Точечные дефекты междоузельные атомы

При пластической деформации также возрастает концентрация точечных дефектов — вакансий и междоузельных атомов и дефектов упаковки решетки. Неравновесная концентрация образовавшихся вакансий С приближенно может быть оценена по соотношению [c.510]

В реальных кристаллах всегда имеются примеси чужеродных атомов. При наличии точечных дефектов (вакансий и междоузельных атомов) возможно образование комплексов дефект — примесь. Естественно, что образование таких комплексов определяется как концентрацией примеси, так и концентрацией дефектов. В условиях термического равновесия концентрацию таких комплексов можно определить таким же методом, каким мы пользовались при рас- [c.92]

Во всех реальных кристаллах одновременно содержатся и дислокации и точечные дефекты. Между ними всегда есть некоторое взаимодействие. Дело в том, что даже вокруг простейших дефектов — вакансии и междоузельного атома — существуют поля упругих напряжений. Ясно, что междоузельный атом является сильным центром отталкивания и вызывает в решетке напряжение сжатия. Вакансия обычно, наоборот, стремится стянуть решетку вокруг себя и, следовательно, является относительно сильным центром растяжения. Области сжатия и растяжения, как мы видели, существуют и вокруг краевых дислокаций. Поэтому между дислокациями, имеющими краевую компоненту, и точечными дефектами возникает упругое взаимодействие. Междоузельные атомы и вакансии притягиваются к дислокации. В области растяже- ния возникает повышенная концентрация междоузельных атомов и пониженная концентрация вакансий, а в области сжатия —наоборот (рис. 3.26). [c.108]

Чрезвычайно важным результатом взаимодействия физических точечных дефектов (т. е, вакансий и междоузельных атомов) с дислокациями является их аннигиляция на дислокации. Механизм такого явления можно понять из рис. 3.27, где изображена краевая дислокация, переходящая из одной плоскости скольжения в другую, расположенную выше на одно межатомное расстояние. Такой переход называют ступенькой. Если к точке А подходит вакансия, то ступенька смещается в положение В, а сама вакансия [c.110]

С ростом напряжений а > <т скачала возникают изолированные дефекты типа вакансий и междоузельных атомов, которые при (Т > объединяются в кластеры и формируют более сложные образования. При этом характерно иерархическое поведение дефектов так, точечные распределяются в соответствии с поведением линейных и поверхностных, линейные могут формировать границы раздела и т.д. На форме термодинамического потенциала это отражается в наличии минимумов [c.280]

При решении вопроса о природе / -центров учитывались следующие данные. Во-первых, окрашенный щелочно-галоидный кристалл должен содержать нестехиометрический избыток ионов металла, поскольку окраска может происходить в парах щелочного металла. Очевидно, при электролитическом окрашивании тоже должен образоваться избыток ионов металла (свойства / -центров одинаковы в обоих случаях), однако лишь в результате дополнительных исследований можно установить, как это происходит. Во-вторых, избыток ионов металла в щелочно-галоидном кристалле может возникнуть только за счет такого изменения концентрации точечных дефектов, когда концентрация анионных вакансий п. будет превышать концентрацию катионных вакансий (в этих кристаллах междоузельные ионы практически отсутствуют [76]). В-третьих, для сохранения электронейтральности кристалла необходимо, чтобы в процессе окрашивания в кристалл поступали (из катода при электролитическом окрашивании или вместе с атомами металла при окрашивании в парах металла) электроны, концентрация которых определяется соотношением [c.132]

Вакансии и междоузельные атомы появляются в кристалле при любой температуре выше абсолютного нуля из-за тепловых колебаний атомов (тепловые или равновесные дефекты). В результате облучения или других внешних воздействий могут возникать неравновесные точечные дефекты. [c.35]

Образование междоузельного атома в плотноупакованных структурах требует значительно больше энергии, чем образование вакансии, поэтому в металлах основными точечными дефектами являются вакансии. [c.35]

