Атомы Сродство к электрону

Захват электронов с образованием тяжелых отрицательных ионов может осуществляться и другими атомами металлоидов, которые обладают довольно большим сродством к электрону (3...4 эВ). В дуговом разряде под флюсом из галогенов могут происходить, например, такие процессы [c.46]

За приближенное значение электроотрицательности атома обычно принимают среднее арифметическое первого ионизационного потенциала и энергии сродства к электрону [c.57]

Рассчитаем энергию связи как сумму энергии взаимодействия между всеми парами ионов (это значит, что мы ее определяем как разность энергии кристалла и изолированных ионов если ее отсчитывать от энергии изолированных нейтральных атомов, то нужно учесть дополнительно вклад энергии ионизации и сродства к электрону). [c.26]

Остановимся еще на одном аспекте теории энергии связи кристалла. Более последовательно ее определять как энергию разделения кристалла на нейтральные атомы (а не заряженные ионы). В этом случае следует приведенные величины дополнить вкладом энергии ионизации атомов металлов и энергии сродства к электрону атомов неметалла. Учет энергии ионизации (затрачиваемой на удаление из атома одного или нескольких электронов) и энергии сродства к электрону (выделяемой при присоединении электрона к атому) весьма важен при определении энергии связи и многих физических свойств твердых тел. Для иллюстрации типичных величин в табл. 2.7 приведены значения энергии ионизации первого электрона 1+ и энергии сродства к электрону для элементов первых трех периодов таблицы Менделеева. Соответствующие значения для остальных элементов, а также вторые ионизационные потенциалы можно найти в [2, 4]. [c.35]

Электронная конфигурация атомов Периодической таблицы, орбитальные радиусы внешних электронов, энергии ионизации, сродства к электрону [c.36]

Энергия, необходимая для удаления электрона из атома, называется энергией ионизации. Она является количественной мерой прочности связей самых внешних электронов с атомом, В результате ионизации атом становится ионом. При образовании внешней замкнутой оболочки присоединяется электрон к атому и происходит выделение энергии, называемой энергией сродства к электрону. Энергия сродства равна с обратным знаком энергии ионизации положительного [c.302]

В пределах каждого периода периодической системы элементов Менделеева при переходе от щелочного металла к благородному газу, относящемуся к тому же периоду, происходит постепенное заполнение внешней оболочки до тех пор, пока она не станет замкнутой. Поэтому с внешней оболочки могут быть удалены 2, 3 электрона и т.д. Энергия ионизации при этом растет. Это объясняется тем, что внешние электроны находятся у этих атомов в эффективном поле 2е, Ъе и т.д. Например, электроны внешней оболочки у лития, бериллия, бора и углерода находятся соответственно в эффективном поле заряда е, 1е, Ъе, 4е. Если же в пределах периода переходить от инертного газа к nie-лочному металлу того же периода, то можно говорить об увеличении числа недостающих до замкнутой оболочки электронов. С увеличением числа недостающих электронов энергия сродства к электрону убывает, что объясняется аналогично росту энергии ионизации при переходе к более тяжелым элементам в пределах одного и того же периода. [c.303]

ПОВЕРХНОСТНАЯ ИОНИЗАЦИЯ — образование ионов в процессе термин, десорбции частиц с поверхности твёрдого тела. Путём П. и. могут образовываться положительные и отрицат. ионы (последние, если частица обладает сродством к электрону) атомов, молекул, радикалов и ассоциатов (частиц, образующихся присоединением к молекуле атома или др, частицы), П. и.— термически равновесный процесс, испарившиеся частицы имеют больцмановское распределение по энергии с темп-рой Т распределения, равной темп-ре твёрдого тела. [c.645]

При столкновениях образуются также возбуждённые атомы, к-рые высвечиваются (УФ-излучение) за время 10 с. Энергия фотонов йоа почти всегда превосходит работу выхода электронов с поверхности катода, поэтому вырванные (с вероятностью 10 ) фотоэлектроны также движутся к аноду, усложняя картину разряда и образуя лавинные серии — последовательно затухающую цепочку импульсов, отстоящих друг от друга на время дрейфа электронов от катода к аноду. Фотоэлектронную эмиссию можно ослабить, если в состав газа кроме инертных (Ат, Кг, Хе) ввести многоатомные газы (СН С И , СО я т. д.), поглощающие УФ-излучение. Т. к. электроны поглощают газы и пары со сродством к электрону (О, НаО, галогены), то их в смеси П. с. должно быть мин. кол-во (концентрация О 10 см ). [c.147]

