Бинарные соединения

Таким образом, даже в простейших бинарных соединениях состав дефектов значительно сложнее, чем в элементарных кристаллах. Количество различных дефектов в бинарных кристаллах становится еще большим, если имеются примесные атомы и существует возможность комплексообразования. [c.93]

На рис. 3.28 приведена схема установки выращивания монокристаллов бинарных соединений полупроводников из газовой фазы методом взаимодействия исходных компонентов. Выращивание монокристалла производится в потоке нейтрального газа или водорода. Печь применяют трехсекционную, причем две крайние секции используют для испарения компонентов. Средняя печь предназначена для поддержания необходимой температуры в реакторе, где происходит смешивание паров компонентов и их реакция. Температура в реакторе ниже, чем температура плавления образующегося соединения. Это вызывает конденсацию соединения на стенках реактора в виде кристаллов. [c.84]

Бинарные соединения. Среди бинарных соединений практическое применение находят соединения [c.291]

Адсорберы в холодильных машинах F 25 В 37/00 Адсорбция [для исследования или анализа материалов G 01 N 30/00 как способ очистки <воды и сточных вод С 02 F 1/28 нефтепродуктов или минеральных масел С 10 G 25/00-25/12)] Азот, бинарные соединения с металлами, кремнием или бором С 01 В 21/06-21/076 Азотирование стальных изделий С 23 С 8/26, 8/50 Акселерометры Аксиальные турбины F 01 D / активные 1/04 с противоположным вращением роторов 1/26 реактивные 1/20 роторы для них 5/06) Активные ту ины [F 01 D <1/02-1/14 аксиальные 1/04 радиальные 1/06-1/08, 1/14) гидравлические F 03 В 1/00-1/04] [c.44]

В технологии урана важнейшую роль играют его бинарные соединения оксиды и галогениды, особенно фториды, а также соли уранила сульфаты, нитраты, карбонаты, фосфаты и соли [c.153]

Рис. 201. Тройная система/ —В— —С, имеющая бинарные эвтектики W, X, У, тройные эвтектики Qj. Q2, седло-R и бинарное соединение АС (изотермическое сечение проведено через тройную эвтектику Q2)

Рис. 201. <a href="/info/93432">Тройная система</a>/ —В— —С, имеющая <a href="/info/135325">бинарные эвтектики</a> W, X, У, <a href="/info/135473">тройные эвтектики</a> Qj. Q2, седло-R и бинарное соединение АС (изотермическое сечение проведено через тройную эвтектику Q2)

Характерной особенностью современного этапа развития электронной техники является вовлечение в сферу ее непосредственных интересов широкой номенклатуры полупроводниковых материалов. Важнейшими из них являются кремний, арсенид галлия и большая группа других бинарных соединений и многокомпонентных твердых растворов на основе [c.38]

Фосфиды — бинарные соединения фосфора с переходными металлами — представляют собой полупроводники, сверхпроводники, ферромагнетики. Как правило, они обладают высокой температурой плавления и являются весьма коррозионноустойчивыми материалами в кислотах и щелочах. Фосфиды находят применение в качестве добавок к различным специальным сплавам. [c.30]

Намагниченность насыщения и точка Кюри некоторых бинарных соединений [c.526]

Величину 2(ф1+ф2+фз) сводят в одну постоянную, которая называется константой Маделунга Различные вещества с решеткой одинакового типа имеют равные константы Маделунга. Таким образом, энергия решетки бинарного соединения при любой валентности ионов г определяется из выражения [c.73]

СИСТЕМЫ ОКИСЛОВ с ФТОРИДАМИ и ДРУГИМИ БИНАРНЫМИ СОЕДИНЕНИЯМИ [c.742]

Системы окислов с фторидами и другими бинарными соединениями 743 [c.743]