ИЛИ, наоборот, при присоединении атомов к этой кромке дислокация перемещается перпендикулярно плоскости скольжения на новый горизонт. При этом дислокация переползает на новый горизонт не целиком, а по частям. Скольжение дислокации не вызывает локального изменения объема или плотности кристалла и поэтому называется консервативным движением. Переползание - это неконсервативное движение, связанное с неупругим изменением плотности кристалла вдоль линии дислокации, так как наращивание или растворение атомных рядов на краю экстраплоскости сопровождается образованием или исчезновением вакансий и междоузельных атомов, т.е. изменением числа точечных дефектов в кристалле. [c.148]

Вакансии п междоузельные атомы. Это точечные дефекты, которые связаны с отсутствием иона (или наличием лишнего иона). Такие дефекты полностью ответственны за наблюдаемую электропроводность ионных кристаллов и могут существенно изменить их оптические свойства (в частности, цвет). Более того, наличие таких дефектов при термодинамическом равновесии представляет собой нормальное явление, т. е. они внутренне присущи реальным кристаллам. [c.233]

Легче всего наглядно представить себе такие точечные дефекты, как отсутствующие ионы (вакансии), избыточные (междоузельные) ионы или же ионы другого типа (примеси замещения). Не столь очевиден случай, когда ион в идеальном кристалле отличается от своих соседей только возбуждением электронного состояния. Такой дефект называется экситоном Френкеля. Поскольку в возбужденном состоянии может находиться любой ион, а между внешними электронными оболочками ионов имеется сильное взаимодействие, энергия возбуждения может в реальной ситуации передаваться от одного иона к другому. Следовательно, перемещение экситона Френкеля по кристаллу не связано с изменением положения ионов, поэтому он (как и полярон) имеет гораздо большую подвижность, чем вакансии, междоузельные атомы и примеси замещения. В большинстве задач вообще не имеет смысла считать экситон локализованным. При более строгом описании электронную структуру кристалла, содержащего экситон, представляют как суперпозицию квантовомеханических состояний, в которой возбуждение с равной вероятностью может быть отнесено к любому иону в кристалле. Последний подход связан с представлением [c.244]

Междоузельные атомы II 233, 236. См также Дефекты в кристаллах Международные обозначения кристаллографических точечных групп I 131, 132 Межзонные переходы I 221 [c.401]

На рис. 1.1, (5 показан основной вакансионный механизм диффузии в замещенном состоянии, когда атом растворенного вещества перемещается из одного узла решетки, в котором он замещает атом растворителя, в ближайший соседний узел. Этот механизм представляет собой диффузию по точечным дефектам в том смысле, что для его реализации необходимо наличие вакансии, т. е. вакантного места в решетке, по соседству с диффундирующим атомом. Таким образом, диффузия происходит путем взаимного обмена местоположениями между дефектом решетки и диффундирующим атомом. В условиях теплового равновесия даже в наилучших из выращиваемых кристаллов имеются равновесные почечные дефекты - вакансии или междоузельные атомы либо те и другие одновременно. [c.12]

Обратимся теперь к установлению роли ионизованных уровней точечных дефектов в явлении диффузии. Вакансии (и, вероятно, междоузельные атомы) имеют ионизованные уровни в запрещенной зоне кремния, и поэтому при любой температуре в состоянии теплового равновесия в решетке присутствуют все виды дефектов в концентрациях, зависящих от положения уровня Ферми Ер). [c.20]

В настоящее время точно установлено, что при типичных условиях термического окисления кремния наблюдается ускоренная диффузия всех обычно используемых для легирования примесей, таких, как В, Р это так называемая диффузия, ускоренная окислением (ДУО) [1.29 - 1.31]. И то же время, при определенных условиях, окисление приводит к росту окислительных дефектов упаковки (ОДУ) [1.31 - 1.33]. Учитывая то, что, как было выяснено, ОДУ обусловлены междоузельными атомами и неустойчивы в кремнии, т. е. исчезают при отжиге в инертных средах, их рост подтверждает гипотезу относительно увеличения концентрации собствен-MI.IX междоузельных точечных дефектов в кремнии при окислении. [c.37]