Ионная связь обусловлена электростатическим притяжением между противоположно заряженными ионами и образуется при сближении атомов, имеющих существенно различное сродство к электрону валентные электроны атома с меньшим сродством переходят к другому атому, а образовавшиеся при этом ионы притягиваются и дают ионное соединение. [c.17]

Вследствие того что скорости релаксации с различных колебательных уровней отличаются, уровень у = 2 обладает самой большой населенностью и на переходе (у = 2)-> (о = 1) образуется большая инверсия населенностей. Из рис. 6.35 видно, что на колебательные степени свободы приходится более 60 % энергии реакции. То, что вследствие химической реакции молекула HF оказывается в возбужденном состоянии, понять нетрудно. Рассмотрим реакцию, записываемую в виде (6.22). В силу большого сродства к электрону атома F взаимодействие F—Нг на больших расстояниях характеризуется сильным притяжением, что приводит к значительной поляризации распределения заряда в молекуле Нг. Из-за малой инерционности электрона связь [c.398]

Сродством к электрону х называется энергия, выделяемая при образовании отрицательного иона нз нейтрального атома и электрона, т. е. отвечающая процессу А + е = А . Прн этом предполагается, что до образования отрицательного иона нейтральный атом находился в состоянии с наименьшей энергией. Сродство к электрону с обратным знаком представляет собой потенциал ионизации, т. е. энергию, необходимую для отрыва электрона от отрицательного иона с образованием нейтрального атома (молекулы). [c.423]

Перед инертными газами располагаются галогены (элементы VII группы периодической системы со значением первого ионизационного потенциала от 10 до 18 эВ) —F, С1, Вг, J, у которых не хватает одного электрона для образования устойчивых электронных оболочек ближайших к ним атомов инертных газов, поэтому они легко присоединяют к себе электрон, образуя соответствующие отрицательные ионы — анионы F , С1 , Вг- J-. Энергию Э, освобождаюш,уюся при присоединении электрона к нейтральному невозбужденному атому с образованием аниона, называют энергией сродства атома к электрону. Наибольшим сродством к электрону обладают атомы галоидов F — 3,4 эВ, С1 — 3,6 эВ, Вг — 3,4 эВ, J — 3,1 эВ. С понятиями потенциала ионизации и энергии сродства к электрону тесно связана ионная валентность, определяемая как число электронов, которое может терять или приобретать атом. Щелочные металлы положительно одновалентны, поскольку они содержат на один электрон больше, чем атомы соответствующих ближайших инертных элементов, например ионная валентность атома Na равна -f 1. Атомы галоидов отрицательно одновалентны, у них не хватает одного электрона для образования устойчивой оболочки ближайших атомов инертных газов. Так, для атома С1 ионная валентность равна —1. Аналогично атомы II группы, теряя два электрона, могут также образовывать ионы с электронной структурой ближайших атомов инертных газов Be +, Mg-+, Са2+, Sf2+, и, следовательно, эти атомы обладают положительной валентностью, равной +2 атомы III группы, теряя три электрона, могут образовывать ионы с валентностью +3 и т. д. [c.57]

Но у химических соединений из-за различия природы взаимодействующих атомов гомеополярная связь не возникает. Всегда один из атомов будет обладать ббльщим сродством к электрону, вследствие чего электронная пара сместится в его сторону. Смещение льюисовской электронной пары (поляризация ковалентной связи) происходит в направлении более электроотрицательного атома. [c.97]

В этой же таблице приведены и величины электроотрицательности, характеризующей склонность атома притягивать обобществленные электроны, когда атом становится частью молекулы. Существует несколько шкал электроотрицательности. Например, согласно [8], электроотрицательность есть полусумма энергии ионизации и энергии сродства к электрону. Большое распространение получила шкала электроотрицательности по Полингу [9], построенная с учетом эмпирических данных об энергии связи различных элементов и привязанная к электроотрицательности атома F, принятой за максимальную (и равную 4). По Полингу, мерой электроотрицательности может служить разность энергий связи двухатомной гетероядерной молекулы и полусуммы энергии [c.35]

В заключение приведем оценку величины энергии ионной связи, которая, кстати, реализуется, если один из атомов имеет низкую энергию ионизации, а второй — высокую энергию сродства к электрону. Типичный пример — Na l. [c.37]

