Осцилляции межплоскостных расстояни

Теоретический анализ неупругих столкновений электронов (динамическая теория ДМЭ) указывает на возможность осцилляций межплоскостных расстояний верхних слоев кристалла. Экспериментальные данные ДМЭ подтверждают это. Действительно, для плоскости Си (100) первый межплоскостной промежуток сжат на 1,5 %, а второй расширен на 2,25 % по сравнению с объемным значением Ярко выраженный эффект сжатия d наблюдался и для Fe (111), причем сжатие возрастает при переходе к плоскостям с более высокими индексами Миллера от 2 до 22 % для плоскостей (100) и (210) соответственно. С другой стороны, для других плотноупакован-ных поверхностей металлов (Ni, Rd, Pt) (111) наблюдается небольшое расширение Ad > О, на 1,5-2 %. Для полупроводников и диэлектриков данные по d более противоречивы. Это может быть связано с заряжением поверхности при измерении ДМЭ. [c.150]

Осцилляции межплоскостных расстояний 150, 155 [c.281]

Физически спадающая к центру частицы осциллирующая поверхностная релаксация связана с фриделевскими осцилляциями плотности вырожденного электронного газа. Осцилляции Фри-деля вызываются любыми дефектами, нарушающими трансляционную симметрию кристалла в данном случае таким двумерным дефектом является поверхность. Фриделевские осцилляции передаются решетке через электрон-фононное взаимодействие и приводят к изменению межплоскостных расстояний. Согласно [270], в модели свободных электронов амплитуда фриделевских осцилляций убывает по мере удаления от поверхности. Необходимо заметить, что в зависимости от параметров решетки и размера кристалла поверхностная релаксация может не только уменьшать, но и увеличивать его объем. [c.78]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...