Межплоскостное расстояние

По известной длине волны рентгеновского излучения, определяя о и т, можно вычислить d, т. е. найти межплоскостное расстояние. Решением этой задачи занимается рентгеноструктурный анализ. [c.165]

Для кубических ячеек а=Ь—с, поэтому квадрат обратного значения межплоскостного расстояния [c.27]

Условие (1.22), при выполнении которого возникает интерференционный максимум, и носит название формулы Вульфа—Брэгга.. Зная брэгговские углы отражения 9, которые определяются из дифракционной картины, можно вычислить межплоскостные расстояния й, а по ним и индексы интерференции hkl например, для кубических кристаллов можно воспользоваться формулой (1.18). [c.39]

Происхождение и характер дебаеграммы легко понять, если описание рентгеновской интерференции проводить с помощью обратной решетки и сферы Эвальда. Поликристаллы представляют собой скопления беспорядочно ориентированных мелких кристалликов. Поэтому в обратном пространстве поликристалл можно представить в виде набора концентрических сфер, радиусы которых равны обратным значениям межплоскостных расстояний [c.53]

Определить межплоскостные расстояния в кубической решетке в семействах плоскостей с индексами (100), (ПО), (111),, (П2). [c.19]

Полученное соотношение означает (это хорошо видно из рис. 4.7), что если излучение с длиной волны X и волновым вектором к падает под углом на семейство параллельных плоскостей с межплоскостным расстоянием а и нормалью к нему g, то разность хода лучей между волнами, рассеянными различными плоскостями, будет равна целому числу длин волн. Из теории дифракции излучения известно, что в этом случае за счет сложения амплитуд синфазных волн возникает сильная отраженная волна. Это и препятствует распространению волн, импульс которых отвечает границе зоны Бриллюэна. Формулу (4.57) называют [c.77]

Далее приведем выражения для параметров ячеек прямой и обратной решеток всех систем, их межплоскостных расстояний и объемов элементарной ячейки. [c.159]

Поскольку межплоскостное расстояние d, длина волны X и угол Вульфа—Брэгга взаимосвязаны, причем d фиксировано, то для наблюдения дифракции необходимо либо фиксировать но варьировать А, либо фиксировать 1, но варьировать Это приводит к следующим основным методам дифракционного эксперимента [29, 40] метод неподвижного кристалла (Лауэ), вращающегося монокристалла, поликристалла (Дебая). Эти методы достаточно подробно описаны, например, в [40]. [c.186]

Выразить межплоскостные расстояния для плоскостей с индексами (/11/12/13) кубической, тетрагональной, ромбической и гексагональной решеток через параметры решеток и индексы Миллера. [c.187]

Обычно наименьшими значениями поверхностной энергии обладают плоскости, наиболее густо усеянные атомами и соответственно характерные наибольшими межплоскостными расстояниями. Для о. ц. к. решеток это плоскости ПО , для г. ц. к. решеток 111 и т. д. Разность энергий для различных плоскостей составляет примерно 0,3—0,1 Дж-см 2. Так, для железа поверхностная энергия граней ПО , 111 и 100 равна соответственно 1,3-10- 1,5-10- и 1,6-10- Дл<-см 2. [c.329]

В основе рентгенографического анализа лежит уравнение Вульфа-Брегга, связывающее угол 0 падения или отражения (они равны) на атомную плоскость рентгеновского луча с его длиной волны X и величиной межплоскостного расстояния d [c.158]

Рис. 6.9. Зависимости микро-напряжения и межплоскостного расстояния от толщины поверхностного рассеивающего слоя

Значения межплоскостных расстояний системы К-44-21А после прокаливания при 200 и 800 С в сопоставлении с рентгенометрической характеристикой хризотилового асбеста и форстерита [c.330]

После отл<ига в течение 15 мин при 1373 К на поверхности усов можно видеть многочисленные одинаковые никелевые пластинки, причем все они прочно связаны с усами. Расплавление некоторых пластинок цри этой температуре приводит к образованию полостей в усах (рис. 20). На электронограмме, полученной от этих пластинок, имеются дополнительные кольца, отвечающие большим межплоскостным расстояниям по сравнению с чистым никелем такие расстояния характерны для силицида никеля. [c.423]

