 7>зд, Овл)возможна только параллельная или только перпендикулярная ориентация момента перехода. Электронно-колебательные переходы типа Е — Е при электронных переходах А — А и — А аналогичны между собой, и к их рассмотрению мы сейчас переходим. [c.237]

Пусть внешнее напряжение прикладывается к образцу в момент времени U. При этом возникает ток, имеющий некоторое макси-МЗЛЬНОб ЗН2Ч6НИ0 силы ТОКЗ /max (рис. 7.28). Сразу же на одной из неоднородностей начинается образование домена. Этот процесс протекает очень быстро, так как постоянная времени, связанная с переходом электронов из минимума А в минимум , составляет примерно с. Сила тока резко уменьшается до значения /щщ, [c.258]

Х3529 3519 А. Теперь возбуждение уровней 6 и 6 происходит не только с нормального уровня б Р , но и с метастабильного уровня 6 2Рз/ . Переход же б Рз - не связан с переориентацией спинового момента валентного электрона, и ему должно соответствовать большое значение эффективного сечения В результате [c.436]

Характер Д. о. в. зависит от свойств п строения вещества и от того физ, процесса, к-рый создаёт вращение. Классич. электронная теория, моделирующая молекулу двумя связанными между собой, близко расположенными осцилляторами, объясняет воаникновенле оптич. активности наличием разности фаз световой волны в местах нахождения осцилляторов. Эта модель качественно неплохо описывает и ход вращат. дисперсии. Точный расчет хода Д. о. в. требует применения методов квантовой электродинамики с учётом мультипольных моментов переходов и затруднён вследствие сильной чувствительности явления к межмолекулярным взаимодействиям [1—4]. [c.648]

Электроны, эмитируемые с катода К, ускоряются пост, напряжением приложенным между катодом и сеткой С, и попадают в зазор резонатора Р, где под действием ВЧ-напряження приобретают модуляцию по скорости. Дальнейшее движение электронов в дрейфовом пространстве, простирающемся до отражателя О, на к-рый подаётся отрицательный относительно катода потенциал Мр, происходит в ноет, тормозящем поле. При уменьшении скорости электронов до О они начинают двигаться обратно в сторону резонатора, группируясь в сгустки. В отличие от пролётного К., группирование здесь происходит вокруг частиц, к-рые прошли зазор резонатора при нулевом иоле в момент перехода его с ускоряющего в тормозящее. Электроны, пролетевшие зазор раньше этих частиц, испытали ускорение. Имея большую нач. скорость, они проходят в дрейфовом пространстве Др больший путь до остановки и обратный путь к резопатору совершают дольше. Электроны, вылетевшие из зазора позже, испытывают торможение, скорость их меньше, они проходят в дрейфовом пространстве меньший путь и тратят на это меньшее время. Если образовавшиеся сгустки электронов проле- тают зазор в обратном направлении при тормозящем ВЧ-поле, то пучок в среднем будет отдавать часть своей энергии полю, к-рая и отводится в нагрузку по фидеру Ф. [c.383]

Симметрия кристаллич. поля определяет выделенные направления дипольного момента переходов, к-рые проявляются в различии степени поляризации люминесценции кристаллов и коэффициентов поглощения света, поляризованного вдоль и перпендикулярно оптич. оси кристалла. Напр., в кристалле рубина решётка А1еОа представляет собой октаэдр, слегка деформированный вдоль пространственной диагонали, к-рая в этом случае является оптич. осью. Деформация приводит к тому, что поглощение света, падающего вдоль оптич. оси, в полосе 5500 Л оказывается в 2 раза больше, а в полосе 4000 А на 10% меньше, чем распространяющегося в перпендикулярном направлении. Изучение поляри-зац. характеристик С. к. позволяет определять симметрию решётки, пространственную структуру центров и ориентацию дипольных моментов, соответствующих электронным переходам центров, находящихся во внутрикристаллич. поле. [c.628]

На рис. дана схема развития катодного С. После того, как головка электронной лавины достигнет анода (рис. а), в межэлектроДном пространстве остаётся облако ионов. Дочернйё лавины, возникающие в результате фотоионизации газа (рис. 5), вливаются в облако положительного заряда. Увеличение плотности заряда приводит к раавитшо самораспространяющегося потока положит. Заряда (рис. в, г) — стримера. Предполагается, чтО в момент перехода лавины в С. в нек-рой точке на оси лавины обращается в нуль результирующее поле (внешнее и поле пространственного заряда лавины), [c.704]

Для нахождения моментов перехода от одного режима движения к другому используют трансцендентные уравнения, которые определяют выбор требуемого уравнения и начальных условий для его решения, так как решение и аналитически, и на электронных моделируюш их устройствах производится методом припасовывания. [c.93]

