Диэлектрическая проницаемость относительна

Полная молекулярная теория должна, исходя из особенностей поляризации молекул среды, обусловленных их строением и специальным расположением, дать возможность вычислить значения трех главных диэлектрических проницаемостей Ех, Еу, е и найти расположение осей эллипсоида диэлектрической проницаемости относительно кристаллографических осей. [c.499]

Диэлектрическая проницаемость. Относительную диэлектрическую проницаемость определяют как отношение зарядов на обкладках конденсатора при замене пластин из данного диэлектрика на вакуум. [c.16]

Диэлектрическая проницаемость относительная 227 Длина краевого эффекта 422 [c.511]

Диэлектрическая проницаемость (относительная) отвлеченная единица (1ф/м) 1ф/м) [c.12]

Диэлектрическая проницаемость (относительная диэлектрическая проницаемость). Диэлектрическая проницаемость 8г Среды показывает, во сколько раз сила взаимодействия F электрических зарядов в данной среде меньше, чем сила взаимодействия F зарядов в вакууме, т. е. [c.65]

Диэлектрическая проницаемость (относительная диэлектрическая проницаемость) вг — величина, позволяющая оценить способность материала создавать электрическую емкость. [c.6]

Среди производных физических величин особое место занимают такие, для которых все показатели в формуле размерности обращаются в нуль. Эти величины называются безразмерными и остаются такими в любой системе единиц. К таким величинам относятся, например, коэффициент полезного действия, число Рейнольдса, диэлектрическая проницаемость (относительная) и др. [c.23]

Кристалл Пьезоэлектрический модуль, 10-12 к/н Диэлектрическая проницаемость (относительная) [c.216]

Кристалл Плотность, кг/мз Упругая податливость Зу, 10 1 мУн Пьезоэлектрический модуль, 10" к/к Диэлектрическая проницаемость (относительная) [c.217]

Диэлектрическая проницаемость (относительная) 1,000 57 [c.179]

Диэлектрическая проницаемость (относительная) на частоте 10 Гц и температуре 20 °С................5 [c.213]

Диэлектрическая проницаемость (относительная) на частоте 10 Гц и температуре [c.215]

Диэлектрическая проницаемость (относительная) при [c.225]

Потенциал, векторный Поток, магнитный Потокосцепление Проводимость, магнитная Проводимость, удельная электрическая Проводимость, электрическая проводимость электрической цепи, активная Проводимость электрической цепи, комплексная Проводимость электрической цепи, полная Проводимость электрической цепи, реактивная Проницаемость, абсолютная, диэлектрическая Проницаемость абсолютная, магнитная Проницаемость диэлектрическая проницаемость, относительная, диэлектрическая Проницаемость, магнитная проницаемость, относительная, магнитная [c.213]

Какую площадь должны иметь пластины плоского конденсатора, для того чтобы его электроемкость была равна 1 мкФ, если между пластинами помещается слой слюды толщиной 0,1 мм Относительная диэлектрическая проницаемость слюды ч = 7. [c.211]

Понятие абсолютной диэлектрической проницаемости используется обычно в электротехнической литературе. В физической учебной и научной литературе, как правило, пользуются сочетанием Ео, где е — относительная диэлектрическая проницаемость, Ео — электрическая постоянная. [c.112]

При современном определении электрической постоянной (ео = йоС ) понятие точности не лишено смысла, так как магнитная постоянная может быть определена с любым числом знаков, а значение скорости света с стандартизовано. Поэтому электрическая постоянная может быть выражена с любой точностью (в скобках указывается допустимая погрешность в данных конкретных условиях), в Относительная диэлектрическая проницаемость — величина, равная отношению абсолютной диэлектрической проницаемости к электрической постоянной [c.113]

К электрическим параметрам диэлектриков относится диэлектрическая проницаемость, характеризующая способность материала создавать электрическую емкость. В СИ различают относительную диэлектрическую проницаемость 8г (прежде е), величину безразмерную, и абсолютную диэлектрическую проницаемость влво, Ф/м (ео — электрическая постоянная, по старой терминологии — диэлектрическая проницаемость вакуума, равная 8,854-Ю- Ф/м). [c.543]

