Определение межплоскостных расстояний

Рис. 2.1.2. Определение межплоскостных расстояний d через индексы Миллера к, к, I

ОПРЕДЕЛЕНИЕ МЕЖПЛОСКОСТНЫХ РАССТОЯНИЙ И РАЗМЕРОВ ЭЛЕМЕНТАРНОЙ ЯЧЕЙКИ (ПЕРИОДОВ РЕШЕТКИ) [c.194]

Определение межплоскостных расстояний [c.133]

Каждая линия на рентгенограмме получается в результате отражения я-го порядка от плоскостей с определенным межплоскостным расстоянием й. Чтобы исключить из расчетов неизвестную величину п, можно рассматривать каждую ли- [c.133]

Значительная часть задач рентгеноструктурного анализа требует повышенной точности определения межплоскостных расстояний и периода решетки. К таким задачам относятся исследование процессов образования и распада (старения) твердых растворов, построение границ фазовых областей диаграмм состояния, определение напряжений 1-го рода и др. [c.134]

Таблицы I—VI служат для определения межплоскостных расстоянии по промеренному для рентгенограмм углу скольжения , соответственно одному из шести излучений. [c.5]

Для определения а, и Оа необходимо получение трех рентгенограмм, из которых первая (при перпендикулярном падении луча) служит для определения меж-плоскостного расстояния с/ в ненапряженном состоянии, а две другие (при наклонном падении луча) — для определения с1 и с1 . Значения этих межплоскостных расстояний подставляют в следующие формулы, из которых находят напряжения и а., [c.217]

Межплоскостное расстояние по определению равно длине перпендикуляра, опущенного из начала координат на плоскость, пересекающую оси х, у, zb точках а/А Ь/к с/1. [c.49]

Для индицирования дифракционных линий (определения индексов Миллера) воспользуемся справочными данными приложения П2. Для этого сравниваем значения межплоскостных расстояний из своего Протокола испытаний со значениями межплоскостных расстояний различных веществ. Для совпадающих с точностью до 0,05 значений находим в колонке hkl соответствующие индексы и вносим в Протокол испытаний. [c.57]

Определение постоянных решетки. Для известкой кристаллографической системы, зная длину волны, можно рассчитать соответствующее межплоскостное расстояние d [c.157]

Программа не учитывает изменения величин межплоскостных расстояний и интенсивностей отражения для фаз, связанных с легированием и образованием твердых растворов. Очевидно, в этом случае достоверность определения фазового состава будет хуже. Задача. может быть решена в случае известного химического состава сплава. Это позволяет предположить, а затем и подтвердить с помощью теоретического индицирования и расчета интенсивностей присутствие фазы определенного структурного типа. [c.125]

Межплоскостные расстояния, расчет 107 Межчастичные расстояния, определение 92 Мессбауэра эффект 161, 178 Метод вращения ИЗ Метод порошка 114 [c.349]

Напряжения второго рода. Если тело подвергается пластической деформации, то межплоскостные расстояния в кристалле не остаются постоянными. Связь между деформацией отдельных кристаллов очень сложна поэтому можно считать, что в теле имеют место деформации беспорядочного характера. В этом случае говорят о микронапряжениях, или напряжениях второго рода. Характерным для рентгенограмм кристаллов с внутренними напряжениями второго рода является размытость интерференционных линий. Трудности, встречающиеся при определении внутренних напряжений второго рода, подробно изложены в книге А. И. Китайгородского [40]. [c.290]

Таким образом, КТР может быть непосредственно определен из рентгеновских дифракционных данных без вычисления каких-либо промежуточных параметров, например межплоскостных расстояний или периодов решетки. [c.80]

Определение фазового состава. Каждая фаза дает на рентгенограмме систему линий, характеризующую ее структуру. Прн наличии смеси имеет место наложение независимых друг от друга систем линий, каждая из которых характеризует одну из составляющих смеси. Определив по рентгенограмме значения углов, соответствующих каждой линии, можно рассчитать величину межплоскостных расстояний по формуле (1). [c.60]