Термическое окисление при высоких температурах может привести к генерации дефектов кристаллической решетки кремниевой подложки. Методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) было установлено, что эти дефекты представляют собой несобственные дефекты упаковки, ограниченные частичными франковскими дислокациями типа 1/3 <111>, лежащими в плоскостях <111). Вследствие неподвижности дислокаций рост ОДУ должен происходить с помощью механизма, включающего либо эмиссию вакансий либо поглощение междоузельных атомов. Нарушение равновесной концентрации точечных дефектов обусловливает поведение окислительных дефектов. [c.90]

В литературе было предложено несколько моделей для количественного описания влияния точечных дефектов на поведение ОДУ, в которых учитывалось большое число различных параметров, таких, как зависимость от времени, температуры, парциального давления кислорода, состава окисляющей среды (например, содержания хлора или паров воды), ориентации подложки, давления (скажем, при окислении в условиях высокого давления) и явлений рассасывания ОДУ [3.76 3.80]. Хотя большинство этих моделей в целом неплохо описывают экспериментальные данные, тем не менее они базируются на эмпирических закономерностях, а не на микроскопическом анализе поведения дефектов. Проведение такого анализа слишком затруднено вследствие наличия взаимосвязи между различными параметрами процесса и сильного влияния еще недостаточно хорошо определенных параметров самого материала. Как упоминалось выше, существует сильная взаимосвязь между поведением ОДУ и явлениями ДУО и ДЗО. Этой взаимосвязи посвящен обзор [3.81], в котором указывается, что рост ОДУ и диффузия обусловливаются одними и теми же точечными дефектами. В литературе до сих пор отсутствует единое мнение относительно того, какие именно природные точечные дефекты - вакансии или междоузельные атомы — преобладают в кремнии (см. например, [3.75] и [3.81]). [c.94]

Диффузия примесных атомов коррелировала с концентрацией точечных дефектов независимо от того, по какому механизму - междоузельному или вакансионному — диффундируют атомы (см, например, гл. 1 настоящей книги), Поэтому коэффициент диффузии может быть выше термически равновесного значения. Поскольку точечные дефекты обусловливают более высокий коэффициент диффузии, чем атомы примеси, то увеличение коэффициента диффузии последних можно полагать постоянным. Второй закон Фика для случаев диффузии во время имплантации можно записать в виде Э"С [c.132]

Диффузия, ускоренная окислением (ДУО). Несколькими авторами [7.23, 7.24] наблюдалось ускорение диффузии бора и фосфора при окислении кремниевой поверхности. Затем такой же эффект наблюдался и для мышьяка [7.25]. Ускорение диффузии окислением приписывалось в основном увеличению количества точечных дефектов в кремнии вследствие окисления. По-видимому наиболее приемлемая модель была предложена в [7.26], а затем развита в [7.24] и [7.27]. Эта модель связывает ДУО с ростом окислительных дефектов упаковки. Наличие как вакансий, так и междоузельных атомов вызывает двойственный механизм диффузии примесей в кремнии. Избыток междоузельных атомов кремния, как принято в модели, и приводит к ускорению диффузии. Таким образом, согласно модели, в процессе окисления коэффициент диффузии междоузельной компоненты примеси увеличивается, приводя к ДУО, в то время как усиленная междоузельная преципитация ведет к росту дефектов упаковки. [c.208]

Точечные дефекты в кристаллах могут быть как электрически неактивными, так и электрически активными. В частности, вакансии и междоузельные атомы в полупроводниках могут находиться как в электрически неактивном, так и в электрически активном состоянии (одно- и многозарядном). Рассмотрим, например, процесс образования электрически активной вакансии. При образовании вакансий в ковалентном кристалле возникают оборванные связи. Перераспределение ковалентных связей у атомов, окружающих вакансию, схематически показано на рис. 3.2. Можно предположить, что неспаренный электрон атома Е взаимодействует с неспаренными электронами атомов В и В. В результате один валентный электрон осуществляет связь не между двумя, а между тремя атомами. Такая связь оказывается нестабильной и может вести себя как акцепторная. Процесс ионизации вакансии при этом описывается схемой Уд Уд +/г+. Аналогично для процесса ионизации междоузельного атома — А А +. [c.90]