Фактор спектроскопического расщепления g Ширина линии ферромагнитного резонанса АН, кА/м Относительная начальная магнитная проницаемость Диэлектрическая проницаемость а = е — ie" [c.709]

Диэлектрическую проницаемость испытуемого материала вычисляют, предварительно измерив емкость образца Ср в эквивалентной параллельной или в эквивалентной последовательной схеме. Обычно находят е — относительную диэлектрическую проницаемость (по отношению к электрической постоянной е,, 8,854 X Ф/м). В дальнейшем е для краткости будем именовать диэлектрической проницаемостью. [c.49]

Относительную диэлектрическую проницаемость материала определяют как отношение емкости конденсатора, в котором пространство между электродами заполнено испытуемым диэлектрическим материалом, к емкости Со при таким же образом расположенных электродах в вакууме (воздухе) [c.90]

Относительная погрешность вычисленного значения диэлектрической проницаемости должна быть не более 4%, тангенса угла диэлектрических потерь — не более 7%. [c.91]

Зависимость е от давления. Как правило, г линейных диэлектриков при увеличении действующего на диэлектрик давления р возрастает, так как при всестороннем сжатии растет плотность и, следовательно, число способных поляризоваться молекул в единице объема вещества. Поэтому относительное увеличение при повышении давления р на единицу давления (барический коэффициент) диэлектрической проницаемости [c.95]

Диэлектрическая восприимчивость определяет практически важный параметр диэлектриков — относительную диэлектрическую проницаемость. Связь между ними определяется формулой [c.30]

Керамика данного типа Б отличается высокой диэлектрической проницаемостью (е >> 900), но вместе с тем н относительно большими потерями, достигающими значения tg6 = 5-10 при частоте 1000 гц. При изменении температуры диэлектрическая проницаемость е изменяется не по линейному закону, как у высокочастотной керамики, а большею частью по кривой с максимумом поэтому температурную зависимость е оценивают не величиной ТКе, а коэффициентом температурной стабильрюстн Рт = Абт/взо, где Де,. —наибольшее изменение диэлектрической проницаемости относительно значения е,,з при 20°С, наблюдаемое в рабочем интервале (—40) ч- (+85)° С при слабых переменных полях (табл. 10.3). Диэлектрическая проницае- [c.147]

Если объект контроля выполнен из полунроводящего материала (о л 0)8 , где Еа = — абсолютная диэлектрическая проницаемость — относительная диэлектрическая проницаемость Е(, — диэлектрическая постоянная), то в уравнениях (8) и (9) = [c.90]

При этом решения уравнения (П.III.13) соответствуют слабозатухающим колебаниям тогда, когда антиэрмитовская часть диэлектрической проницаемости относительно мала. Соответственно этому частота о) (Л ) (чисто действительная) собственных колебаний электромагнитного поля определяется уравнением (П,III.13), в котором удерживается лишь эрлштовская часть диэлектрической проницаемости. [c.316]

Для силовых трансформаторов большой интерес представляет жидкость негорючая, как совтол, но неполярная или слабо полярная, поскольку такой диэлектрик менее чувствителен к загрязнениям и отличается меньшим tg б, большим р и лучшей стабильностью электрических параметров. В последние годы разработана трансформаторная жидкость гексол, представляющая собой смесь гексахлор-бутадиена в количестве 80% и совола в количестве 20%. Гексахлорбутадиен — неполярная жидкость, поэтому гек-сол является жидкостью слабо полярной, что видно по невысокому значению диэлектрической проницаемости. Относительная диэлектрическая проницаемость хлорированных дифенилов 4,1—4,5 гексахлорбутадиена — 2,3 гек-сола — 2,7. [c.103]

Кристалл Плот- ность, пг/м Упругая податливость, 10 -1 мУн Пье.эоэлектрический модуль, 10" к/н Диэлектрическая проницаемость (относительная) Лите- ратура [c.219]