Определение напряжений с помощью рентгеновских лучей. Рентгеноструктурный метод определения напряжений основан на изучении изменения межплоскостных расстояний, которое имеет место в результате деформации решетки. [c.61]

Рентгеновский структурный анализ с 1916 г. начал приме-liflTb fl для определения межплоскостных расстояний и параметров элементарных ячеек моно- и поликристаллических веществ. В 50-х годах XX в. начали бурно развиваться методы этого анализа с использованием ЭВМ в технике эксперимента и при обработке рентгеновских дифракционных картин. Результаты исследований практически для всех кристаллических веществ, а также кристаллических полимеров, аморфных тел и жидкостей щироко представлены как в государственных, так и в международных стандартных справочных источниках. [c.50]

Картину электронной дифракции — электронограмму — получают как на просвет от образца толщиной порядка нескольких десятков нанометров, так и на отражение от плоского образца, поставленного так, что электронный луч практически скользит по его поверхности, образуя с ней угол в несколько минут. Благодаря чрезвычайно сильному рассеянию электронов при почти полном отсутствии поглощения, а также использованию при получении электронограмм почти всей мощности электронного пучка интенсивность дифракционных максимумов электроно-граммы очень высокая. Электронограмму можно получить за доли секунды. Однако в связи с особенностями рассеяния электронов на электронограммах не удается получить интерференционные максимумы с высокими индексами кристаллографических плоскостей, что весьма обедняет информацию. Так как углы дифракции 6 малы, погрешность в определении межплоскостных расстояний по элекТронограммам велика несмотря на острый профиль интерференционных линий она составляет обычно несколько десятков процентов. [c.65]

Смещение интерференционных линий на рентгенограмме связано с рядом особенностей структурного состояния материала. В первую очередь оно обусловлено закономерностями отражения рентгеновских лучей от атомных плоскостей в линейно напряженном поликристаллическом агрегате. Измеряя относительное изменение межплоскостного расстояния MId, можно определить сумму главных напряжений Ti + в направлении нормали к плоскости главных напряжений Adid = (0i + о )1Е, где Е — модуль упругости — коэффициент Пуассона. Стандартный метод определения суммы ofi + 2 — метод обратной съемки с эталоном, период решетки которого известен. Метод определения остаточных упругих напряжений с помощью нескольких снимков, выполненных под углом к поверхности (метод sin ip), позволяет определять, кроме того, упругие постоянные Е и р,. Определение межплоскостного расстояния при четырех различных положениях рентгеновского луча по отношению к поверхности исследуемого образца позволяет раздельно оценить главные напряжения. [c.74]

Определение межплоскостных расстояний. Каждая линия на рентгеяопрямме полу- [c.194]

На каждой странице располагается слева колонка долей градуса от 00 до 100 сотых через 0,02° правее располагаются пять колонок значений меж-плоскостных расстояний для пяти градусов в каждой колонке между двумя последовательными значениями d справа приведена их разность, облегчающая определение межплоскостного расстояния нечетной сотой доли градуса. В этом случае следует пЪловину разности отнять от верхнего, меньшего четного значения сотых или прибавить к нижнему, большему значению сотых. [c.5]

При определении еоставляющей напряжения, действующей в определенном направлении, применяют следующий метод. Делают два рентгеновских снимка первый — при перпендикулярном падении рентгеновского луча на поверхность детали и второй — при падении луча иод некоторым углом, но в плоекости нормали и измеряемой составляющей напряжения. По этим снимкам рассчитывают соответствующие межплоскостные расстояния й, и (1 , которые при наличии на исследуемой поверхности детали остаточных напряжений первого рода не равны друг другу. Полученные значения (I и с/ подставляют в формулу для определения напряжения [c.217]

