Широкополосное поглощение

Мнимая часть диэлектрической проницаемости (50.35) характеризует частотную зависимость истинного поглощения света кристаллом ). Первое слагаемое в (50.35) соответствует узкополосному резонансному поглощению фотонов с частотой сор и волновым вектором ( в результате образования в кристалле экситонов с частотой сор и квазиимпульсом НЦ. Второе слагаемое в (50.35) характеризует широкополосное поглощение в области частот [c.398]

Отношение интегрального широкополосного (двухчастичного) поглощения к резонансному (одночастичному) чисто экситонному равно Широкополосное поглощение не зависит от знака эффективной массы экситона. Согласно (50.40) на краях широкополосного [c.399]

Согласно этому выражению широкополосное поглощение в области частот, удовлетворяющих неравенству (50.57), симметрично относительно частоты 0)1 (50.56) и исчезает на границах этого интервала (в отличие от бесконечных значений при ЛЙ = 0). При 1г А > Ьх функция (50.58) имеет максимум L,v [LI- -(ЙAQ)2]" при значении частоты, равной оох. Если Н А < Ех, то точке [c.402]

Второе слагаемое в (50.88) характеризует широкополосное поглощение, которое соответствует образованию в кристалле одновременно экситона и внутримолекулярного колебания частоты йо-Ширина этой полосы поглощения равна ширине экситонной зоны 2 /. экситона. При таком двухчастичном поглощении импульс фотона распределяется между импульсами экситона и внутримолекулярного фотона, поэтому возбуждаются экситонные подуровни всей зоны экситонов. [c.408]

Если полную интегральную интенсивность поглощения ( резонансного и широкополосного) принять за единицу, то величина Я характеризует относительную интенсивность интегрального резонансного поглощения, а 1 — / — интенсивность широкополосного поглощения. [c.409]

При этом I Ке Уо 1 < 1. следовательно, комплексный полюс расположен при частоте, соответствующей широкополосному поглощению. [c.409]

Как известно, комплексному полюсу фурье-образа запаздывающей функции Грина соответствуют неустойчивые одночастичные элементарные возбуждения. Скорость распада этих возбуждений определяется мнимой частью Уо- Итак, при выполнении неравенства (50.89) внутри полосы широкополосного поглощения имеется максимум, которому соответствует образование в кристалле неустойчивых одночастичных элементарных возбуждений — неустойчивых вибронных экситонов, распадающихся и внутримолекулярное колебание частоты Йо- [c.409]

Кроме широкополосного поглощения, определяемого выражением [c.412]

Она характеризует широкополосное поглощение, соответствующее образованию двух квазичастиц в кристалле электронный экситон [c.414]

Функция а (у) определена выражениями (50.82). В этом случае область двухчастичного широкополосного поглощения заключена [c.416]

Двухчастичные переходы лежат в ультрафиолетовой области спектра. По сравнению с одночастичными они обладают рядом особенностей. Им соответствует широкополосное поглощение и весьма характерная поляризация. В двухчастичных возбуждениях проявляется взаимодействие между квазичастицами (экситоном и магноном, между экситонами), которое в некоторых случаях приводит к образованию связанных состояний. Связанным состояниям соответствуют дискретные полосы поглощения. Связанные состояния могут иметь существенное значение при исследовании кинетики процессов, в которых участвуют квазичастицы. [c.558]

Областям широкополосного поглощения (64.38) соответствует рождение пары свободных экситонов. Максимальное поглощение должно наблюдаться, соответственно, при значениях равных [c.565]

Край полосы поглощения играет важную роль в материалах, используемых для изготовления оптических волокон. Однако эти материалы могут также содержать атомы и молекулы примесей, которые способны вызвать поглощение на интересующих нас длинах волн. На практике установлено, что самыми вредными примесями являются пары воды и переходные металлы первой группы (ванадий, хром, магний, железо, кобальт и никель). В стекле металлы присутствуют в виде ионов, которые благодаря своей электронной структуре вызывают широкополосное поглощение на длинах волн, значения которых могут зависеть от степени окисления иона. Чтобы на длинах волн в области [c.78]