Таким образом, в элементарных полупроводниках, не содержащих примесей, могут существовать четыре вида простых точечных дефектов, а именно электрически неактивные вакансии и междоузельные атомы основного вещества, заряженные вакансии и междоузельные атомы основного вещества. [c.90]

Тепловые колебания атомов. Любой кристалл, даже самый совершенный, можно представить идеальным (бездефектным) только при абсолютном нуле температуры. При Г > О К тепловое движение атомов приводит к возникновению точечных дефектов — вакансий, междоузельных атомов, дефектов Френкеля и т.д. При любой отличной от нуля температуре имеется некоторая равновесная концентрация дефектов, при которой полная энергия кристалла G = Н — TS минимальна (здесь G — потенциал Гиббса, Н — внутренняя энергия или энтальпия, 5 — энтропия). Действительно, рассмотрим, например, образование вакансий в идеальном кристалле при Т > 0. Пусть кристалл содержит N узлов в единице объема, в каждом из которых при О К расположен атом, и потенциал Гиббса системы в этом состоянии равен Gq. Пусть при повышении температуры за счет тепловых флуктуаций возникает Л д дефектов Шоттки в единице объема кристалла и теперь N атомов и Л д вакансий размещается по (Л + Л д) узлам. Образование Л д вакансий вызывает повышение G на [c.92]

Кроме того, дислокации определяют концентрацию точечных дефектов в полупроводниковых монокристаллах, так как являются их источником и стоком . Области увеличенных межатомных расстояний являются потенциальными стоками междоузельных атомов и источниками вакансий в кристалле, а области сжатых межатомных расстояний — наоборот (см. п. 3). Точечные дефекты появляются также и при пересечении отдельно движущихся дислокаций, и при аннигиляции дислокаций, движущихся в параллельных плоскостях скольжения. [c.110]

Точечные вакансии, междоузельные атомы основного вещества, примесные атомы в узлах и междоузлиях, антиструктурные дефекты, комплексы из простых точечных дефектов. [c.87]

В бинарных кристаллах, например простейших типа АВ, дефекты по Френкелю и дефекты по Шотткй могут возникать как в подрешетке А, так и в подрешетке В. При этом возможно образование следующих типов точечных дефектов 1) вакансии в подрешетке Л 2) вакансии в подрешетке Б 3) парные дефекты (вакансия и междоузельный атом) в подрешетке А 4) парнке дефекты в подрешетке В 5) атомы подрешетки А, попавшие в междоузлия подрешетки В 6) атомы подрешетки В, внедренные в междоузлия подрешетки Л 7) атомы подрешетки Л, попавшие в вакансии подрешетки В 8) атомы подрешетки В, занимающие вакансии подрешетки Л. [c.93]

В кристаллах могут существовать и такие линейные дефекты, как ifeno4KH вакансий или междоузельных атомов. Ясно, что контур Бюргерса, проведенный вокруг области, содержащей такую цепочку точечных дефектов, не отличается от соответствующего контура Бюргерса, проведенного вокруг бездефектной области. Другими словами, для цепочки точечных дефектов вектор Бюргерса равен нулю и отличен от нуля только для дислокаций. [c.101]