Определение малых содержаний углерода в мартенсите. Метод определения содержания углерода в твердом растворе по изменению din применим лишь при содержании С > (0,6—0,7) %, так как при меньших концентрациях дублет не разделяется и изменение межплоскостных расстояний уловить не удается. Однако на практике в закаленных сталях содержание углерода в мартенсите часто не достигает этой величины. Тогда для определения концентрации углерода можно применять метод, основанный на измерении расширения линии на рентгенограмме. Метод состоит в нахождении междублет-ного расстояния по общей ширине линии на рентгенограмме и вычислению по этой величине содерлсаиия углерода. Большое значение при этом имеет выбор линии на рентгенограмме. Для стали, не содержащей остаточного аустенита, расчет целесообразно проводить по ширине дублета [(ПО) — (101) (011)] при наличии остаточного аустенита на расширение этой линии влияет линия (111) аустенита, расположенная почти под тем же углом. В этом случае расчет целесообразно проводить но линии дублета [(112) — (211)(121)1. [c.23]

В этой главе приведены данные для идентификации фаз в машиностроительных материалах по межплоскостным расстояниям. Определение межплоскост-ных расстояний по углам скольжения можно проводить с помощью таблиц и графиков [1, 4, 10]. [c.39]

Остаточные напряжения рентгенографическим методом определялись по методике, изложенной в работах Н. Н. Качанова, С. С. Горелика, Ю. А. Багаряцкого и др. Из1МереН Ие напряжений основано на зависимости расстояний между атомными плоскостями кристаллической решетки от величины напряжения. Для определения относительного изменения межплоскостного расстояния производилась съемка с поверхностей напряженного и ненапряженного образцов. В качестве напряженных образцов применялись отожженные образцы, идентичные исследуемым напряженным по материалу и форме. Съемка рентгенограмм проводилась в камере обратной съемки типа КРОС на установке УРС-70. [c.188]

Чтобы завершить рассмотрение особенностей метода, отметим его основные недостатки. Они обусловлены тем, что значения длин волн электронов, получаемые в современных электронографах с ускоряющим напряжением в несколько десятков киловольт, составляют сотые доли ангстрема, что меньше длин волн, применяемых рентгеновских лучей. Поэтому углы дифракции, определяемые по уравнению Вульфа - Брэгга, очень малы. Например, для межплоскостного расстояния 0,1 нм при длине волны 0,005 нм (ускоряющее напряжение порядка 50 кВ) угол дифракции составляет всего около 1,5 град. Вследствие этого разрешающая способность по этому методу ниже и меньше точность определения меж-плоскостных расстояний, чем при использовании рентгенографии. [c.23]

Определение внутренних напряжений. Напряжения при изгибе (например, в /хо-лоднодеформированном материале) приводят к уширению линий. Растягивающе-сжи-мающие напряжения приводят к сдвигу линий из-за изменений межплоскостных расстояний. [c.158]

Для доказательства присутствия той или иной фазы а сплаве необходима регистрация нескольких характерных отражений. На использовании этих же отражений основано определение природы фаз (качественный фазовый анализ). Для получения по возможности более точных значений межплоскостных расстояний din и интенсивностей соответствующих отражений, а также в связи с тем, что объекты анализа чаще всего мелкокристаллические и поликристаллические вещества — целесообразно использовать метод порошка (камера Дебая, камера Гинье или дифрактометр). В необходимых случаях прибегают к измельчению объекта и отбору оптимальной для анализа фракции порошка. При этом необходимо предупреждать или учитывать возможные при препарировании объекта изменения его фазового состояния, например в результате пластической деформации и нагрева при механическом размельчении и отжиге, а также изменение фазового состава осадков при химическом или электрохимическом высаживании или при последующих операциях препарирования. [c.124]

Недавние исследования молибденкремниевых МИС в вакуумном ультрафиолетовом диапазоне [74] привели к наблюдаемым коэффициентам отражения выше расчетных. На рис. 12 сравниваются экспериментальные и теоретические кривые отражения на длине волны 170, 4 А, Ф — угол падения, отсчитанный от нормали). Отметим, что форма и положение брэгговского пика согласуются с теорией, однако экспериментально полученная отражающая способность в 1,5 раза больше расчетной. Эго может быть, в частности, объяснено использованием завышенных примерно на 35 % значений коэффициентов поглощения, что вполне соответствует разбросу данных по оптическим константам. Кроме того, измерялся коэффициент отражения при энергии 8 кэВ, который в первом порядке составил 85%. Всего наблюдались пики отражения вплоть до 16-го порядка. В этом образце толщина слоя молибдена в 17,1 раза превышала межплоскостное расстояние объемноцентрированной кубической решетки кристалла Мо. Кроме того, эффективный период, определенный по 16-му порядку, оказался равным 6 А, что указывает на однородность границы, по крайней мере, на этом уровне. [c.443]