Возможность применения радио-волновых методов для определения влажности в материалах и изделиях основывается на двух физических явлениях поглощении и рассеянии радиоволн, что связано с наличием широкополосной вращательной релаксации полярных водяных молекул в области СВЧ. [c.253]

Таким образом даже в случае, когда молекулярный спектр состоит только из БФЛ, спектр поглощения образца описьшается функцией п(шр), т. е. является широкополосным. [c.171]

Методы измерения коэффициента поглощения. Прежде чем говорить о поглощении интенсивных ультразвуковых волн дальше, остановимся кратко на том, каковы особенности измерения этого поглощения в жидкости по сравнению с измерениями поглощения ультразвука малых интенсивностей. Для того чтобы измерить коэффициент поглощения ультразвуковых волн малой амплитуды, в принципе следует в плоской ультразвуковой волне измерить интенсивность ультразвука в двух точках ультразвукового пучка, или сравнить значения амплитуд давления в этих точках. Для этой цели можно использовать приемную кварцевую пластинку той же частоты, что и излучающая это, как мы говорили выше, и делают с применением импульсного метода или метода интерферометра со стоячими волнами (см. стр. 269). Однако в случае ультразвуковых волн большой интенсивности для измерения коэффициента поглощения так поступать нельзя. Действительно, так как волна искажена, то требуется иметь такое приемное устройство (если применять кварцевую пластинку в качестве приемника), которое было бы достаточно широкополосным, т. е. чтобы все гармонические составляющие, присутствующие в искаженной волне, были в одинаковой степени хорошо восприняты приемником ). Ранее, когда большое количество экспериментаторов производили мно- [c.389]

Проблема детальной колебательной структуры спектров поглощения люминесценции и комбинационного рассеяния продолжает оставаться актуальной. Спектральные линии, на которых работают кристаллические лазеры, суть электронно-колебательные линии. Недавно построены первые лазеры, работающие не на чисто-электронной линии, а на ее колебательных повторениях [111]. Они существенно расширяют поле применения лазерной техники, открывая перспективы к созданию широкополосных оптических усилителей и настраиваемых осцилляторов. [c.32]

Интегральная интенсивность широкополосного двухчастичного поглощения равна [c.403]

При 2 0,15 и Л0 = 0 все поглощение является только Широкополосным двухчастичным (см. 50.1). [c.410]

Отношение интегральной интенсивности широкополосного поглощения тгаа Я, ш) к интегральной интенсивности резонансного поглощения тгьь Я, ю) равно <Г5( )>. [c.383]

Отметим, что в диапазоне сантиметровых и дециметровых волн измерения темп-ры М, ф. и. возможны с поверхности Земли. В миллиметровом и особенно в субмиллиметровом диапазонах излучение атмосферы препятствует наблюдениям М. ф. и., поэтому измерения проводятся широкополосными болометрами, установленными на воздушных шарах (баллонах) и ракетах. Ценные данные о спектре М. ф. и. в миллиметровой области получены па наблюдений линий поглощения молекул межзвёздной среды, в спектрах горячих звёзд. Выяснилось, что осн. вклад в плотность энергии М. ф. и. даёт излучение с длиной волны А, от в до 0,6 M.M, темп-ра к-рого близка к 3 К. В этом диапазоне длин волн плотность энергии М. ф. и. ,.= 0,25 эВ/см . Один из экспериментов по определению флуктуаций М. ф. и., его дипольной компоненты и верх, границы квадрупольного излучения был осуществлён на ИСЗ Прогноз-9 (СССР, 1983). Угл. разрешение аппаратуры составляло ок. 5°. Зарегистрированный тепловой контраст не превышал 5-10 К. [c.135]