Сродство атомов к электрону и электроотрицательность. Энергия, выделяемая при образовании отрицательного иона, когда свободный электрон присоединяется к нейтральному атому, называется сродством к электрону и выражается либо в электроновольтах, либо в ккал1грамматом. [c.273]

Оси. характеристикой О. и. является энергия связи электрона и захватившего его атома, наз. энергией сродства к электрону и обозначаемая ЕА (ele tron affinity). ЕА значительно меньше потенциалов ионизации атомов (табл. 1). [c.514]

СЕЛЁН (Selenium), Se,— хим. элемент VI группы периодич. системы злемеитов, ат. номер 34, ат. масса 78,96. Природный С.— смесь 6 изотопов Se, Se— 5е, 8 Se и Se, в к-рой преобладает Se (49,7%), а меньше всего Se (0,9%). Конфигурация внеш. электронных оболочек атома is p. Энергии последоват. ионизации 9,752 21,2 32,0 42,9 и 68,3 эВ соответственно. Атомный радиус 0,16 нм, радиус ионов Se 0,069 нм, Se 0,163 нм. Значение электроотрицательности 2,48. Сродство к электрону 2,02 эВ. [c.485]

ХЛОР (лат. hlorum), l,—хим. элемент VII группы пе-риодич. системы элементов, ат. номер 17, ат. масса 35,453, относится к галогенам. Природный X. состоит из двух изотопов С1(75,77%) и С1(24,23%). Конфигуращ1Я внеш. электронных оболочек 3s p . Энергии последоват. ионизаций 13,0 23,80 39,91 53,46 67,8 эВ. Сродство к электрону 3,61—3,76 эВ (максимальное среди всех хим. элементов). Радиус атома С1 99 пм. радиус иона С1 181 пм. Значение электроотрицательности 3,0. [c.413]

ХРОМ (лат. hromium), Сг,—хим. элемент побочной подгруппы VI группы периодич. системы элементов, ат. номер 24, ат. масса 51,9961, переходный металл. В природе представлен 4 стабильными изотопами Сг (4,345%), Сг (83,789%), Сг (9,501%) и Сг (2 365%). Конфигурация внеш. электронных оболочек is p d As . Энергии последоват. ионизации 6,766 16,5 30,96 49,1 69,3 эВ. Сродство к электрону ок. 1,0 эВ. Радиус атома Сг 127 пм, радиусы ионов Сг , Сг и Сг равны соответственно 83, М и 35 пм. Значение электроотрицательности 1,6. Работа выхода электрона 4,48 эВ. [c.415]

Э. с. электрона в атомах и ионах определяется его взаимодействием с ядром и электронами атомного остатка (атомного остова). Э. с. электронов внеш. атомных оболочек систем, находящихся в основном состоянии, совпадает с энергией ионизации, а для избыточного электрона от-рицат. ионов характеризует сродство к электрону. Э. с, электронов внутр. оболочек растёт по мере приближеши оболочки к ядру, что связано с влиянием не скомпенсированного др. электронами атомной системы кулонов-ского поля ядра. Напр., Э. с. электронов разных оболочек нейтрального атома Mg, имеющего электронную конфигурацию l.T 2j 2p 3i , составляют (в эВ) 7,65 (35 — оболочка), 54(2 j), 92(2. ) и 1308(b). [c.614]

