Микроскоп ионный

Микроскопы ионные — Исследование структуры паяных соединений 315 [c.389]

Для определения фрактальной размерности требуется использование оптической микроскопии в широком интервале изменения увеличения и разрешения. Это достигается при комбинировании световой, сканирующей электронной и трансмиссионной электронной микроскопии (в отдельных случаях также используют ионную туннельную электронную микроскопию). [c.92]

Наглядные картины расположения атомов в кристалле удается получать с помощью электронного микроскопа и ионного проектора (рис. 101). [c.90]

ПЭ используется в некоторых вакуумных электронных приборах, в полевой электронной и ионной микроскопии, взрывная электронная эмиссия — в сильноточных ускорителях электронов и в импульсных источниках рентгеновского излучения высокой интенсивности [30]. [c.588]

Способностью к диффузии обладают мельчайшие частицы вещества (отдельные молекулы, атомы или ионы), а также более крупные частицы, хорошо видимые в микроскоп, находящиеся среди молекул газа или жидкости и участвующие в броуновском движении. [c.80]

С помощью метода ионной микроскопии были получены фотографии расположения атомов вокруг краевых дислокаций. В качестве примера можно привести результаты исследования атомной структуры ядра дислокации с вектором Бюргерса 6 = 0,5 а [100] [c.95]

Одиночные вакансии можно увидеть лишь при увеличении около 10 000 000 раз посредством ионной микроскопии. [c.33]

В большинстве случаев проводится дилатометрия [3], иммерсионное взвешивание [4, 5] и электронно-микроскопическое исследование [3, 6] контрольных (исходных) и облученных образцов. На них базируются основные представления о закономерностях развития радиационного распухания. Ионная микроскопия [7] и ядерно-физические методы исследования (позитронная аннигиляция [8], малоугловое рассеяние нейтронов [10] и рентгеновских лучей [9]) дополняют их ионная микроскопия и позитронная аннигиляция позволяют проследить за образованием, зародышей пор, начиная с нескольких вакансий, а метод малоуглового рассеяния рентгеновских лучей — определить концентрации-пор и дислокационных петель при высоком уровне радиационного, повреждения. [c.115]

Микропроцессоры (G 06 F использование в устройствах управления подачей горючей смеси в ДВС F 02 D 41/26) Микроскопы [G 02 В <21/00-21/36 бинокулярные устройства 21/20-21/22 корпуса 21/24-21/30 объективы 21/02-21/04 предметные столики 21/26 приспособления для освещения ультрафиолетовыми лучами 21/16 средства для освещения объектов наблюдения 21/06-21/14 для фотографических или проекционных целей 21/36) G 21 К (гамма-микроскопы 7/00 рентгеновские 7/00) (использование для исследования или анализа материалов N 21/01-21/91 измерительные В 9/04) G 01 электронные (или ионные Н 01 J 31126-211295, использование при анализе материалов G 01 N 23/225)] [c.113]

Исследования структуры рабочей поверхности автокатодов в растровом электронном микроскопе [225] позволяют сделать заключение о динамике изменения рабочей поверхности. Исходная поверхность (рис. 3.33а, б) с микровыступами с радиусами закругления порядка 0,01—0,1 мкм претерпевает разрушения под действием ионной бомбардировки и пондеромоторных сил. Эти разрушения наиболее интенсивны в первые 50—100 часов работы и проявляются в виде многочисленных язв и щербин, эрозии боковой поверхности и наружной кромки волокна, аналогично полиакрилонитрильным волокнам. [c.161]

Изображение усов пироуглерода без заострения торцевой поверхности, полученные в ионном микроскопе, проявляют слоистую структуру, связанную с формированием внутреннего строения усов при их росте из газовой фазы (рис. 3.38). Можно наблюдать ради- [c.167]

Рис. 5.20. Изображения поперхности а—С пленок, полученных в атомно-силовом микроскопе с энергаями ионов углерода и — 20 эВ б — 60 эВ в — 120 эВ