Как известно, искажения кристаллической решетки вблизи дефектов кристаллического строения приводят к формированию областей сжатия и растяжения. В работе [121] подобные области наблюдались вблизи границ зерен, о чем свидетельствовали результаты измерения межплоскостных расстояний в кристаллической [c.66]

Данные изменения межплоскостного расстояния и физического уширения, полученные с помош,ью камеры, позволяют судить о степени однородности структуры и при необходимости построить соответствуюш,ие топо-граммы. [c.202]

Характер дислокации определяется величиной и направлением вектора Бюргерса, равного вектору трансляции решетки. В краевой дислокации вектор Бюргерса направлен по нормали к линии дислокации и соответствует дополнительному межплоскостному расстоянию, связанному с лишней плоскостью. В винтовой дислокации вектор Бюргерса отвечает шагу спирали и направлен параллельно линии дислокации. [c.13]

В результате такой упругой деформации в пределах зерен и блоков межплоскостные расстояния изменяются неоднородно (рис. 2.1). Если обозначить абсолютное максимальное упругое отклонение периода решетки через Асг, то отношение Аа/а будет характеризовать величину максимального упругого отклонения межплоскостных расстояний от равновесных. Величину Аа/а принимают за характеристику микронапряжений или искажений 2-го рода. Эти искажения вызывают уширение линий рентгенограммы Л 6, но подчиняются другим закономерностям, чем уширение за счет измельчения размеров блоков. [c.60]

Рис. 2.1. Схема неоднородного изменения межплоскостных расстояний при изгибе

При высоких (закалочных) скоростях охлаждения и степенях переохлаждения в некоторых сплавах типа твердых растворов замещения (алюминиевых, медных, никелевых и др.) образуются особого рода метастабильные фазы, представляющие собой локальные зоны с повышенной концентрацией легирующего элемента. Из-за различия в атомных диаметрах металла-растворителя и легирующего элемента скопление последнего вызывает местное изменение межплоскостных расстояний. Эти зоны называют зонами Гинье — Престона (ГП). Учитывая, что тип решетки не изменяется, зоны ГП часто называют предвыделениями . Они имеют форму тонких пластин или дисков и размеры порядка мкм. Границы их раздела полностью когерентны, поэтому поверхностная энергия зон пренебрежимо мала. У зон малого размера энергия упругих искажений решетки также мала, поэтому энергетический барьер для их зарождения весьма невелик. Зоны ГП зарождаются гомогенно на концентрационных флуктуациях. Особенность образования зон ГП — быстрота и безынкубационность их возникновения даже при комнатной и отрицательной температурах. Это обусловлено повышенной диффузионной подвижностью легирующих элементов, которая связывается с пересыщением сплава вакансиями при закалке. [c.498]

При произвольном направлении падения монохроматического луча дифракция не возиикает, В этом случае для наблюдения дифракции необходимо, П0130рач1ишя кристалл, найти данный угол скольжения 0. Например, если на кристалл кальцита, межплоскостное расстояние в котором равно 3,029 А, направить излучение с длиной волны 1,54 А, то дмфракционпый максимум первого [c.165]

Выполнение условия Брэгга—Вульфа для плоскостей Липпмана приводит к избирательности голограммы по отношению к длине волны света, с помощью которого осуществляется восстановление изображения объекта. В действительности при условии постоянства межплоскостного расстояния d, как видно из условия Липпмана— Брэгга—Вульфа, восстановление волнового фронта произойдет только в том случае, если оно осуществляется при той же длине волны, при которой производилась голографическая запись на фотопластинку. Этот факт позволил Ю. Н. Денисюку в качестве источника, восстанавливающего изображение света, пользоваться источником сплошного спектра (светом от солнца и даже от карманного фонарика). В данном случае голограмма из спектра с разными длинами волн выбирает нужную ей одну длину, в которой именно производилась запись, — голограмма действует подобно интерфе-pei/ционному фильтру. [c.219]

