Кристаллография межплоскостное расстояние

Природные О,— кристаллы. Усреднённое впутри-кристаллич. электрич. поле является фодсусирующим для заряж. частицы (см. Каналирование заряженных частиц) И в то же время — периодич. ф-цией расстояния, отсчитываемого вдоль прямой, пересекающей кристаллографии. плоскости. Поэтому, если угол и координата вхождения частицы в кристалл таковы, что она пересекает кристаллография, плоскости, то кристалл подобен О. 1-го типа. Длина периода траектории частицы в этом случае определяется межплоскостным расстоянием и углом между вектором ср. скорости частицы и кристаллография, плоскостями. Если же иач. условия таковы, что частицы попадают в режим плоскостного или осевого каналирования, то кристалл подобен О. 2-го типа. [c.406]

Деформация скольжения наиболее легко проходит по плоскостям с наибольшей плотностью атомов и наибольшими межплоско-стными расстояниями. Соотношение кристаллография. осей с/а у бериллия равно 1,568, т.е. значительно меньше, чем у идеального кристалла (1,633). Сжатие по оси с уменьшает межплоскостное расстояние и плотность упаковки по базисным плоскостям, так что базисные плоскости не должны являться плоскостями скольжения. Внедренные атомы, в первую очередь атомы кислорода, концентрируются вблизи при-зматич. плоскости и затрудняют скольжение ио этой плоскости. Поэтому с увеличе- [c.425]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...