ИОННАЯ МИКРОСКОПИЯ. Для прямого анализа расположения атомов вокруг линии дислокации необходимо очень высокое разрешение. В настоящее время такое разрешение дает только ионный микроскоп (ионный проектор), принцип действия которого состоит в следующем. С поверхности образца, представляющего собой иглу с очень малым радиусом закругления острия (менее 10 см), находящуюся под действием поля высокого напряжения, срываются электроны. За счет эффекта поляризации на игле осаждаются молекулы нейтральнм о газа. После соприкосновения с ио-верхностью металла молекулы газа диффундируют к острию иглы. Когда такая молекула попадает в область местного усиления поля высокого напряжения, происходит ее ионизация и ион летит под действием ускоряющего высокого напряжения к флуоресцирующему экрану прибора. Этот метод, имеющий наибольшее разрешение из всех известных в настоящее время прямых методов исследования структуры материалов, позволяет различать отдельные атомы в кристаллах. Увеличение прибора определяется соотношением между радиусом кривизны острия и расстоянием от объекта до экрана и может достигать нескольких миллионов. [c.94]

Наблюдення отдельных атомов. В настоящее время основные положения молекулярно-кинетической теории подтверждаются многочисленными опытами с использованием достижений современной экспериментальной техники. С помощью ионного проектора получают изобралсения кристаллов, по которым можно представить их строение. Электронные микроскопы позволили получить изображения, по которым оказалось возможным определение расстояния между отдельными атомами в молекуле. [c.73]

Механические свойства основного металла, определенные после нанесения ионно-плазменного покрытия из нитрида титана отличаются незначительно, независимо от времени нагрева при напылении (сГ(, 2 = 1150 МПа Ов = 1400 МПа б = 5,5% ф = 36%). Структура стали У8 — отпущенный сорбит. Металлографические исследования показали, что даже на нетравленных шлифах граница между покрытием и основой проявляется сравнительно четко, покрытие копирует рельеф металла. На участках, нормальных к направлению движения напыляемых частиц, толщина покрытия больше, чем на остальных. Поверхность покрытия неровная, наблюдаются впадины и бугры. Дно крупных впадин, имеющих форму усеченного конуса, обычно опцавлено, края гладкие. Аналогичные образования были обнаружены при исследовании поверхности покрытия на растровом микроскопе [246]. Полагают, что в данном случае имеет место химическое взаимодействие материалов покрытия и основы. Результаты определения трещиностойкости приведены в табл. 8.1. [c.152]

Установка, разработанная в Институте проблем материаловедения АН УССР [257] на базе вакуумного универсального поста, позволяет вращать объект со скоростью 15 об/с при угле падения ионного пучка 60—85°. Обе ионные пушки питаются от одного высоковольтного выпрямителя, напряжение может варьироваться от 1 до 10 кВ. Величина тока ионных пучков изменяется двумя газовыми натекателями аргона и составляет, как правило, 15—30 мкА. Регулировка установки заключается в установлении оптимального разрядного промежутка передвижением анода. Для выхода ионного пучка в катоде имеется отверстие. Разряд зажигается между торцом цилиндрического анода и плоским катодом, изготовленным из алюминия толщиной 1 мм. Исходными заготовками служили пластинки, которые утонялись на достаточно большой площади до появления нескольких отверстий с краями, прозрачными при исследовании на электронном микроскопе. Ширина участков, пропускающих электронный пучок, достигает 100 мкм [257]. [c.178]

В последние годы благодаря развитию экспериментальной техники, в первую очередь электронной микроскопии высокого разрешения и высокоразрешающих методов рентгеновской и электронной дифракции, стали возможными экспериментальные исследования структуры границ на атомном уровне. С помощью этих методов, а также ионной микроскопии получены убедительные доказательства справедливости кристаллогеометрических теорий для описания структуры границ. Эти выводы относятся как к межзе-ренным, так и к межфазным границам. [c.90]