Для того чтобы характеризовать положение семейства в пространстве, необходимо задать ориентацию какой-либо одной плоскости семейства относитель- но выбранных кристаллографических осей координат и указать межплоскостное расстояние. Это обстоятельство позволяет для юпределения положения плоскостей воспользоваться сокраш,енным языком кристаллографических символов. [c.20]

Если ячейка центрирована по объему, то ее телесная диагональ при четной сумме h- -k- l=2n, где п — целое число, рассечена последовательными узловыми плоскостями семейства hkl) на /i+ частей, если же сумма А+/г4-/=2/г+1 нечетна, диагональ рассекается на 2(/г+А+/) частей или межплоскостных расстояний, а оси элементарной ячейки при нечетной сумме h+k- l — на отрезки al 2h), bl 2k], j(2l). Для других случаев центрированности ситуация аналогична и задачу о числе рассечений необходимо решать в каждом конкретном случае отдельно. Вопрос о вдсле рассечения осей элементарной ячейки последовательными узловыми плоскостями семейства (kkl) является важным при решении многих задач физики твердого тела, например при рассмотрении распространения волн в твердом теле. [c.22]

Пример 3. Межплоскостное расстояние d между соседними плоскостями семейства (hihihi) обратно по величине длине вектора Н. Очевидно, что межплоскостное расстояние равно длине нормали, опущенной из начала координат на ближайшую к нему плоскость (hih2hi). Эта величина равна проекции вектора на вектор Н, т. е. [c.19]

Это соотношение называется уравнением Вульфа—Брэгга. Использование этого условия позволяет по положениям рентгеновских максимумов (т. е. по данным об углах 0) находить спектры межплоскостных расстояний кристаллов. Поскольку межплоско-стные расстояния d связаны с параметрами элементарных ячеек, информация о спектрах значений d позволяет найти размеры и форму элементарных ячеек. Например, для кристаллов с кубическими решетками (см. также 2 данной главы) [c.186]

Основным методом изучения структуры аморфных материалов является метод дифракции рентгеноваких х лучей, электронов и нейтронов [67]. В главе 7 при рассмотрении вопросов дифракции излучения на кристаллах указывалось, что при рассеянии на неограниченном кристалле возникают узкие дифракционные максимумы, положение которых определяется в соответствии с формулой Вульфа -— Брэгга межплоскостными расстояниями, а ширина — размером кристалла,. В весьма грубой модели картину дифракции на аморфных материалах можно рассматривать как происходящую на совокупности ультрамалых беспорядочно ориентированных кристаллитов (см. рис. 12.2, а), и поэтому узкие дифракционные максимумы при переходе к рассеянию аморфными материалами должны трансформироваться в широкие диффузные гало. Такой подход позволяет качественно объяснить характер дифракционной картины от аморфных веществ, однако даже при исследовании структуры аморфных материалов с помощью наиболее высокоразрешающего метода — дифракции электронов — узкие дифракционные максимумы обнаружить не удалось. По этой причине модель аморфных материалов как ультрамикрокристал-лических веществ далеко не всегда считается справедливой. В качестве более корректной модели сейчас все чаще принимается модель непрерывного распределения сферических частиц, характеризующихся почти плотной упаковкой (иначе — случайной сеткой [c.277]

В опытах по дифракции электронов на поликристаллической фольге найдено, что диаметр дифракцис1НН0Г0 кольца, соответствующего отражению первого порядка от плоскостей с межплоскостным расстоянием d, равен г = 3 10 м. Расстояние от фольги до экрана /= 15- 10 м. Найти d. Энергия электронов 200 эВ. [c.66]

Наряду со структурно-фазовыми изменениями при поверхностной модификации в алюминиевом сплаве происходит изменение напряженно-деформированного состояния тонкого поверхностного слоя. Установленные изменения межплоскостного расстояния d и уширения бреггов-скнх рефлексов при имплантации позволили рассчитать микронапряжения первого рода и определить напряжения второго рода, используя зависимости [88, 89] с разделением эффектов уширения, обусловленных микронапряжениями второго рода и конечными размерами блоков мозаики [c.177]