Честь открытия ЭПР принадлежит советскому ученому Е. К. Завойскому, который в 1944 г. опубликовал первые резонансные кривые. Суть явления можно сформулировать следующим образом парамагнитный резонанс — резонансное поглощение радиочастотного поля веществом, содержащим парамагнитные частицы (молекулы, атомы, ионы, слабо связанные с атомом электроны, обладающие постоянным магнитным моментом), при наложении статического поля Нц [22, 23]. Из-за различия ориентаций магнитных моментов отдельных частиц по отношению к направлению поля Но основной энергетический уровень парамагнитных частиц расщепляется на ряд зеемановских подуровней. Воздействие осциллирующего магнитного поля вызывает переходы электронов между подуровнями, что приводит к появлению одной или нескольких линий резонансного поглощения. [c.179]

Очевидно, что Рххх двухуровневой системы (молекулы) будет велика лишь в случае, когда велик дипольный момент перехода из основного в возбужденное состояние /Ию и разность диагональных матричных элементов (дипольных моментов) основного и возбужденного состояний. Первое требование сводится к слабой связи электронов с остовом и разрешенности соответствующего перехода. Второе требование - к значительному перераспределению электронной плотности при возбуждении. Известно, что оба требования л)дш1е всего выполняются для переходов с переносом заряда [52, 53]. Поэтому вклад в нелинейную восприимчивость переходов с переносом заряда, оцениваемый по формуле для двухуровневой системы (55), оказывается значительным (см. гл. 4). К повьпиению этого вклада приводит также то обстоятельство, что переходы с переносом заряда часто обладают сравнительно низкой энергией, причем частота переходов иногда близка к частоте преобразованного излучения. Это приводит к резонансному повышению /3. [c.29]

Начнем рассмотрение с переходов в молекулах (или атомах) разреженного газа. Если на систему не действует излучение и если соударения между частицами газа происходят очень редко, то дезактивация однажды возбужденной частицы может осуществиться только в результате спонтанного испускания. В этом случае скорость релаксации, согласно выводам в разд. 1.1, определяется коэффициентами Эйнштейна для спонтанного испускания <Сд21 = 2ь В табл. 1.3 приведены типичные значения Л21 для электронных, колебательных и вращательных переходов. Таблица содержит также частоты переходов (021 и моменты переходов Ц21 молекул, которым в разд. 1.3 сопоставлены коэффициенты Эйнштейна. Они пропорциональны и со . Моменты переходов характеризуют величину осцилли- [c.30]

Таким образом, переход разрешен между электронными состояниями, прямое произведение типов симметрии которых содержит тип симметрии поступательного движения в группе МС ). При этом участвующие в переходе колебательные уровни должны относиться к одному и тому же типу симметрии группы МС. Следовательно, так как волновая функция основного колебательного уровня полносимметрична, переход с поглощением из основного вибронного состояния молекулы может происходить только на колебательные уровни полносимметричных колебаний возбужденного электронного состояния. Однако если имеется вибронное взаимодействие между состояниями Ф ФС и (или) Ф"Ф" и другими виброниыми уровнями других электронных состояний [51] или если электронный момент перехода Ма(е, е") сильно зависит от координат ядер, то остается справедливым только следующее правило отбора по симметрии для вибронно-разрешенных (но электронно-запрещенных) переходов [c.349]

Детерминант 20 X 20 факторизуется при этом на два одинаковых детерминанта 10x10. Следовательно, каждый энергетический уровень молекулы II в использованном приближении дважды вырожден. Разрешены электронные переходы типа A t В , поляризованные вдоль оси х и переходы А , А и i i —> jBi, поляризованные по оси у. Соответствующие матричные элементы дипольных моментов переходов даются формулами [c.37]

Ядро атома цезия, обладающее магнитным моментом (спин 7 = 7/2), взаимодействует с магнитным моментом валентного электрона (спин /=1/2), Это и приводит к расщеплению основного электронного уровня атома на ряд подуровней, т. е. к образованию так называемой сверхтонкой структуры. Частоты, соответствующие переходам между уровнями сверхтонкой структуры, попадают в диапазон радиочастот. Очень важно, что энергия перехода между уровнями сверхтонкой структуры, а стало быть и соответствующая частота, очень мало зависят от внещних магнитных полей. [c.55]

В случае постоянного электрического поля выполнение условия (10.5) означает, что электрон за атомное время покидает атом. В случае низкочастотного внешнего поля судьба надбарьерного электрона аналогична судьбе туннельного электрона, рассмотренной выше, в разделе 9.3. Именно, прн линейной поляризации поля надбарьерный электрон (в определенном диапазоне фаз поля в момент выхода из-под барьера) может возвратиться к атомному остову. Прн столкновении с ним может произойти упругое или неупругое рассеяние электрона (последнее сопровождается возбуждением или ионизацией других электронов), либо переход электрона в дискретный спектр атома с испусканием высокоэнергетиче ского спонтанного фотона (впрочем, последнее имеет весьма малую вероятность). [c.260]

В некоторых приложениях (в частности, в случае колебательного эффекта комбинационного рассеяния) появляются произведения переходных моментов чисто электронных переходов и соседних электронноколебательных переходов следующего вида (фиг. 77) [c.497]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...