Частотные О. ф. (светофильтры) используются для выделения или подавления нек-рого заданного участка спектра широкополосного оптич. излучения. Осп. характеристики таких О. ф. отношение ср. длины волны Ло к ширине полосы пропускания (поглощения) 6к контрастность — отношение коэф. пропускания фильтра в максимуме прозрачности к коэф. пропускания вне полосы пропускания. В зависимости от используемого физ. механизма частотные О. ф. разделяются на абсорбционные, интерференционные, поляризационные, дисперсионные и др. [c.459]

Волны УВЧ и СВЧ (1000—10 000 МГц) распространяются в осн. в пределах прямой видимости и характеризуются низким уровнем шумов. В этом диапазоне при Р. р. играют роль известные области макс, поглощения и частоты излучения хим. элементов (напр., линии водорода вблизи 1420 МГц). В этом диапазоне размещены многоканальные системы широкополосной связи для передачи телефонных и телевиз. сигналов. Высокая направленность антенн позволяет использовать низкий уровень мощности в радиорелейных системах, а тропосферное рассеяние обеспечивает дальность радиосвязи 800 км. Этот диапазон применяют в радионавигац. 1 радиолокац. службах. Для радиоастрономич. наблюдений выделены полосы частот за атомарным водоро- [c.261]

Практич, применение нашли С. э.-л. п., принцип действия к-рых основан на возникновении центров поглощения света в определённой области спектра при облучении электронами ионных кристпаллов. В проходящем или отражённом широкополосном свете записанное пучком изображение выглядит окрашенным в дополнит, цвет и может быть спроецировано на внеш. экран. Для стирания изображения необходим подогрев экрана С. э,-л. п. Такие приборы получили назв. като-дохромных приборов или скиатронов. [c.470]

Всплески IV типа, особенно на дециметровых волнах, обладают богатой тонкой структурой. Здесь наблюдаются широкополосные пульсации с характерным временем с, всплески в поглощении, дрейфующие волокна, зебра-структура и т. д. Появление такого своеобразного радиоизлучения отражает структуризацию самой корональной плазмы, а также указывает на сложный характер взаимодействий между раэл. типами волн и частиц, к-рые происходят в короне на разл. стадиях вспышки. [c.597]

В гл. 1 мы показали, что процесс, который переводит атомы с уровня 1 на уровень 3 (для трехуровневого лазера см. рис. 1.4, а) или с уровня О на уровень 3 (для четырехуровневого лазера см. рис. 1.4,6), называется накачкой. Накачка осуществляется, как правило, одним из следующих двух способов оптическим или электрическим. При оптической накачке излучение мощного источника света поглощается активной средой и таким образом переводит атомы активной среды на верхний уровень. Этот способ особенно хорошо подходит для твердотельных (например, для рубинового или неодимового) или жидкостных (например, на красителе) лазеров. Механизмы ушире-ния линий в твердых телах и жидкостях приводят к очень значительному уширению спектральных линий, так что обычно мы имеем дело не с накачкой уровней, а с накачкой полос поглощения. Следовательно, эти полосы поглощают заметную долю (обычно широкополосного) света, излучаемого лампой накачки. Электрическая накачка осуществляется посредством достаточно интенсивного электрического разряда, и ее особенно хорошо применять для газовых и полупроводниковых лазеров. В частности, в газовых лазерах из-за того, что у них спектральная ширина линий поглощения невелика, а лампы для накачки дают широкополосное излучение, осуществить оптическую накачку довольно трудно. Замечательным исключением, которое следует отметить, является цезиевый лазер с оптической накачкой, когда пары s возбуждаются лампой, содержащей Не при низком давлении. В данном случае условия для оптической накачки вполне благоприятны, поскольку интенсивная линия излучения Не с 390 нм (достаточно узкая благодаря низкому давлению) совпадает с линиями поглощения s. Фактически этот лазер представляет интерес лишь в историческом плане, как одна из первых предложенных лазерных схем. Кроме того, его реализация на практике является весьма сложной, поскольку пары s, которые для обеспечения достаточного давления газа необходимо поддерживать при температуре 175 °С, представляют собой весьма агрессивную среду. Оптическую накачку весьма эффективно можно было бы использовать для полупроводнико- [c.108]