Авторы [9,28] отдают предпочтение полигонизационному механизму образования ячеистой структуры, согласно которому существенную роль в формировании дислокационных ячеек играют процессы переползания краевых компонент дислокаций. Этот процесс, как известно, является самым медленным звеном полигонизации, поскольку требует переноса массы за счет диффузии точечных дефектов [9]. Избыточная концентрация точечных дефектов в деформируемом кристалле обусловлена возникновением, движением и взаимодействием дислокаций в процессе деформации, поскольку каждая дислокация, пересекаясь с дислокациями леса высокой плотности, приобретает значительное число порогов, способных порождать при дальнейшем перемещении вакансии и междоузельные атомы. В работе [9] особо подчеркивается качественно различный характер ячеистой структуры, возникающей на ранних и конечных стадиях деформации, причем это различие проявляется как в механизме образования дислокационных ячеек, так и механизме передачи пластической деформации через границы ячеистой структуры. На ранних стадиях деформации границы ячеек представляют собой клубки, сплетения, вытянутые вдоль плоскостей скольжения и в направлении скольжения. При дальнейшей пластической деформации формируется разориентированная ячеистая структу- [c.123]

Типы и концентрация устойчивых Р. д. определяются как условиями облучения, так и свойствами самих твёрдых тел. При этом для лёгких частиц и фотонов не слишком высоких анергий наиб, характерно образование устойчивых точечных дефектов (изолиров. вакансии или междоузельные атомы, дивакансии, комплексы компонентов пары Френкеля с примесными атомами и т. п.). При облучении нейтронами устойчивый кластер представляет собой дпваканспонное ядро, окружённое примесно-дефектными комплексами. При ионной бомбардировке плотность точечных дефектов в кластере больше, чем при нейтронной, и она тем выше, чем больше масса иона. При этом важную роль в формировании устойчивых кластеров играет процесс пространственного разделения вакансий п междоузельных атомов, предшествующий стадии квазихим. реакций. В силу этого устойчивые кластеры, возникающие при ионной бомбардировке, имеют более сложную структуру II состоят из вакансионных комплексов с разл. числом вакансий, примесно-дефектных комплексов, а также атомов внедрённой примеси. При облучении кристаллов тяжёлыми ионами устойчивые кластеры представляют собой локальные аморфные области. [c.204]

Речь пойдет о континуальной модели таких явлений, как вакансии, примесные частицы или междоузельные атомы в кристаллической решетке. В случае дислокации рассматривались разрез в неодносвязном теле, смещение берегов и последующее восстановление сплошности тела. Для точечного дефекта аналогичная операция состоит в следующем [c.274]

Наконец, на атомарно-чистых поверхностях, как и в объеме кристалла, могут существовать "нуль-мерные" собственные ПЭС, обусловленные локальными нарушениями периодичности потенцшша в поверхностном слое из-за присутствия точечных дефектов — вакансий, междоузельных атомов, деформированных структурных элементов и т.п. Волновые функции таких состояний локализованы непосредственно на дефекте и убывают при удалении от него в любую сторону. [c.80]

Например, по оценке Петроффа и Хартмана [30], в типичном ДТЛ имеется 40 диполей, средняя длина и ширина которых составляет соответственно 10 и 0,2 мкм. Если диполи возникают только в результате переползания и образованы чисто краевыми дислокациями, то количество точечных дефектов (эквивалентных вакансиям или междоузельным атомам) Nv, необходимых для его образования, будет равно общему объему диполей, деленному на атомный объем. Радиус атома принят равным [c.333]

Ко времени написания данной главы, как показано в разд. 1.4, сушеству- ()т веские основания полагать, что вакансии и междоузельные атомы являются равновесными точечными дефектами в кристаллическом кремнии и что два механизма диффузии, а именно вакансионный и междоузельный с смещением, ответственны за миграцию атомов, находящихся в узлах решетки. Несмотря на это, в первой части нашего обсуждения мы примем классическую точку зрения, состоящую в том, что вакансии являются доминирующими точечными дефектами. Это делается исключительно в интересах простоты изложения, так как выводы, сделанные здесь для вакан-сионного механизма, в действительности справедливы для любых механизмов диффузии, в том числе и для механизма диффузии по междоузлиям с замещением. [c.13]