Рассмотрим теперь наиболее интересный класс эксимерных лазеров, в которых атом инертного газа (например, Аг, Кг, Хе) в возбужденном состоянии соединяется с атомом галогена (например, F, С1), что приводит к образованию эксимерагалоге-нидов инертных газов. В качестве конкретных примеров укажем ArF (Я, = 193 нм), KrF (А, = 248 нм), ХеС1 (А, =309 нм) и ХеР (А, = 351 нм), которые генерируют все в УФ-диапазоне. То, почему галогениды инертных газов легко образуются в возбужденном состоянии, становится ясным, если учесть, что в возбужденном состоянии атомы инертных газов становятся химически сходными с атомами щелочных металлов, которые, как известно, легко вступают в реакцию с галогенами. Эта аналогия указывает также на то, что в возбужденном состоянии связь имеет ионный характер в процессе образования связи возбужденный электрон переходит от атома инертного газа к атому галогена, Поэтому подобное связанное состояние также называют состоянием с переносом заряда, Рассмотрим теперь подробнее КгР-лазер, так как он представляет собой один из наиболее важных лазеров данной категории. На рис, 6.26 приведена диаграмма потенциальной энергии молекулы KrF, Верхний лазерный уровень является состоянием с переносом заряда и ионной связью, которое при R = oo отвечает состоянию положительного иона Кг и состоянию 5 отрицательного иона F. Поэтому энергия при R = оо равна потенциалу ионизации атома криптона минус сродство атома фтора к электрону. При больших межъядерных расстояниях кривая энергии подчиняется закону Кулона. Таким образом, потенциал взаимодействия между двумя ионами простирается на гораздо большее расстояние (5— ЮЛ), чем в случае, когда преобладает ковалентное взаимодействие (ср., например, с рис, 6.24), Нижнее состояние имеет ковалентную связь и при R = oo отвечает состоянию 5 атома криптона и состоянию атома фтора. Таким образом, в основном состоянии атомные состояния инертного газа и галогена меняются местами. В результате взаимодействия соответствующих орбиталей верхнее и нижнее состояния при малых межъядерных расстояниях расщепляются на состояния 2 и П. Генерация происходит на переходе поскольку он имеет наибольшее [c.383]

При изменении состава вещества может измениться и л -элект-ронное взаимодействие. Так, Дамаскин с сотр. [66] отмечает, что замещение атомов водорода в органических соединениях атомами фтора приводит к я-электронному истощению ароматического ядра за счет большого сродства атомов фтора к электронам. В результате я-электронное взаимодействие практически не сказывается при адсорбции на ртути молекул пентафторанилина, пента-фторбензойной кислоты и пентафторфенола. [c.135]

Дипольиая упругая поляризация. Многие молекулы обладают собственным электрическим моментом, т. е. поляризованы в отсутствие электрического поля, и представляют собой диполи. Простейшими диполями являются, например, несимметричные дву.х-атомные молекулы. Они образуются из атомов, обладающих разным сродством к электронам (разной электроотрицательностью), вследствие чего в них возникает постоянный электрический ди-польный момент. Например, в молекуле воды Н2О угол между связями водород — кислород равен не 180°, как в связи О-С-0, а 104°. Поэтому образуется электрический дипольный момент ро = = 1,85 Д. Несимметричное (пирамидальное) строение имеет также молекула аммиака МНз, ее электрический дипольный момент равен 1,46 Д. [c.68]

Бор характеризуется малым сродством к электрону и образует с металлами соединения преобладающего ковалентного характера, где атомы бора связаны друг с другом в пары, цепочки, гексагональные сетки и комплексы чисто ковалентными связями. Тенденцию к захвату электронов бор проявляет лишь в моносоединениях с наиболее электроположиФельными металлами IV группы и актиноидами, образуя бориды ZrB, HfB, UB, NpB, PuB (табл. 14, рис. 39). (В табл. 14—17 в скобках указаны прогнозы стехиометрического состава, структуры и параметров решетки еще не открытых соединений, выполненные нами на основе теории валентности и электронного строения компонентов). Структура типа Na l этих соединений может быть объяснена предположением о переходе пяти валентных [c.95]

Постепенное замещение компонента Л на В в кристаллах с образованием непрерывного ряда твердых растворов приводит в общем к непрерывному изменению параметров решетки. Линейное изменение констант решетки с концентрацией называется правилом Вегар-да. В процессе замещения решетка с большими расстояниями между атомами сжимается, а решетка с меньшими расстояниями расширяется. Поэтому, зная состав смешанного кристалла и параметры решеток чистых компонентов, можно вычислить периоды решетки смешанного кристалла. Известны многочисленные отклонения от этого правила. Параметры решетки, определенные экспериментально, могут быть и меньше, и больше, чем найденные суммированием по правилу Вегарда (рис. 8.7). Причиной отклонений может быть различие валентностей обоих компонентов и их сродства к электрону. [c.139]

Смотреть страницы где упоминается термин Атомы Сродство к электрону : [c.70] [c.96] [c.280] [c.368] [c.87] [c.185] [c.201] [c.207] [c.310] [c.371] [c.598] [c.79] [c.605] [c.487] [c.376] [c.378] [c.614] [c.67] [c.229] [c.252] [c.60] [c.293] [c.31] [c.178]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...