При стационарном методе. ДЭ Р спектро,метр настраивают на получение с,ильного сигнал,а ЭПР, после чего увеличением мощ-вости СВЧ, поля добиваются частичного. насыщения,. Частота дополнительного поля широкополосного рздиочастотвого (РЧ). генератора с.канируется в, диапа,зо,ве 2—,30 мГц. Результирующее резонансное поглощение составляет 1% антенсявности обычного сигнала ЭПР. [c.189]

На рис. 3.36 представлена схема эксперимента [79], в котором осуществлялась оптическая регистрация распространения и затухания гармонических гигагерцевых акустических волн 25 ГГц). Широкополосные акустические импульсы возбуждались при поглощении лазерных импульсов накачки Я 0,2 пс hv =2 эВ, Vn = 110 МГц) в пленках алюминия либо а—Ge Н и распространялись в оптическом стекле. В [80] для регистрации акустических волн, также как и в [791, использовался эффект изменения коэффициента отражения зондирующего излучения от поверхности при выходе на нее звуковой волны (эффект пьезоотражения), но на этот раз в металлах (Ni, Zr, Ti, Pt). Так же как и в [77—79], использование дополнительной низкочастотной акусто-оптической модуляции возбуждающих импульсов и селективного усиления при обработке отраженных сигналов позволяет существенно повысить чувствительность приема, В данном случае при Vf, =250 МГц и частоте модуляции 10 МГц [83] уверенно регистрируются относительные изменения коэффициента отражения на уровне 10 (предельные чувствительности— 10 ). Профили сигналов, представленные в [83], имеют характерные длительности порядка 10 пс. [c.164]

Во втором случае пространственную или температурную дисперсию векторного синхронизма при сложении частот стремятся использовать для спектрального исследования широкополосного ИК—излучения, преобразуемого в оптический диапазон [263]. Основными параметрами, определяющими эффективность решения задачи, является ширина полосы преобразуемого спектра и удельная дисперсия векторного синхронизма, увеличивающаяся при подходе одной из частот, участвующих в преобразовании, к области аномальной дисперсии нелинейного кристалла. В этом случае в ряде конкретных применений оптимальным будет использование молекулярных кристаллов, разнообразными наборами полос поглощения в оптическом и ультрафиолетовом диапазонах и, следовательно, имеющих различные сочетания областей аномальной дисперсии. При использовании зависимости угла синхронизма от температуры должны найти применение монокристаллы комплексов переноса заряда с большой нелинейной восприимчивостью, оптические характеристики которых заметно зависят от степени колебательного возбуждения, т.е. от температуры. [c.181]

Модуляторы лазерного излучения. В работе [43] описан модулятор лазерного излучения, изготовленный на основе монокристалла НБС состава х = 0,5. При этом отмечается, что кри)в1аллы с ж = 0,25 для этих целей неприменимы вслед ствие высокого значения диэлектрической нроницаетсти е. Для модулятора использовался монокристалл НБС размерами 0,3 X 0,4 X 10 мм с большим размером вдоль оси х. Кристалл имел емкость 20 пФ и включался в 50-омную широкополосную согласующую схему. Отраженная мощность была менее 1% вплоть до 300 МГц, импульсы напряжения имели фронт нарастания до 3 НС и быстрый спад. Управляющее напряжение для длины волны света % = 0,633 мкм составляло 22 В. Отношение интенсивности прошедшего света к поглощенному составляло 15 дб. Диаметр лазерного пучка на поверхности кристалла имел величину 0,1 мм. [c.122]

Использование резонансных акустических приемников (скажем, пьезоэлектрических пластинок) позволяет, вообще говоря, определить только парциальный коэффициент поглощения. Единой методики для измерения поглощения в жидкостях и газах, естественно, нет. В качестве широкополосных приемников в технике измерения интенсивных ультразвуковых волн в жидкостях применяются при-ем1ники типа акустического абсолютно черного тела . [c.168]