Исследования были проведены на аустенитной нержавеющей стали Х18Н10Т, склонной к интенсивному деформационному старению. Трубчатые образцы диаметром 21 мм и толщиной стенки 1,5 мм испытывали при растяжении-сжатии (частота нагружения приблизительно 1 цикл/мин) на установке типа УМЭ-10 т, снабженной вакуумной системой и средствами исследования микроструктуры на поверхности образца [1]. Указанная установка оборудована также системой управления силовозбудителем для получения двухчастотного режима нагружения (частота около 20 цикл/мин) и автоматическим устройством для программного нагружения с временными выдержками на экстремальных уровнях нагрузки в полуциклах нагружения. Испытания были проведены при моногар-моническом малоцикловом нагружении, при нагружении с выдержкой 5 мин при максимальной (по абсолютной величине) нагрузке в полуциклах, а также с наложением нагрузки второй частоты в процессе выдержки при температурах 450° С и 650° С [2]. При исследованиях структуры использованы методы световой (для определения числа, размера и характера расположения частиц), ионной и просвечивающей электронной микроскопии (для определения характера распределения карбидов и легирующих элементов), электронной микроскопии со снятием реплик с зон изломов, а также методы рентгеноструктурного (для определения степени искаженности кристаллической решетки в зависимости от уровня нагрузки) и рентгеноспектрального анализа. Образцы исследовались в зонах разрушения. [c.67]

Единственный метод, позволяющий исследовать зарождение и рост пор непосредственно в процессе облучения, — облучение в высоковольтном электронном микроскопе (ВВЭМ). При этом можно исследовать динамику развития индивидуальных пор взаимосвязь дислокационной структуры, ее подвижности и развития радиационной пористости взаимосвязь распада твердого раствора в процессе облучения, выделений и развития радиационной пористости развитие пор, созданных ранее — при предварительном облучении нейтронами или ионами. [c.117]

Влияние свободной поверхности необходимо учитывать при исследовании радиационного распухания, вызванного ионным или электронным облучением. В экспериментах по облучению в высоковольтном электронном микроскопе влияние свободных поверхностей образца накладывает ограничение на толш,ину исследуемого объекта (О —( > 3 Lfv) [114, 121, 122]. В противном случае полученные результаты не представительны для описания поведения объемного повреждения материалов. При температуре порядка 600° С толщина стальных образцов должна быть не меньше 1,5 мкм. Интересное явление наблюдается в случае электронного облучения в высоковольтном электронном микроскопе при 400° С фолы, которые изготовлены из объемных образцов никеля, предварительно облученных нейтронами при 400°С до появления мелких пор, а именно происходит рост пор в центральной части фольги и исчезновение их из областей, прилегающих к поверхностям [121]. [c.148]

На протяжении нескольких лет (с 1971 по 1976 г.) упорядочение пор наблюдалось только в материалах, облученных нейтронами или ионами, но не при облучении их в высоковольтном электронном микроскопе. В связи с этим в обзорах и статьях по упорядочению пор, опубликованных по 1976 г., к особенностям развития упорядоченной структуры пор относят отсутствие упорядочения пор при облучении материалов в высоковольтном электронном микроскопе [158]. В 1976 г. Чаддертон и др. [156] сообщили о формировании ГЦК-решетки пор во флюорите кальция при облучении электронами с энергией 100 кэВ. Фишер и Уильямс [161] наблюдали пространственное упорядочение пор при облучении в высоковольтном микроскопе азотированной стали 20/25, легированной титаном. [c.162]