На глубине до 10 мкм наблюдается значительное увеличение микронапряжений, и в слое менее I мкм их величина достигает предела текучести. Установлен интересный эффект снижения микронапряжений решетки в тонком поверхностном слое, толпщной менее 0,5 мкм, который наблюдается при имплантации (кривые /, 2). При сравнении кривых зависимостей микронапряжений и межплоскостного расстояния [c.178]

Как показали результаты рентгенографических исследований, окисная пленка, образующаяся на дисилициде вольфрама при 1500 и 1600 С, стеклоподобная по внешнему виду, дает слабую дифракционную картину. Наиболее интенсивная линия, соответствующая межплоскостному расстоянию 4.07 А, близка к наиболее интенсивной линии высокотемпературной модификации крис-тобалита. Если по интенсивности этой линии судить о количестве кристаллического 8102, то на внутренней поверхности всех негомогенизированных образцов его образуется больше, чем на внешней, в то время как у гомогенизированных образцов это различие исчезает. С увеличением температуры получения и температуры окисления количество ЗЮа растет. Окисная пленка, образовавшаяся при температурах 1700 и 1800 С, не дает дифракции. Дополнительный отжиг образцов при более низких температурах приводит к кристаллизации ее. [c.309]

Обработка образцов велась излучением лазера на неодимовом стекле с энергией импульса 9 Дж и длительностью 4 мс. При этом каждый локальный участок поверхности облучался различным количеством импульсов — от одного до пятнадцати. В результате воздействия лазерного излучения в техническом железе образовались зоны, отличающиеся по своим свойствам от исходного а-железа. Средняя глубина проникновения молибдена в матрицу составляет 450—500 мкм. При рассмотрении микрошлифов образцов обнаруживается четкая, неразмытая граница между зоной воздействия лазерного излучения и основным металлом. Данные измерения микротвердости зоны по ее глубине и в поперечном сечении на расстоянии от поверхности 200 мкм свидетельствуют о ее повышении в обработанной области в 1,5 раза по сравнению с микротвердостью а-железа. Результаты дюрометрического исследования показывают, что микротвердость по всей зоне воздействия излучения почти одинаковая, некоторое повышение ее наблюдается у нижней границы зоны. Повышение микротвердости и ее однородное распределение по всей области позволяют предположить наличие твердого раствора молибдена в а-железе. Рентгеноструктурный анализ показал наличие в обработанной зоне двухфазной структуры, которая имеет ОЦК решетки с различными периодами. Одна из них относится к а-железу, а вторая соответствует твердому раствору молибдена в а-железе с увеличенным межплоскостным расстоянием по сравнению с этим расстоянием в матрице. Вследствие того, что при растворении молибдена увеличиваются размеры кристаллической решетки железа, при точном измерении периода решетки можно определить содержание легирующего элемента в твердом растворе. Причем известно, что 1 % по массе молибдена увеличивает период решетки на 0,002 А. [c.27]

Особое состояние поверхностного слоя проявляется при растяжении на диаграммах напряжение растян ения — остаточная деформация решетки . На рис. 4 представлены две такие диаграммы для стали 45 [65, 66]. Уменьшение межплоскостного расстояния с увеличением нагрузки связано с тем, что рентгенографически измеряется деформация, близкая к нормали к поверхности образца. Как видно из рис. 4, а (полированная сталь 45, отжиг ори t = 750 °С), при напряжении около Os или немного большем поверхностный слой начинает как бы сползать (Oj/u. ), а затем диаграмма принимает обычный вид. Из приведенных ниже данных следует, что предел упругости (текучести) поверхностных слоев образцов из стали 45 и 40Х, полированных и отожженных в вакууме при t = 750°С в течение 2 ч, существенно меньше аналогичной объемной характеристики [65] [c.23]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...