Можно ожидать, что механизмы медленной диффузии примесей аналогичны механизму само диффузии в кремнии, который классически считался вакансионным. Такое предположение в своей основе является экстраполяцией на полупроводники наблюдений точечных дефектов и собственных междоузельных атомов в металлах, где вакансии, как это надежно установлено, являются равновесными точечными дефектами. Тем не менее, вследствие исключительно малой концентрации равновесных точечных дефектов в кремнии (по оценкам порядка 10 см при температурах проведения диффузии) нет прямых доказательств того, что вакансии действительно являются равновесным типом дефектов в кремнии. Решающий эксперимент, в котором точно измеряется изменение постоянной решетки кремния Таблица 1.1. Предэкспоненциальный мнохштель и энергия активации для [c.14]

В [1.8] было отмечено, что столь большое значение энтропии указывает на то, что в элементарном диффузионном акте участвует более одного или двух атомов. Это обстоятельство привело исследователей к разработке модели протяженного дефекта , в которой предполагается, что наличие вакансии или междоузельного атома приводит к деформации решетки, простирающейся на несколько межатомных расстояний от точечного дефекта. Образованию такого протяженного дефекта, естественно, соответствует большее значение энтропии, чем образованию локализованного точечного, но, если ему соответствует и более высокая энтальпия образова1Шя, то такое образование может, в действительности, иметь меньшую свободную [c.19]

В настоящее время насущной необходимостью является разработка моделей генерации, рекомбинации и диффузии точечных дефектов в объеме (вакансий и междоузельных атомов), поскольку ясно, что локальные концентрации этих дефекте , определяют локальные коэффициенты диффузии, скорости окисления и т. д. Фактически альтернативной постановкой проблемы, с которой мы сталкиваемся при моделировании двумерных процессов, является необходимость разработки методов вьиисления локальных (т. е. зависящих от времени и координат) параметров процессов, пригодных для использования в моделировании. [c.46]

В структуре поликремний—кремний для ускорения диффузии междоузельные атомы кремния, генерируемые вблизи окисленной поверхности, должны проникнуть из поликремниевого слоя в кремний. Однако концентрация междоузельных атомов в объемном кремнии определяется расстояниями, на которых начинается взаимодействие этих атомов с дефектами в поликремниевом слое. Таким образом, для определения глубин переходов, образующихся в объеме при формировании заглубленных контактов и поликремниевых эмиттеров, необходимо рассматривать кинетику точечных дефектов в структуре с поликремнием. В этом параграфе описана модель, учитьтающая эффект ДУО в таких структурах. [c.243]

Образование точечных дефектов всех типов требует затраты энергии. Энергия образования одной вакансии или междоузельного атома, как правило, имеет порядок нескольких электронвольт, но энергия образования междоузельного атома немного (в 1.5-2 раза) больще, чем энергия образования вакансии. Эта энергия тратится на разрыв связей при образовании точечного дефекта и на искажение рещетки вокруг дефекта, вызванное смещением атомов из равновесных положений. Рассматривая кристалл как сплошную упругую среду, можно показать, что упругие напряжения вокруг точечного дефекта убывают пропорционально 1/г , где г — расстояние от дефекта. Энергия образования точечного дефекта [c.90]

Особенностью соединений является также образование точечных дефектов при отклонении состава от стехиометрического в области гомогенности (см. гл. 4). Отклонение от стехиометрии приводит к образованию вакансий в большинстве полупроводников (образуются твердые растворы вычитания), но могут образовываться и междоузельные атомы. Например, в GaAs избыток Ga создает вакансии As, а избыток As приводит к появлению вакансий Ga и, кроме того, междоузельных атомов As. Однако в этом случае вакансию и междоузельный атом нельзя объединить в один парный дефект, поскольку вакансия Ga и междоузельный атом As не могут аннигилировать. [c.91]