Структура ZnS (рис. 1.26, 1.27). По типу структуры ZnS кристаллизуются многие бинарные соединения (GaAs, IzSb, ZnO). Сточки зрения плотнейшей упаковки любую структуру можно представить как состоящую из октаэдров и двойного числа тетраэдров, при этом возможны тетраэдры двух сортов —одна половина тетраэдров вершинами смотрит вдоль тройной оси (ось, перпендикулярная плотноупакованньш слоям) упаковки вверх, а другая половина —вниз. Заселяя одну половину тетраэдров катионами, приходим к структурному типу ZnS. Особенностью структур этого типа является их полярность, вызванная неравноценностью двух концов тройных осей — один конец соответствует основанию тетраэдра, а другой— вершине. [c.31]

Предположим, что в кристалле бинарного соединения АВ нет примесных атомов и имеется riiA междоузельных атомов в подрешетке Л, Пгв междоузельных атомов в подрешетке В и соответственно ПуА И Пчв вакансий. [c.93]

Карбид кремния. Он является единственным бинарным соединением, образованным полупроводниковыми элементами IV группы таблицы Менделеева. Это нолупроводииковый материал с большой шириной запрещенной зоны 2,8—3,1 эВ (в зависимости от модификаций). Карбид кремния применяют для изготовления полупровод- иковых приборов, работающих дри высоких температурах вплоть до 700 °С. [c.290]

В соединениях К. проявляет степень окисления 2, реже —1. Обладает высокой реакц, способностью (хим. активность О3 вьппе, чем О ) и образует соединения почти со всеми хим. элементами. Бинарные соединения, в к-рых атомы К. не связаны между собой, наз. оксидами (СаО, SOg и др.). Соединения, содержащие группировку [c.371]

К М. к. относятся квазидвумерные соединения (слоистые) и квазиодномерные соединения (цепочечные), где слои и цепочки связаны силами Ван-дер-Ваальса. М. к. образуют комплексные и алементоорганич. соединения (рис, 1, а, 6), бинарные соединения (Н О, Oj, НС и др.). В форме М. к. могут существовать нек-рые простые вещества (Н , Oj, N , галогены). [c.200]

Исследования последнего десятилетия в области химии бинарных соединений лития дают основания для сомнений в существовании силицида лития указанного состава. Имеются соображевня об образовании в системе литий — кремний иных соединений.— Прим. ред. [c.359]

Углерод, бор и кремний. При повышенных температурах тантал непосредственно реагируете углеродом, бором и кремнием, образуя соответственно Та С и ТаС, ТаВ и ТаВг и TaSij влитературе имеются сообщения н о других бинарных соединениях этих элементов. Для этих соединений характерны внешний вид и свойства металлов, высокие температуры плавления и большая твердость. [c.726]

В системе 2гОг—СаО образуется одно бинарное соединение — цирконат кальция aO-ZrO , плавящийся при 2300°С. Это соединение имеет важное значение в технологии производства изделий из ХгОг. В системе 2гОг—MgO образуются твердые растворы (до 40% MgO) с кубической решеткой, у которых отсутствуют полиморфныё превращения. [c.121]

В основе обозначения — химический состав для обозначения структур простых веществ (элементов) используют букву А (А1 — г, ц. к., А2 — о. ц. к., A3 — г. п., A4—кубическая типа алмаза и т. д.), для обозначения бинарных соединений равноатомного состава XY — букву В, для соединений XY — букву С, для пУт — букву О для фаз металлических сплавов в свое время было введено обозначение L (от немецкого Legierungen) цифры не имеют специального содержания и отражают хронологическую последовательность учета данного структурного типа дополнительная буква в индексе первоначально носила характер временного обозначения. [c.101]

Л=1,03 [д.(0)-[1—Т /(2Т )]. При температуре 25°С, для которой Г/Гя—0,32, вычисленное устойчивое значение модуля уиругости при сдвиге при нулевом значении напряжения для изотропного алюминия в упомянутом дискретном распределении значений равно 3110 кгс/мм что близко к значению [д.=2690 кгс/мм , найденному на основании данных Цуккера. Следует подчеркнуть, что вычисленное мною значение основано на теории, вытекающей из анализа огромного количества значений модулей, найденных экспериментально для почти шестидесяти элементов и бинарных соединений. [c.485]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...