Кении [791 исследовал структуру стали 316 LS и обычной стали 316 после облучения ионами с энергией 4 МэВ при 627° С до доз 1 и 10 с/а. Оказалось, что после облучения этой стали дозой 10 с/а сохраняются дислокационные петли Франка, размер которых не превышает 1500 А, в то время как в обычной стали 316 петли выросли настолько, что образовали дислокационную сетку. Проведя рентгеноструктурные исследования непосредственно в электронном микроскопе, Кеник показал, что вокруг петель Франка образуются обогащенные кремнием облака, в которых концентрация кремния в 4—5 раз превосходит среднюю, что сдерживает рост петель и ведет к повышению рекомбинации вакансий и межузельных атомов. [c.177]

Автоиоиное изображение углеродных волокон. Получение авто-ионных изображений проводилось в цельнометаллическом автоион-ном микроскопе, подобном описанию в [190], имеющем сорбционную систему откачки. Давление остаточных газов в рабочей камере микроскопа по активным компонентам составляло менее 10 Па. Исследования проводились с охлаждением образца до температуры жидкого водорода. Особенностью микроскопа являлась система шлюзования образца, позволяющая проводить смену объекта при рабочих температурах. В качестве изображающего газа использовался гелий. Микроскоп был снабжен встроенным усилителем яркости на микрока-нальной пластине диаметром 56 мм. Времена экспозиции в процессе работы составляли от нескольких секунд до нескольких десятков секунд, а полное время, затрачиваемое на смену образца, его охлаждение и получение изображения не превышало 15—20 минут. [c.133]

Тепловой режим автокатода из углеродного волокна. Подавляющая часть работ, связанных с тепловыми режимами автока-тодов, посвящена острийным металлическим или пленочным автокатодам [206—209]. Ниже приводится расчет [210 теплового режима автокатода из углеродного волокна на основе ПАН. Расчеты приведены для отдельных микровыступов, определяющих работоспособность автокатода, и включают в себя как факторы нагрева (тепло Джоуля и Ноттингама, ионная бомбардировка), так и факторы охлаждения катода (теплопроводность, тепловое излучение, испарение материала катода). Из анализа эмиттирующей поверхности в растровом электронном микроскопе следует, что характерные размеры микровыступов на торце углеродного волокна таковы радиус закругления вершины 50—100 А, высота 200—400 А, радиус основания 200—500 А. При этом максимальный ток с микровыступа, приводящий к резкой нестабильности, равен 10 мкА, а общий ток с одиночного волокна — 400 мкА. [c.149]

ЧТО структура с х/Я-связями в а—С пленке играет роль проводящих дорожек, которые создают более благоприятные условия для автоэмиссии электронов. Но на уменьшение порогового напряжения может влиять множество других факторов. Например, эффект геометрического усилия электрического поля из-за морфологии поверхности. Для исследования геометрического эффекта был использован атомный силовой микроскоп. На рис. 5.20 представлены соответствующие изображения а—С пленки, полученной при трех разных энергиях ионов углерода. [c.217]

Первый Л. 3. был построен 9. Мюллером (Е. W. Miil-1ег) с сотрудниками (1968). Это был узкоапертурньм А. 3. с анализом ионов по времени пролёта (т. и. в р е-м я п р о л ё т н ы й А. 3.). В этом приборе экран полевого ионного микроскопа имеет небольшое зондо-вое отверстие, на к-рое с помощью механич. системы наводится изображение выбранного оператором анализируемого атома. Затем короткий высоковольтный [c.154]

Эксперименты с Д. п. позволяют определять энергии СВЯ.ЭИ с матрицей адсорбиров. частицы. Д. п. применяют для холодной очистки острий в полевой эмиссионной микроскопии, как один из методов получения интенсивных ионных пучков, напр, в ионных источниках масс-спектрометров. Д. п. и испарение полем — осн. про- [c.585]

Смотреть страницы где упоминается термин Микроскоп ионный : [c.154] [c.476] [c.476] [c.147] [c.188] [c.187] [c.285] [c.159] [c.91] [c.499] [c.249] [c.256] [c.70] [c.271] [c.120] [c.12] [c.32] [c.585] [c.702] [c.196] [c.196] [c.209] [c.273] [c.585]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...