Перечисление примесных дефектов в полупроводниках не будет полным, если не упомянуть о возможности комплексообразования. В разделе, посвященном собственным точечным дефектам, уже упоминалось о простых комплексах (это дефекты Френкеля, дивакансии и т.д.). Подобные комплексы могут образовываться и примесными атомами. Так, в GaAs и GaSb, легированных литием (см. выще), образуются комплексы вакансий с междоузельными атомами лития [Ы+У г], ведущие себя в процессах рассеяния носителей заряда иначе, чем дефекты Li+ и При значительных концентрациях Li в GaAs возникают комплексы типа [Li LIq ], которые ведут себя как однократно заряженные акцепторы. При сильном легировании арсенида галлия Se или Те могут образовываться комплексы или преципитаты, которые влияют на квантовый выход излучения и характер люминесценции. На электрические свойства кремния значительное влияние оказывает комплексообразование между междоузельным примесным кислородом и атомами основного вещества (см. выще). Образование комплексов из простых доноров, приводящих к появлению глубоких уровней в запрещенной зоне, проявляется в появлении сильных избыточных токов в туннельных диодах из Ge при их легировании фосфором или сурьмой. [c.137]

Точечные дефекты (вакансии, междоузельные атомы, комплексы вакансий, антиструктурные дефекты) образуются в кристаллах в равновесных концентрациях в тех случаях, когда условия роста не сильно отличаются от равновесных. В то же время при выращивании кристаллов в неравновесных условиях кристалл может захватывать точечные дефекты в неравновесных концентрациях. Поэтому для получения при [c.239]

Наиболее распространенным точечным дефектом в кристаллах являются вакансии. Уменьщенне концентрации вакансий происходит либо путем заполнения вакансий диффундирующими к ним междоузельными атомами, которые переходят при этом в состояния с минимальной энергией либо путем диффузии вакансий к поверхности кристалла и аннигиляции на ней либо путем диффузии вакансий к дислокациям и аннигиляции на них. В первом приближении время, необходимое для уменьщения концентрации неравновесных вакансий в кристалле, можно оценить из соотнощения т где Ь — длина пути вакансии до [c.240]

ДЕФЕКТЫ кристаллической решётки (от лат. (1е ес1из — недостаток, изъян), любое отклонение от её идеального периодич. ат. строения. Д. могут быть либо атомарного масштаба, либо макроскопич. размеров. Образуются в процессе кристаллизации, под влиянием тепловых, механич. и электрич. воздействий, а также при облучении нейтронами, эл-нами, рентг. лучами, УФ излучением (см. Радиационные дефекты), при введении примесей и т. п. Различают точечные Д., линейные Д., Д.,образующие в кристалле поверхности, и объёмные Д. Простейшим точечным Д. явл. вакансия — узел крист, решётки, в к-ром отсутствует атом. В кристаллах могут присутствовать чужеродные атомы или ионы, замещая осн. ч-цы, образующие кристалл (примесные), или внедряясь между ними (междоузлия). Точечными Д. явл. также собств. атомы или ионы, сместившиеся из норм, положений (междоузельные атомы), а также центры окраски — комбинации вакансий с электронами проводимости или с дырками и др. В ионных кристаллах точечные Д. возникают парами. Две вакансии противоположного знака образуют т. н. дефект Шотки. Пара, состоящая из междоузельного иона и оставленной им вакансии, наз. дефектом Френкеля. [c.152]

ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ, дефекты крист, решётки, поглощающие свет в спектральной области, в к-рой собств. поглощение кристалла отсутствует (см. Спектроскопия кристаллов). Первоначально термин Ц. о. относился только к т. н. / -центрам (от нем. Farbenzentren), обнаруженным впервые в 30-х гг. в щёлочно-галоидных кристаллах нем. физ. Р. В. Полем с сотр. и представляющим собой анионные вакансии, захватившие электрон. В дальнейшем под Ц. о. стали понимать любые точечные дефекты крист, решётки, поглощающие свет вне области собств. поглощения кристалла — катионные и анионные вакансии, междоузельные ионы (собств. Ц. о.), а также примесные атомы и ионы (примесные Ц. о.). Ц. о. обнаруживаются во мн. неорганич. кристаллах и стёклах, а также в щ)иродных минералах. [c.845]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...