Оптическая схема приведена на рис. 2. Устройство включало в себя два зеркала, поворачивающихся в поле зрения на 90°, что составляло примерно 2,7 дюйма (68,5 мм) в направлении движения волны. Картина регистрировалась при помощи покадровой съемки 35-мм камерой WB-2 фирмы Бекман и Уитли , работающей при скоростях между 221600 и 231 800 кадров в 1 с до момента, когда яркость света уменьшалась настолько, что было нельзя проводить дальнейшие наблюдения, оказывалось возможным получить примерно 45 полезных кадров. Применялся полярископ медленно сходящегося проходящего света с зеленым фильтром Рэттен № 77 фирмы Кодак в сочетании с широкополосным тонкопленочным интерференционным фильтром № 90-3-480 фирмы Бауш и Ломб , который служил для поглощения нежелательного красного и голубого света. Такая комбинация позволяла выделить полосу света шириной около 200 А с пиком в окрестности 5460 А, дававшей разрешение не менее 11 интерференционных полос. Источником света служила яркая ксеноновая импульсная лампа GE-524 с питанием от источника напряжением 3600 В и от батареи конденсаторов емкостью 100 мкФ, [c.218]

Наряду с активными сортами для изтото влен ия кернов И ногда используются марки чистейшего никеля (НОООО, НЭ, НВ и НкВ), дающие хорошие показатели по эмиссии в некоторых мощных приборах с импульсным режимом, а также приборах с непрерывным режимом, но повышенными требованиям и к долговечности (газоразрядные приборы, мощные клистроны, электронные лампы для широкополосных усилителей и др.). В газоразрядных приборах их применение связано с более легкими условия Мп активирования катода и осо-бо вьгсокой чувствительностью самих приборов к малейшим, особенно летучим, примесям (интенсивное поглощение газов в приборах). [c.241]

В неодимовых стеклах все предприиимавишеся до сих пор попытки сенсибилизации ионов неодима не привели к заметному успеху. В частности, предложенный в свое время в качестве сенсибилизатора ион уранила и01+ [96, 97] не оправдал надежд из-за сильного широкополосного наведенного поглощения в этих ионах [981. Не эффективным оказалось использование как сенсибилизаторов и ионов Сг- + [99] из-за сильного концентрационного тушения последних при комнатной температуре и заметной обратной передачи энергии от ионов к ионам Сг + [100]. [c.46]

Рубин. Холодильный прибор, использующий в качестве механизма охлаждения антистоксовую флуоресценцию, во многом аналогичен лазеру, запущенном в обратном режиме мощное когерентное строго направленное излучение вносится в активную среду, которая переизлучает почти изотропно и на более высокой частоте широкополосный свет. Многие исследователи именно с этих позиций подходили к выбору перспективной среды для охлаждения. В частности, всего спустя год после наблюдения непрерывной лазерной генерации в рубине [86] уже была высказана возможность оптического охлаждения в районе температур ниже 100 К [48]. Процесс охлаждения предлагалось осуществить по следующей схеме оптическая накачка возбуждает ионы трёхвалентного хрома, находящиеся в основном электронном состоянии и переводит их на нижний уровень — расщепления отсюда при установлении теплового равновесия происходит переход на уровень вверх, с поглощением фонона энергии 29см последующие спонтанные оптические переходы из этих состояний в основное, известные как К и Я2 линии, приведёт к отводу тепла из кристалла. Подробный расчёт этой схемы приведён в посвящённом рубину разделе параграфа 2.4. Но на 1963 год не было подробной информации о процессах, которые препятствовали оптическому охлаждению в рубине. В результате этого невозможно было оценить величину вклада в нагрев процессов многофононной релаксации, процессов релаксации пар (троек, четвёрок) ионов Сг+ , зависимости от времени установления ион-решёточного равновесия, от перепоглощения флуоресцентного излучения. [c.55]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...