Химическая стойкость, теплостойкость, диэлектрическая проницаемость определяются химической структурой фторорга-ническнх соединений. Такие свойства, как относительное удлинение при разрыве, плотность материала и, наконец, паро- и газопроницаемость, в значительной степени зависят от технологии обработки. [c.429]

Относительное удлинение при разрыве Модуль упругости при и.згибе. . . Диэлектрическая проницаемость е Электрическая прочность пр. . . . [c.355]

Относительное удлинение при разрыве 5 Л одуль упругости при растяжении. . . Диэлектрическая проницаемость е. . . Электрическая прочность. ............ [c.356]

Поскольку величины скоростей по лучу и нормали определяются длинами полуосей сечения эллипсоида, ориентированного перпендикулярно соответственно направлениям луча S и нормали Л/, то очевидно, что оптические оси есть направления, перпендикулярные сечениям с одинаковыми длинами полуосей, т. е. круговым сечениям. Из стереометрии известно, что любой эллипсоид в общем случае имеет два круговых сечения, расположенных симметрично относительно его главных осей. На рис. 10.8 показаны эти сечения, которые направлены перпендикулярно осям Ofii и Следовательно, в общем случае кристаллы могут быть двуосными. В частности, при равенстве двух из трех главных значений диэлектрической проницаемости (например, = е, е ) оптическая индикатриса превращается в эллипсоид вращения и кристалл становится [c.256]

Выводы и расчеты проводятся в рационализированной международной системе единиц. В этой системе е = Eqe, Вд 8,85430-ф м — диэлектрическая проницаемость вакуума, е — диэлектрическая проницаемость среды относительно вакуума. Аналогично, р = 1qH. = 4it-10 " гн1м. — магнитная проницаемость вакуума. Скорость электромагнитных воля ДЛЯ [c.19]

Поскольку поляризуемость Р сегнетоэлектриков зависит от внешнего поля Е нелинейно, определить диэлектрическую проницаемость таких материалов нельзя так просто, как это было сделано выше для несегнетоэлектриков. В этом случае е сама является функцией напряженности поля. Поэтому для сегнетоэлектриков вводится понятие дифференциальной относительной ди- [c.300]

Уравнение (17.15) является уравнением второй степени относительно Если задать паправ.ление N. то из уравнения (17.15) можно найти нормальную скорость и. Например, положим Nx= i, Му = Мг = 0, т. е. волна р ас-пространяется вдоль оси х, тогда из (17.14) имеем 01 = ау 02= аг. Знак минус означает распространение воли в отрицательном направлении оси х. Следовательно, в положительном направлении оси х распространяются две волны с различными скоростями. Таким образом, в общем случае каждому направлению распространения волны в кристалле, задаваемому вектором N, соответствуют два значения фазовой скорости, величины которых меняются в зависимости от направления. В соответствии с выбором соотнощения между главными диэлектрическими проницаемостями можно показать, что для любого направления [c.44]

Так как абсолютная диэлектрическая проницаемость и электрическая постоянная имеют одинаковые размерность и единицу, то относительная диэлектрическая проницаемость — величина безразмерная и выражается в безразмерных едишцах. [c.113]

Определение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при частотах свыше 100 Гц имеет особенности, связанные с ростом влияния краевых эффектов, емкостью образца относительно земли, индуктивностью и емкостью подводящих проводов. Большое значение приобретают также собственные начальные параметры измерительных схем. Для исключения влияния этих факторов при измерениях используют специальные ячейки, методы измерения с двойным, а иногда и с тройным уравновешиванием мостовых измерителей. Могут быть использованы трехэлек тродные ячейки, но поскольку на частоте 1000 Гц и выше охранные электроды на образцах уже не дают требуемого эффекта, то преимущественно применяют ячейки с системой двух электродов, а также двухэлектродные ячейки с дополнительным подвижным электродом. В ряде случаев для измерения применяются бесконтактные системы. [c.62]

В те.хнике при анализе способности материалов к поляризации чаще используют другой безразмерный параметр - относительную диэлектрическую проницаемость [c.86]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...