Однако использованное в этих работах для вычисления параметра кристаллической решетки смещение линий на рентгенограмме, являясь результатом изменения межплоскостного расстояния перпендикулярно к поверхности образца, может быть вызвано двумя причинами образованием твердого раствора внедрения или возникновением остаточных напряжений первого рода, вызванных наличием в поверхностном слое железа коллекторов, заполненных водородом под высоким давлением. М. М. Швед [76] разработал остроумный метод раздельного определения изменения параметра кристаллической решетки, вызванного образованием твердого раствора, и изменения параметра решетки, вызванного появлением напряжений первого рода, а также вычисления величины этих напряжений. Метод основан на съемке рентгенограмм под углом 90° и под )<90° (обычно 4l3 = 45°). Изменение истинного параметра решетки наблюдалось в лятом знаке (Да == 0,00002 нм), что находится в пределах ошибки измерения [77]. Таким образом, насыщение поверхности армко-железа водородом приводит к возникновению остаточных напряжений первого рода, а истинный параметр кристаллической решетки не меняется. Это может служить доказательством отсутствия твердого раствора атомо)в водорода в наводороженном железе. Причиной наблюдаемого увеличения параметра решетки являются только остаточные напряжения сжатия, вызванные появлением и развитием в приповерхностном слое железа пустот микроскопических и субмикроскопических размеров (начиная от скопления вакансий и дислокаций). [c.22]

Например на схеме, изображенной на фиг. 14.9, линии, обозначенные цифрами 1,2 иЗ, являются линиями пересечения трех рядов плоскостей на пленке. Дифракция при определенной длине волны X дает К-линии К1, Кг и Кд. Так как длина волны и, следовательно, дифракционные углы увеличиваются, точки пересечения К1, К2 и Кз бУдут сближаться до тех пор, пока при некоторой длине волны А.Д они не совпадут. Это совпадение дает возможность определить точное соотношение между углами для трех плоскостей, их межплоскостными расстояниями и длиной волны А. . Если кристалл кубический и можно проиндицировать три ряда плоскостей, то остаюш,уюся единственной неизвестной постоянную решетки Ло можно найти с помош,ью длины волны с точностью, которая по оценке Лонсдейл равна 5-10 А. Если необходимо найти более чем один параметр элементарной ячейки, следует рассмотреть большее число совпадений. , [c.327]

Икс-единица— [ икс-ед. X], (XU) — внесистемная единица длины, применяемая для выражения длины волны рентгеновского и гаммач1злучения, а также параметров кристаллической решетки. И.-е. была введена в 20-х гг. XX в. в связи с трудностью абс. измерений длин волн рентген, лучей и постоянных кристал. решетки. При измерении длин волн рентген, лучей по их дифракции на кристаллах основываются на условии Вульфа-Брегга т = 2 d sin б, где — длина волны d — межплоскостное расстояние в кристалле в — угол скольжения т — порядок скольжения. Т. о. для определения точного значения д. б. известно точное значение d. Для прецезионных измерений употребляются кристаллы кальцита, djoo к-рого в 20-е гг. точно известно не было. Поэтому было предложено считать с/що = 3,02945 А, а в новых ед. юо = = 3,02945 кХ. Т. о.. И.-е. была введена как 10 А. К 1947 г. было установлено, что 1 кХ = 1,00202 А. Т. к. длины волн и постоянные решеток выражались в икс-единицах, она была сохранена как самостоятельная ед. длины. В наст, время принято, что 1 икс-ед, = 1,00206 10" д= 1,00206 10"м. Ед. допускается применять в научных трудах по физике. [c.269]

Методика определения тензора термического расширения моноклинных и триклияных кристаллов изложена в работе [173. Следует отметить, что так же, как в рассмотренных выше случаях, для определения тензора термического расширения нет необходимости предварительно вычислять межплоскостные расстояния или периоды решетки. [c.92]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...